聚酯薄膜及使用该薄膜的磁记录介质的制作方法

专利名称：聚酯薄膜及使用该薄膜的磁记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种大幅度地提高了传统聚酯薄膜的性质，特别是其尺寸稳定性和表面特性的聚酯薄膜。
背景技术：
众所周知，聚酯薄膜由于其优良的热性能、尺寸稳定性、机械性能以及表面状态容易控制，因此在各种用途中获得应用，特别是可作为磁带用等的带基薄膜使用。近年来，由于设备材料的轻量化、小型化和长时间记录化，要求磁带具有高的记录密度。为了提高记录密度有效的方法是缩短记录波长和使记录信号小型化。
然而，在使记录信号小型化的情况下，对带基薄膜提出的要求是，磁带在使用环境下具有对热的尺寸稳定性、表面突起的微细化和粗大的突起减少等诸多特性。
首先，在使记录信号小型化时，由于磁带在运转时产生的热或磁带在保存时发生的热变形，容易引起记录磁道的偏移，这是存在的问题。因此，人们对于改善磁带在使用环境下对热的尺寸稳定性和在保存时的稳定性等性能的要求日益强烈。
另外，特别是在具有蒸镀型磁性层的磁带的情况下，为了使记录信号小型化和获得高的电磁转换特性，采用将磁性层的厚度做得非常薄的方法是有效的，但是与此同时，带基薄膜的表面对磁带的表面形状的带来的影响也随之增大。因此，作为带基薄膜，降低其表面突起的高度、使其表面变得平滑或者精密地控制其表面粗糙度的必要性就越来越高。
另外，对于在磁性层的涂布和蒸镀加工工序中由于受热的作用所导致的薄膜平坦性的劣化或者由于低聚物的析出所导致的薄膜质量的降低进行抑制是较为重要的。
另外，伴随着记录信号的小型化，必须提高用于读取信息的记录磁头的敏感度，虽然与传统型的磁头相比，有必要使用高敏感度的MR(磁阻)磁头，但是，MR磁头与传统磁头相比耐刮擦性差。而且，为了减少间距的损失，要求磁头与磁带的间隔非常小，因此，粗大突起损伤磁头的问题被认为是更重要的问题，所以对于减少粗大突起的要求变得非常严格。
也就是说，人们迫切希望开发一种个有能够满足“尺寸稳定性、表面平滑、粗大突起减少”的要求的表面的薄膜。
作为能够满足上述尺寸稳定性要求的带基薄膜，传统上的芳族聚酰胺薄膜，从强度、尺寸稳定性的观点考虑是可以使用的。但是，芳族聚酰胺薄膜的价格高，因此从成本上考虑是不利的，另外，象传统的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜那样不能通过熔融挤出来成型，因此其生产率低，在这点上也是不利的，但是又没有可供使用的代替品，这是目前的现状。
有人针对这种情况进行了深入的研究，结果开发出一种具有高生产率的能够改善双向拉伸的聚酯薄膜的尺寸稳定性的技术，例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚醚酰亚胺构成的双轴拉伸聚酯薄膜(例如特开平12-141475号公报)。
但是，上述双轴拉伸聚酯薄膜也由于与传统的以聚对苯二甲酸乙二醇酯等为代表的聚酯存在熔融粘度差别大的问题，因此使得，在使用传统的制膜方法时，容易在添加粒子的周围形成空隙，以及，由于两种聚合物的分散不良等原因，导致生成粗大突起的问题，并且，作为高密度磁记录介质，存在难以精密地控制其较好表面状态的问题，这就是目前的现状。
另外，作为获得良好表面质量的方法，现在已知的有涂覆一种含有用于形成表面突起的粒子的层合聚酯薄膜(例如特开平7-272249号公报)或含有微粒子的不连续覆膜的方法(例如特开平3-208639号公报)等。然而，由于聚酯的耐热性差，因此，为了满足今后越来越严格的要求，需要增加一道蒸镀工序，这样就会由于受热而产生“皱纹”或析出低聚物等的问题，这是目前的现状。
关于上述由聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚醚酰亚胺构成的双向拉伸聚酯薄膜，以及关于作为高密度磁记录介质的较好表面状态的控制方法，至今还完全未见报告，这是目前的现状。在将上述能够提高表面质量的方法用于该薄膜时，仍然存在由于聚合物表面润湿性的差异或涂覆液与聚合物的亲和性的差异而产生涂覆斑点的问题，以及由于两种聚合物的熔融粘度的差异而引起的层合状态的劣化和上述粗大突起的生成等各种问题，虽然已知一种用于减少在由聚酯和聚醚酰亚胺构成的薄膜中生成的高度在0.5μm以上的粒大突起(H2)的方法(例如特开平12-355631号公报)，但是在用于今后的高密度磁记录介质时仍然不能达到满意水平的控制，这是目前的现状。

发明内容
本发明的目的是提供一种适合作为高密度记录磁带用带基薄膜使用的聚酯薄膜，该聚酯薄膜的尺寸稳定性和对低聚物析出的抑制性优良，而且能够减少粒子周围的空隙或由于粗大分散物、劣化物和污染物等引起的粗大突起，特别是作为磁记录介质用带基薄膜使用时，磁道偏移或脱落的情况很少，并且显示出优良的运转耐久性、电磁变换特性和蒸镀稳定性等。
本发明的目的可以通过使用一种聚酯薄膜来达到，该聚酯薄膜是由聚酯和聚酯以外的热塑性树脂形成的薄膜，其特征在于，在该薄膜的至少一侧表面上的粗大突起数H1(高度在0.28μm以上的突起数)(个/100cm2)和在该表面上的粗大突起数H2(高度在0.56μm以上的突起数)(个/100cm2)满足下述关系0≤H1≤1000≤H2≤100另外，上述薄膜可以利用一种至少两层的层合聚酯薄膜来达到，该层合聚酯薄膜由聚酯(聚合物1)和聚酯以外的热塑性树脂(聚合物2)构成的基层部(A层)和层合于该基层部的至少一侧表面上的层合部(B层)共同构成。
优选实施方案本发明的聚酯薄膜由一种以聚酯(聚合物1)和聚酯以外的热塑性树脂(聚合物2)作为必要成分的聚合物合金构成。
在本发明中，所谓聚合物合金，是指一种高分子多成分系的物质，它可以是通过共聚反应形成的嵌段共聚物，也可以是通过混合形成的共混物。但是，不是从外部添加诸如聚苯乙烯粒子或聚甲基丙烯酸甲酯粒子等的高分子粒子。
在本发明中，只要没有特别说明，所谓“主成分”或“作为必要成分”，就是指该成分占全体80％以上的情况，例如，在上述情况下，聚合物1和聚合物2的总量占本发明薄膜的80重量％以上。
本发明的聚酯薄膜根据其使用目的，其取向方式(无取向或单轴取向或双轴取向等)可以各不相同，但是，特别是作为磁记录介质使用的情况下，构成聚酯薄膜中的至少一层是经过双轴取向的。如果全部的层都是无拉伸的或只经过单轴取向的，则该薄膜不能满足作为磁记录介质的特性。
本发明的聚酯(聚合物1)是由芳香族二羧酸、脂环族二羧酸或脂肪族二羧酸等的酸成分与二醇成分构成的聚酯单元形成的聚合物。
作为芳香族二羧酸，例如可以使用对苯二甲酸、间苯二甲酸、邻苯二甲酸、1，4-萘二羧酸、1，5-萘二羧酸、2，6-萘二羧酸、4，4’-联苯二羧酸、4，4’-二苯基醚二羧酸、4，4’-二苯砜二羧酸等。优选使用对苯二甲酸、邻苯二甲酸，2，6-萘二羧酸。作为脂环族二羧酸，例如可以使用环己烷二羧酸等。作为脂肪族二羧酸，例如可以使用己二酸、辛二酸、癸二酸、十二烷二酮酸等。其中，优选使用对苯二甲酸、2，6-萘二甲酸等，特别优选使用对苯二甲酸。这些酸成分，可以只用其中的一种，也可以将其两种以上合并使用。
另外，作为二醇成分，例如可以使用乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇、新戊二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、1，5一戊二醇、1，6-己二醇、1，2-环己烷二甲醇、1，3-环己烷二甲醇、1，4-环己烷二甲醇、二甘醇、三甘醇、聚亚烷基二醇、2，2’-双(4’-β-羟乙氧基苯基)丙烷等，其中，优选使用乙二醇、1，4-丁二醇、1，4-环己烷二甲醇、二甘醇等，特别优选使用乙二醇。这些二醇成分，可以只用其中的一种，也可以将其两种以上合并使用。
作为本发明的聚酯(聚合物1)的特别优选的例子，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚(萘-2，6-二甲酸乙二醇酯)(PEN)，而从熔融成型性的观点考虑，最优选是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
另外，在聚酯(聚合物1)中，只要在不损害本发明效果的程度用量的范围内，还可以与下述化合物进行共聚，这些化合物包括偏苯三酸、均苯甲酸、丙三醇、季戊四醇、2，4-二羟基苯甲酸等的多官能团化合物；月桂醇、异氰酸苯酯等单官能团化合物；对羟基苯甲酸、间羟基苯甲酸、2，6-二羟基萘甲酸等的芳香族羟基羧酸或对氨基苯酚、对氨基苯甲酸等。
本发明的热塑性树脂(聚合物2)是指聚酯以外的热塑性树脂。在使用聚酯作为聚合物2的情况下，由于其玻璃化转变温度等的聚合物的热特性相互接近或者在两种聚酯之间进行酯交换反应，因此使得约束聚酯的分子运动的效果变小，从这些现由考虑，可以认为其尺寸稳定性提高的效果也小，因此不好。
本发明的聚合物2优选是玻璃化转变温度(Tg)比聚合物1高的聚合物。当聚合物2的Tg较高时，由于对聚合物1的热分子运动具有较大的约束效果，因此有提高对热的尺寸稳定性的倾向。
本发明的聚合物2优选是那些与聚合物1显示良好亲和性(相容性)的聚合物。如果聚合物1与聚合物2的亲和性不好，则聚合物的分散微区(domain)就变得粗大，因此容易在薄膜的表面上形成粗大的突起。此处，所谓具有良好亲和性(相容性)是指，例如使用由聚合物1和聚合物2形成的聚合物合金制成未拉伸或双轴拉伸的薄膜，然后使用透射式电子显微镜以3万～50万的倍率观察该薄膜断面时，没有观察到不是由外部添加粒子等的添加物所引起的直径在200nm以上的结构(例如分散不良的聚合物微区等)。但是，对于聚合物1和聚合物2的亲和性的判定方法并非特别限定于此，另外，也可以根据需要，利用调温型DSC(Temperature Modulated DSC)观察，当观察到单一的玻璃化转变点时就可判定二者具有良好的亲和性。
作为本发明的聚合物2，从能够显示与聚酯的良好亲和性而且能够约束聚酯的分子运动以及能够提高尺寸稳定性的观点考虑，例如优选使用聚酰亚胺(包含聚醚酰亚胺)、聚砜和聚醚砜。这些热塑性树脂，可以只使用其中的一种，也可以将其两种以上合并使用。
另外，根据需要，优选合并使用相容化剂，这样可以控制分散直径，并且可以抑制粗大突起的生成。在此情况下，相容化剂的种类随聚合物种类的不同而异，其添加量优选为0.01～10重量％。
在本发明的聚合物2中使用的聚酰亚胺没有特殊限定，只要是与聚合物1具有良好的亲和性并具有熔融成型性即可，例如优选是含有由下述通式表示的结构单元的聚合物。 式中的R1表示选自 等的脂肪族烃基、脂环族烃基、芳香族烃基中的一种或两种以上的基团。
另外，式中的R2表示选自 等的脂肪族烃基、脂环族烃基、芳香族烃基中的一种或两种以上的基团。
所说的聚酰亚胺可以通过将四羧酸和/或其酸酐与选自脂肪族伯单胺、芳香族伯单胺、脂肪族伯二胺和芳香族伯二胺中的一种或两种以上的化合物进行脱水缩合来制得。
作为四羟酸及其酸酐，例如可以使用乙四酸，1，2，3，4-丁四酸、环戊四酸、均苯四甲酸、1，2，3，4-苯四甲酸、3，3’，4，4’-联苯四羧酸、3，3’，4，4’-二苯酮四羧酸、2，2’，3，3’-二苯酮四羧酸、双(2，3-二羧基苯基)甲烷、双(3，4-二羧基苯基)甲烷、1，1’-双(2，3-二羧基苯基)乙烷、2，2’-双(3，4-二羧基苯基)丙烷、2，2’-双(2，3-二羧基苯基)丙烷、双(3，4-二羧基苯基)醚、双(2，3-二羧基苯基)醚、双(3，4-二羧基苯基)砜、双(2，3-二羧基苯基)砜、2，3，6，7-萘四羧酸、1，4，5，8-奈四羧酸、1，2，5，6-萘四羧酸、2，3，6，7-蒽四羧酸、1，2，7，8-菲四羧酸、3，4，9，10-苝四羧酸、4，4’-(对亚苯二氧基)二邻苯二甲酸、4，4’-(间亚苯二氧基)二邻苯二甲酸、2，2’-双[(2，3-二羧基苯氧基)苯基]丙烷等及其酸酐等。
作为脂肪族伯单胺，例如可以使用碳原子数2～22的饱和或不饱和直链、支链或脂环系的单胺，具体地可以使用乙胺、丁胺、戊胺、己胺、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、十一烷胺、十二烷胺、十三烷胺、十四烷胺、十五烷胺、十六烷胺、十七烷胺、十八烷胺、十九烷胺、二十烷胺、二十一烷胺、二十二烷胺、环己胺、甲基环己胺、二甲基环己胺、二乙基环己胺及其异构体等。
作为芳香族伯单胺，例如可以使用非取代的或被碳原子数1～22的烷基取代的伯苯胺，具体地可以使用苯胺、甲基苯胺、乙基苯胺、丙基苯胺、丁基苯胺、戊基苯胺、己基苯胺、庚基苯胺、辛基苯胺、壬基苯胺、癸基苯胺、十一烷基苯胺、十二烷基苯胺、十三烷基苯胺、十四烷基苯胺、十五烷基苯胺、十六烷基苯胺、十七烷基苯胺、十八烷基苯胺、十九烷基苯胺、二十烷基苯胺、二十一烷基苯胺、二十二烷基苯胺及其异构体等。
作为脂肪族伯二胺，例如可以使用与碳原子数1～12的亚甲基结合的伯二胺或者具有脂环基的二胺，具体地说，可以使用；乙二胺、三亚甲基二胺、四亚甲基二胺、五亚甲基二胺、六亚甲基二胺、七亚甲基二胺、八亚甲其二胺、九亚甲基二胺、十亚甲基二胺、十一亚甲基二胺、十二亚甲基二胺、1，3-二氨基环己烷、二氨基二环己基甲烷、间二甲苯二胺及其异构体等。
作为芳香族伯二胺，例如可以使用联苯胺、二甲基联苯胺、二氨基二苯基甲烷、二氨基二甲基基甲烷、二氨基二苯基乙烷、二氨基二苯基丙烷、二氨基二苯基丁烷、二氨基二苯基醚、二氨基二苯基砜、二氨基二苯基二苯酮、邻、间、对苯二胺、亚甲代苯基二胺、二甲苯二胺等以及在其结构单元中含有这些化合物的芳香族伯二胺等。
从与聚酯的熔融成形性或操作性、对粗大分散物的抑制等方面考虑，特别优选的是如下述通过所示那样在其聚酰亚胺结构成分中含有醚键的聚醚酰亚胺。 (在上述式中的R3是具有6～30个碳原子的2价芳香族或脂肪族残基，R4是选自具有6～30个碳原子的2价芳香族残基、具有2～20个碳原子的亚烷基、具有2～20个碳原子的亚环烷基和被具有2～8个碳原子的亚烷基链终止的聚二有机硅氧烷基的2价有机基团。)作为上述的R3、R4，例如可以举出由下述式表示的芳香族残基，
或者是-(CH2)m-(m是1以上的整数)。
在本发明中，从与聚酯(聚合物1)的亲和性、成本、熔融成型性等观点考虑，可以是由2，2-双[4-(2，3-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酸酐与间苯二胺或对苯二胺的缩合物，优选是具有由下述通式表示的重复单元的聚合物。 或 (n为2以上的整数，优选为20～50的整数)该聚醚酰亚胺能够以“Ultem”(注册商标)的商品名从GE塑料公司购得。
作为本发明的聚合物2使用的聚醚砜是一类具有下列通式的重复单元的聚合物，在下列通式，芳香族环与一个磺酰基和一个或两个醚基相结合，也可以与其它结构单元存在某种程度的共聚。 (式中，n表示2以上的整数。)作为本发明的聚合物2使用的聚砜是一类具有下列通式的重复单元的聚合物，其中也可以含有例如烷基等的官能团，另外，也可以与其它结构单元存在某种程度的共聚。 (式中，n表示2以上的整数。)关于本发明聚合物1和聚合物2的亲和性(相容性)，即使按照聚合物1与聚合物2的组合，其亲和性也有很大差异，在上述之中，聚对苯二甲酸乙二醇酯与聚醚酰亚胺的组合、聚对苯二甲酸乙二醇酯与聚砜的组合、聚(萘-2，6-二甲酸乙二醇酯)与聚醚酰亚胺的组合、聚(萘-2，6-二甲酸乙二醇酯)与聚砜的组合、聚(萘-2，6-二甲酸乙二醇酯)与聚醚砜的组合显示特别好的亲和性。其中，从熔融成形性和熔融状态下合金的稳定性、尺寸稳定性提高的观点考虑，最优选的组合是聚对苯二甲酸乙二醇酯与聚醚酰亚胺的组合。
在本发明中，关于向聚合物1中添加聚合物2的时间，既可以在聚合物1的聚合反应之前，例如在酯化反应之前添加，也可以在聚合反应之后添加。另外，在进行熔融挤出之前，可以将聚合物1与聚合物2混合来造粒。
