树脂层R。
[0127]此外，芯体基板B是相当于如述的图17的多层基板，未图不内部电极和过孔等而简化地进行了图示。另外，在本发明的第一实施方式中，为了强调电子元件10，使芯体基板B与电子元件10的大小关系与实际情形不同。
[0128]在该实施方式中，电子元件10是具备陶瓷层叠体11、和第一外部电极12以及第二外部电极13的层叠陶瓷电容器。陶瓷层叠体11成为静电电容表现部CP被第一陶瓷保护部Pl以及第二陶瓷保护部P2夹持的构造，静电电容表现部CP层叠了通过在第一内部电极15与第二内部电极16之间插入陶瓷电介质层14而构成的电容器部件。
[0129]在该实施方式中，电子元件10被安装在芯体基板B上，使陶瓷层叠体11的电容器部件被层叠的方向即层叠方向与芯体基板B的一个主面正交。因此，陶瓷层叠体11中的静电电容表现部CP的下侧、即位于静电电容表现部CP与芯体基板B的一个主面之间的部分成为第一保护部Pl，静电电容表现部CP的上侧成为第二保护部P2。
[0130]陶瓷电介质层14具有电致伸缩性或逆压电效应，从而包含陶瓷电介质层14的电子元件10在施加电压时会发生形变。作为代表性的具有电致伸缩性或逆压电效应的陶瓷材料，例如可列举以钛酸钡为基本材料的高介电常数的陶瓷材料。
[0131]在该实施方式中，作为电子元件10而如上述那样例示了层叠陶瓷电容器，但本发明对于作为电子元件10而电介质层由树脂材料构成的层叠电容器即层叠型金属化薄膜电容器也能应用。
[0132]陶瓷层叠体11具有与电容器部件的层叠方向平行且相互对置的两个端面、和对两个端面进行连接的侧面。
[0133]第一外部电极12以及第二外部电极13分别设置在陶瓷层叠体11的表面。第一外部电极12具有设置在陶瓷层叠体11的一个端面上的端面部TP12。另外，第二外部电极13具有设置在陶瓷层叠体11的另一端面上的端面部TP13。此外，第一外部电极12的端面部TP12以及第二外部电极13的端面部TP13可以不覆盖陶瓷层叠体11的整个端面。
[0134]第一外部电极12在端面部TP12与第一内部电极15连接，第二外部电极13在端面部TP13与第二内部电极16连接。
[0135]在图2A以及图2B中，电子元件10利用接合构件S而与第一安装盘Lll以及第二安装盘L12连接，从而被安装在芯体基板B上。第一安装盘Lll以及第二安装盘L12的材质和接合构件S的材质能够从已有的材质中适当选择来使用。第一安装盘Lll以及第二安装盘L12位于未图示的包含导电图案而构成的布线上。通过该布线来向电子元件10施加电压。
[0136]此外，本发明的第一实施方式所涉及的电子元件内置基板I也可以安装上多个电子元件10。另外，同样也可在电子元件内置基板I上安装层叠陶瓷电容器以外的电子元件。
[0137]作为层叠陶瓷电容器的电子元件10如前述那样大多使用以钛酸钡为基本材料的高介电常数的陶瓷材料，因此有可能因施加电压时的形变而进行振动。该振动会经由接合构件S而被传递给与电子元件10固定接合的基板B，而在电子元件10被埋设于树脂层R的情况下，也会经由树脂层R而传递给基板B。
[0138]另一方面，在本发明的第一实施方式所涉及的电子元件内置基板I中，在树脂层R与第一外部电极12的端面部TP12以及端面部TP12上的接合构件S之间形成有第一间隙Glo另外，在树脂层R与第二外部电极13的端面部TP13以及端面部TP13上的接合构件S之间形成有第二间隙G2。
[0139]即，在本发明的第一实施方式所涉及的电子元件内置基板I中，即使发生了向电子元件10施加电压所引起的形变，也由于形成了第一间隙Gl以及第二间隙G2而电子元件10的端面附近的形变不会传递给树脂层R。
[0140]因此，经由树脂层R而电子元件10的端面附近的形变向芯体基板B的传递被阻断，从而电子元件内置基板I的振动被降低，振动所引起的可听音的发生被防止或降低。
[0141]此外，在图1以及图2中，第一间隙Gl以及第二间隙G2为相同形状，但并不限于此，第一间隙Gl以及第二间隙G2也可以是非对称的形状。
[0142]另外，在图1以及图2中，陶瓷层叠体11的第一保护部Pl的厚度与第二保护部P2的厚度实质上相同。另一方面，也可以使电子元件10的第一保护部Pl的厚度比第二保护部P2的厚度厚。
[0143]〈电子元件内置基板的制造方法〉
[0144]关于本发明的第一实施方式所涉及的电子元件内置基板I的制造方法的一例，利用图3以及图4进行说明。图3以及图4是分别示意性表示在电子元件内置基板I的制造方法的一例中依次进行的安装工序、间隙形成构件赋予工序、未固化树脂层赋予工序以及树脂层形成工序的图。此外，图3以及图4的各图相当于包含图1的Xl-Xl线的面的向视剖视图(图2B)。
[0145]〈安装工序〉
[0146]图3A以及图3B是示意性表示电子元件内置基板I的制造方法的安装工序的图。通过安装工序，电子元件10成为被安装在芯体基板B的一个主面上的状态。
[0147]图3A表示准备电子元件10和安装电子元件10的芯体基板B的阶段。电子元件10具有前述的构造，是在施加电压时发生形变的层叠陶瓷电容器。芯体基板B在一个主面具备用于接合电子元件10的第一安装盘Lll以及第二安装盘L12。
