粘合剂层1020，导体1022可以被布置在具有粘性的基体1021内。
[0193]导电粘合剂层1020可以是由包含在导体1022的粘合剂树脂混合物制成的各向异性导电膜(ACF)。
[0194]根据本示例，示出以下情况，其中导电粘合剂层1020是各向异性导电膜(ACF)，并各向异性导电膜以导电球在绝缘基底构件中随机混合的方式形成。然而，本公开内容可不必局限于此，参照图3A和3B描述的各种形式的导电性粘合剂层都可以适用于本示例。对于这样的例子，各向异性导电膜可利用固定阵列各向异性导电膜(ACF)形成或利用其中绝缘基底构件构造有多个层且导电球被设置在其任何一层(双ACF)的形式形成等等。
[0195]具有粘性的基体1021可以是树脂混合物。例如，基体1021可以包括硅(Si)树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂。
[0196]基体1021可具有电绝缘性。此外，基体1021可以具有流动性。
[0197]基体1021可具有粘合性。基体1021可以包括如基于苯乙烯类嵌段共聚物等的热塑性粘合剂，但可不必限定于此。
[0198]此外，导电粘合剂层1020可以包括如环氧树脂和类似物的热固性粘合材料。导电粘合剂层1020可通过控制厚度、粘度、挠性、粘合度、杂质、弹性等，控制其粘合性。
[0199]此外，基体1021可包括用于阻挡短波长区域(蓝光、紫外(UV)线)的光的材料。例如，基体1021可以包括氧化锌或二氧化钛。
[0200]基体1021阻挡从半导体发光器件1100生成的光以抑制相邻像素区域(P)和外部光反射之间的光学干涉。
[0201]基体1021可以被设置为至少围绕第一导电电极1140和第二导电电极1150。更优选地，基体1021可以被设置成围绕所述第一导电电极1140和第二导电电极1150以及半导体发光器件1100的侧表面和下表面。
[0202]基体1021可以执行将第一导电电极1140和第二导电电极1150电连接到线电极1011并且将下基板1010粘合到半导体发光器件1100的作用，以及围绕半导体发光器件1100以阻挡半导体发光器件1100之间的光学干涉。
[0203]此外，基体1021可以将半导体发光器件1100从外部隔离，以执行保护半导体发光器件1100的作用。
[0204]位于基体1021内的导体1022的位置可以根据由外部施加的压力移动。导电粘合剂层1020可以形成为使得导体1022以规则或不规则的方式在基体1021内设置。
[0205]导电粘合剂层1020可控制导体1022的大小、形状、电荷量、分散状态、厚度等以改变其导电性。导电粘合剂层1020可以根据导体1022的含量的增加改变它的热传导性，粘合性，流动性等。
[0206]导体1022可以是诸如镍或其中金属被涂覆在树脂上的颗粒的金属颗粒，但可不必限定于此。在其中金属被涂覆在树脂上的颗粒的情况下，导体1022可以形成为使得导电材料(如镍，金或类似物)被涂覆在如聚苯乙烯树脂，丙烯酸树脂等的聚合物芯体的表面上。
[0207]导体1022可被设置成邻近所述第一导电电极1140，第二导电电极1150和线电极1011，以将第一导电电极1140和第二导电电极1150电连接到线电极1011。
[0208]具体地讲，导体1022可以位于第一导电电极1140和第二导电电极1150 二者与线电极1011之间。
[0209]图13至图17是示出制造根据实施方式的显示装置的方法的流程图
[0210]根据一个实施方案的半导体发光器件1100的制造方法进行说明。
[0211]参照图13，制备生长基板1101。
[0212]生长基板1101(晶片)可以用具有透光性质的材料来形成，例如，包括蓝宝石(AI2O3)、GaN、ZnO和A10中的任一项，但可不必限定于此。此外，在生长基板1101可以由适合于半导体材料生长的材料(载体晶片)来形成。此外，生长基板1101可以由具有优良的热导率特性的材料来形成，并且可包括导电基板或绝缘基板以使用具有导热系数比蓝宝石(八1203)基板更大的5丨(:基板或3丨、6348、63?、11^和63203中的任何一个。
[0213]用于减轻生长基板1101和第一导电半导体层1110之间的的晶格失配并使半导体层容易生长的缓冲层1102可以在生长基板1101上。缓冲层1102可以在低温环境下形成，并且由能够减轻半导体层与生长基板1101之间的晶格常数差的材料制成。例如，缓冲层1102可包括例如63111^、4故^11_、1116314163财卩11^163_才料，但是可以不必限于此。
[0214]缓冲层1102可以生长为在生长基板1101上的单晶，且生长为单晶的缓冲层1102可以提高在缓冲层1102上生长的第一导电半导体层1110的结晶度。
[0215]在缓冲层1102上生长包括第二导电半导体层1130、位于第二导电半导体层1130上的有源层1120和位于有源层1120上的第一导电半导体层1110的发光结构。
[0216]在第一导电半导体层1110上形成反射层1163。
[0217]参照图14，为每个半导体发光器件1100分割发光结构。换言之，第一导电半导体层1110、有源层1120和第二导电半导体层1130可以以矩阵形式被移除，因此，分割成各半导体发光装置1100。
[0218]对于被划分成每个半导体发光器件1100的方法，可以使用湿法蚀刻、干法蚀刻或激光剥离(LL0)方法，但本发明可不必限于此。
[0219]此外，第一导电半导体层1110和有源层1120的一个区域被移除以暴露第二导电半导体层1130中的一个区域。
[0220]然后，在第一导电半导体层1110的上表面和第二导电半导体层1130的上表面上形成第一导电电极1140和第二导电电极1150。
[0221]第一导电电极1140和第二导电电极1150可以用如溅射等的沉积方法形成。但是，本公开可以不必限于此。
[0222]参照图15，布置有线电极1011的下基板1010在其上部设置。
[0223]具有粘合性、流动性和粘度的导电粘合剂层1020设置在下基板1010上。
[0224]半导体发光器件1100和生长基板1101被联接到彼此的集合制备，使得半导体发光装置1100的第一导电电极1140和第二导电电极1150朝向下基板1010定向。
[0225]具有半导体发光器件1100和生长基板1101的集合与线电极1011对齐，然后施加热同时对导电粘合剂层1020加压。
[0226]导电性粘合剂层1020由于热具有流动性，并且半导体发光器件1100、第一导电电极1140和第二导电电极1150由导电性粘合剂层1020的基体1021围绕，以及第一导电电极1140和第二导电电极1150通过导体1022被电连接到线电极1011。