另外，作为将本发明的聚合物合金调整成较好分散状态的其它方法，例如可以举出使用串联式挤出机的混合方法、使用两种以上的聚酯来使聚合物2微分散的方法，利用粉碎器将聚合物2粉碎成粉末状之后再进行混合的方法，通过将两者溶解于溶剂中并使其共沉淀来进行混合的方法，先将一方溶解于溶剂中使其成为溶液状之后再与另一方混合的方法等，但是不限于这些方法，其中，在进行造粒时，一旦把含有高浓度聚合物2(例如35～65重量％，优选40～60重量％)的聚合物1与聚合物2制成了母料，然后再用聚合物1将其稀释，借此将其调整到规定的浓度，使用该方法，可以提高聚合物相互间的分散性，这样能使本发明的聚合物合金显示更良好的分散状态。
本发明的薄膜可以按单层使用，但是，特别是在作为磁记录介质使用的情况下，优选是以本发明的薄膜层作为基层部(称为A层)，然后在其至少一侧的表面上积叠一层层合部(称为B层)，如此形成一种具有至少2层薄膜层的层合薄膜。当A层作为磁记录介质使用时，它通常在薄膜中是最厚的薄膜层，并且主要是起到保持强度和尺寸稳定性的作用的层。另外，作为层合部分的B层，是厚度比A层薄的薄膜层，其主要作用是在作为磁带使用时能够获得磁带的运转性或运转耐久性，即便是较粗的表面，也能获得良好的运转性。
在此情况下，对于在A层以外的薄膜层中使用的聚合物的种类没有特殊限定，但是，在使用与A层相同的聚酯(聚合物1)或者使用由与A层相同的聚酯(聚合物1)与热塑性树脂(聚合物2)构成的聚合物合金时，在基层部与层合部分之间不容易发生熔融粘度的差异，因此不易发生层合斑点或喷嘴条纹(ロ金すじ)等在生产工序中常遇的麻烦事故优选。
在将本发明的薄膜作为磁记录介质使用时，为了改善磁带的运转耐久性或磁头的运转性，可以在薄膜中含有惰性粒子，但对此没有特别限定。另外，在本发明中所说的惰性粒子是指那些平均粒径在1nm～3μm左右的无机或有机的粒子并且是在本发明的聚合物中既不会起化学反应，又不会由于电磁作用的影响而对磁记录产生不良影响的粒子。作为惰性粒子，可以举出二氧化钛、磁酸钛、高岭土、滑石、湿式或干式二氧化硅、胶体状二氧化硅、磷酸钙、硫酸钡、氧化铝和氧化锆等的无机粒子；以丙烯酸类、苯乙烯、硅氧烷、酰亚胺等作为构成成分的有机粒子；在聚酯的聚合反应时由于添加的催化剂等的作用而析出的粒子(所谓内部粒子)以及表面活性剂等。
当本发明的薄膜中含有惰性粒子时，粒子的重均粒径、含量等随薄膜用途的不同而异，其重均粒径优选为0.0001～3μm。另外，粒子的含量优选为0.001～3重量％。
当把本发明的薄膜作为磁记录介质的用途以A/B两层层合薄膜使用的情况下，在A层中含有的惰性粒子的重均径优选为0.001～0.5μm，更优选为0.01～0.3μm。如果惰性粒子的重均粒径大于0.5μm，则在将其作为磁记录介质使用时，容易生成粗大的突起，从而容易导致电磁转换特性劣化和磁头损伤。如果惰性粒子的重均粒径小于0.001μm，则会使磁带相对于磁头的运转性的改善效果降低，因此不好。
当把本发明的薄膜作为磁记录介质的用途以A/B两层层合薄膜使用的情况下，在A层中所含的惰性粒子的含量优选为0.001～1重量％，更优选为0.02～0.05重量％。当惰性粒子的含量大于1重量％时，就会由于粒子的凝聚而导致突起粗大化，这样不但会使电磁转换特性劣化，同时突起也容易刮擦。如果惰性粒子的含量小于0.001重量％，则会使磁带与磁头之间的运转性的改进效果变小，因此不好。
当把本发明的薄膜作为磁记录介质的用途以A/B两层层合薄膜使用的情况下，为了提高制膜时和加工时的操作性以及向其赋予在作为磁记录介质使用时的运转性和运转耐久性，可以向B层中添加惰性粒子。这时，作为向B层中添加的惰性粒子，可以使用上述的惰性粒子。可以使用这些惰性粒子中的一种，也可以将其两种以上合并使用。在将惰性粒子用于磁记录介质中的情况下，其重均粒径Db优选为0.01～1μm，更优选为0.05～1μm，最优选为0.1～0.5μm。其含量一般为0.001～3重量％，优选为0.005～1重量％，最优选为0.1～1重量％。如果B层中的惰性粒子的重均粒径超过1μm，则当将薄膜在卷缠状态下保存时，B层一侧的突起会复制到平坦的相对一侧的表面上，从而使相对一侧的表面变粗，并因此会使电磁转换特性降低。另外，如果重均粒径小于0.01μm，则不能给磁带的操作性或运转性带来满意的效果。另外，当B层中的惰性粒子的含量超过3重量％时，与上述同样地，突起会复制到相对一侧的表面上，因此使电磁转换特性降低，并且在对其施加蒸镀处理时，会使蒸镀加工工序中的冷却效率降低，并会成为产生“皱纹”或析出低聚物的原因。另外，当其含量小于0.001重量％时，不能给磁带的操作性或运转性带来满意的效果。
当把本发明的薄膜作为磁记录介质的用途以A/B两层层合薄膜使用的情况下，B层的厚度优选为惰性粒子重均粒径Db的0.1～10倍，更优选为0.2～5倍。当t/Db小于0.1时，惰性粒子容易脱落，而当t/Db超过10时，在B层一侧的突起高度相互不一致，因此不能给运转性和操作性带来满意的效果。
当把本发明的薄膜作为磁记录介质的用途以A/B两层层合薄膜使用的情况下，B层的厚度优选相当于薄膜总厚度的20％以下，这样可以获得良好的制膜性。B层的厚度更优选为薄层总厚度的15％以下，特别优选在10％以下。另外，在作为层合薄膜使用时，B层的厚度如果为0.01～5μm，则可以使制膜性变得更好，所以较为理想。B层的厚度优选为0.03～2μm，更优选为0.05～1μm。
当把本发明的薄膜作为磁记录介质的用途使用时，在涂布型磁记录介质的情况下，即便是A层/B层的两层层合结构，也能充分地发挥发明的效果，但是，特别是在蒸镀型磁记录介质用途等情况下，由A层/B层的两层层合构成的基材薄膜至少在与B层相对一侧的表面上设置一层易滑平滑层(C层)的薄膜构成，或者在与B层相对一侧的表面上涂敷一层聚酯或聚酯与聚酯以外的热塑性树脂并以惰性粒子作为必要成分而构成的层合部(D层)，如此就形成了D层/A层/B层的三层层合结构，在此情况下可以更充分地发挥本发明的效果，因此较为理想，但是并不限定于这些结构。在三层层合结构的情况下，B层有承担磁带运转性的任务的必要性，因此，如上所述，B层必须含有粒径较大的惰性粒子。但是，在此情况下，在作为磁带使用时，承担电磁转换特性和与磁头之间的运转性的表面由C层或D层担任，因此，作为基层部的A层可以是一实质上不含惰性粒子的平滑层。
当本发明的薄膜是一种设置有易滑平滑层(C层)的三层层合结构的情况下，C层可以通过涂布方法来形成。C层的形成方法虽然没有特殊限定，但是优选使用水溶性高分子和惰性粒子作为主成分来形成。从与磁头之间的运转性、运转耐久性的观点考虑，至少在与B层相对一侧的表面上必须设置C层。通过设置C层，可以在磁带的保存工序或蒸镀加工工序中能够有效地抑制低聚物由薄膜中析出到薄膜的表面上，因此较为理想。另外，虽然没有特殊限定，但是，从抑制低聚物在磁带的加工工序中或在保存中析出的观点考虑，可以在B层一侧的表面上也设置一层易滑平滑层(C’层)，如此便形成了C层/A层/B层/C’层的结构。但是，这种情况与不设置C’层的情况相比，其生产效率降低了。
在本发明的薄膜上设置C层的情况下，作为构成C层的水溶性高分子，可以使用那些具有羟基、醚基、酯基、磺基、酰胺基、甲氧基、羟丙氧基等极性基，分子量为1万～200万，优选为10万～100万的高分子，作为具体例，可以使用那些由聚乙烯醇、西黄蓍胶、阿拉伯树胶、酪蛋白、明胶、甲基纤维素、羧乙基纤维素、羧甲基纤维素、对苯二甲酸、间苯二甲酸、偏苯三酸等的多元羧酸与乙二醇等生成的水溶性聚酯、水溶性聚酯醚共聚物等，也可以使用这些共聚物的混合物。其中，从与A层的浸润性的观点考虑，特别优选的例子是甲基纤维素与水溶性聚酯的混合物。
当在本发明的薄膜上设置了C层的情况下，作为用于构成C层的惰性粒子的种类，例如有上述的粒子。其中，在那些以丙烯酸类、苯乙烯、硅氧烷、酰亚胺等作为构成成分的有机粒子的情况下，特别是以丙烯酸类或酰亚胺类作为构成成分的有机粒子的情况下，这些粒子与以聚酯和聚酰亚胺为主成分的A层具有高的亲和性，因此在涂布时不易引起涂布不均匀，而且在制膜和加工工序中，粒子的脱落或表面损伤的现象都显著减少，所以较为理想。
在本发明的薄膜上设置C层的情况下，作构成C层的惰性粒子的重均粒径Dc优选为5～50nm，更优选为6～25nm，最优选为7～20nm。由于C层是通过涂布法来形成的，因此，当重均粒径超过50nm时，在制膜、加工工序中有时会发生粒子明显地容易脱落的情况。另外，当重均粒径小于5nm时，由于在调配涂布液时，惰性粒子容易凝聚，因此成为生成粗大突起的原因，或者在制膜、加工工序中有时出现粒子容易脱落的情况。
在本发明的薄膜上设置C层的情况下，作为构成C层的惰性粒子的含量优选为300万～7000万个/mm2，更优选为500万～5000万个/mm2。应予说明，C层的粒子含量之所以用每单位面积上的个数来表示，这是因为C层的厚度相对于粒子的平均粒径显得很薄，因此在C层中含有的粒子几乎全部都露出在C层一侧的表面上的缘故。当惰性粒子的含量以它与水溶性高分于的比例来表示的情况下，相对于水溶性高分子100重量份(当C层中含有硅烷偶合剂或钛偶合剂时，指水溶性高分子与该偶合剂的合计量为100重量份)，惰性粒子的含量优选为5～50重量份，更优选为10～40重量份。如粒子的含量在该范围内，粒子就不会从C层脱落，另外，电磁转换特性也会提高。
在本发明的薄膜上设置C层的情况下，对C层覆膜的厚度没有特殊限定，但优选在1nm～50nm的范围内，更优选在5nm～25nm的范围内，这样能有效地获得本发明的薄膜。在C层的厚度小于1nm的情况下，在涂布时每单位面积的涂布量非常少，因此难以稳定地涂布，而在C层的厚度大于50nm的情况下，在线(in-line)涂布时涂液的干燥不充分，当将C层拉伸时，容易产生裂纹或者出现剥离现象。
在本发明的薄膜为D层/A层/B层的三层层合薄膜的情况下，在D层中所用的聚合物可以是与构成A层的聚酯同样的聚酯，或者是由与构成A层的聚合物合金同样的聚酯和热塑性树脂构成的聚合物合金，在此情况下不易引起层合斑点和喷嘴条纹等在制膜工序中常遇到的问题，因此较为理想。其中，在D层中只使用聚酯的情况下，可以使用那些比构成A层的聚酯具有更高分子量的聚酯。另外，在使用由聚酯与聚酰胺构成的聚合物合金的情况下，可以使用分别与构成A层的聚酯、聚酰亚胺具有相同分子量的聚酯和聚酰亚胺，如果聚酰亚胺的含量也相等，则可以减少制膜时的问题，所以这是特别好的方法。
在本发明的薄膜为D层/A层/B层的三层层合薄膜的情况下，当D层中使用的聚酯是以对苯二甲酸乙二醇酯作为主要构成成分的聚酯时，该聚酯可以通过羧酸聚合法和羧酸酯聚合法之中的任一种方法来制备，但是，在使用羧酸酯聚合法时，作为酯交换催化剂，优选使用乙酸钙。另外，在聚合阶段，优选使用锗化合物作为聚合催化剂，因为这样可以减少由于异物造成的粗大突起，但是对此没有特殊限定。众所击知，作为锗催化剂，可以使用(1)无定形氧化锗；(2)5μm以下的结晶性氧化锗；(3)在碱金属或碱土金属或其化合物的存在下由氧化锗溶解在乙二醇中而形成的溶液；以及，(4)首先将氧化锗溶解于水中，再向其中加入乙二醇，然后蒸去水，如此获得的氧化锗的乙二醇溶液等。
在本发明的薄膜为D层/A层/B层的三层层合薄膜的情况下，作为在D层中含有的惰性粒子的种类，可以例示上述那些粒子。其中，优选是胶体状的二氧化硅和微分散的氧化铝，或者是由苯乙烯、硅氧烷、酰亚胺等作为构成成分的有机粒子。
在本发明的薄膜为D层/A层/B层的三层层合薄膜的情况下，在D层中含有的惰性粒子的重的粒径Dd优选为10～50nm，更优选为15～50nm，最优选为20～40nm。在重均粒径超过50nm时，作为具有蒸镀型磁性层的磁带，其磁性面一侧的突起就变得粗大，因此就会导致其电磁转换特性降低或者磁头受损，从而导致其运转耐久性降低。在重均粒径小于20nm时，就会由于磁性而一侧的突起高度过低，从而使磁带与磁头之前的摩擦过于严重，并使磁头的运转性劣化，并使得在制膜、加工时由于与轧辊之间的摩擦而容易导致损伤。
在本发明的薄膜为D层/A层/B层的三层层合薄膜的情况下，在D层中所含的惰性粒子的含量优选为0.1～3重量％，更优选为0.3～1.5重量％，最优选为0.5～1重量％。当惰性粒子的含量超过3重量％时，就会在熔融成形的工序中由于粒子的凝聚而使突起变得粗大，从而会导致电磁转换特性降低并且容易发生突起刮擦。而当其含量少于0.1重量％。时，磁性面就会变得过于平坦，从而使磁头的运行性劣化，并会在制膜、加工时容易由于与轧辊之间的摩擦而导致损伤。
在本发明的薄膜为D层/A层/B层的三层层合薄膜的情况下，D层的厚度tD优选为0.01μm～0.8μm，更优选为0.03μm～0.5μm，特别优选为0.05～0.1μm。当D层的厚度小于0.01μm时，D层的粒子容易脱落，从而导致运转耐久性劣化，另外，当D层的厚度大于0.5μm时，突起的高度参差不齐，导致磁头的运转性降低。另外，D层的厚度tD优选为D层中所含的粒子的重均粒径Dd的0.1～10倍，更优选为0.5～5倍，在此情况下，可以使电磁转换特性和磁头的运转性达到良好状态。
在本发明的薄膜为D层/A层/B层的三层层合薄膜的情况下，优选在各薄膜层中含有脂肪酸酯之类的蜡或表面活性剂，这样就可有效地抑制低聚物从薄膜中向表面析出，但对此没有特殊限定。更优选是，对于上述物质，在B层、D层中含有较高浓度，而在A层中含有较低浓度或者实质上不含有，有此情况下，不必担心引起弹性模量的降低等。作为蜡，可以举出象巴西棕榈蜡的那样的天然蜡，或者象硬脂酸硬脂酯、二十二酸二十二酯那样的脂肪酸酯，其中，特别优选的例子是巴西棕榈蜡。作为表面活性剂，可以举出十一烷基磺酸钠、十二烷基磺酸钾等的烷基磺酸的碱金属盐或碱土金属盐，或者象十二烷基苯磺酸钠、十二烷基苯磺酸锂等烷基苯磺酸的碱金属或碱土金属盐，其中，特别优选的例子是十二烷基苯磺酸钠。作为表面活性剂的含有量，优选为0.1～2重量％，更优选为0.2～0.8重量％。
从电磁转换特性、漏码(drop-out)的观点考虑，本发明薄膜表面上的粗大突起数H1应在100个/cm2以下，优选在50个/cm2以下，更优选是10个/cm2以下。同样地，从运转耐久性的观点考虑，粗大突起数H2应在10个/cm2以下，优选在5个/cm2以下，更优选在2个/cm2以下。另外，如果粗大突起数H1、H2分别处于上述范围之外，则在制膜工序或加工工序的传送过程中由于与轧辊接触而容易使突起脱落，并且脱落的突起会损伤薄膜，因此不好。另外，在将其作为磁记录介质使用的情况下，粗大的突起既会损伤磁头，又会成为漏码的原因，另外，在磁带运转过程中，由于被磨平而成为驱动不良的原因，因此不好。
在将本发明的薄膜作为层合薄膜使用的情况下，在与B层相对一侧的表面上的粗大突起数H1、H2必须满足上述范围。
在将本发明的薄膜作为涂布磁记录介质按层合结构使用的情况下，在B层一侧的表面(b面)的表面粗糙度Ra(b)优选为3～15nm，更优选为5～12nm，最优选为7～10nm。当Ra(b)小于3nm时，在制膜和加工工序中不能获得满意的操作性并因此使生产性降低，并且在磁带加工时的运转性或耐磨损性也降低，不能获得满意的磁带特征，因此不好。如果Ra(b)大于15nm，则在作为磁带使用时，在运行一侧表面上的粒子容易脱落，并因此使其运转特性劣化成为引起漏码等的原因，所以不好。
在将以本发明的薄膜作为涂布型磁记录介质按层合结构使用的情况下，在B层相对一侧的表面(f面)的表面粗糙度Ra(f)优选为0.5～10nm，更优选为1～8nm，最优选为1.5～6.5nm。在Ra(f)小于0.5nm的情况下，在加工磁带时，磁带与磁头之间的运转性低下，不能获得满意的磁带特性，因此不好。在Ra(f)大于10nm的情况下，在将其作为磁带使用时，电磁转换特性低下，并且容易损伤磁头，因此不好。
在将本发明的薄膜作为涂布型磁记录介质按层合结构使用的情况下，在其正反两面的表面粗糙度之差Ra(b)-Ra(f)为1～7nm，在B层一侧的表面粗糙度较大，优选为2～5nm。当Ra(b)-Ra(f)大于7nm时，较粗糙的B层一侧的表面复制到较平滑的与B层相对一侧表面上，使作为磁带时的磁性面一侧表面变粗，从而使电磁转换特性降低，因此不好。另外，在Ra(b)-Ra(f)小于1nm的情况下，在制膜和加工工序中的操作性变差，难以将其作为磁带卷进行卷缠，从而使生产率降低，因此不好。
