粘合剂层130可以具有柔性，由此允许显示装置的柔性功能。
[0060]针对这样的示例，导电粘合剂层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电性颗粒的溶液等等。导电粘合剂层130可以允许在穿过其厚度的Z方向上的电互连，但是可以被构造为在其水平x-y方向上具有电绝缘的层。因此，导电粘合剂层130可被称为z轴导电层(但是，下文中被称为“导电粘合剂层”)。
[0061]各向异性导电膜是具有其中各向异性导电介质与绝缘基体构件相混合的形式的膜，并且因此，当将热和压力施加到该各向异性导电膜上时，只有其特定部分可借助各向异性导电介质具有导电性。在下文中，热和压力被施加到各向异性导电膜，但是其它方法也可用于各向异性导电膜以部分地具有导电性。该方法可以包括仅将热和压力(UV固化等等)中的任一个施加到各向异性导电膜上。
[0062]此外，各向异性导电介质可以是导电球或颗粒。根据附图，在本实施方式中，各向异性导电膜是具有其中各向异性导电介质与绝缘基体构件相混合的形式的膜，并且因此，当将热和压力施加到该各向异性导电膜上时，只有其特定部分可借助各向异性导电介质具有导电性。各向异性导电膜可以是这样一种状态:其中，具有导电材料的芯包含由具有聚合物材料的绝缘层涂覆的多个颗粒，并且在这种情况下，借助该芯它可能具有导电性同时在热和压力被施加的部分上破坏绝缘层。这里，芯可以被转化以实现具有对象在膜的厚度方向上接触的两个表面的层。针对更具体的示例，热和压力被整体施加到各向异性导电膜，并且在z轴方向上的电连接通过与使用向异性导电膜粘合的配合对象的高度差而部分地形成。
[0063]又例如，各向异性导电膜可以是这样一种状态，包含其中导电材料被涂敷在绝缘芯上的多个颗粒的状态。在这种情况下，热和压力被施加到的一部分可以被转换加压和粘合)为导电材料以在膜的厚度方向上具有导电性。再例如，它可以形成为在其中导电材料在z方向上穿过绝缘基底构件的膜的厚度方向上具有导电性。在这种情况下，导电材料可具有尖的?而部。
[0064]根据附图，各向异性导电膜可以是固定阵列各向异性导电膜(ACF)，该固定阵列各向异性导电膜(ACF)以其中导电球被插入到绝缘基底构件的一个表面的形式构造。更具体地，绝缘基底构件由粘合剂材料形成，并且导电球都集中设置在所述绝缘基底构件的底部，并且当对其施加热和压力时，所述基底构件随着所述导电球变形，由此在垂直方向上具有导电性。
[0065]然而，本公开可不必局限于此，并且各向异性导电膜可以都允许具有导电球与绝缘基底构件随机混合的形式或以其中导电球被设置在任一层(双ACF)的多个层来构造的形式寺寺。
[0066]作为联接到膏和导电球的形式，各向异性导电膏可以是其中导电球与绝缘和粘合基底材料混合的膏。此外，含有导电性颗粒的溶液可以是含有导电性颗粒或纳米颗粒的形式的溶液。
[0067 ]再次参照附图，第二电极140被定位在绝缘层160的与辅助电极170分离的位置。换句话说，导电粘合剂层130被设置在具有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上。
[0068]当在辅助电极170和第二电极140所在位置的状态下形成导电粘合剂层130，并且然后以施加热和压力的倒装芯片的形式将半导体发光器件150连接到导电粘合剂层130时，半导体发光器件150被电连接到第一电极120和第二电极140。
[0069]参照图4，半导体发光器件可以是芯片倒装型半导体发光器件。
[0070]例如，半导体发光器件可以包括:p型电极156、形成有p型电极156的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的有源层154、形成在有源层154上的η型半导体层153以及η型电极152，该η型电极152被设置为在水平方向上与ρ型电极156分离并且位于η型半导体层153上。在这种情况下，ρ型电极156可以通过导电粘合剂层130电连接到焊接部179，并且η型电极152可以电连接到第二电极140。
[0071]再次参照图2、图3Α和图3Β，辅助电极170可以在一个方向上以细长方式形成以电连接到多个半导体发光器件150。例如，半导体发光器件的、在辅助电极周围的左侧ρ型电极和右侧Ρ型电极可以电连接到一个辅助电极。
