电子元件内置基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及具备芯体基板、安装在芯体基板的一个主面上的电子元件、埋设该电子元件来设置的树脂层的电子元件内置基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]近年，响应便携式电子设备的薄型化，如国际公开第2011/135926号(专利文献I)那样，提出了通过在基板内部埋设电子元件而实现了基板的薄型化的电子元件内置基板。
[0003]图17是专利文献I所记载的电子元件内置基板100的剖视图。在图17所记载的电子元件内置基板100中，在芯体基板108中安装有电子元件101、102，并按照埋设这些电子元件101、102的方式形成了树脂层109。
[0004]这样的电子元件内置基板100重量轻，并且不会如陶瓷基板那样伴随高温烧成，因此具有对内置的电子元件的制约少的优点。
[0005]在此，作为在专利文献I所记载的电子元件内置基板100的树脂层109中埋设的电子元件101、102，考虑层叠陶瓷电容器。图18表示层叠陶瓷电容器201的剖视图。
[0006]层叠陶瓷电容器201具备:陶瓷层叠体202 ;和在陶瓷层叠体202的表面设置的第一外部电极203以及第二外部电极204。陶瓷层叠体202是将通过在第一内部电极206与第二内部电极207之间插入陶瓷电介质层205而构成的电容器部件并联连接并层叠来得到的。这样的层叠陶瓷电容器201可靠性以及耐久性优异，小型且能够实现大电容。
[0007]在小型大电容的层叠陶瓷电容器201中，作为构成陶瓷层叠体202的陶瓷电介质层205的材料，大多使用以钛酸钡作为基本材料的高介电常数的陶瓷材料。若对具备这样的陶瓷层叠体202的层叠陶瓷电容器201施加电压，则由于电致伸缩效应以及逆压电效应而在陶瓷层叠体202中会发生与被施加的电压的大小相应的形变。伴随于此，陶瓷层叠体202会反复进行向层叠方向的膨胀、向与层叠方向正交的面方向的收缩。
[0008]近年，随着层叠陶瓷电容器201的小型化和薄层化的发展，对电介质施加的电场强度变高，因此上述的陶瓷层叠体202的形变的程度也变大。
[0009]在此，如图19(A)所示那样，考虑层叠陶瓷电容器201通过焊料等接合构件S而被安装在基板B上的情况。若对层叠陶瓷电容器201施加电压，则如图19(B)所示，陶瓷层叠体202中发生的形变会经由接合构件S而使与层叠陶瓷电容器201固定接合的基板B振动。
[0010]这样的基板B的振动在基板B上安装了例如冲击传感器等加速度传感器的情况下，可能会引起加速度传感器的误动作。
[0011]另外，在其振动数为可听域的20Hz?20kHz的情况下，会作为可听音而被人耳识另O。该现象也被称为“鸣音(acoustic noise)”，随着电子设备的静音化，成为了笔记本电脑、移动电话、数码相机等的各种应用的电源电路等中的设计课题。
[0012]在先技术文献
[0013]专利文献
[0014]专利文献1:国际公开第2011/135926号
[0015]在将层叠陶瓷电容器201如上述那样通过接合构件S而安装在基板B上、进而如专利文献I所记载的那样埋设于树脂层的情况下，认为接合构件S和树脂层均会将陶瓷层叠体202的形变传递给基板B。该情况下担心前述的基板B的振动变大、而且可听音变大。
【发明内容】
[0016]本发明的目的在于提供一种电子元件内置基板及其制造方法，即使发生了对树脂层中埋设的电子元件施加电压而引起的形变也能降低振动，进而防止或降低了振动所引起的可听音的发生。
[0017]在本发明中，为了即使在发生了对树脂层中埋设的电子元件施加电压而引起的形变的情况下，也降低电子元件内置基板的振动，进而防止或降低振动所引起的可听音的发生，谋求对树脂层的形态的改良。
[0018]本发明首先面向电子元件内置基板。
[0019]本发明所涉及的电子元件内置基板具备:芯体基板；被安装在芯体基板的一个主面上的至少一个电子元件；和在芯体基板的一个主面上埋设电子元件来设置的树脂层。
[0020]上述的电子元件是具备层叠体、和第一外部电极以及第二外部电极的层叠电容器。
[0021]层叠体包括:层叠了通过在第一内部电极与第二内部电极之间插入电介质层而构成的电容器部件的静电电容表现部；和夹持该静电电容表现部的第一保护部以及第二保护部。另外，层叠体具有:与电容器部件的层叠方向平行且相互对置的两个端面、和对两个端面进行连接的侧面。
[0022]第一外部电极以及第二外部电极具有在层叠体的端面上设置的端面部，并且在该端面部分别与第一内部电极以及第二内部电极连接。
[0023]并且，在树脂层与第一外部电极的端面部及该端面部上的接合构件之间形成有第一间隙，在树脂层与第二外部电极的端面部及该端面部上的接合构件之间形成有第二间隙。
[0024]在上述的电子元件内置基板中，即使发生了对电子元件施加电压所引起的形变，也会由于形成了第一间隙以及第二间隙而电子元件的端面附近的形变不被传递给树脂层。