在将本发明的薄膜作为蒸镀型磁记录介质按层合结构使用的情况下，在B层一侧的表面(b面)的表面粗糙度Ra(b)一般为5～20nm，优选为6～17nm，更优选为7～15nm。当Ra(b)小于5nm时，在制膜和加工工序中不能获得满意的操作性并因此使生产率降低，并且在磁带加工时的运转性或耐磨损性也降低，并且在磁带加工时的运转性或耐磨损性也降低，不能获得满意的磁带特性，因此不好。如果Ra(b)大于20nm，则在作为磁带使用时，其运行一侧的表面状态容易复制到磁性面一侧的表面上，从而使其电磁转换特性劣化，并且在运行面一侧表面上的粒子容易脱落，成为运转特性劣化或漏码等的原因，所以不好。另外，在具有蒸镀型磁性层的磁带的情况下，由于在蒸镀工序中的冷却效率降低，成为“皱纹”等受热变形的原因，并且使低聚物容易析出。
在将本发明的薄膜作为蒸镀型磁记录介质按层合结构使用的情况下，在与B层相对一侧的表面(f面)的表面粗糙度Ra(f)一般为0.1～5nm，优选为1～4nm，更优选为1.5～3nm。在Ra(f)小于0.1nm的情况下，难以按工业规模制造，并且在加工磁带时，磁带与磁头之间的运转性低下，不能获得满意的磁带特性。在Ra(f)大于5nm的情况下，在将其作为具有蒸镀型磁性层的磁带使用时，电磁转换特性低下，并且容易损伤磁头，因此不好。
在本发明的薄膜中(在层合结构的情况下指A层中)的实体平均粒径Dv对惰性粒子的重均粒径D之比Dv/D优选为1～3，更优选为1～2，最优选为1～1.5。粒子的实体平均粒径是指在薄膜中包含粒子周围空隙在内的粒子的大小。本发明中所用的聚合物合金，与聚对苯二甲酸乙二醇酯等的聚酯相比，其熔融粘度较大，因此它与粒子之间的亲和性也较低，由于这一原因，使其具有在粒子的周围容易形成空隙的特性。在粒子周围形成的空隙越大，则在制膜和加工工序中或者在作为磁带使用时的运转中，粒子越容易脱落，并且磁带的特性也越低，除此之外，突起变得扁平，与磁头的接触面积增加，并使磁头的运转性降低。这样，在Dv/D大于3时，发生粒子脱落和磁头的运行性降低，因此不好。
在本发明的薄膜中(在层合结构的情况下指A层中)的聚合物2的含量优选为聚合物合金中的1～30重量％，更优选为5～30重量％，最优选为8～15重量％。一般地说，聚合物1和聚合物2的熔融粘度有较大差异，因此，当聚合物2的含量不足1重量％时，挤出机有时难以将其充分地微分散，使得含有高浓度聚合物2的微区变得粗大，因此有时出现表面突起变得粗大的情况。另外，如果聚合物2的含量超过30重量％，则会在进行挤出成型加工或拉伸加工时遇到困难，出现薄膜破裂或押出时的喷嘴条纹等在制膜、加工工序上成为麻烦的原因，同时在粒子周围生成的空隙增大，有时便成为形成粗大突起的原因。
本发明的薄膜，可以在不损害本发明的范围内添加热稳定剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、防静电剂、阻燃剂、颜料、染料、脂肪酸酯、蜡之类的有机润滑剂等。
本发明的薄膜(在层合结构的情况下指A层)的聚合物的外推玻璃化转变起始温度(Tg起始)没有特殊限定，优选为90～150℃，更优选为95～130℃，特别优选为98～120℃的范围内。当Tg起始低于90℃时，其对热的尺寸稳定性降低，在将其作为磁记录介质使用的情况下，有时便成为“磁道偏移”等的原因，当Tg起始超过150℃时，熔融成型、熔融制膜便会遇到困难。
用于构成本发明的薄膜(在层合薄膜的情况下指A层)的聚合物合金的固有粘度，从薄膜成型加工的稳定性或者与热塑性树脂的混合性的观点考虑，优选为0.55～3.0(dl/g)的范围，更优选为0.60～2.0(dl/g)的范围。另外，制膜后的薄膜的固有粘度，从薄膜成形加工的稳定性或尺寸稳定性的观点考虑，优选为0.50～2.0(dl/g)的范围，更优选为0.55～1.0(dl/g)的范围。
本发明的薄膜的纵向、宽度方向的杨氏模量，随薄膜用途的不同，其优选值有较大差异，例如，在作为磁记录介质使用的情况下，薄膜的纵向杨氏模量与横向杨氏模量之和优选在9～25Gpa的范围内。
但是，在磁记录介质中，在将其作为数据存储用途等的线性记录方式的数据磁带使用的情况下，其纵向和横向的杨氏模量之和优选在10～25Gpa的范围内，更优选为10～22Gpa，特别优选为14～20Gpa。如果该杨氏模量之和不足10Gpa，例如在作为磁记录介质等使用的情况下，由于受到运转时的磁头或定位销的张力而容易使磁带发生拉伸变形，而且还会给电磁转换特性带来不良影响，并因此导致实际使用时不耐用。另外，杨氏模量之和超过25Gpa的薄膜在工业制造上存在困难，并且薄膜的抗撕裂性和尺寸稳定性显著降低。另外，其纵向杨氏模量优选在5.5Gpa以上，更优选在6GPa以上。在纵向的杨氏模量不足5.5GPa的情况下，在将其作为磁带使用时，与磁头的头部之间的接触变差，而且会给电磁转换特性带来不良影响，在实际使用时不耐用。
另外，在磁记录介质中，在作为数字视频磁带之类的螺旋形扫描方式的视频磁带使用的情况下，其纵向杨氏模量与横向杨氏模量之和优选为9～20GPa的范围，更优选为10～18GPa，特别优选为11～15GPa。从与磁头的头部接触的观点考虑，纵向的杨氏模量优选在4.3GPa以上，更优选在4.5GPa以上，最优选在5GPa以上。另外，从抑制磁带边缘损坏或纵向伸长的观点考虑，横向的杨氏模量优选在4.7GPa以上，更优选在5GPa以上，最优选在5.5GPa以上。
本发明薄膜的热收缩率随薄膜用途的不同，其优选值范围有较大的差异，例如，在作为磁记录介质使用的情况下，从磁带的伸长变形性和保存性的观点考虑，在温度100℃和时间30分钟的条件下，磁带在纵向上的热收缩率优选在1.2％以下，更优选在1％以下。如果该热收缩率大于1.2％，其尺寸稳定性容易受损。例如，在作为磁记录介质使用时，在涂布带基薄膜的磁性层等的薄膜加工工序中，磁带由于受热过程的影响或者在运行时由于磁带与磁头的摩擦热所导致的磁带升温，都容易引起磁带的热变形，而且薄膜表面的耐久性也因此变差，磁带的保存性也会随之劣化。
从磁带的伸长变形性和保存性的观点考虑，本发明的薄膜在温度80℃和时间30分钟的条件下，其纵向的热收缩率优选在0.3％以下。更优选在0.25％以下。
从磁带的伸长变形性和保存性的观点考虑，本发明的薄膜在温度100℃和时间30分钟的条件下，其横向的热收缩率优选在0.5％以下，更优选在0.3％以下。当该收缩率超过0.5％时，其尺寸稳定性容易受损。例如，在作为磁记录介质使用时，在涂布带基薄膜的磁性层等的薄膜加工工序中，磁带由于受热过程的影响或者在运转时由于磁带与磁头的摩擦热所导致的磁带升温，都容易引起磁带的热变形，而且薄膜表面的耐久性也因此变差，磁带的保存性也会随之劣化。
从磁带的伸长变形性和保存性的观点考虑，本发明的薄膜在温度80℃和时间30分钟的条件下，其横向的热收缩率优选在0.1％以下，更优选在0.05％以下。
本发明的薄膜在60℃的温度和80％RH的条件下，按照纵向承受26Mpa负荷的状态放置72小时，其横向的尺寸变化率，从磁带的伸长变形性的观点考虑，优选为-0.4～0％的范围，更优选为-0.3～0％。如果该尺寸变化率处于上述范围之外，则在将其作为磁带使用时，容易引起磁道的偏移。
对本发明薄膜的用途没有特殊限定，它可以作为磁记录介质的带基薄膜或电容器、热敏转印色带、热敏孔板、光学材料等使用。其中，优选作为要求具有均匀微细的表面状态和良好尺寸稳定性的数据存储用带基薄膜或作为具有蒸镀型磁性层的数字视频磁带等的磁记录介质使用。其中，特别优选作为可进行高密度磁记录的数据存储用的带基薄膜使用。该数据存储的数据记录容量优选在30GB(G字节)以上，更优选在70GB以上，特别优选在100GB以上。
本发明的薄膜的厚度可以根据用途适宜地决定，例如通常在作为磁记录介质使用时为1～15μm；作为电容器使用时，从优良的击穿电压、介电特性的稳定性等的观点考虑，其厚度适宜为0.5～15μm；在作为热敏转印带用途的情况下，从不产生印字时的“皱纹”或印字不均匀、油墨的印刷过浓等观点考虑，优选为1～6μm；另外，在作为热敏孔版原子用途时，从穿孔性、印刷性的观点考虑，薄膜的厚度优选为0.5～5μm。
其中，在作为高密度磁记录介质使用的情况下，薄膜的厚度为3～8μm，更优选为4～7μm，最优选为4.5～6.5μm。当厚度小于3μm时，磁带的韧性不够，并因此使电磁转换特性降低；当厚度大于8μm时，每一卷磁带的磁带长度变短，因此难以使磁带小型化和大容量化。
在本发明的薄膜上还可以直接地或者通过粘合剂之类的粘合层层合其它的聚合物层，例如聚烯烃、聚酰胺、聚偏氯乙烯和丙烯酸类的聚合物。
根据需要，也可以对本发明的薄膜进行热处理、成型处理、表面处理、层压加工、涂布处理、印刷、压花加工、蚀刻加工等任意的加工。
另外，通过在本发明薄膜的至少一个侧面上设置磁性层，即可以将其作为磁记录介质使用。用于设置磁性层的面，可以是薄膜的任何一侧表面，也可以是其两侧的表面，但是，在使用具有上述层合结构的薄膜的情况下，磁性层优选设置在与B层相对一侧(f面侧)的表面上。
作为磁性层的优选例子，可以举出强磁性金属薄膜或通过将强磁性金属微粉分散于粘合剂中而形成的磁性层，或者通过涂布金属氧化物而形成的磁性层等。作为在上述强磁性金属薄膜中使用的金属，优选是铁、钴、镍或其合金等。另外，作为在上述通过将强磁性金属微粉分散于粘合剂中而形成的磁性层中使用的强磁性金属微粉，优选是强磁性六方晶系的铁素体粉末，或者由铁、钴、镍或其合金形成的粉末。作为上述的粘合剂，优选是热塑性树脂、热固性树脂、反应型树脂或它们的混合物等。
作为磁性层的形成法，可以采用将磁性粉末与热固性、热塑性或放射线固化性等的粘合剂一起混炼，然后将其涂布、干燥的涂布法；通过将金属或合金蒸镀、溅射、离子镀的方法等来在基材薄膜上直接形成磁性金属薄膜层的干式法之中的任一种方式。
在本发明的磁记录介质中，还可以在磁性层上设置保护膜。通过设置该保护膜，可以进一步改善运转耐久性和耐腐蚀性。作为保护膜，可以举出二氧化硅、氧化铝、氧化钛、二氧化锆、氧化钴、氧化镍等的氧化物保护膜；氮化钛、氮化硅、氮化硼等的氮化物保护膜；碳化硅、碳化铬、碳化硼等的碳化物保护膜；由石墨、无定型碳等碳原料形成的碳保护膜。
上述的碳保护膜可以是通过等离子体CVD法、溅射法等制成的具有无定形、石墨、金刚石结构的，或由其混合物构成的碳膜，特别好的是一般称为类金刚石碳的硬质碳膜。
另外，为了在该硬质碳保护膜上赋予润滑剂并进一步提高该保护膜与润滑剂之间的粘合性的目的，可以利用氧化性气体或惰性气体的等离子体对硬质碳保护膜表面进行表面处理。
按照本发明，为了改善磁记录介质的运转耐久性和耐腐蚀性，优选在上述磁性层或保护膜上施予润滑剂或防锈剂。
下面描述本发明的聚酯薄膜的制造方法，但不特别限定于此。
首先，通过使用挤出机的熔融挤出法将聚合物1和聚合物2的聚合物合金从喷嘴挤出，将熔融聚合物冷却固化以使其成形为薄片状，然后优选将其进行双轴拉伸和热定型处理。
作为上述聚合物合金的制造方法，优选是将聚合物1的颗粒与由聚合物1和聚合物2构成的母料进行混合的方法。由于在聚合物1的颗粒与聚合物2单体的颗粒之间，通常二者的熔融粘度存在较大差异因此，在用挤出机直接混炼时往往混炼不良，容易生成分散不良物，成为在最终薄膜上形成粗大突起物的原因。
作为上述由聚合物1和聚合物2构成的母料的制造方法，优选的例子是利用挤出机将聚合物1和聚合物2的颗粒进行熔融混炼的方法，以及在聚合物1的聚合阶段使其与聚合物2进行共聚的方法。在此情况下，虽然共聚合中时难以产生分散不良的现象，但是存在最终薄膜的结晶化度低下和薄膜强度低下的情况。
通过利用挤出机将聚合物1和聚合物2的颗粒熔融混炼来制成母料的情况下，聚合物2的浓度优选为35～65重量％，更优选为40～60重量％。当聚合物2的浓度处于本范围以外时，就会由于相分离或分散不良而在聚合物中生成粗大的微区。作为在熔融混炼中使用的挤出机，从混炼性的观点考虑，优选的例子是ベント式的双螺杆混炼挤出机。这时的剪切速度优选为50～300秒-1，更优选为100～200秒-1。另外，停留时间优选为30～600秒，更优选为60～300秒，最优选为180～300秒。当停留时间在30秒以下时，不能进行充分的混炼，有时会生成粗大的分散物。当停留时间超过600秒时，由于长时间地处于熔融温度下而生成热劣化物，在制造薄膜时就可能生成粗大突起。另外，在由聚合物合金制成颗粒的情况下，与通常的聚酯单体薄膜的制造工序等相比，生成分散不良物或混入污染物的可能性增高，因此，采用在熔融混炼时进行过滤来除去粗大分散物或污染物的方法能有效地减少最终薄膜中的粗大突起。在此情况下，作为过滤器，优选使用由烧结金属、多孔性陶瓷、砂、金属网等材料制成的过滤器，其中，较优选的例子是砂过滤器、5～20μm粗细的由纤维烧结而成的不锈钢金属过滤器。在熔融混炼的阶段如果使用5μm粗细以下的过滤器，则会使过滤器的微孔被堵塞，因此导致其生产率明显降低，而如果使用20μm粗细以上的过滤器，则会在后续的挤出制膜工序中混入粗大的异物，因此在制膜前的过滤工序中使用过滤器的寿命缩短并使生产率降低。
应予说明，此处所说的5μm粗细的过滤器是指过滤精度为5μm的过滤器，所谓过滤精度是指按照JIS-B8356的方法，能够透过过滤器介质的最大玻璃珠的粒径。
在用透过型电子显微镜按3万～50万的倍率对上述通过熔融混炼制成的母料进行观察时发现，只要能把不是由于外部添加的粒子等的添加物引起的结构(例如聚合物的微区等)控制在直径500nm以下，就能在后续的稀释工序中使聚合物相互之间容易分散，因此较为理想。当存在500nm以上的结构时，在稀释工序中就不能充分分散，因此就会在薄膜中形成粗大的突起。
在本发明的薄膜的制造方法中，在利用挤出机将聚合物1和聚合物2的聚合物合金熔融挤出以使其从喷嘴挤出时，为了除去聚合物中的异物或变质聚合物、未熔融物等，优选使用各种过滤器，例如由烧结金属、多孔性陶瓷、砂、金属网等材料制成的过滤器，进行过滤。特别是对于在层合时的A层的聚合物以及在三层层合结构时与B层相对一侧的最外层的聚合物，优选的例子是利用1.2μm粗细以下的由纤维烧结而成的不锈钢金属过滤器将聚合物过滤。更优选是0.8μm以下的过滤器。另外，根据需要，可以使其通过两个以上的过滤器部分，分两个阶段以上进行过滤，这样能够有效地除去未熔融物，因此较好。最好的方法是按顺序地使用砂过滤器、1.2μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器和0.8μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器，分三阶段进行过滤的方法。与常规的聚酯单体的工序相比，在本发明的聚合物合金的制造工序中，由于混炼工序引入污染物或分散不良物，使得粗大突起容易生成，因此，采用上述方法来强化过滤工序是一种能有效地减少粗大突起的方法。
另外，根据需要，为了提高定量供给性，优选是设置一台齿轮泵。
本发明的薄膜可以通过下述方法制造，即，把从上述喷嘴挤出的熔融聚合物冷却固化，形成薄片状物，再将此薄片状物沿纵向和横向进行双向拉伸，然后对其进行热处理。这时，按纵向横向的拉伸可以按一阶段进行，但是，在分成至少两个阶段进行拉伸时，可以提高其尺寸稳定性，有利于作为磁记录介质使用。另外，在进行再次纵向和再次横向拉伸的情况下，能够大大地提高其尺寸稳定性，因此，作为磁记录介质使用特别有利。
在制造本发明薄膜时的纵向总拉伸倍率没有特殊限定，但优选为3～8倍，更优选为4.5～6倍。如果纵向的总拉伸倍率小于3倍，则会使纵向的弹性模量降低，因此使电磁转换特性降低，另外，如果纵向的总拉伸倍率大于8倍，则会使粒子周围的空隙变大，并使Dv/D增大，从而在作为磁带使用时，磁带与磁头之间的运转性变差。其中，当使再次纵拉伸倍率成为总纵拉伸倍率的25％以下时，容易获得本发明的效果，因此较好。在进行再次纵拉伸的情况下。第一次的纵拉伸倍率优选为2.5～4.0倍，再次纵拉伸倍率优选为1.2～1.8倍。
