专利名称：Tft阵列基板及其制造方法与检测方法
技术领域：
本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，尤其涉及一种TFT-IXD阵列基板及其制造方法与检测方法。
背景技术：
TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)是利用夹在液晶层上电场强度的变化，改变液晶分子的取向，从而控制透光的强弱来显示图像的。一般来讲，一块完整的液晶显示面板必须具有背光模块、偏光片、TFT下基板和CF(彩膜)上基板以及由它们两块基板组成的盒中填充的液晶分子层构成。TFT基板上有大量的像素电极，像素电极上的电压通断及大小由与横向栅线相连的栅极、与纵向数据线连接的源极信号控制。CF上基板上的公共电极与TFT下基板上的像素电极之间的电场强度变化控制着液晶分子的取向。TFT基板上与栅线平行并处于同一层的存储电容公共线和像素电极之间可以形成的存储电容用来维持下一个信号来临前液晶分子的状态。在TFT-IXD的生产中，检查工序是必不可少的。通常TFT-IXD生产中，除了最终产品的检查外，还有生产过程中的检查，主要有阵列工艺后的检查和液晶成盒工艺后的检查。 其目的主要是1.检查出不合格品，防止不合格品流到后工序，导致后工序产能与资财的浪费，2.及时检查出不合格品，反馈给前工序，促进前工序及时改善。所以检查工序的准确性直接影响着整个生产过程的生产效率。在液晶成盒工序后的检查中，除了常见的点线类不良外，还有一类Mura类的不良，现象为灰度画面的不均勻。此类不良原因分为两种一种是阵列工艺起因的不均勻，另一种是成盒工艺起因的不均勻。以上两种Mura不良从现象上是很难辨别出来的。对于阵列起因的Mura不良，其根本原因通常为TFT开关特性的不均勻，导致正常区和Mura区的液晶两端的电压不一样，所以正常区和Mura区的实际灰度存在差异。此类不良如果在成盒工序后的检查中不能进行准确判断与及时反馈就会影响生产的效率。目前，针对液晶面板的测试主要集中在整体品质的测试，如亮度、对比度等，尚未出现对液晶面板内TFT开关特性的测试方法。现有技术在进行液晶面板不良的分析中，测试TFT开关特性通常采用拆分液晶面板并去除液晶与取向膜后进行测试。实际上，这种方法无法模拟液晶面板的工作情况，会给分析造成很大困难和滞后。
发明内容
本发明的实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法与测试方法，在液晶成盒工艺后能够在不拆解液晶面板的情况下进行阵列基板TFT开关特性的检测，提高了检测效率。为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案一种TFT阵列基板，包括玻璃基板；形成在所述玻璃基板之上的栅线和数据线；所述栅线和数据线交叉定义的像素单元区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，所述像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方，与所述第二栅线交叠；和/ 或所述像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二数据线的上方，与所述第二数据线交叠。本发明还提供一种TFT阵列基板的制造方法，包括在玻璃基板上形成第一导电薄膜，通过构图工艺处理得到多条栅线，所述栅线包括薄膜晶体管的栅极；在玻璃基板上形成第二导电薄膜，通过构图工艺处理得到多条数据线，所述数据线包括薄膜晶体管的源极和漏极；在所述栅线和所述数据线交叉定义的像素单元区域内形成与所述漏极电连接的像素电极；所述像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方，与所述第二栅线交叠，和/或所述像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二数据线的上方，与所述第二数据线交叠。本发明还提供一种液晶面板的TFT开关检测方法，其液晶面板包括TFT阵列基板、CF基板以及由这两块基板组成的盒中填充的液晶分子；TFT阵列基板的栅线和数据线交叉定义的像素单元区域内形成的像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方，与所述第二栅线交叠；所述检测方法包括在液晶面板上出现Mura类不良的TFT像素单元的像素电极和第二栅线的交叠处， 打孔焊接所述像素电极和所述第二栅线，使所述像素电极和所述第二栅线电连接；向交叉定义所述TFT像素单元的栅线和数据线加载测试电压，通过测量与所述像素电极电连接的所述第二栅线的输出电流确定所述TFT像素单元的Mura类不良是否为TFT 开关特性不均所致。