[0072]更具体地，半导体发光器件150被压入导电粘合剂层130，并通过该步骤，仅位于半导体发光器件150的ρ型电极156与辅助电极170之间的一部分和位于半导体发光器件150的η型电极152与第二电极140之间的一部分具有导电性，而其余部分不具有导电性，因为没有半导体发光器件的下推。
[0073]另外，多个半导体发光器件150构成发光阵列，并且磷光体层180被形成在发光阵列上。
[0074]发光器件可以包括具有不同的自亮度值的多个半导体发光器件。半导体发光器件150中的每一个均构成子像素，并且电连接到第一电极120。例如，可存在多个第一电极120，并且以多个行布置半导体发光器件，并且例如半导体发光器件的每一行可以电连接到所述多个第一电极中的任何一个。
[0075]此外，半导体发光器件可以以倒装芯片的形式连接，并且因此半导体发光器件生长在透明电介质基板上。此外，半导体发光器件例如可以是氮化物半导体发光器件。半导体发光器件150具有优异的亮度特性，并且因此即使半导体发光器件150具有小尺寸，它也可以构造单独的子像素。
[0076]根据该图，可以在半导体发光器件150之间形成分隔壁190。在这种情况下，分隔壁190可以执行将单独子像素彼此划分的作用，并且被形成为与导电粘合剂层130—体。例如，当半导体发光器件150被插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基体构件可以形成分隔壁。
[0077]另外，当各向异性导电膜的基体构件是黑色时，分隔壁190可具有反射特性，同时增加与没有额外的黑色绝缘体的对比度。
[0078]又例如，反射的分隔壁可以用分隔壁190单独地设置。在此情况下，根据显示装置的用途，分隔壁190可以包括黑色或白色绝缘体。当使用白色绝缘体的分隔壁时，可以具有增强反射率的效果，并且在具有发射特性的同时增加对比度。
[0079]磷光体层180可以位于半导体发光器件150的外表面。例如，半导体发光器件150是发射蓝(Β)光的蓝色半导体发光器件，并且磷光体层180执行将蓝(Β)光转换成子像素的颜色的作用。磷光体层180可以是构成单独像素的红色磷光体层181或绿色磷光体层182。
[0080]换句话说，能够将蓝光转换成红(R)光的红色磷光体181可以在实现红色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件151上，能够将蓝光转换成绿(G)光的绿色磷光体182可以在实现绿色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件151上。此外，只有蓝色半导体发光器件151可以在实现蓝色子像素的位置单独使用。在这种情况下，红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。更具体地，一种颜色的磷光体可以沿第一电极120的每一行进行沉积。因此，第一电极120上的一行可以是控制一种颜色的电极。换句话说，红色(R)、绿色(B)和蓝色(B)可顺序地设置，由此实现子像素。
[0081]然而，本公开可不必局限于此，并且半导体发光器件150可以以量子点(QD)而不是磷光体进行组合以实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。
[0082]此外，黑底191可以被设置在各个磷光体层之间以增强对比度。换句话说，黑底191可以增强亮度的对比度
[0083]然而，本公开可不必局限于此，并且用于实现蓝色红色和绿色的另一个结构也可以适用于此。
[0084]参照图5A，每个半导体发光器件150可以发射包括蓝色的各种光的高功率发光器件实现，其中，主要使用氮化镓(GaN)主要，并且铟(In)或铝(A1)被添加到其中。
[0085]在这种情况下，半导体发光器件150可以分别是红色、绿色和蓝色半导体发光器件，以实现每个子像素。例如，红色，绿色和蓝色半导体发光器件(R、G、B)交替设置，并且红色，绿色和蓝色子像素借助红色，绿色和蓝色半导体发光器件实现一个像素，由此实现全彩色显示。