在制造本发明的层合聚酯薄膜时的横向总拉伸倍率没有特殊限定，但优选为3～8倍，更优选为3.5～6倍。如果横向的总拉伸倍率小于3倍，则Dv/D增大，从而使作为磁带使用时与磁头的运行性变差，并且在作为磁带使用时容易引起磁道偏移。如果横向的总拉伸倍率在6倍以上，则会由于薄膜破裂而导致生产率降低。另外，当再次横向拉伸倍率在总横向拉伸倍率的20％以上时，容易获得本发明的效果，因此较好。在进行再次横向拉伸时，第一次横向拉伸的拉伸倍率优选为3.0～4.5倍，再次横拉伸的拉伸倍率优选为1.2～2倍。
在制造本发明的薄膜时进行纵向拉伸的温度没有特殊限定，但是在用于构成薄膜(在层合结构的情况下指A层)的聚合物合金的玻璃化转变温度Tg+10℃～Tg+30℃的范围内进行时，聚合物合金的拉伸性良好，不易生成空隙，因此较好，在进行再次纵拉伸的情况下，再次纵拉伸温度优选为Tg+30℃～Tg+50℃。
在制造本发明的薄膜时进行横向拉伸的温度没有特殊限定，但是在用于构成薄膜(在层合结构的情况下指A层)的聚合物合金的Tg+10℃～Tg+50℃的范围内进行时，能够抑制由于纵拉伸所导至的在纵向上生成空隙，因此较好。在进行再次横拉伸的情况下，再次横拉伸的温度优选为Tg+80℃～Tg+110℃。
在制造本发明的薄膜时的纵向拉伸速度没有特殊限定，但是在5万～20万％/分的范围内进行时，聚合物合金的拉伸性良好，不易生成空隙，因此较好。再次纵拉伸的速度优选在7万～20万％/分的范围内。
在制造本发明的薄膜时的横向拉伸速度没有特殊限定，但是在2000～10000％/分的范围内进行时，聚合物合金的拉伸性良好，不易生成空隙，因此较好。再次横拉伸的速度优选为5000～20000％/分。
在制造本发明的薄膜时的热处理在Tg+100℃～Tg+125℃的温度范围内进行0.2～10秒钟，这是为了获得本发明效果的较好的方法。
作为本发明薄膜的拉伸形式，可以例举先进行纵向拉伸，然后进行横向拉伸的逐次双向拉伸法、使用双轴展幅机同时地进行纵向和横向拉伸的同时双向拉伸法以及将逐次双向拉伸法和同时双向拉伸法组合起来的方法等。特别优选的方法是在最终进行横向拉伸的方法，因为这样可以使得在纵向上难以生成空隙。
下面举例示出关于本发明的聚酯薄膜的制造方法的最佳实施方案。下面示出使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为A层聚合物的聚合物1以及使用聚醚酰亚胺“Ultem”作为聚合物2的A/B双层层合聚酯薄膜的例子。制造条件随所用聚酯和聚酰亚胺或层合结构的不同而异。
首先按照常规方法，通过使对苯二甲酸与乙二醇进行酯化反应，或者，使对苯二甲酸二甲酯与乙二醇进行酯交换反应，获得对苯二甲酸双-β-羟乙酯(BHT)。然后将该BHT转移入聚合釜中在真空下加热至280℃以进行聚合反应。这时，获得了固有粘度为0.5左右的聚酯。将所获的聚酯制成颗粒状，在减压下放置。以使其进行固相聚合。在固相聚合的情况下，首先将颗粒状的聚酯在180℃以下的温度进行预结晶，然后将其置于190～250℃的温度和1mmHg左右的减压状态下进行固相聚合10～50小时。另外，当在构成薄膜的聚酯中含有惰性粒子的情况下，优选采用下述方法，即，首先将惰性粒子按预定比例以浆液的形式分散于乙二醇中，然后在聚合时再将该乙二醇加入。在添加惰性粒子时。例如，使用在合成惰性粒子时获得的水溶胶或醇溶胶，不等该溶胶干燥就将其添加进去，这样可以使粒子良好分散。另外，将惰性粒子的含水浆液直接与聚酯颗粒混合，然后使用ベント式双螺杆混炼挤出机将其混炼到聚酯中的方法也是有效的。作为调节惰性粒子含量的有效方法是，首先按上述方法制成高浓度惰性粒子的母体，然后在制膜时使用实质上不含惰性粒子的聚酯将该母体稀释，借此来调节惰性粒子的含量。
然后，将该聚对苯二甲酸乙二醇酯的颗粒与聚醚酰亚胺的颗粒按预定的比例混合，进而将其供入一台已加热到270～300℃的ベント式双螺杆混炼挤出机中进行熔融挤出。这时的剪切速度优选为50～300秒-1，更优选为100～200秒-1；这时的停留时间优选为0.5～10分钟，更优选为1～5分钟。进而，在按上述条件不能使两者相容的情况下，可以将所获的切片再次投入双螺杆挤出机中反复地挤压混炼，直到其互溶为止。
将所获的含有聚醚酰亚胺的聚酯的颗粒置于180℃的温度下真空干燥3小时以上，然后在保持其固有粘度不降低的条件下在氮气流或真空下供给到已加热至280～320℃的挤出机中，使其通过狭缝状的模口挤出，使其在浇注辊上冷却，获得了未拉伸的薄膜。这时，为了除去异物或变质的聚合物，优选使用各种过滤器，例如使用由烧结金属、多孔性陶瓷、砂、金属网等的材料制成的过滤器。特别优选的方法是顺次地使用砂过滤器、1.2μm粗细的纤维烧结的不锈钢金属过滤器和0.8μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器分三阶段进行过滤的方法。另外，根据需要，为了提高定量供给性，也可以设置齿轮泵。另外，在层合薄膜的情况下，优选是使用两台以上的挤出机并配合岐管或集流区来使多种不同的聚合物进行熔融层合的方法。
然后，对该未拉伸的薄膜进行双轴拉伸和双轴取向。作为拉伸方法，可以使用逐次双轴拉伸法或同时双轴拉伸法。在此处使用的是首先进行纵向拉伸，然后进行横向拉伸的逐次双轴拉伸法。拉伸温度随层合的构成成分的不同而异，例如，在双层结构的情况下，以A层、B层皆由聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚醚酰亚胺的混合聚合物(混合重重比9∶1)构成的情况作为例子进行说明。用70～170℃的加热轧辊组将未拉伸的薄膜加热，分一段或多段将其沿纵向拉伸3～8倍(在进行再次纵拉伸的情况下，第一次的拉伸为2.5～4倍)，然后用20～50℃的冷却轧辊组进行冷却。纵向拉伸速度优选为5000～200000％/分的范围。接着进行横向拉伸。作为横向拉伸的方法，例如，一般是使用展幅机的方法。横向拉伸的倍率优选为3～8倍(在进行再次横拉伸时，第一次的拉伸为3～4.5倍)，拉伸速度优选为2000～10000％/分，拉伸温度优选为95～160℃的范围。进而，根据需要，进行再次纵拉伸和/或再次横拉伸。作为在此情况下的拉伸条件，在进行纵向拉伸时，优选使用温度为80～180℃的加热轧辊组，拉伸倍率优选为1.2～1.8倍；作为横向的拉伸方法，优选使用展幅机的方法，并且优选在温度110～225℃和拉伸倍率1.2～2.0倍的条件下进行。接着，将该拉伸薄膜在绷紧下或者一边在宽度方向进行弛豫，一边进行热处理。在此情况下的热处理温度为200℃～230℃，优选为215～240℃，时间优选为0.2～10秒的范围。
(物性的测定方法及效果的评价方法)本发明中对特性值测定方法和对效果的评价方法描述如下。
(1)表面突起高度和突起个数使用原子间力显微镜(AFM)，按以下的条件，在改变位置的条件下进行10次测定。
装置NanoScopelll AFM(Digital Instruments公司制)悬臂硅单晶扫描模式分支模式扫描范围5μm×5μm扫描速度0.5Hz测定环境温度25℃，相对湿度55％，测定比平坦面高出5～50nm范围内的突起个数，取其平均值，换算成每1mm2内的突起个数。
(2)粒子的实体平均粒径Dv将一片切成长方形的薄膜放置在载玻片上，向该薄膜上滴下一滴液体石蜡，然后使用透射式光学显微镜按暗视野法进行观察，可以观察到呈星点状存在于薄膜内部的粒子。这时，把焦点与处于薄膜表面附近的粒子相符合的图象输入到图象解析装置的高清晰度监测器中，把输入的异物像进行二维数值化，求出粒子的数目和面积。将该面积按等面积的圆计，求出与该圆相当的直径，将此直径作为粒子的实体平均粒径。改变该观察的位置，反复进行10次测定。
当薄膜中存在两种以上具有不同粒径的粒子时，圆相当直径的分布呈现具有两个以上峰的分布。在此情况下，分别对各种分布测定其实体平均粒径。
(3)表面粗糙度Ra使用小坂研究所制的高精度薄膜高差测定器ET-10来测定中心线的平均粗糙度Ra。将条件列于下面，通过沿薄膜的宽度方向扫描来进行20次测定，取其平均值作为测定值。
·触针尖端半径0.5μm·触针负荷5mg·测定长度1mm·截止值 0.08mm(4)惰性粒子的平均粒径(重均粒径)使用透射型电子显微镜(TEM)按一万倍以上的倍率观察薄膜的截面。TEM的切片厚度约100nm，改变位置进行100次视野以上的测定。把测得的等价圆相当直径的重量平均值作为惰性粒子的平均粒径D。
当薄膜中存在两种以上粒径不同的粒子时，上述的等价圆相当直径的个数分布成为具有两种以上的峰的分布，因此，分别算出每种情况下的平均粒径。
(5)聚合物1、聚合物2、惰性粒子的含量将聚合物1和聚合物2两者溶解于适当的溶剂中，测定其H核的NMR(核磁共振)谱。适当的溶剂随聚合物的种类而异，例如可以使用六氟异丙醇(HFIP)/重氯仿。根据获得的波谱数据，求出聚合物1、聚合物2所特有的吸收(例如，在PET的情况下为对苯二甲酸的芳香族质子的吸收)峰的面积强度，根据该比例和质子数来算出聚合物1和聚合物2的摩尔比。进而利用与各聚合物的单元相当的化学式量来算出二者的重量比。测定条件例如是下列的条件，但这些条件随聚合物的种类而异，因此不限于这些条件。
装置BRUKER DRX-500(BRUKER公司)溶剂HFIP/重氯仿观测频率499.8MHz基准TMS(四甲基硅烷)(OPPM)测定温度30℃观测宽度10KHz数据点 64K探测时间4.952秒脉冲后沿持续时间3.048秒累加次数256次另外，根据需要，可以使用显微FT-IR法(傅里叶变换显微红外分光法)进行组成分析。在此情况下，可以根据由聚酯的羰基引起的峰与由其它物质引起的峰之比值来求出。另外，为了将峰高之比换算成重量比，可以预先用已知重量比的样品制成标准曲线，然后据此求出聚酯相对于聚酯和其它物质合计量的比例。同样地，根据惰性粒子的含量求出PEI的比率。另外，根据需要，也可以合并使用X射线微量分析仪。
另外，对于惰性粒子的含量，可以选择一种能够溶解聚合物1和聚合物2但是不能溶解惰性粒子的溶剂，将聚合物1和聚合物2溶解掉，然后利用离心分离法分离出惰性粒子，据此要求出惰性粒子的重量百分率。
(6)易滑平滑层(C层)中的惰性粒子的含量使用扫描型电子显微镜(SEM)按3万倍左右的放大倍率观察C层一侧的薄膜表面，观察区域在10视野以上，通过求出在每1m2面积内显示突起状的突起数来测定惰性粒子的含量。
(7)层合厚度使用透射型电子显微镜(日立H-600型)，按照超薄切片法(RuO4染色)在加速电压100KV的条件下观察薄膜的截面。根据对该截面的观察结果来求出各层的厚度。可以根据判定的层合厚度来选择适宜的放大倍率，不过，倍率通常以1万～10万倍为宜。
另外，也可以使用二次离子质量分析装置(SIMS)进行测定，使用SIMS沿着薄膜的厚度方向从薄膜的表面至深度达3000mm的范围内进行分析，测定在该范围内的薄膜中的惰性粒子内，导致最高浓度的粒子(或PEI)的元素以及该元素与聚酯中的碳元素的浓度比(M+/C+)。在表层中，导致惰性粒子(或PEI)的元素浓度较低，而离开表面越远，导致惰性粒子(或PEI)的元素浓度就越高。在本发明薄膜的情况下，一旦导致达到极大值的惰性粒子(或PEI)的元素浓度又开始减少到极大值的1/2时的深度就作为层合的厚度。其条件如下。
i)测定装置二次离子质量分析装置(SIMS)西德、ATOMIDA公司制，A-DIDA3000ii)测定条件一次离子种类O2+一次离子加速电压12KV一次离子电流200nA光栅区域400μm□
分析区域 窗口(gate)的30％测定真空度 5.0×10-9E-GUN0.5KV-3.0A另外，当从表层至深度3000nm的范围内所含的最多的惰性粒子为有机高分子粒子的情况下，难以用SIMS测定。因此，可以采用对薄膜表面进行蚀刻并利用XPS(X射线光电子分光法)、IR(红外分光法)等测定与上述同样的分布曲线，然后据此求出层合厚度。
(8)杨氏模量按照ASTM-D882规定的方法，使用Instron型的张力试验机进行测定。测定的条件如下。
测定装置Orientec(株)制的薄膜强度拉伸度自动测定装置“Tensilon AMF/RTA-100”试样尺寸宽10mm×试验长度间距100mm拉伸速度200mm/分测定环境温度23℃，湿度65％RH(9)热收缩率(加工时和保存时的尺寸稳定性)按照JISC2318的规定进行测定。
试样尺寸宽10mm，标线间隔200mm测定条件温度100℃，处理时间30分，无负荷状态按下式求出热收缩率。
热收缩率(％)＝[(L0-L)/L0]×100L.加热处理前的标线间隔L加热处理后的标线间隔结果，当纵向的热收缩率在1％以下，横向的热收缩率在0.5％以下时，判定为在加工时和保存时的尺寸稳定性良好，以(○)表示；当纵向和横向中的任何一方处于上述范围之外时，判定为在加工时和保存时的尺寸稳定性不良，以(×)表示。
(10)实体平均粒径/平均粒径(Dv/D)由通过(2)的测定获得的实体平均粒径Dv和通过(4)的测定获得的惰性粒子的平均粒径算出。
当薄膜中存在两种以上粒径各异的粒子时，实体平均粒径和平均粒径皆按两种以上算出，因此，首先对各种粒径的粒子分别地算出其Dv/D值，然后利用粒子的含量按重量平均求出其平均值。
(11)粗大突起数H1、H2将两片薄膜按其测定面(100cm2)相互朝向的方式叠合在一起，利用静电力(施加电压5.4KV)使其紧密贴合，这时，在两片薄膜之间的粗大突起具有光干涉的作用，根据由这种光干涉所产生的牛顿环来判定该粗大突起的高度，把能产生1重环以上的粗大突起数定义为H1，而把能产生2重环以上的粗大突起数定义为H2。另外，使用安装在卤素灯上的564nm的狭缝滤光器作为光源。
但是，当按上述测定面积遇到测定困难时，可以适宜地改变测定面积，然后再换算成100cm2(例如，取测定面积1cm2，按50视野进行测定，最后换算成100cm2)。
另外，在按上述方法测定遇到困难的惰况下，可以使用三维粗糙度仪(小坂研究所制，SE-3AK按下述条件沿薄膜的宽度方向扫描，进行50次测定。触针尖端半径2μm，触针负荷0.07g，测定面积为宽0.5mm×长15mm(间距0.1mm)，截止值0.08mm)。测定高度在0.28μm以上的突起的个数和高度在0.56μm以上的突起的个数，再通过换算成100cm2来求出H1、H2。另外，也可根据需要，合并使用原子间力显微镜(AFM)或4检出式SEM等公知的薄膜表面的突起个数测定方法。
(12)横向尺寸变化率(％)样品尺寸长100mm，宽30mm将上述样品置于23℃、65％RH和无负荷的条件下进行24小时的调湿调温，然后将其置于大日本印刷(株)制的掩膜上，利用静电使样品贴合，然后利用光学显微镜测定样品在宽度方向上的长度(L0w)。然后，在60℃和80％RH的条件下使样品沿其纵向负荷32Mpa的状态下将样品放置72小时。72小时后，除去负荷，再在23℃、65％RH和无负荷的条件下进行24小时的调湿调温，然后测定其横向的长度(L1w)。按下式求出样品的尺寸变化率。
尺寸变化率(％)＝[(L1w-L0w)/L0w]×100横向尺寸变化率的绝对值超过0.4的产品不适合作为高密度磁记录介质使用，以(×)表示。
(13)涂布型磁带的电磁转换特性(S/N)使用挤出式涂布器在薄膜的表面上双层涂布具有下述组成的磁性涂料和非磁性涂料(上层为磁性涂料，涂布厚度为0.1μm，而非磁性下层的厚度作适宜的变化)。然后对其进行磁性取向处理和干燥处理。进而在其相对一侧的表面上涂布具有下述组成的后涂层，然后用一个小型的实验压延装置(钢/尼龙轧辊，5级)在温度85℃、线压200kg/cm的条件下进行压延处理，最后在60℃下进行48小时固化。将上述磁带的原版裁切成8mm的宽度，并将其绕成盘形磁带卷。然后把该磁带卷中的长度为200m的一部分组装入盒中，从而制成了盒式磁带。