本发明还提供一种液晶面板的TFT开关检测方法，其液晶面板包括TFT阵列基板、CF基板以及由这两块基板组成的盒中填充的液晶分子；TFT阵列基板的栅线和数据线交叉定义的像素单元区域内形成的像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二数据线的上方，与所述第二数据线交叠；所述检测方法包括在液晶面板上出现Mura类不良的TFT像素单元的像素电极和第二数据线的交叠处，打孔焊接所述像素电极和所述第二数据线，使所述像素电极和所述第二数据线电连接；向交叉定义所述TFT像素单元的栅线和数据线加载测试电压，通过测量与所述像素电极电连接的所述第二数据线的输出电流确定所述TFT像素单元的Mura类不良是否为 TFT开关特性不均所致。本发明实施例提供的TFT阵列基板及其制造方法和检测方法，TFT像素单元中的像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线和/或第二数据线的上方，与该第二栅线和/或第二数据线交叠。这样，当成盒后的液晶面板出现Mura类不良时，找到该Mura类不良的TFT像素单元，打孔焊接其像素电极和第二栅线，或者打孔焊接其像素电极和第二数据线，得到和像素电极电连接的金属线；然后，向该Mura类不良的TFT像素单元加载测试电压，通过测量与像素电极电连接的金属线的输出电流来判断该Mura类不良是否为TFT开关特性不均所致。因此，可以在不拆解液晶面板的情况下确定出该Mura类不良的起因，能够及时准确地反馈前工序，简化了检测工序，提高了检测效率，进而提高了生产效率。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明提供的TFT阵列基板的示意图一；图2为本发明提供的TFT阵列基板的示意图二 ；图3为图2中的AA向截面图；图4为本发明提供的TFT阵列基板的示意图三；图5为本发明提供的TFT阵列基板的制造方法的流程框图；图6为本发明提供的液晶面板的TFT开关检测方法的流程框图一；图7为本发明提供的TFT阵列的等效电路图一；图8为Mura区和正常区特性比较曲线图；图9为本发明提供的液晶面板的TFT开关检测方法的流程框图二 ；图10为本发明提供的TFT阵列的等效电路图二。
具体实施例方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。如图1所示，为本发明提供的TFT阵列基板的结构示意图。图1只是TFT阵列基板的一部分，本领域技术人员可以理解TFT阵列基板包括多个图1所示的部分构成，本实施例中只以此部分为例进行说明。 该TFT阵列基板，如图1所示，包括玻璃基板(图中未表示)；形成于该玻璃基板上的多条横向的栅线1，和与该栅线1位于同一层的公共电极线(图中未表示)；形成于该栅线1之上的栅绝缘层(图中未表示)；形成于该栅绝缘层之上的，对应栅线1栅极11的有源层5 ；形成于该栅绝缘层之上的多条纵向的数据线2，其中，该数据线2包括源极21和漏极22，且源极21、漏极22通过有源层5和栅极11构成薄膜晶体管；形成于该数据线2之上的保护层(图中未显示)，在该保护层上，在对应漏极22的位置处设有过孔4 ；形成于该保护层之上，位于栅线1和数据线2交叉定义的像素单元区域的像素电极3，该像素电极3 通过过孔4和漏极22电连接。
进一步地，在本实施例中像素电极3延伸至同一像素单元区域内的第二栅线1' 的上方，与该第二栅线1'交叠，形成交叠区域31。当对该交叠区域31进行激光设备焊接时，第二栅线1'的金属成分会融化连接到像素电极3上。另外，可选的，还可以进一步在该像素电极3和第二栅线1'的交叠区域31处，在数据线2的同一层上，形成焊接金属6，如图2所示。在此形成焊接金属6是为了在对交叠区域31进行激光设备焊接时，能有充足的金属被融化，保证像素电极3和第二栅线1'的焊