[0025]因此，经由树脂层的电子元件的端面附近的形变向芯体基板的传递被阻断，从而电子元件内置基板的振动被降低，振动所引起的可听音的发生被防止或降低。
[0026]在本发明所涉及的电子元件内置基板的第一优选实施方式中，第一间隙具备弹性模量比树脂层低的第一插入构件，第二间隙具备弹性模量比树脂层低的第二插入构件。
[0027]在上述的电子元件内置基板中，即使发生了对电子元件施加电压所引起的形变，电子元件的端面附近的形变也会被弹性模量低而容易变形的第一插入构件以及第二插入构件缓和。
[0028]因此，经由树脂层的电子元件的形变向芯体基板的传递被抑制，从而电子元件内置基板的振动被降低，振动所引起的可听音的发生被防止或降低。
[0029]另外，通过第一间隙具备第一插入构件、第二间隙具备第二插入构件，能够使形成了间隙即空洞的树脂层接近未形成间隙的状态。因此，能够使耐湿性和电子元件内置基板的刚性比仅形成了第一间隙以及第二间隙的状态提高。
[0030]在本发明所涉及的电子元件内置基板的第二优选实施方式中，在树脂层、和层叠体的未被第一外部电极以及第二外部电极覆盖的部位之间，还形成有第三间隙。
[0031]在上述的电子元件内置基板中，即使发生了对电子元件施加电压所引起的形变，由于除了第一间隙以及第二间隙之外还形成有第三间隙，因此电子元件的端面附近以及侧面附近的形变不会传递给树脂层。
[0032]因此，经由树脂层的电子元件的形变向芯体基板的传递被进一步阻断，从而电子元件内置基板的振动被进一步降低，振动所引起的可听音的发生被有效地防止或降低。
[0033]在本发明所涉及的电子元件内置基板的第三优选实施方式中，第三间隙具备弹性模量比所述树脂层低的第三插入构件。
[0034]在上述的电子元件内置基板中，即使发生了对电子元件施加电压所引起的形变，电子元件的端面附近以及侧面附近的形变也会被弹性模量低而容易变形的第一至第三插入构件缓和。
[0035]因此，经由树脂层的电子元件的形变向芯体基板的传递被进一步抑制，从而电子元件内置基板的振动被进一步降低，振动所引起的可听音的发生被有效地防止或降低。
[0036]另外，与前述的第一插入构件以及第二插入构件同样，通过第三间隙具备第三插入构件，从而能够使形成了间隙即空洞的树脂层接近未形成间隙的状态。因此，能够使耐湿性和电子元件内置基板的刚性比仅形成了第三间隙的状态提高。
[0037]另外，本发明还面向电子元件内置基板的制造方法。
[0038]本发明所涉及的电子元件内置基板的制造方法以具备芯体基板、被安装在芯体基板的一个主面上的至少一个电子元件、在芯体基板的一个主面上埋设电子元件来设置的树脂层的电子元件内置基板为对象。
[0039]上述的电子元件是具备层叠体、和第一外部电极以及第二外部电极的层叠电容器。
[0040]层叠体包括:层叠了通过在第一内部电极与第二内部电极之间插入电介质层而构成的电容器部件的静电电容表现部；和夹持该静电电容表现部的第一保护部以及第二保护部。另外，层叠体具有:与电容器部件的层叠方向平行且相互对置的两个端面；和对两个端面进行连接的侧面。
[0041]第一外部电极以及第二外部电极具有在层叠体的端面上设置的端面部，并且在该端面部分别与第一内部电极以及第二内部电极连接。
[0042]并且，本发明所涉及的电子元件内置基板的制造方法包括:安装工序；间隙形成构件赋予工序；未固化树脂层赋予工序和树脂层形成工序。
[0043]安装工序是在芯体基板的一个主面上安装电子元件的工序。
[0044]间隙形成构件赋予工序是向在芯体基板上安装的电子元件的第一外部电极的端面部上及其端面部上的接合构件上赋予通过加热而除去的第一间隙形成构件，并向第二外部电极的端面部上及其端面部上的接合构件上赋予通过加热而除去的第二间隙形成构件的工序。
[0045]未固化树脂层赋予工序是向芯体基板的一个主面赋予埋设电子元件和第一间隙形成构件以及第二间隙形成构件的未固化树脂层的工序。
[0046]树脂层形成工序是使未固化树脂层加热固化，并且将第一间隙形成构件以及第二间隙形成构件加热除去，从而在树脂层与第一外部电极的端面部及该端面部上的接合构件之间形成第一间隙，在树脂层与第二外部电极的端面部及该端面部上的接合构件之间形成第二间隙的工序。
[0047]在上述的电子元件内置基板的制造方法中，通过包括这些工序，能够高效地制造电子元件内置基板的振动被降低、振动所引起的可听音的发生被防止或降低的电子元件内置基板。
[0048]在本发明所涉及的电子元件内置基板的制造方法的优选实施方式中，间隙形成构件赋予工序是除了第一间隙形成构件以及第二间隙形成构件的赋予之外，还向层叠体的未被第一外部电极以及第二外部电极覆盖的部位上赋予第三间隙形成构件的工序。
[0049]另外，未固化树脂层赋予工序是向芯体基板的一个主面赋予除了电子元件和第一间隙形成构件以及第二间隙形成构件之外还埋设第三间隙形成构件的未固化树脂层的工序。
[0050]进而，树脂层形成工序是除了未固化树脂层的加热固化和第一间隙以及第二间隙的形成之外，还将第三间隙形成构件加热除去，从而在树脂层、与层叠体的未被第一外部电极以及第二外部电极覆盖的部位之间形成第