(磁带涂料的组成)·强磁性金属粉末 100重量份·改性氯乙烯共聚物 10重量份·改性聚氨酯 10重量份·聚异氰酸酯 5重量份·硬脂酸 1.5重量份·油酸 1重量份·炭黑 1重量份·氧化铝 10重量份·丁酮 75重量份·环己酮 75重量份·甲苯 75重量份(后涂层组成)·炭黑(平均粒径20nm) 95重量份·炭黑(平均粒径280nm) 10重量份·α氧化铝 0.1重量份
·改性聚氨酯20重量份·改性氯乙烯共聚物 30重量份·环己酮200重量份·丁酮 300重量份·甲苯 100重量份使用市售的Hi8用VTR，求出视频S/N比。在S/N比的测定中，供给来自TV试验信号发生器的信号，使用视频噪声测定仪，以按比较例5的方法制成的磁带作为0分贝(dB)进行比较测定。还有，运转条件为25℃和60％RH。
下面通过与比较例5作比较，按照下述基准来对电磁转换特性进行评价。
+0.5dB以上○作为高密度记录磁带的用途，属于优良的水平。
-0.5dB以上，不到+0.5dB△作为高密度记录磁带的用途，属于可以使用的水平。
不到-O.5dB×作为高密度记录磁带的用途，属于不满意的水平。
(14)漏码(drop out)使用上述的盒式磁带和装置，测定漏码(DO)的个数。
DO个数的测定可按下述方法进行，即，将上述制成的本发明的磁带装入市售的摄录放一体型Hi8摄像机中进行摄像后，使其画面再现一分钟，计算在此段时间内在画面上出现的马赛克斑点的个数，以此作为漏码个数。应予说明，运转条件为25℃和60％RH。
30个以下○作为高密度记录磁带的用途，属于可以使用的水平。
超过30个×作为高密度记录磁带的用途，属于不满意的水平。
(15)磁道偏移将上述磁带的原版裁成1/2英寸宽，制成磁带，以670m的长度作为一份，组装入盒中，制成盒式磁带。
把上述制成的盒式磁带置于60℃和80％RH的气氛中保存100小时，然后用磁带运转试验机把上述制成的盒式磁带按下述1-5的条件依次地运转，这时，使用激光尺寸测定器经常地读取磁带在宽度方向上的尺寸变化，据此求出在按下述条件运转前后的磁道偏移。以在25℃、65％RH条件下的磁带宽度的初期值为L0(μm)，以按下述条件5运转后的磁带L1(μm)，然后根据下式算出磁道偏移。
磁道偏移(μm)＝|L0-L1|条件120℃，50％RH，张力85g，运转次数3次条件220℃，50％RH，张力140g，运转次数3次条件340℃，60％RH，张力140g，运转次数100次条件420℃，50％RH，张力140g，运转次数3次条件520℃，50％RH，张力85g，运转次数3次当该磁道偏移在0.5μm以下时，判断为可以作为高密度记录磁带使用的水平，以(○)表示；当磁道偏移大于0.5μm时，判断为不十分适合作为高密度记录磁带使用的水平，以(×)表示。
(16)固有粘度[η]根据在邻氯苯酚中和25℃下测得的溶液粘度和下式计算出固有粘度。
ηsp/C＝[η]+K[η]2·C式中，ηsp＝(溶液粘度/溶剂粘度)-1；C为溶解于每100ml溶剂中的聚合物重量(g/100ml，通常为1.2)；K为赫金常数(0.343)。另外，溶液粘度和溶剂使用奥斯特瓦尔德粘度计来测定。
(17)外推玻璃化开始温度(Tg起始)、玻璃化转变温度(Tg)使用下述装置和条件进行比热测定，并根据JIS K7121作出决定。
装置TA Instrument公司制的调温式DSC测定条件加热温度270-572K(RCS冷却法)温度校正高纯度铟和锡的熔点温度调节振幅 ±1K温度调节周期 60秒升温级差 5K试样重量 5mg试样容器 铝制开放型容器(22mg)参照容器 铝制开放型容器(18mg)另外，玻璃化转变温度按下式算出。
玻璃化转变温度＝(外推玻璃化转变起始温度+外推玻璃化转变终止温度)/R(18)蒸镀型磁带的电磁转换特性(S/N)使用连续真空蒸镀装置在微量氧的存在下在本发明的薄膜与B层相对一侧的表面(f面)上形成一层厚度为150nm的钴—氧薄膜。然后按照常规的溅射法在钴—氧薄膜上形成一层厚度为10nm的金刚石型碳保护膜，接着涂布一层厚度为3nm的含氟脂肪酸酯类润滑剂。进而在B层一侧的表面上形成一层厚度为500nm的由炭黑、聚氨酯和硅氧烷构成的后涂层，然后用剪裁机将其剪裁成宽度为6.35mm的磁带并将其卷取在卷轴上，从而制成了磁带(DVC视频磁带)。
对上述磁带的特性评价按下述方法进行，即，使用一台由市售的摄录一体式数字视频摄像机改装而成的装置，测定视频S/N比。S/N比的测定按下述方法进行，即，使用视频漏码测定仪，向其供给来自TV试验信号发生器的信号，以用比较例8的薄膜制成的磁带作为0分贝(dB)进行比较测定，然后按下述基准进行评价。另外，运转条件为25℃和60％RH。
○+0.5dB以上△-0.5dB以上，不足0.5dB×不足-0.5dB此处，○表示作为蒸镀型高密度记录磁带的用途属于优良的水平；△表示可以使用；×表示属于不十分合适的水平。
(19)蒸镀稳定性对本发明的薄膜3000m，共10条，进行上述(10)的连续真空蒸镀，然后按下述基准评价本发明的薄膜在该蒸镀工序中的工艺稳定性。
○由于低聚物的附着而引起薄膜断裂，或者由于横向的收缩而引起“皱纹”的薄膜条数在2条以下。
△由于低聚物的附着而引起薄膜断裂，或者由于横向的收缩而引起“皱纹”的薄膜条数为3条或4条。
×由于低聚物的附着而引起薄膜断裂，或者由于横向的收缩而引起“皱纹”的薄膜条数在5条以上。
此处，○表示在蒸镀工序中的工艺稳定性优良；△表示可以使用；×表示不十分适合使用的水平。
(20)对低聚物的抑制性将薄膜放置于150℃的烤箱中30分钟，强制地使低分子量聚合物析出到薄膜的表面上，并对薄膜的表面(在层合薄膜的情况下，指与B层相对一侧的表面(f面))蒸镀氧化铝，然后用微分干涉显微镜按1000倍的综合倍率对薄膜表面进行25视野的观察。对薄膜表面照片上的各视野内出现的低分子量聚合物的大小在0.5mm以上的物体的个数进行计数，再换算成在100cm2内的个数总数，作为表面低聚物析出个数(个/100cm2)。
当析出低聚物的个数在2000个/100cm2以下时，表示对低聚物的抑制性良好，以(○)表示；在超过2000个/100cm2时，表示对低聚物的抑制性不好，以(×)表示。
(21)涂布型磁带的特性在上述评价的涂布型磁带的电磁转换特性(13)、漏码(14)和磁道偏移(15)的特性之中，每一项都达到了在作为高密度记录磁带用途时的优良水平(○)或者可以使用的水平(△)的，就综合地评价为可以作为具有涂布型磁性层的高密度记录磁带使用，以(○)表示；而在上述特性中，只要有一项以上属于不十分适合作为具有涂布型磁性层的高密度记录磁带用途的，就综合地评价为不十分适合作为高密度记录磁带的用途，以(×)表示。
(22)蒸镀型磁带特性在上述的热收缩率(9)、蒸镀型磁带的电磁转换特性(18)、蒸镀稳定性(19)的评价项目中，按以下的判定基准进行判断。
○所有特性皆为优良的水平(○)者，或者，其中的两个项目为优良水平(○)而其中的一个项目为可以使用的水平(△)者。
×只要有任一个项目为不十分适合的水平(×)者，或者，其中有两个项目为可以使用的水平(△)者。
此处，○表示适合作为具有蒸镀型磁性层的磁记录介质的用途；×表示不适合作为具有蒸镀型磁性层的磁记录介质的用途。
下面根据实施例来说明本发明的实施方案。
实施例1把按常规方法制得的且固有粘度为0.65的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的颗粒(50重量％，Tg80℃)和由通用电器公司(GE)制的固有粘度为0.68的“Ultem”1010(50重量％，Tg216℃)供给到一台加热至285℃的同方向旋转型ベント式双螺杆混炼挤出机(剪切速度150秒-1，停留时间250秒)中混炼，接着使用10μm粗细纤维烧结不锈钢金属过滤器将其过滤，然后将其制成一种含有50重量％PEI且固有粘度为0.65的共混物切片。当用透射式电子显微镜以3万倍的倍率观察该共混物切片时，观察到其中存在直径约200nm的相分离结构。
然后使用挤出机进行制膜。把由通过上述造粒操作获得的共混物切片15重量份、实质上不含惰性粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒63重量份、含有2重量％重均粒径为0.5μm的交联二乙烯基苯粒子且固有粒度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒2重量份、含有2重量％重均粒径为0.025μm的γ-氧化铝粒子且固有粒度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒20重量份组成的混合原料在180℃下进行3小时的真空干燥，然后将其供给到加热至275℃的挤出机中进行混炼。
接着，将上述聚合物用砂过滤器、1.2μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器和0.8μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器依次地进行3级过滤，然后将其浇注到表面温度为25℃的浇注滚筒上，一边向其施加静电荷，一边将其紧密贴合地冷却固化，从而制成了未拉伸的薄膜。
使用辊式拉伸机将上述的未拉伸薄膜按纵向二级、速度60000％/分、温度125℃的条件拉伸3.0倍，进而使用展幅机，按照横向速度3000％/分、温度128℃的条件将薄膜沿横向拉伸3.4倍。接着，使用辊式拉伸机，按纵向一级、温度140℃的条件将薄膜沿纵向再拉伸1.4倍，再使用展幅在205℃的温度下沿横向再拉伸1.9倍。在固定长度的条件下，在220℃的温度下进行8秒钟的热处理，然后沿横向进行2％的弛豫处理，从而获得了厚度约6μm的聚酯薄膜。该薄膜沿纵向的杨氏模量为6.5Gpa，沿横向的杨氏模量为4.5Gpa。
如表1所示，该聚酯薄膜，具有粗大突起少，对低聚物的抑制性和横向尺寸的稳定性皆优良的特性。
实施例2把按常规方法制得的且固有粘度为0.85的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的颗粒(Tg80℃)50重量％和由通用电器公司(GE)制的固有粘度为0.68的“Ultem”1010(Tg216)50重量％供给到一台加热至290℃的同方向旋转型带式双螺杆混炼挤出机中混炼，制成一种含有50重量％VPET的共混物切片(11)。
然后使用两台挤出机进行制膜。把由通过上述造粒操作获得的共混物切片20重量份、实质上不含惰性粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒58重量份、含有2重量％重均粒径为0.17μm的交联二乙烯基苯粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒3重量份、含有2重量％重均粒径为0.025μm的γ-氧化铝粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒20重量份组成的混合原料在180℃下进行3小时的真空干燥，然后将其供给到加热至295℃的挤出机A(A层)中。另外，把由通过上述造粒操作获得的共混物切片20重量份、实质上不含惰性粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒67重量份、含有2重量％重均粒径为0.17μm的球状二氧化硅粒子且固有粘度为0.62的对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒12重量份、含有1重量％重均粒径为0.75μm的交联二乙烯基苯粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒1重量份组成的混合原料在180℃下进行了3小时的真空干燥，然后将其供给到加热至295℃的挤出机B(B层)中。接着，把来自挤出机A的聚合物用砂过滤器、1.2μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器和0.8μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器依次地进行3级过滤，另外，把来自挤出机B的聚合物用砂过滤器、3μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器依次地进行2级过滤，然后在一个T型模头中使二者合流，将其浇注到表面温度为25℃的浇注滚筒上，一边向其施加静电荷，一边将其紧密贴合地冷却固化，从而制成了两层层合的未拉伸薄膜(层合厚度比A/B＝11/1)。
然后，使用辊式拉伸机将上述的未拉伸薄膜按纵向二级、速度70000％/分、温度95℃的条件沿纵向拉伸3.5倍，进而使用展幅机，按照横向速度3000％/分、温度120℃的条件将薄膜沿横向拉伸3.0倍。接着，使用辊式拉伸机，按纵向一级、温度130℃的条件将薄膜沿纵向再拉伸1.7倍，再使用展幅机在180℃的温度下沿横向再拉伸1.2倍。在固定长度和温度210℃的条件下进行8秒钟的热处理，然后沿横向进行2％的驰豫处理，从而获得了厚度约6μm的层合聚酯薄膜。各层薄膜的厚度分别为A层5.5μm，B层0.5μm。该薄膜沿纵向的杨氏模量为6.8Gpa，沿横向的杨氏模量为4.5Gpa。在B层一侧的表面粗糙度为11.5nm，在与B层相对一侧的表面粗糙度为9nm，Dv/D值为4.5。
如表1所示，该聚酯薄膜具有粗大突起少、对低聚物的抑制性和横向尺寸的稳定性皆优良的特性。
实施例3除了使用含有3重量％重均粒径为0.3μm的二乙烯基苯交联粒子和0.1重量％重均粒径为1.2μm的球状二氧化硅粒子的PET/PEI的共混聚合物(重量比90∶10)作为B层聚合物之外，其余与实施例题同样地制成两层层合结构的未拉伸薄膜。然后与实施例1同样地进行拉伸和热处理，获得了厚度为约6μm的层合聚酯薄膜。各层薄膜的厚度分别为A层5.5μm，B层0.5μm。该薄膜沿纵向的杨氏模量为6Gpa，沿横向的杨氏模量为4.7Gpa。在B层一侧的表面粗糙度为25nm，在与B层相对一侧的表面粗糙度为10.5nm，Dv/D值为1.8。
如表1所示，该聚酯薄膜具有粗大突起少，对低聚物的抑制性和横向尺寸的稳定性皆优良的特性。
实施例4把按常规方法制得的且固有粘度为0.85的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的颗粒(Tg80℃)50重量％和由通用电器公司(GE)制的固有粘度为0.68的“Ultem”1010(Tg216℃)50重量％供给到一台加热至290℃的同方向旋转型带式双螺杆混炼挤出机中混炼，制成一种含有50％PET的共混物切片。当用透射式电子显微镜以3万倍的倍率观察该共混物切片时，观察到直径约400nm的相分离结构。
然后使用两台挤出机进行制膜。把由通过上述造粒操作获得的共混物切片20重量份、实质上不含惰性粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒80重量份组成的混合原料在180℃下进行3小时的真空干燥，然后将其供给到加热至290℃的挤出机A中。另外，把由通过上述造粒操作获得的共混物切片20重量份、实质上不含惰性粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒60重量份、含有2重量％重均粒径为0.25μm的交联二乙烯基苯粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒20重量份组成的混合原料在180℃下进行3小时的真空干燥，然后将其供给到加热至295℃的挤出机B中。接着，起来自挤出机A的聚合物用砂过滤器、1.2μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器和0.8μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器依次地进行3级过滤，另外，把来自挤出机B的聚合物用砂过滤器、3μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器依次地进行2级过滤，然后使上述二者在一个双层的矩形合流模头(进料模头)中合流，获得了A/B的层合薄膜。另外，为了调节各层的厚度，可以通过调节设置在各自生产线上的齿轮泵的旋转数来控制挤出量前借此调节各层的厚度。使用施加静电的浇注法将挤出物盘绕在一个表面温度为25℃的浇注用滚筒上以使其冷却固化，从而制成双层层合的未拉伸薄膜(层合厚度比A/B＝10/1)。
