。对于这样的一个例子，前述显示装置可以适用于垂直半导体发光器件。此后，将参照图5和图6对垂直结构进行说明。
[0102]此外，根据下面的变形例或实施方式，相同或相似的附图标记被指定给针对前述示例的相同或相似的构造，并且其描述将被前面的描述来代替。
[0103]图7是示出使用根据本公开的另一实施方式的半导体发光器件的显示装置的立体图，图8是沿着图7中的线C-C截取的横截面图，并且图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念图。
[0104]根据附图，显示装置可以是使用无源矩阵(PM)型垂直半导体发光器件的显示装置。
[0105]显示装置可以包括基板210、第一电极220、导电粘合剂层230、第二电极240和多个半导体发光器件250。
[0106]设置有第一电极220的、作为布线基板的基板210可包括聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示装置。此外，任何一种材料在它是绝缘和柔性的材料的情况下都可以被使用。
[0107]第一电极220可以位于基板210上，并形成有在一个方向上伸长的条形的电极。第一电极220可形成为执行数据电极的作用。
[0108]在定位有第一电极220的基板210上形成导电粘合剂层230。与倒装芯片型发光器件被施加到其的显示装置相似，导电粘合剂层230可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电性颗粒的溶液等。然而，本实施方式示出了导电粘合剂层230由各向异性导电膜实施的情况。
[0109]当各向异性导电膜在第一电极220位于基板210上的状态被定位，然后热和压力被施加以将半导体发光器件250与其连接时，半导体发光器件250电连接到第一电极220。此时，半导体发光器件250优选可以设置在第一电极220上。
[0110]因为当如上所述地施加热和压力时各向异性导电膜在厚度方向上部分地具有导电性，所以生成电连接。因此，各向异性导电膜在其厚度方向上被分隔成具有导电性的部分231和没有导电性的部分232。
[0111]此外，各向异性导电膜包含粘合剂成分，从而导电粘合剂层230实现了半导体发光器件250与第一电极220之间的机械联接以及电联接。
[0112]以这种方式，半导体发光器件250被放置在导电粘合剂层230上，由此构造显示装置中的分离的子像素。半导体发光器件250可具有优异的亮度特性，并且因此即使半导体发光器件150具有小尺寸也可构造单独的子像素。单独半导体发光器件250的尺寸在其一侧的长度中可小于80μπι，并形成有矩形或正方形形状的元件。在矩形形状的元件的情况下，其尺寸可以小于20Χ80μηι。
[0113]半导体发光器件250可以是垂直结构。
[0114]在与第一电极220的长度方向交叉的方向上设置的并且电连接到垂直半导体发光器件250的多个第二电极240可以位于位于垂直半导体发光器件之间。
[0115]参照图9中，垂直半导体发光器件可以包括:ρ型电极256、形成有ρ型电极256的ρ型半导体层255、形成在ρ型半导体层255上的有源层254、形成在有源层254上的η型半导体层253以及形成在η型半导体层253上的η型电极252。在这种情况下，设在其底部的ρ型电极256可通过导电粘合剂层230电连接到第一电极220，以及位于其顶部的η型电极252可以电连接到将在后面描述的第二电极240。所述电极可以在垂直半导体发光器件250中沿着向上/向下方向设置，由此提供能够减小芯片尺寸的很大优点。
[0116]再次参照图8，可以在半导体发光器件250的一个表面上形成的磷光体层280。例如，半导体发光器件250是发射蓝(Β)光的蓝色半导体发光器件251，并且可以在其上设置执行将蓝(Β)光转换成子像素的颜色的磷光体层280。在这种情况下，磷光体层180可以是构成单独像素的红色磷光体层181或绿色磷光体层182。