[0148]图3B表示将电子元件10利用接合构件S与第一安装盘Lll以及第二安装盘L12连接而安装到了芯体基板B的一个主面上的阶段。
[0149]<间隙形成构件赋予工序>
[0150]图3C是示意性表示电子元件内置基板I的制造方法的间隙形成构件赋予工序的图。通过间隙形成构件赋予工序，成为向第一外部电极12的端面部TP12上以及端面部TP12上的接合构件S上赋予了第一间隙形成构件W1、向第二外部电极13的端面部TP13上以及端面部TP13上的接合构件S上赋予第二间隙形成构件W2的状态。
[0151]此外，图3C表示利用相同材料以相同体积将第一间隙形成构件Wl以及第二间隙形成构件W2赋予到各端面部上以及各接合构件上的情况。
[0152]第一间隙形成构件Wl以及第二间隙形成构件W2在常温下为固体或半固体，是通过加热而容易软化而液状化的材料，能够使用例如蜡或石蜡等。第一间隙形成构件Wl以及第二间隙形成构件W2向各端面部上以及各接合构件上的赋予，可利用液状的间隙形成构件的材料由未图示的分配器等来进行。或者，也可通过使半固化状态的间隙形成构件的材料附着在各端面部上以及各接合构件上来进行。
[0153]此外，第一间隙形成构件Wl和第二间隙形成构件W2可以是不同的材料。另外，第一间隙形成构件Wl和第二间隙形成构件W2也可以是不同的体积。
[0154]〈未固化树脂层赋予工序〉
[0155]图4A是示意性表示电子元件内置基板I的制造方法的未固化树脂层赋予工序的图。通过未固化树脂层赋予工序，成为在芯体基板B的一个主面上赋予了未固化的树脂层UCR，并且其中埋设有电子元件10和第一间隙形成构件Wl以及第二间隙形成构件W2的状
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[0156]图4Α表示在设置了电子元件10和第一间隙形成构件Wl以及第二间隙形成构件W2的芯体基板B的一个主面上，例如通过分配器D以成为由单点划线表示的给定的厚度的方式涂敷液状的树脂LR的形态。
[0157]涂敷中使用的装置不限于上述的分配器D，可以使用已有的涂敷装置。例如可以使用幕涂机或旋涂机等各种涂敷机。
[0158]另外，液状的树脂LR不限于由单一的树脂材料构成的树脂，可以使用在树脂材料中作为填充物而包含了玻璃材料或硅石等的树脂。
[0159]此外，未固化的树脂层UCR不限于如图4(A)那样的涂敷液状的树脂LR的方法，也可以以半固化状态将片状的半固化片载置到芯体基板B的一个主面上，并进行按压来赋予，以便埋设电子元件10和第一间隙形成构件Wl以及第二间隙形成构件W2。
[0160]〈树脂层形成工序〉
[0161]图4Β以及图4C是示意性表示电子元件内置基板I的制造方法的树脂层形成工序的图。通过树脂层形成工序，未固化的树脂层UCR被加热固化，成为在芯体基板B的一个主面上埋设电子元件10而设置了树脂层R的状态。此时，在树脂层R与第一外部电极12的端面部ΤΡ12以及端面部ΤΡ12上的接合构件S之间形成第一间隙G1，在树脂层R与第二外部电极13的端面部ΤΡ13以及端面部ΤΡ13上的接合构件S之间形成第二间隙G2。
[0162]图4Β表示使埋设了电子元件10和第一间隙形成构件Wl以及第二间隙形成构件W2的未固化的树脂层UCR加热固化，并且将第一间隙形成构件Wl以及第二间隙形成构件W2加热除去的阶段。
[0163]该第一间隙形成构件Wl以及第二间隙形成构件W2的加热除去、和伴随于此的间隙(空洞)的形成，通过例如日本特公昭45-22384号公报所记载的所谓的失蜡法来进行。即，通过未固化的树脂层UCR的加热固化时或固化后的加热，使第一间隙形成构件Wl以及第二间隙形成构件W2吸收到未固化的树脂层UCR或树脂层R中，将各间隙形成构件消失掉的空间作为间隙。
[0164]其结果，在树脂层R与第一外部电极12的端面部ΤΡ12以及端面部ΤΡ12上的接合构件S之间形成第一间隙G1，在树脂层R与第二外部电极13的端面部ΤΡ13以及端面部TP13上的接合构件S之间形成第二间隙G2。
[0165]图4C表示通过以上的工序，完成了在芯体基板B的一个主面上具有埋设电子元件10并且形成了第一间隙Gl以及第二间隙G2的树脂层R的本发明的第一实施方式所涉及的电子元件内置基板I的阶段。
[0166]关于树脂层R的厚度的调整，优选估计未固化的树脂层UCR的固化时的体积变化来将液状的树脂LR涂敷到芯体基板B上。另外，也可以预先涂敷较多的液状的树脂LR，在固化后除去多余的树脂来将树脂层的厚度设为期望的值。
[0167]<第一实施方式的第一变形例>
[0168]关于本发明的第一实施方式所涉及的电子元件内置基板的第一变形例1A，利用图5以及图6进行说明。
[0169]此外，本发明的第一实施方式所涉及的电子元件内置基板的第一变形例1A，在树脂层R与电子元件10之间形成的间隙的形态与前述的电子元件内置基板I不同，除此之外是公共的，因此省略对于公共部分的说明。此外，对于芯体基板B，与前述的第一实施方式同样地简化地进行了图示。