将该未拉伸薄膜置于辊式拉伸机中在110℃下沿纵向拉伸3.1倍。这种拉伸利用每两组轧辊的周速差来进行。在该单轴拉伸薄膜的A层上涂布下述的水溶液。
甲基纤维素 0.10重量％水溶性聚酯 0.3重量％氨乙基硅烷偶合剂0.01重量％巴西棕榈蜡 0.2重量％平均粒径20nm的丙烯酸粒子0.01重量％固体成分涂布浓度20mg/m2进而，使用展幅机在100℃的温度下沿横向拉伸3.4倍。接着，用辊式拉伸机按纵向一级和温度150℃的条件沿纵向再拉伸1.55倍，进而用展幅机在195℃的温度下沿横向再拉伸1.6倍。在固定长度和温度205的条件下进行8秒钟的热处理，然后沿横向进行5％的驰豫处理，从而获得厚度约6.0μm的层合聚酯薄膜。层合的结构是一种在与B层相对一侧涂覆有涂层(C层)的A/B双层结构。各层薄膜的厚度分别为A层5.5μm，B层0.5μm。纵向的杨氏模量为5.2Gpa，横向的杨氏模量为6.1Gpa。B层一侧的表面粗糙度为14.5nm，与B层相对一侧的表面粗糙度为4.5nm，与B层相对一侧的表面突起高度为5-25nm的突起个数为430万个/mm2。
如表1所示，该聚酯薄膜具有粗大突起少，对低聚物的抑制性和横向尺寸的稳定性皆优良的特性。
实施例5使用三台挤出机进行制膜。A层和B层的聚合物组成和粒子含量与实施例4完全相同，而D层聚合物的组成为PET/PEI的组成，其重量比为90重量％/10重量％，其中，重均粒径60nm的球状二氧化硅粒子所占的比例为2重量％。另外，在B层和D层中含有0.3重量％的十二烷基苯磺酸钠，而在A层中含有0.1重量％的十二烷基苯磺酸钠。另外，A、B层聚合物的过滤方法与实施例4完全相同，D层聚合物的过滤方法是用砂过滤器、1.2μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器和0.8μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器依次地进行三级过滤。从而制成了三层层合的未拉伸薄膜(层合厚度比为D/A/B＝0.15/11/1)。
该未拉伸薄膜的拉伸方式、拉伸温度、拉伸倍率等皆与实施例4完全相同，获得了厚度约6.1μm的D/A/B三层层合聚酯薄膜。但是，没有进行象实施例4那样的水溶液涂布。各层薄膜的厚度分别为A层5.5μm，B层0.5μm，D层0.075μm。纵向的杨氏模量为5.2Gpa，横向的杨氏模量为6.1Gpa。B层一侧的表面粗糙度为14.5nm，与B层相对一侧的表面粗糙度为6.5nm，与B层相对一侧表面的突起高度为5-25nm的突起个数为510万个/mm2。
如表1所示，该聚酯薄膜具有粗大突起少、对低聚物的抑制性和横向尺寸稳定性皆优良的特性。
实施例6将A层的组成改变为与实施例4的B层相同(PET/PEI＝90∶10，含有0.3重量％重均粒径为0.27μm的二乙烯基苯交联粒子)，不进行层合，制成单层的未拉伸薄膜。
水溶液的组成、拉伸方式、拉伸系件等与实施例4完全相同，获得厚度约6μm的聚酯薄膜。纵向的杨氏模量为5.2Gpa，横向的杨氏模量为6.1Gpa。
如表1所示，该聚酯薄膜具有粗大突起少、低聚物的抑制性和横向尺寸稳定性皆优良的特性。
实施例7作为A层的聚合物，使用PET/PEI的混合聚合物(重量比为90∶10，含有0.24重量％重均粒径为0.17μm的二乙烯基苯交联粒子和0.01重量％重均粒径为0.75μm的球状二氧化硅粒子)，除了不进行层合之外，其余与实施例2同样地制成单层的未拉伸薄膜。后续的拉伸和热处理与实施例2完全同样地进行，获得了厚度约6μm的层合聚酯薄膜。关于各层薄膜的厚度，A层为5.5μm，B层为0.5μm。纵向的杨氏模量为6Gpa，横向的杨氏模量为4.7Gpa。B层一侧的表面粗糙度为9nm，与B层相对一侧的表面粗糙度为8.9nm，Dv/D值为2.1。
如表1所示，该聚酯薄膜具有粗大突起少、对低聚物的抑制性和横向尺寸稳定性皆优良的特性。
比较例1在制成共混切片时不进行过滤，另外，除了将过滤方法改变为使用3μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器作为制膜阶段的过滤器和进行一级过滤之外，其余按照与实施例1同样的条件制得厚度约为6μm的聚酯薄膜。该薄膜的纵向杨氏模量为6.5Gpa，横向的杨氏模量为4.5Gpa。
如表1所示，按照本方法，不能制造能够满足本申请的粗大突起数H1、H2的范围的高质量的聚酯薄膜。
比较例2不进行混合切片的制造，把由固有粘度为0.68的“Ultem”1010(50重量％，Tg216℃)30重量份、实质上不含惰性粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒48重量份、含有2重量％重均粒径为0.5μm的交联二乙烯基苯粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒2重量份、含有2重量％重均粒径为0.025μm的γ-氧化铝粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的颗粒20重量份组成的混合原料在180℃下进行3小时的真空干燥，然后将其供给到加热至275℃的挤出机中，其余按照与实施例1相同的条件制得薄膜，所获薄膜的纵向杨氏模量为6.5Gpa，横向杨氏模量为4.5Gpa。
如表1所示，按照本方法，不能制造能够满足本申请的粗大突起H1、H2的范围的高质量的聚酯薄膜。
比较例3不使用聚酯以外的热塑性树脂(聚合物2)，把由实质上不含惰性粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒78重量份、含有2重量％重均粒径为0.5μm的交联二乙烯基苯粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒2重量份、含有2重量％重均粒径为0.025μm的γ-氧化铝粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的颗粒20重量份组成的混合原料在180℃下进行3小时的真空干燥，然后将其供给到加热至275℃的挤出机中，其余按照与实施例1同样的条件制成未拉伸薄膜。
使用辊式拉伸机将该未拉伸薄膜按照纵向二级、速度60000％/分、温度105℃的条件沿纵向拉伸3.0倍，进而，使用展幅机，按照横向速度3000％/分、温度110℃的条件沿横向拉伸3.4倍。接着，使用辊式拉伸机，按照纵向一级、温度140℃的条件沿纵向再拉伸1.4倍，进而使用展幅机，按照横向、温度195℃的条件沿横向再拉伸1.9倍。在固定长度和温度220℃的条件下进行8秒钟的热处理，然后沿横向进行2％的驰豫处理，制得厚度约6μm的聚酯薄膜。该薄膜的纵向杨氏模量为6.8Gpa，横向的杨氏模量为5.5Gpa。
如表1所示，该聚酯薄膜的热收缩率很大，对低聚物的抑制性低劣。
比较例4不使用聚酯以外的热塑性树脂(聚合物2)，把由实质上不含惰性粒子且固有粘度为0.65的聚(萘-2.6-二甲酸)乙二醇酯(PEN)颗粒98重量份、含有2重量％重均粒径为0.5μm的交联二乙烯基苯粒子且固有粘度为0.65的聚(萘-2.6-二甲酸)乙二醇酯(PEN)颗粒2重量份组成的混合原料在180℃下进行3小时的真空干燥，然后将其供给到加热至300℃的挤出机中，其余按照与实施例1同样的条件制成未拉伸薄膜。
使用辊式拉伸机将该未拉伸薄膜按照纵向二级、速度60000％/分、温度135℃的条件沿纵向拉伸4.2倍，进而，使用展幅机，按照横向速度3000％/分、温度140℃的条件拉伸3.0倍。在固定长度和温度220℃的条件下进行8秒钟的热处理，然后沿横向进行2％的驰豫处理，制得厚度约6μm的聚酯薄膜。该薄膜的纵向杨氏模量为7.0Gpa，横向的杨氏模量为5.7Gpa。
如表1所示，该聚酯薄膜的横向尺寸稳定性低劣。
表1

实施例8与实施例1同样地制成聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚醚酰亚胺(PEI)的共混物切片。
然后，使用两台挤出机进行制膜。把由通过上述造粒操作获得的共混物切片20重量份、实质上不含惰性粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒58重量份、含有2重量％重均粒径为0.17μm的交联二乙烯基苯粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒3重量份、含有2重量％重均粒径为0.025μm的γ-氧化铝粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒20重量份组成的混合原料在180℃下进行3小时的真空干燥，然后将其供给到加热至295℃的挤出机A(A层用)中。另外，把由通过上述造粒操作获得的共混物切片20重量份、实质上不含惰性粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒67重量份、含有2重量％重均粒径为0.17μm的球状二氧化硅粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒12重量份、含有1重量％重均粒径为0.75μm的交联二乙烯基苯粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒1重量份组成的混合原料在180℃下进行3小时的真空干燥，然后将其供给到加热至295℃的挤出机B(B层用)中。接着，把来自挤出机A的聚合物用砂过滤器、1.2μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器和0.8μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器依次地进行3级过滤；另外，把来自挤出机B的聚合物用砂过滤器、3μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器依次地进行2级过滤，然后在一个T型模头中使二者合流，将其浇注到表面温度为25℃的浇注滚筒上，一边向其施加静电荷，一边将其紧密贴合地冷却固化，从而制成了两层层合的未拉伸薄膜(层合厚度比A/B＝11/1)。
然后，使用辊式拉伸机将上述的未拉伸薄膜按纵向二级、速度60000％/分、温度125℃的条件沿纵向拉伸3.0倍，进而使用展幅机，按照横向速度3000％/分、温度128℃的条件沿横向拉伸3.4倍。接着，使用辊式拉伸机，按纵向一级、温度140℃的条件沿纵向再拉伸1.4倍，再使用展幅机在205℃的温度下沿横向再拉伸1.9倍。在固定长度和温度220℃的条件下进行8秒钟的热处理，然后沿横向进行5％的驰豫处理，从而获得了厚度约6μm的层合聚酯薄膜。各层薄膜的厚度分别为A层5.5μm，B层0.5μm。该薄膜沿纵向的杨氏模量为6Gpa，沿横向的杨氏模量为4.7Gpa。
如表3所示，该层合聚酯薄膜沿横向的尺寸变化率和低聚物抑制性优良，并且在作为涂布型碳记录介质进行加工时，其漏码少，电磁转换特性和对磁道偏移的抑制特性等均优良，作为涂布型磁记录介质用的带基薄膜具有优良的特性。
实施例9与实施例8同样地，如表2所示，将A层聚合物的二乙烯基苯交联粒子的含量改变为0.1重量％，将B层的聚合物改变成聚对苯二甲酸乙二醇酯(含有0.5重量％重均粒径为0.3μm的二乙烯基苯交联粒子和0.06重量％重均粒径为0.8μm的二氧化硅粒子)，制成了双层层合未拉伸薄膜(层合厚度比A/B＝11/1)。
然后，使用辊式拉伸机将上述的未拉伸薄膜按纵向二级、速度62000％/分、温度125℃的条件沿纵向拉伸3.1倍，进而使用展幅机，按照横向速度3300％/分、温度130℃的条件沿横向拉伸3.6倍。接着，使用辊式拉伸机，按纵向一级、温度145℃的条件沿纵向再拉伸1.5倍；再使用展幅机在200℃的温度下沿横向再拉伸1.9倍。在固定长度和温度220℃的条件下进行8秒钟的热处理，然后沿横向进行5％的驰豫处理，从而获得了厚度约6μm的层合聚酯薄膜。各层薄膜的厚度分别为A层5.5μm，B层0.5μm。该薄膜沿纵向的杨氏模量为6.2Gpa，沿横向的杨氏模量为5.1Gpa。
如表3所示，该层合聚酯薄膜沿横向的尺寸变化率和低聚物抑制性优良，并且在作为涂布型磁记录介质进行加工时，其漏码少，电磁转换特性和对磁道偏移的抑制特性等均优良，作为涂布型磁记录介质用的带基薄膜具有优良的特性。
实施例10如表2所示，除了把A层聚合物的PET与PEI的重量比改变成85∶15之外，其余与实施例8同样地制成双层层合的未拉伸薄膜(层合厚度比A/B＝11/1)。
使用辊式拉伸机将上述的未拉伸薄膜按纵向二级、速度50000％/分、温度140℃的条件沿纵向拉伸3.05倍，进而使用展幅机，按照横向速度2500％/分、温度138℃的条件沿横向拉伸3.5倍。接着，使用辊式拉伸机，按纵向一级、温度150℃的条件沿纵向再拉伸1.55倍；再使用展幅机在205℃的温度下沿横向再拉伸1.95倍。在固定长度和温度225℃的条件下进行9秒钟的热处理，然后沿横向进行3％的驰豫处理，从而获得了厚度约6μm的层合聚酯薄膜。各层薄膜的厚度分别为A层5.5μm，B层0.5μm。该薄膜沿纵向的杨氏模量为5.8Gpa，沿横向的杨氏模量为4.8Gpa。
如表3所示，该层合聚酯薄膜沿横向的尺寸变化率和低聚物抑制性优良，并且在作为涂布型磁记录介质进行加工时，其漏码少，电磁转换特性和对磁道偏移的抑制特性等均优良，作为涂布型磁记录介质用的带基薄膜具有优良的特性。
实施例11如表2所示，除了将A层聚合物改变为聚(萘-2，6-二甲酸乙二醇酯)(PEN)与PEI的混合聚合物(重量比90∶10，含有0.05％重均粒径0.25μm的二氧化硅粒子)和将B层聚合物改变为PEN/PEI(重量比90∶10，含有0.5％重均粒径为0.25μm的交联二乙烯基苯粒子和含有0.03％重均粒径为0.7μm的二氧化硅粒子)之外，其余与实施例8同样地制成双层层合的未拉伸薄膜(层合厚度比A/B＝5/1)。
使用辊式拉伸机将上述的未拉伸薄膜按纵向二级、速度80000％/分、温度160℃的条件沿纵向拉伸3.1倍，进而使用展幅机，按照横向速度5000％/分、温度160℃的条件沿横向拉伸4.2倍。接着，使用辊式拉伸机，按纵向一级、温度185℃的条件沿纵向再拉伸1.05倍；再使用展幅机在240℃的温度下沿横向再拉伸1.75倍。在固定长度和温度260℃的条件下进行6秒钟的热处理，然后沿横向进行2％的驰豫处理，从而获得了厚度约4.2μm的层合聚酯薄膜。各层薄膜的厚度分别为A层3.5μm，B层0.7μm。该薄膜沿纵向的杨氏模量为7.9Gpa，沿横向的杨氏模量为7.1Gpa。
如表3所示，该层合聚酯薄膜沿横向的尺寸变化率和低聚物抑制性优良，并且在作为涂布型磁记录介质进行加工时，其漏码少，电磁转换特性和对磁道偏移的抑制特性等均优良，作为涂布型磁记录介质用的带基薄膜具有优良的特性。
比较例5
除了使用实质上不含粒子的PET切片来代替PET和PEI的共混物切片之外，其余与实施例8同样地制成A/B双层层合结构的未拉伸薄膜。