[0117]换句话说，能够将蓝光转换成红(R)光的红色磷光体281可以在实现红色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件251上，能够将蓝光转换成绿(G)光的绿色磷光体282可以在实现绿色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件251上。此外，只有蓝色半导体发光器件251可以在实现蓝色子像素的位置单独使用。在这种情况下，红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(Β)子像素可以实现一个像素。
[0118]然而，本公开可不必局限于此，并且用于实现蓝色、红色和绿色的另一结构可以是也可以适用于如上所述的倒装芯片型发光器件被应用到的显示装置。
[0119]再次考虑本实施方式，第二电极240位于半导体发光器件250之间，并电连接到半导体发光器件250。例如，半导体发光器件250可设置多行，并且第二电极240可以位于半导体发光器件250的各行之间。
[0120]由于构成各个像素的半导体发光器件250之间的距离足够大，因此第二电极240可以位于半导体发光器件250之间。
[0121]第二电极240可以形成有在一个方向上伸长的条形的电极，并且在与第一电极垂直的方向上设置。
[0122]此外，第二电极240可以通过从第二电极240突出的连接电极电连接到半导体发光器件250。更具体地，连接电极可以是半导体发光器件250的η型电极。例如，η型电极以用于欧姆接触的欧姆电极形成，并且第二电极通过印刷或沉积覆盖欧姆电极的至少一部分。通过这样，第二电极240可以电连接到半导体发光器件250的η型电极。
[0123]根据该图，第二电极240可以位于导电粘合剂层230上。根据情况，可以在形成有半导体发光器件250的基板210上形成包含氧化硅(S1x)的透明绝缘层(未示出)。当形成透明绝缘层且然后在其上放置第二电极240时，第二电极240可以位于透明绝缘层上。另外，第二电极240可以形成为从导电粘合剂层230或透明绝缘层分离。
[0124]如果使用诸如氧化铟锡(ΙΤ0)的透明电极来定位在半导体发光器件250上的第二电极240，则IT0材料具有η型半导体的不良粘合性的问题。因此，第二电极240可以被放置在半导体发光器件250之间，由此获得不需要透明电极的优点。因此，η型半导体层和具有良好粘合性的导电材料可以用作水平电极，而不受透明材料的选择的限制，由此增强了光提取效率。
[0125]根据该图，可在半导体光之间发射器件250形成分隔壁290。换言之，分隔壁290可以被设置在垂直的半导体发光器件250之间，以对构成各个像素的半导体发光器件250进行隔离。在这种情况下，分隔壁290可以执行将各子像素彼此划分的作用，并且形成为与导电粘合剂层230—体。例如，当半导体光之间发射器件250插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基体构件可以形成隔壁。
[0126]另外，当各向异性导电膜的基体构件是黑色时，分隔壁290可具有反射特性，同时增加与没有额外的黑色绝缘体的对比度。
[0127]又例如，反射的分隔壁可以用分隔壁290单独地设置。在这种情况下，根据显示装置的用途，分隔壁290可以包括黑色或白色的绝缘体。
[0128]如果第二电极240被精确地定位在半导体发光器件250之间的导电粘合剂层230上，则分隔壁290可位于半导体发光器件250与第二电极240之间。因此，各个子像素甚至可以使用半导体发光器件250以小尺寸构造，并且半导体发光器件250之间的距离可以相对足够大以在半导体发光器件250之间放置第二电极240，由此具有实现具有HD图像质量的柔性显示装置的效果。
[0129]此外，根据该图，黑底291可以被设置在每个磷光体层之间以增强对比度。换句话说，黑底191可以增强亮度的对比度。
[0130]如上所述，半导体发光器件250位于导电粘合剂层230上，由此构成在显示装置上的各个像素。由于半导体发光器件250具有优异的亮度特性，从而构成甚至具有小尺寸的各个子像素。结果，可以实现其中红色(R)、绿色(G)和蓝色(Β)的子像素借助该半导体发光器件实现一个像素的全色彩显示器。
[0131]如上所述，在使用根据本公开的半导体发光器件的显示装置中，如图5C所示的在紫外线(UV)发射装置上形成磷光体层的结构可以被考虑，在下文中，将对该结构进行更详细的描述。