[0086]参照图5B，半导体发光器件可以具有设置有用于每个元件的黄色磷光体层的白色发光器件(W)。在这种情况下，也可以在白色发光器件(W)上设置红色磷光体层181、绿色磷光体层182和蓝色磷光体层183以实现子像素。此外，可以使用在白色发光器件上(W)上重复有红色、绿色和蓝色的滤色器来实现子像素。
[0087]参照图5C，还可以具有如下结构，在该结构中，可以在紫外线发射装置(UV)上设置红色磷光体层181、绿色磷光体层182和蓝色磷光体层183。以这种方式，半导体发光器件能够在到紫外线(UV)以及可见光的整个区域上使用，并且可以延伸以形成其中紫外线(UV)可以用作激励源的半导体发光器件的形式。
[0088]再次考虑本实施方式，半导体发光器件150被放置在导电粘合剂层130上以构造显示装置中的子像素。半导体发光器件150可具有优异的亮度特性，并且因此即使其具有小尺寸也可构造单独子像素。单独的半导体发光器件150的尺寸在其一侧的长度中可以小于80μm，并形成有矩形或正方形形状的元件。在矩形形状的元件的情况下，其尺寸可以小于20 X80μπιο
[0089]此外，即使具有ΙΟμπι的侧边的长度的正方形形状的半导体发光器件150用于子像素，它也将表现出实现显示装置的足够亮度。因此，例如，在子像素的一侧的尺寸为600μπι的矩形像素并且其剩余的一侧为300μπι的情况下，半导体发光器件之间的相对距离也变得足够大。因此，在这种情况下，可以实现具有HD图像质量的柔性显示装置。
[0090]使用上述半导体发光器件的显示装置将由一种新型的制造方法来制造。以下，将将参照图6来描述该制造方法。
[0091]图6是示出制造使用根据本公开的半导体发光器件的显示装置的方法的横截面图。
[0092]参照附图，首先，在定位有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上形成导电粘合剂层130。绝缘层160被沉积在第一基板110上以形成一个基板(或布线基板)，并且第一电极120，辅助电极170和第二电极140设置在布线基板上。在这种情况下，第一电极120和第二电极140可以在彼此垂直的方向上设置。此外，第一基板110和绝缘层160可以分别包含玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。
[0093]导电粘合剂层130例如可通过各向异性导电膜来实现，并且为此，各向异性导电膜可涂覆在定位有绝缘层160的基板上。
[0094]接着，定位有与辅助电极170和第二电极140的位置对应且构造单独像素的多个半导体发光器件150的第二基板112被设置为使得半导体发光器件150面对辅助电极170和第二电极140。
[0095]在这种情况下，作为用于使半导体发光器件150生长的生长基板的第二基底112可以是蓝宝石基板或硅基板。
[0096]半导体发光器件可具有在以晶片为单位形成时能够实现显示装置的间隙和尺寸，并且因此有效地用于显示装置。
[0097]接着，布线基板被热压缩至第二基板112。例如，布线基板和第二基板112可以通过施加ACF压头被热压缩。布线基板和第二基板112使用热压彼此接合。由于各向异性导电膜通过热压缩具有导电性，因此只有半导体发光器件150与辅助电极170和第二电极140 二者之间的部分可以具有导电性，由此允许电极和半导体发光器件150彼此电连接。此时，半导体发光器件150可被插入到各向异性导电膜，由此在半导体发光器件150之间形成分隔壁。
[0098]接着，第二基板112被移除。例如，第二基板112可以利用激光剥离(LL0)或化学剥1? (CL0)法来移除。
[0099]最后，第二基板112被移除，以将半导体发光器件150暴露于外部。氧化硅(S1x)等可以涂敷在联接到半导体发光器件150的布线基板上以形成透明绝缘层(未示出)。
[0100]此外，可以进一步包括在半导体发光器件150的一个表面上形成磷光体层的过程。例如，半导体发光器件150可以是用于发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且用于将蓝色(B)光转换成子像素的颜色的红色或绿色磷光体可在半导体发光器件的一个表面上形成一层。
[0101]使用上述半导体发光器件的显示装置的制造方法或结构可以以各种形式进行修改