然后，与实施例8同样地，使用辊式拉伸机将上述的未拉伸薄膜按纵向二级、速度60000％/分、温度105℃的条件沿纵向拉伸3.0倍，进而使用展幅机，按照横向速度3000％/分、温度100℃的条件沿横向拉伸3.4倍。接着，使用辊式拉伸机，按纵向一级、温度130℃的条件沿纵向再拉伸1.4倍；再使用展幅机在150℃的温度下沿横向再拉伸1.9倍。在固定长度和温度210℃的条件下进行8秒钟的热处理，然后沿横向进行2％的驰豫处理，从而获得了厚度约6μm的层合聚酯薄膜。各层薄膜的厚度分别为A层5.5μm，B层0.5μm。该薄膜沿纵向的杨氏模量为6.5Gpa，沿横向的杨氏模量为5.4Gpa。
如表3所示，该层合聚酯薄膜的热收缩率不佳，作为涂布型磁记录介质用途的薄膜是一种低劣的产品。
比较例6使用与实施例8完全相同的原料，但是把对A层聚合物的过滤方法改变为只使用3μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器的方法，制成双层层合结构的未拉伸薄膜。后续的拉伸和热处理按照与实施例8完全相同的方法进行，制得厚度约为6μm的层合聚酯薄膜。各层薄膜的厚度分别为A层5.5μm，B层0.5μm。该薄膜沿纵向的杨氏模量为6Gpa，沿横向的杨氏模量为4.7Gpa。
如表3所示，该层合聚酯薄膜的粗大突起数H1、H2处于本发明的范围之外，而且其漏码多，作为涂布型磁记录介质用途的薄膜是一种低劣的产品。
比较例7作为A层聚合物，使PET/PEI的共混聚合物(重量比60∶40，粒子添加量与实施例8相同)但是，作为A层聚合物的过滤方法，不使用1.2μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器，因为这种过滤器在本比较例中挤出不好，以致于不能使用，所以把A层聚合物的过滤方法改变为使用砂过滤器和3μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器，如此制成了双层层合结构的未拉伸薄膜。然后，按纵向2级、速度50000％/分、温度180℃的条件下沿纵向拉伸3.5倍，再使用展幅机，按照横向速度3500％分，温度180℃的条件沿横向拉伸4.5倍。在固定长度和温度250℃的条件下进行8秒钟的热处理，然后沿横向进行2％的驰豫处理。获得了厚度约6μm的层合聚酯薄膜。(由于该未拉伸薄膜的拉伸性不好，因此不能采用与实施例1同样的对薄膜施加有再次纵拉伸和再次横拉伸的拉伸方法。)各层薄膜的厚度分别为A层5.5μm，B层0.5μm。该薄膜沿纵向的杨氏模量为4Gpa，沿横向的杨氏模量为4.4Gpa。
如表3所示，该层合聚酯薄膜的粗大突起数H1处于本发明的范围之外，而且其漏码多，作为涂布型磁记录介质用途的薄膜是一种低劣的产品。
表2

表3

实施例12把按常规方法制得的且固有粘度为0.85的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的颗粒(Tg80℃)50重量％和由通用电器公司(GE)制的固有粘度为0.68的“Ultem”1010(Tg216℃)50重量％供给到一台加热至290℃的同方向旋转型带式双螺杆混炼挤出机中，制成一种含有50重量％PET的共混物切片。
然后使用两台挤出机进行制膜。把由通过上术造粒操作获得的共混物切片20重量份、实质上不含惰性粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒80重量份组成的混合原料在180℃下进行3小时的真空干燥，然后将其供给到加热至290℃的挤出机A中。另外，把由通过上述造粒操作获得的共混物切片20重量份、实质上不含惰性粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒60重量份、含有2重量％重均粒径为0.25μm的交联二乙烯基苯粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒20重量份组成的混合原料在180℃下进行3小时的真空干燥，然后将其供给到加热至295℃的挤出机B中。接着，将来自挤出机A的聚合物用砂过滤器、1.2μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器和0.8μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器依次地进行3级过滤，另外，把来自挤出机B的聚合物用砂过滤器、3μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器依次地进行2级过滤，然后在1个双层的矩形合流模头(进料模头)中合流，获得了A/B的层合薄膜。另外，为了调节各层的厚度，可以通过调节设置在各自生产线上的齿轮泵的旋转数来控制挤出量并借此调节各层的厚度。使用施加静电的浇注法将挤出物盘绕在一个表面温度为25℃的浇注用滚筒上以使其冷却固化，从而制成双层层合的未拉伸薄膜(层合厚度比A/B＝10/1)。
将该未拉伸薄膜置于辊式拉伸机中在110℃下沿纵向拉伸3.1倍。这种拉伸利用每两组轧辊的周速差来进行。在该单向拉伸薄膜的A层上涂布下述的水溶液。
甲基纤维素 0.10重量％水溶性聚酯 0.3重量％
氨乙基硅烷偶合剂0.01重量％巴西棕榈蜡 0.2重量％平均粒径20nm的丙烯酸粒子0.01重量％固体成分涂布浓度20mg/m2进而，使用展幅机在100℃的温度下沿横向拉伸3.4倍。接着，用辊式拉伸机按纵向一级和温度150℃的条件沿纵向再拉伸1.55倍，进而用展幅机在195℃的温度下沿横向再拉伸1.6倍。在固定长度和温度205℃的条件下进行8秒钟的热处理，然后沿横向进行5％的驰豫处理，从而获得厚度约6.0μm的层合聚酯薄膜。各层薄膜的厚度分别为A层5.5μm，B层0.5μm。纵向的杨氏模量为5.2Gpa，横向的杨氏模量为6.1Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜沿横向的尺寸变化率和低聚物抑制性均优良，并且在作为蒸镀型磁记录介质进行加工时，其电磁转换特性和蒸镀稳定性等均优良，作为蒸镀型磁记录介质用的带基薄膜具有优良的特性。
实施例13如表4所示，制成一种A层、B层聚合物与实施例12完全相同的双层层合未拉伸薄膜(层合厚度比A/B-11/1)。
按照与实施例12完全相同的拉伸方法、拉伸温度、拉伸倍率将上述未拉伸薄膜拉伸，获得了厚度约6μm的层合聚酯薄膜。但是，将涂布水溶液的氨乙基硅烷偶合剂由原来的0.01重量％改变成0.15重量％，将惰性粒子改变成重均粒径为12nm的极微细二氧化硅(0.03重量％)。各层薄膜的厚度分别为A层5.5μm，B层0.5μm。薄膜沿纵向的杨氏模量为5.1Gpa，沿横向的杨氏模量为6.2Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜沿横向的尺寸变化率和低聚物抑制性均优良，并且在作为蒸镀型磁记录介质进行加工时，其电磁转换特性和蒸镀稳定性等均优良，作为蒸镀型磁记录介质用的带基薄膜具有优良的特性。
实施例14如表4所示，除了将A、B层的PET与PET的重量比改变成85∶15将B层的惰性粒子改变成重量均粒径为0.18μm的硅酸铝粒子(含有0.95重量)之外，其余与实施例12同样地制成双层层合的未拉伸薄膜(层合厚度比为A/B＝11/1)。
除了用辊式拉伸机将该未拉伸薄膜在120℃的温度下沿纵向拉伸3.05倍，以及将惰性粒子改变成重均粒径为18nm的极微细二氧化硅(0.16重量％)之外，其余是在涂布与实施例12同样的水溶液之后，使用展幅机在105℃的温度下将薄膜沿横向拉伸3.4倍。接着用辊式拉伸机在150℃的温度下沿纵向再拉伸1.7倍，进而用展幅机在200℃的温度下沿横向再拉伸1.7℃。在固定长度和温度200℃的条件下进行8秒钟热处理，然后沿横向进行3％的驰豫处理，获得了厚度约6μm的层合聚酯薄膜。各层薄膜的厚度分别为；A层5.5μm，B层0.5μm。薄膜沿纵向的杨氏模量为5.0Gpa，沿横向的杨氏模量为5.7Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜沿横向的尺寸变化率和低聚物抑制性皆优良，并且在作为蒸镀型磁记录介质进行加工时，其电磁转换特性和蒸镀稳定性等均优良，作为蒸镀型磁记录介质用的带基薄膜具有优良的特性。
实施例15使用三台挤出机进行制膜。如表4所示，A层、B层的聚合物组成和粒子的含量皆与实施例12完全相同，作为D层的聚合物，使用由含有50重量％PEI的共混物切片20重量份、实质上不含惰性粒子且固有粒度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)颗粒5重量份、含有1重量％重量均粒径25nm的交联二乙烯基苯粒子且固有粘度为0.62的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的颗粒75重量份组成的混合原料。另外，在B层、D层中皆含有0.3重量％十二烷基苯磺酸钠，而在A层中含有0.1重量％十二烷基苯磺酸钠。另外，A层和B层聚合物的过滤方法与实施例1相同，D层聚合物用砂过滤器、1.2μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器和0.8μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器依次地分3级过滤。制成了3层层合未拉伸薄膜(各层厚度比为D/A/B＝0.15/11/1)。
该未拉伸薄膜的拉伸方式、拉伸温度、拉伸倍率等皆与实施例12完全相同，制得了厚度约为6.1μm的层合聚酯薄膜。但是，不涂布象实施例12那样的水溶液。各层薄膜的厚度分别为A层5.5μm，B层0.5μm，D层0.075μm。薄膜沿纵向的杨氏模量为5.2Gpa，沿横向的杨氏模量为6.1Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜沿横向的尺寸变化率和低聚物抑制性皆优良，并且在作为蒸镀型磁记录介质进行加工时，其电磁转换特性和蒸镀稳定性等均优良，作为蒸镀型磁记录介质用的带基薄膜具有优良的特性。
实施例16如表4所示，除了将A层、B层、D层的聚合物改变成聚(萘-2，6-二甲酸乙二醇酯)(PEN)和PEI的混合聚合物(重量比90∶10)，将D层的惰性粒子改变成重均粒径30nm的极微细二氧化硅粒子(含有1.2％)，将B层的惰性粒子改变成重均粒径0.18μm的硅酸铝粒子(含有0.5％)，将挤出机的温度改变成3台皆为320℃之外，其余与实施例15同样地制成3层层合未拉伸薄膜(层合厚度比为D/A/B＝0.2/10/1)。
用辊式拉伸机将该未拉伸薄膜在135℃的温度下沿纵向拉伸4.5倍，进而用展幅机在130℃的温度下沿横向拉伸5.5倍。然后在固定长度和温度240℃的条件下进行6秒钟的热处理，然后沿横向进行2％的驰豫处理，从而获得厚度约4.5μm的层合聚酯薄膜。应予说明，本实例不进行再次纵拉伸和再次横拉伸。各层的薄膜厚度分别为A层4μm、B层0.4μm、D层0.08μm。薄膜沿纵向的杨氏模量为7.2Gpa，沿模向的杨氏模量为7.5Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜沿横向的尺寸变化率和低聚物抑制性皆优良，并且在作为蒸镀型磁记录介质进行加工时，其电磁转换特性和蒸镀稳定性等均优良，作为蒸镀型磁记录介质用的带基薄膜具有优良的特性。
实施例17如表4所示，除了将A层、B层、D层的聚合物改变成PEN和PEI的混合聚合物(重量比80∶20)，将B层的惰性粒子改变成重均粒径0.2μm的交联二乙烯基苯粒子(含有0.2重量％)，将D层的惰性粒子改变成重均粒径20nm的极微细二氧化硅粒子(含有1.5重量％)之外，其余与实施例15同样地制成3层层合未拉伸薄膜(层合厚度比为D/A/B＝0.1/15/1)。
用辊式拉伸机将该未拉伸薄膜在125℃的温度下沿纵向拉伸3倍，进而用展幅机在115℃的温度下沿横向拉伸3.3倍。接着用辊式拉伸机在155℃的温度下沿纵向再拉伸1.8倍，进而用展幅机在200℃的温度下沿横向再拉伸1.7倍。接着在固定长度和温度200℃的条件下进行8秒钟的热处理，然后沿横向进行3％的驰豫处理，从而获得厚度约8μm的层合聚酯薄膜。各层的薄膜厚度分别为A层7.5μm、B层0.5μm、D层0.05μm。薄膜沿纵向的杨氏模量为4.9Gpa，沿模向的杨氏模量为5.4Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜沿横向的尺寸变化率和低聚物抑制性皆优良，并且在作为蒸镀型磁记录介质进行加工时，其电磁转换特性和蒸镀稳定性等均优良，作为蒸镀型磁记录介质用的带基薄膜具有优良的特性。
实施例18如表4所示，除了将A层、B层的聚合物改变成PET和PEI的混合物(重量比70∶30)和将B层的惰性粒子改变成重均粒径0.18μm的硅酸铝粒子(含有0.35重量％)之外，其余与实施例12同样地制成双层层合的未拉伸薄膜(层合厚度比为A/B＝11/1)。
除了使用辊式拉伸机将该未拉伸薄膜在130℃的温度下沿纵向拉伸3.05倍和将惰性粒子改变成重均粒径12nm的极微细二氧化硅(0.035重量％)之外，涂布与实施例12同样的水溶液，然后用展幅机将该薄膜在110℃的温度下沿横向拉伸3.5倍。接着用辊式拉伸机在155℃的温度下沿纵向再拉伸1.75倍，进而用展幅机在200℃的温度下沿横向再拉伸1.8倍。然后在固定长度和温度205℃的条件下进行8秒钟热处理，然后沿横向进行2％的驰豫处理，从而获得厚度约6μm的层合聚酯薄膜。各层的薄膜厚度分别为A层5.5μm、B层0.5μm。薄膜沿纵向的杨氏模量为4.8Gpa，沿横向的杨氏模量为5.2Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜沿横向的尺寸变化率和低聚物抑制性皆优良，并且在作为蒸镀型磁记录介质进行加工时，其电磁转换特性和蒸镀稳定性等均优良，作为蒸镀型磁记录介质用的带基薄膜具有优良的特性。
实施例19如表4所示，除了将A层聚合物改变成PEN和PEI的混合聚合物(重量比92∶8)，将B层、D层的聚合物改变成PEN。将B层的惰性粒子改变成重均粒径0.2μm的交联二乙烯基苯粒子(含有0.17重量％)，将D层的惰性粒子改变成重均粒径45nm的极微细二氧化硅粒子(含有0.5重量％)之外，其余与实施例16同样地制成3层层合未拉伸薄膜(层合厚度比为D/A/B＝0.2/7.5/1)。
该未拉伸薄膜的拉伸条件等与实施例16同样，制得了厚度为3.5μm的层合聚酯薄膜。各层的薄膜厚度分别为A层3μm、B层0.4μm、D层0.08μm。薄膜沿纵向的杨氏模量为7.1Gpa，沿模向的杨氏模量为7.4Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜沿横向的尺寸变化率和低聚物抑制性皆优良，并且在作为蒸镀型磁记录介质进行加工时，其电磁转换特性和蒸镀稳定性等均优良，作为蒸镀型磁记录介质用的带基薄膜具有优良的特性。
比较层8除了使用PET代替PET+PEI的共混聚合物来作为A层、B层的聚合物之外，粒子含量等与实施例12同样，制得了A/B双层层合结构的未拉伸薄膜。另外，两台挤出机的温度为280℃。
然后，与实施例12同样地，用辊式拉伸机将该未拉伸薄膜在105℃的温度下沿纵向拉伸3.1倍，接着涂布与实施例12同样的水溶液，然后用展幅机至95℃的温度下沿横向拉伸3.4倍。接着用辊式拉伸机在150℃的温度下沿纵向再拉伸1.55倍，进而使用展幅机在190℃的温度下沿横向下再拉伸1.6倍。在固定长度和温度210℃的条件下进行8秒钟热处理，然后沿横向进行5％的驰豫处理，制得了厚度约为6μm的层合聚酯薄膜。各层的薄膜厚度分别为A层5.5μm、B层0.5μm。薄膜沿纵向的杨氏模量为5.3Gpa，沿横向的杨氏模量为6.7Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜的热收缩率和低聚物抑制特性皆低劣，作为蒸镀型磁记录介质用途的薄膜是一种低劣的产品。