[0132]图10是示出根据本公开的实施方式的显示装置的局部横截面图，图11是示出根据图10的实施方式的显示装置的平面图，图12是示出图10中的半导体发光器件的横截面图。
[0133]参照图10和图11，根据一个实施方式的显示装置1001可以包括:下基板1010，在所述下基板1010的上部设置有线电极1011;多个半导体发光器件1100，所述多个半导体发光器件1100位于所述线电极1011上以生成光;波长转换器1030，所述波长转换器1030被设置在所述半导体发光器件1100上，以对从所述半导体发光器件1100中生成的光的波长进行转换；以及导电粘合剂层1020，所述导电粘合剂层包括被构造成将所述下基板1010电连接到所述半导体发光器件1100的导体1022和被构造成围绕所述导体1022的基体1021。
[0134]下基板1010可以具有绝缘材料的膜的形状。例如，下基板1010可以由玻璃材料制成或由具有优异挠性的透明塑料或聚合物膜制成。
[0135]更具体地，下基板1010可以是柔性基板。例如，下基板1010可以包括玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。此外，任何一种材料在它是绝缘和柔性的材料的情况下都可以被使用，例如聚萘二甲酸(PEN)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)等。此外，基板110可以包括图5A所示的透明和非透明材料中的任一个。
[0136]线电极1011可以被设置在与下基板1010上的半导体发光器件1100对应的位置。线电极1011可以通常指的是参照图3A和图3B描述的基板上的第二电极140(参照图3A)和辅助电极170(参照图3A)。
[0137]更具体而言，线电极1011可以与半导体发光器件1100的第一导电电极1140和第二导电电极1150的位置对应地设置(与半导体发光器件1100的第一导电电极1140和第二导电电极1150的位置垂直地交叠)。
[0138]线电极1011可以包括导电材料，并且例如从由In、Co、S1、Ge、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Mg、211、!^、了3、1^、1匕￥、1^8、0、]\10、恥^1、附、(:11和^组成的组中选择的金属，或包括它们的合金，并且形成有单层或多个层。另外，线电极1011可以由透光材料形成，并且例如通过包括11'0、120(111-2110)、620(6&-2110)、厶20(厶1-2110)、厶620(厶1-6& ZnO)、IGZ0( In_Ga ZnO)、I rOx、RuOx、RuOx/1 TO、Ni /1 r0x/Au和Ni /1 r0x/Au/1 TO 中的至少一个形成。
[0139]线电极1011使用如在下基板1010上溅射上述导电性材料的沉积方法形成。接着，金属层可以被图案化，并使用掩模利用光刻工艺或者蚀刻工艺形成。
[0140]线电极1011可设置为彼此交叉，且开关元件(未示出)可以位于前述交叉位置。
[0141]线电极1011可以考虑将在后面描述的像素区域(P)设置。
[0142]波长转换器被设置在半导体发光器件1100上，以对从半导体发光器件1100生成的光的波长进行转换。波长转换1030可以是彩色基板。
[0143]此外，保护基板1030中的一个区域可以阻挡光且其它区域可发射光，由此将它们分隔成多个像素区域(P)和像素外的区域(P’)。
[0144]多个像素区域(P)可以具有行和列的矩阵形式布置。
[0145]波长转换器1030的像素外的区域(P’)利用黑底1031以规则的间隔设置以限定像素区域(Ρ)。
[0146]例如，波长转换器1030包括黑底1031和彩色滤光片1031。
[0147]黑底1031以矩阵形式形成在彩色基板1030上。黑底1031可以将彩色基板1030的区域划分成形成有滤色器1031多个像素区域(Ρ)，从而防止相邻的像素区域(Ρ)与外部光反射之间的光干涉。
[0148]多个滤色器1031(R、G、B)位于对应于黑底1031之间的空间的像素区域(Ρ)中。
[0149]滤色器1031可以形成为将由黑底1031划分的像素区域(