[0227]然后，导电粘合剂层1020散热的过程中被固化。
[0228]参照图16，当导电粘合剂层1020被固化时，生长基板1101和缓冲层1102被移除。对于移除生长基板1101和缓冲层1102的方法，可以使用湿法蚀刻、干法蚀刻或激光剥离(LL0)方法，但本发明可不必限于此。
[0229]参照图17，具有黑底1031和彩色滤光器1031的波长转换器(彩色基板)1030接合到生长基板1101和缓冲层1102从其中被移除的表面(第二导电半导体层的上表面，参照图16)。
[0230]这里，滤色器1031设置成与所述半导体发光器件1100被垂直地交叠。
[0231]虽然本发明已经示出并相对于本发明的各种实施方式描述，但对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离如以下权利要求所定义的本发明的要旨的情况下，可以进行各种变型，并且应注意，这些修改不应被单独地从本发明的技术构思和前景的理解。
【主权项】
1.一种显示装置，所述显示装置包括: 下基板，在所述下基板的上部设置有线电极； 多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件电连接到所述线电极以生成光； 波长转换器，所述波长转换器被设置在所述半导体发光器件上，以对从所述半导体发光器件生成的光的波长进行转换；以及 导电粘合剂层，所述导电粘合剂层包括被构造成将所述下基板电连接到所述半导体发光器件的导体和被构造成围绕所述导体的基体， 其中，所述半导体发光器件具有InxAlyGaityN的组成式，其中0 ^xd，0^y^l，0^x+y2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体发光器件包括: 第一导电半导体层； 有源层，所述有源层位于所述第一导电半导体层上；以及 第二导电半导体层，所述第二导电半导体层位于所述有源层上， 其中，所述半导体发光器件发射紫外线UV区的光。3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括: 第一导电电极，所述第一导电电极电连接到所述第一导电半导体层；以及 第二导电电极，所述第二导电电极电连接到所述第二导电半导体层， 其中，所述第一导电电极被设置在所述第一导电半导体层的下表面上，并且所述第二导电电极被设置在所述第二导电半导体层的移除了所述第一导电半导体层和所述有源层并使所述第一导电半导体层和所述有源层暴露的下表面上。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述导电粘合剂层的所述基体围绕所述第一导电电极和所述第二导电电极。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一导电电极和所述第二导电电极与所述导体接触。6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述导电粘合剂层的所述基体被设置为围绕所述半导体发光器件的侧表面和下表面。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述导电粘合剂层的所述基体包含用于阻挡UV光的材料。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述波长转换器被设置在用于对像素区进行分隔的黑底处，并且在由所述黑底分隔的所述像素区中。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述波长转换器包含用于对光的波长进行转换的磷光体。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述波长转换器具有多个滤色器，并且所述多个滤色器被设置为与所述多个半导体发光器件垂直交叠。11.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括: 反射层，所述反射层在所述第一导电半导体层的下表面上， 其中，所述反射层至少包括具有第一折射率的第一层和具有第二折射率的第二层，所述第二折射率与所述第一折射率不同。12.一种显示装置，所述显示装置包括: 下基板，在所述下基板的上部设置有线电极； 多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件电连接到所述线电极以生成光； 彩色基板，所述彩色基板被设置在所述半导体发光器件上，以对从所述半导体发光器件生成的光的波长进行转换；以及 导电粘合剂层，所述导电粘合剂层包括被构造成将所述下基板电连接到所述半导体发光器件的导体和被构造成围绕所述导体的基体， 其中，所述半导体发光器件发射紫外线UV区的光，并且所述导电粘合剂层的所述基体包含用于阻挡UV光的材料。13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述彩色基板被设置在由黑底分隔的像素区中。14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述半导体发光器件具有InxAlyGaityN的组成式，其中0 <x<l，0<y<l，0< x+y < 1。
【专利摘要】根据本公开的实施方式的一种显示装置可以包括：下基板，在所述下基板的上部设置有线电极；多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件电连接到所述线电极以生成光；波长转换器，所述波长转换器被设置在所述半导体发光器件上以对从所述半导体发光器件中生成的光的波长进行转换；以及导电粘合剂层，所述导电粘合剂层包括被构造成将所述下基板电连接到所述半导体发光器件的导体和被构造成围绕所述导体的基体，其中，所述半导体发光器件具有InxAlyGa1-x-yN的组成式，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。
【IPC分类】G09F9/00, H05B33/02
【公开号】CN105474747
【申请号】CN201480046501
【发明人】李炳俊, 崔伦镐
【申请人】Lg电子株式会社
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2014年3月26日
【公告号】EP3036969A1, US20160190105, WO2015026033A1