比较例9以PET作为A层的聚合物，以PET/PEI(重量比90∶10)作为B层和D层的聚合物，粒子含量等与实施例12完全相同，制得3层结构的未拉伸薄膜。
然后，将该未拉伸薄膜按照与比较例8同样的拉伸条件进行拉伸，获得了厚度约为6.1μm的层合聚酯薄膜。但是，不进行水溶液的涂布。各层的薄膜厚度分别为A层5.5μm、B层0.5μm。薄膜沿纵向的杨氏模量为5.2Gpa，沿横向的杨氏模量为6.5Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜的热收缩率和低聚物抑制特性低劣，作为蒸镀型磁记录介质用途的薄膜是一种低劣的产品。
比较例10如表5所示，除了将B层的惰性粒子改变成重均粒径1.1μm的球状二氧化硅粒子(含有0.1重量％)之外，其余与实施例12完全相同，制得了厚度约为6μm的层合聚酯薄膜。各层的薄膜厚度分别为A层5.5μm、B层0.5μm。薄膜沿纵向的杨氏模量为5.2Gpa，沿横向的杨氏模量为6.1Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜的H2处于本发明的范围之外，作为蒸镀型记录介质用途的薄膜，是一种低劣的产物。
比较例11如表5所示，将A层、B层、D层聚合物的PET/PEI的重量比改变成60∶40，将D层的惰性粒子改变成重均粒径30nm的极微细球状二氧化硅粒子(含有3.1重量％)，另外，将各层的聚合物的过滤方法改变成只使用3μm粗细的纤维烧给不锈钢金属过滤器，制成了3层层合结构的未拉伸薄膜。在按照与实施例15同样的拉伸条件进行再次纵拉伸和再次横拉伸时，其拉伸性差，破裂频繁发生。因此，将该未拉伸薄膜用辊式拉伸机在110℃的温度下沿纵向拉伸3.5倍，进而用展幅机在100℃的温度下沿横向拉伸4.5倍。然后，在固定长度和温度205℃的条件下进行7秒钟的热处理，进而沿横向进行5％的驰豫处理，制得了厚度约6.1μm的层合聚酯薄膜。各层的薄膜厚度分别为A层5.5μm、B层0.5μm、D层0.075μm。薄膜沿纵向的杨氏模量为4.1Gpa，沿横向的杨氏模量为4.9Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜的H1、H2处于本发明的范围之外，作为蒸镀型磁记录介质用途的薄膜是低劣的产品。
比较例12如表5所示，与实施例5完全同样地制得3层层合的未拉伸薄膜。
用辊式拉伸机将该未拉伸薄膜在110℃的温度下沿纵向拉伸3.5倍，进而用展幅机在100℃的温度下沿横向拉伸4.5倍。然后在固定长度和温度205℃的条件下进行7秒钟的热处理，接着沿横向进行5％的驰豫处理，制得了厚度约2.4μm的层合聚酯薄膜。应予说明，本比较例不进行再次纵拉伸和再次横拉伸。所获薄膜沿纵向的杨氏模量为5.1Gpa，沿横向的杨氏模量为5.5Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜的H1、H2处于本发明的范围之外，作为蒸镀型磁记录介质用途的薄膜是低劣的产品。
比较例13如表5所示，使用含有0.03重量％重均粒径60nm的二氧化硅的PET/PEI的共混聚合物(重量比90∶10)作为A层的聚合物，使用含有0.4重量％重均粒径0.25μm的硅酸铝粒子作为B层的聚合物，使用公知的过滤方法(3μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器，1级)作为A层的过滤方法，制成双层层合的未拉伸薄膜(层合厚度比A/B＝4/1)。
将该未拉伸薄膜在95℃的温度下沿纵向拉伸3.2倍。该拉伸可以利用每两组轧辊的周速差来进行。在该单元轴拉伸薄膜的A层上涂布下述的水溶液。
甲基纤维素0.10重量％水溶性聚酯0.3重量％氨乙基硅烷偶合剂 0.01重量％
平均粒径12nm的极微细二氧化硅 0.03重量％固体成分涂布浓度 20mg/m2然后使用展幅机在115℃的温度下沿横向拉伸3.4倍。进而在140℃的温度下沿纵向再拉伸1.5倍，接着将该薄膜在固定长度和220℃温度下进行5秒钟的热处理，然后沿横向进行5％的驰豫处理，从而获得厚度约5μm的层合聚酯薄膜。各层薄膜的厚度分别为A层4μm，B层1μm。薄膜沿纵向的杨氏模量为5.3Gpa，横向的杨氏模量为5.4Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜的H1、H2在本发明的范围之外，作为蒸镀型磁记录介质用途的薄膜是低劣的产品。
比较例14如表5所示，使用实质上不含粒子的PET作为A层聚合物，使用含有0.3重量％重均粒径0.2μm的交联二乙烯基苯粒子的PET(作为B层聚合物，使用含有0.3重量％重均粒径30nm的球状二氧化硅粒子的PET/PEI共混聚合物(重量比90∶10)作为D层聚合物，使用公知的过滤方法(1.2μm粗细的纤维烧结不锈钢金属过滤器，1级)作为D层的过滤方法，制成了3层层合的未拉伸薄膜(层合厚度比为D/A/B＝0.05/3.95/1)。
将该未拉伸薄膜在95℃的温度下沿纵向拉伸3.2倍。该拉伸可以利用每两组轧辊的周速差来进行。然后使用展幅机在100℃的温度下将薄膜沿横向拉伸4.5倍。进而在140℃的温度下沿纵向拉伸1.5倍，按着将该薄膜在固定长度和220℃的温度下进行5秒钟的热处理，然后沿横向进行7％的驰豫处理，制得了厚度5μm的层合聚酯薄膜。各层薄膜的厚度分别为A层3.95μm、B层1μm、D层0.05μm。薄膜沿纵向的杨氏模是为5.5Gpa，沿横向的杨氏模量为5.6Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜的H2处于本发明的范围之外，其低聚物抑制性差，作为蒸镀型磁记录介质用途的薄膜是低劣的产品。
比较例15如表5所示，除了将D层的惰性粒子改变成重均粒径30nm的球状二氧化硅(含有3.1重量％)，将B层的惰性粒子改变成重均粒径0.18μm的硅酸铝粒子(含有0.5重量％)之外，其余与实施例15完全相同，获得了厚度约9.9μm的层合聚酯薄膜。各层薄膜的厚度分别为A层9μm、B层0.8μm、D层0.1μm。该薄膜沿纵向的杨氏模量为5.1Gpa，沿横向的杨氏模量为6.2Gpa。
如表6所示，该层合聚酯薄膜的H1在本发明的范围之外，其热收缩率和低聚物的抑制性低劣，作为蒸镀型磁记录介质用途的薄膜是低劣的产品。
表4

表5

表6

本发明的聚酯薄膜可以作为磁记录材料、电容器、热复印色带、热敏孔版原纸等使用。特别是作为磁记录介质的带基薄膜使用时，它是一种漏码少，尺寸稳定性和低聚物抑制性切优良的带基薄膜，工业上的价值很高。
权利要求
1.一种聚酯薄膜，它由聚酯(聚合物1)和聚酯以外的热塑性树脂(聚合物2)构成，其特征在于，该聚酯薄膜在其至少一侧的表面上的粗大空起物数H1(高度在0.28μm以上的突起数)(个/100cm2)和在该表面上的粗大突起H2(高度在0.56μm以上的突起数)(个/100cm2)满足以下的关系0≤H1≤100，0≤H1≤10。
2.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中，该聚酯薄膜是一种在由聚酯(聚合物1)和聚酯以外的热塑性树脂(聚合物2)构成的基层部(A层)的至少一侧表面上层合了层合部(B层)而形成的至少两层的层合薄膜。
3.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中的聚合物1是以对苯二甲酸乙二醇酯或萘-2，6-二甲酸乙二醇酯单元作为主成分的聚酯。
4.如权利要求3所述的聚酯薄膜，其中的聚合物1是以对苯二甲酸乙二醇酯单元作为主成分的聚酯。
5.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中的聚合物2的玻璃化转变温度高于聚合物1的玻璃化转变温度。
6.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中的聚合物2是选自聚酰亚胺、聚砜、聚醚砜中的至少一种热塑性树脂。
7.如权利要求6所述的聚酯薄膜，其中的聚合物2是聚酰亚胺。
8.如权利要求7所述的聚酯薄膜，其中的聚合物2是聚醚酰亚胺。
9.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中所说的聚合物2的含量是在含有聚合物2的薄膜层中的1-30重量％。
10.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中所说的聚合物2的含量是在含有聚合物2的薄膜层中的5-30重量％。
11.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中所说的薄膜聚合物的外推玻璃化开始温度(Tg起始)为90-150℃。
12.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中，实体平均粒径Dv与重均粒径D之比Dv/D在1以上至3以下。
13.如权利要求2所述的聚酯薄膜，其中，在A层中含有0.01-1重量％重均粒径D为0.001-0.5μm的粒子，在B层中含有0.001-3重量％重均粒径为0.01-1.0μm的粒子。
14.如权利要求2所述的聚酯薄膜，其中，A层由聚酯和聚酰亚胺构成，并且B层一侧的表面粗糙度Ra(b)(nm)、与B层相对一侧的表面粗糙度Ra(f)(nm)、表面粗糙度之差Ra(b)-Ra(f)(nm)满足以下的关系3≤Ra(b)≤150.5≤Ra(f)≤101≤Ra(b)-Ra(f)≤7
15.如权利要求2所述的聚酯薄膜，其中，A层由聚酯和聚酰亚胺构成，在与B层相对一侧的表面(f面)上突起高度为5nm-25nm的突起存在500万-7000万个/mm2，并且f面侧的表面粗糙度Ra(f)(nm)与B层一侧的表面(b面)的表面粗糙度Ra(b)(nm)满足以下的关系0.1≤Ra(f)≤55≤Ra(b)≤20
16.如权利要求2所述的聚酯薄膜，该薄膜由基层部(A层)和层合于基层部一侧表面上的层合部(B层)而形成的基材薄膜，和至少在与B层相对一侧的表面上设置的薄膜层(C层)构成，其中，基层部(A层)由聚酯和聚酰亚胺构成，层合部(B层)由含有0.05-1.5重量％重均粒径为0.05-1μm的粒子的(聚酯或者聚酯与聚酰亚胺)构成，C层含有300万-7000万个/mm2重均粒径为7-25nm的粒子，并且C层中含有水溶高分子。
17.如权利要求2的所述的聚酯薄膜，该薄膜由基层部(A层)和层合于基层部一侧表面上的层合部(B层)而形成的基材薄膜，和层合于与B层相对一侧的表面上的层合部(D层)至少3层构成，其中，基层部(A层)由聚酯和聚酰亚胺构成，层合部(B层)由含有0.05-1.5重量％重均粒径为0.05-1μm的粒子的(聚酯或者聚酯与聚酰亚胺)构成，层合部(D层)由含有0.1-3重量％重均粒径为10-50nm的粒子的(聚酯或者聚酯与聚酰亚胺)构成。
18.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中，该薄膜的总厚度为1-15μm。
19.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中，该薄膜的总厚度为3-8μm。
20.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中，该薄膜沿纵向的杨氏模量在5.5Gpa以上，并且纵向与横向的杨氏模量之和为10-25Gpa。
21.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中，该薄膜沿纵向的杨氏横量在4.3Gpa以上，沿横向的杨氏模量在4.7Gpa以上，并且纵向与横向的杨氏模量之和为9-20Gpa。
22.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中，该薄膜在100℃和30分钟的条件下沿纵向的热收缩率在1.2％以下，并且在100℃和30分钟条件下沿横向的热收缩率在0.5％以下。
23.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中，该薄膜在80℃和30分钟的条件下沿纵向的热收缩率在0.3％以下，并且在80℃和30分钟的条件下沿横向的热收缩率在0.1％以下。
24.如权利要求1所述的聚酯薄膜，其中，该薄膜在60℃和80％RH的条件下以及在沿纵向承受26Mpa负荷的状态下放置72小时的情况下沿横向的尺寸变化率在-0.4-0％的范围内。
25.权利要求1所述的聚酯薄膜用于磁记录介质。
26.使用权利要求1所述聚酯薄膜的磁记录介质，其中，在所说聚酯薄膜的至少一侧表面上设置有磁性层。
27.如权利要求26所述的磁记录介质，其中所说的磁性层是强磁性金属薄膜。
28.如权利要求26所述的磁记录介质，其中所说的磁性层是由强磁性六方晶系铁素体微晶粉末分散于粘合剂中而形成的磁性层。
29.由权利要求26所述的磁记录介质制成的数字记录方式的盒式磁带。
30.一种磁记录介质用聚酯薄膜，其特征在于，该薄膜由基层部(A层)和层合于基层部一侧表面上的层合部(B层)而形成的基材薄膜，和至少在与B层相对一侧的表面上设置的薄膜层(C层)构成，并且该薄膜的总厚度为3-8μm，其中，基层部(A层)由聚酯和聚酰亚胺构成，层合部(B层)由含有0.05-1.5重量％重均粒径为0.05-1μm的粒子的(聚酯或者聚酯与聚酰亚胺)构成，C层含有300万-7000万个/mm2重均粒径为7-25nm的粒子，并且C层中含有水溶高分子。
31.一种磁记录介质用聚酯薄膜，其特征在于，该薄膜由基层部(A层)和层合于基层部一侧表面上的层合部(B层)而形成的基材薄膜，和层合于与B层相对一侧的表面上的层合部(D层)至少3层构成，并且该薄膜的总厚度为3-8μm，其中，基层部(A层)由聚酯和聚酰亚胺构成，层合部(B层)由含有0.05-1.5重量％重均粒径为0.05-1μm的粒子的(聚酯或者聚酯与聚酰亚胺)构成，层合部(D层)由含有0.1-3重量％重均粒径为10-50nm的粒子的(聚酯或者聚酯与聚酰亚胺)构成。
32.一种聚酯薄膜的制造方法，该制造方法的步骤如下把来自挤出机的聚酯和聚酰亚胺的聚合物混合物(聚合物合金)用一种1.2μm粗细以下的纤维烧结不锈钢金属过滤器过滤，然后从喷嘴将其熔融挤出以制成未拉伸薄膜，接着将该薄膜在Tg+10℃以上至Tg+30℃以下的拉伸温度下沿纵向按2.5倍以上至4.0倍以下的拉伸倍率和50,000％/分-200,000％/分的拉伸速度分两级以上进行拉伸，进而在Tg+10℃以上至Tg+50℃以下的拉伸温度下沿横向按3.0倍以上至4.5倍以下的拉伸倍率和2,000％/分以上至10,000％/分以下的拉伸速度进行拉伸，然后在Tg+30℃以上至Tg+50℃以下的温度下沿纵向按1.2倍以上至1.8倍以下的拉伸倍率进行再次拉伸，进而在Tg+80℃以上至Tg+110℃以下的温度下沿横向按1.2倍以上至2.0倍以下的拉伸倍率进行再次拉伸，然后在Tg+100℃以上至Tg+125℃以下进行0.2-10秒的热处理。
全文摘要
通过对具有优良尺寸稳定性和对低聚物的抑制性且由聚酯和聚酰亚胺构成的聚酯薄膜的表面特性进行改良并减少其粗大突起,可以提供一种能够显示优良的电磁转换特性,特别是可作为高密度记录介质使用的聚酯薄膜。这是一种由聚酯和聚酯以外吸热塑性树脂构成的薄膜,在其至少一侧表面上的粗大突起数H1(高度在0.28μm以上的突起数)为0－100(个/100cm
文档编号B32B27/36GK1358624SQ01143568
公开日2002年7月17日 申请日期2001年12月13日 优先权日2000年12月13日
发明者洼田启, 江头贤一, 中森由佳里, 恒川哲也 申请人:东丽株式会社