接质量。图3是图2的AA向界面放大示意图，在图3中，包括玻璃基板7 ；形成于该玻璃基板7之上的第二栅线1'；形成于该第二栅线Γ之上的栅绝缘层8;形成于该栅绝缘层 8之上的，与数据线位于同一层的焊接金属6 ；形成在该焊接金属6之上的保护层9 ；形成于保护层9之上的，与第二栅线1'交叠的像素电极3。从图3中可以看出，焊接金属6位于像素电极3和第二栅线1'的中间，当使用激光设备焊接像素电极3和第二栅线1'时，会打通焊接金属6，焊接金属6溶化后可以连接像素电极3和第二栅线1'，使得该像素电极3和第二栅线1'电连通，从而保证焊接质量。或者，如图4所示，像素电极3还可以延伸至同一像素单元区域内的第二数据线 2'的上方，与该第二数据线2'交叠，形成交叠区域32。当对该交叠区域32进行激光设备焊接时，第二数据线2'的金属成分会融化连接到像素电极3上。当然，像素电极也可以同时延伸至同一像素单元区域内的第二栅线和第二数据线的上方，同时与该第二栅线和第二数据线交叠。只是在进行激光设备焊接时，选择其中一处交叠区域打孔焊接即可。本发明提供的TFT阵列基板，TFT像素单元中的像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线和/或第二数据线的上方，与该第二栅线和/或第二数据线交叠。这样，当成盒后的液晶面板出现Mura类不良时，找到该Mura类不良的TFT像素单元，打孔焊接其像素电极和第二栅线，或者打孔焊接其像素电极和第二数据线，得到和像素电极电连接的金属线；然后，向该Mura类不良的TFT像素单元加载测试电压，通过测量与像素电极电连接的金属线的输出电流来判断该Mura类不良是否为TFT开关特性不均所致。因此，可以在不拆解液晶面板的情况下确定出该Mura类不良的起因，能够及时准确地反馈前工序，简化了检测工序，提高了检测效率，进而提高了生产效率。本发明实施例提供的TFT阵列基板的制造方法，如图5所示，该方法步骤包括S501、在玻璃基板上形成第一导电薄膜，在该第一导电薄膜上涂覆光刻胶，之后通过构图工艺处理得到多条横向的栅线，其中，该栅线包括薄膜晶体管的栅极。具体的，使用磁控溅射方法，在玻璃基板上制备一层厚度在i 000人至7000人的金属薄膜。金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩模版通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理， 在玻璃基板的一定区域上形成多条横向的栅线。S502、在栅线上形成栅绝缘层；对应栅线的栅极，在栅绝缘层上形成有源层。具体的，利用化学汽相沉积法在玻璃基板上连续沉积1000人到6000人的栅极绝缘层薄膜和1000人到6000人的非晶硅薄膜。栅极绝缘层的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。用有源层的掩模版对非晶硅薄膜进行曝光，之后对该非晶硅薄膜进行干法刻蚀，在栅极的上方形成有源层。S503、在栅绝缘层上形成第二导电薄膜，在第二导电薄膜上涂覆光刻胶，之后通过构图工艺处理得到多条纵向的数据线；其中，数据线包括薄膜晶体管的源极和漏极；该源极、漏极通过有源层与栅极构成薄膜晶体管。具体的，采用和制备栅线类似的方法，在玻璃基板上沉积一层类似于栅金属的厚度在1000人到7000人金属薄膜。通过掩模版曝光工艺和其他构图工艺处理在一定区域形成数据线。该数据线包括源极、漏极，通过有源层形成沟道，且和栅极一起构成薄膜晶体管。S504、在数据线上形成保护层，并在漏极位置处形成过孔。具体的，采用和栅极绝缘层以及有源层相类似的方法，在整个玻璃基板上沉积一层厚度在1000人到6000人的保护层，其材料通常是氮化硅或二氧化硅。此时栅线、数据线上面覆盖有相同厚度的保护层。通过掩模版，利用曝光和刻蚀等构图工艺处理，在漏极位置处形成连接过孔。S505、在保护层上，在栅线和数据线交叉定义的像素单元区域中形成像素电极，该像素电极通过过孔与所述漏极电连接；且该像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方，与第二栅线交叠，和/或该像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二数据线的上方，与该第二数据线交叠。具体的，采用和栅极绝缘层以及有源层相类似的方法，在整个玻璃基板上沉积一层电极层，使用掩模版，通过构图工艺处理，最终形成位于栅线和数据线交叉定义的像素单元区域中的像素电极，且该像素电极延伸至其相邻的第二栅线的上方，与第二栅线交叠，和 /或该像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二数据线的上方，与该第二数据线交叠。常用的像素电极为ITOandium Tin Oxides，铟锡氧化物)^ IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌
氧化物)，厚度在100人至1000人之间。进一步地，当希望所得的像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方，与第二栅线交叠时，在进行步骤S503制作数据线时，还同时可以得到与数据线位于同一层的，处于第二栅线上方的，且在像素电极和第二栅线交叠位置处的焊接金属。当使用激光设备焊接像素电极和第二栅线时，会打通焊接金属，焊接金属溶化后可以连接像素电极和第二栅线，使得像素电极和第二栅线电连通，从而保证焊接质量。本发明提供的TFT阵列基板制造方法，TFT像素单元中的像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线和/或第二数据线的上方，与该第二栅线和/或第二数据线交叠。 这样，当成盒后的液晶面板出现Mura类不良时，找到该Mura类不良的TFT像素单元，打孔焊接其像素电极和第二栅线，或者打孔焊接其像素电极和第二数据线，得到和像素电极电连接的金属线；然后，向该Mura类不良的TFT像素单元加载测试电压，通过测量与像素电极电连接的金属线的输出电流来判断该Mura类不良是否为TFT开关特性不均所致。因此，可以在不拆解液晶面板的情况下确定出该Mura类不良的起因，能够及时准确地反馈前工序， 简化了检测工序，提高了检测效率，进而提高了生产效率。本发明实施例提供的液晶面板的TFT开关检测方法，其液晶面板包括TFT阵列基板、CF基板以及由这两块基板组成的盒中填充的液晶分子。且TFT阵列基板的栅线和数据线交叉定义的像素单元区域内形成的像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方，与该第二栅线交叠。
如图6所示，该检测方法步骤包括 S601、在液晶面板上出现Mura类不良的TFT像素单元的像素电极和第二栅线的交叠处，穿透TFT基板，打孔焊接像素电极和第二栅线，使像素电极和第二栅线电连接。具体的，可以通过激光设备焊接，穿透TFT基板，将出现Mura类不良的TFT像素单元的像素电极和第二栅线电连接，即将第二栅线作为TFT开关的输出端，其等效电路如图7 所示，通过激光设备焊接，使得TFT开关的输入端通过等效电路21'和输出端连接。S602、向交叉定义该TFT像素单元的栅线和数据线加载测试电压，通过测量与像素电极电连接的第二栅线的输出电流确定该TFT像素单元的Mura类不良是否为TFT阵列开关特性不均所致。具体的，通过实际实验测量得到图8，从图8中可以看出由TFT特性不均所引起的 Mura不良的Mura区和正常区的像素TFT的特性测试结果。图8中横坐标为栅极电压，纵坐标为漏极输出电流。可以看出随着栅极电压的逐渐增大，TFT沟道电流的变化曲线在Mura 区和正常区是不一样的。当栅极加载的电压为薄膜晶体管开启值(开启值为正值)时，TFT 的沟道充电电流正常区(图8中的实线)大于Mura区(图8中的虚线)，即在栅极打开时， 像素充电，但是由于正常区的充电电流大于Mura区的充电电流，导致在相同的充电时间内 Mura区充电不足。当栅极加载电压为薄膜晶体管关断值(关断值为负值)时，TFT的沟道充电电流正常区(图8中的实线)小于Mura区(图8中的虚线)，导致Mura区与正常区漏电流不同。以上两点导致正常区和Mura区的液晶两端的电压不一样，所以正常区和Mura 区的实际灰度存在差异。此处需要说明的是，在本实施例中，栅极加载的测试电压是两个离散的点值，本发明提供的测试方法不限于此，也可以向栅极加载连续变化的电压值，只要发现与像素电极电连接的金属线输出的电流符合图8或相应的测量结果即可说明Mura不良是否为TFT开关特性不均所致。在本发明的TFT像素单元中，漏极与像素电极电连接，像素电极又与其同一像素单元区域内的第二栅线电连接，所以通过测量该第二栅线的输出电流是否符合上述特征， 即可得知该Mura不良是否为TFT开关特性不均所致。如果发现是由TFT开关特性不均所致，及时向前一工序反馈，可以提高生产效率。此外，进一步地，在像素电极与第二栅线的交叠处，在数据线的同一层上，还可以形成有焊接金属。这样，在进行激光设备焊接时，会有充足的金属融化，以保证电连接的质量。在本发明另一实施例提供的TFT开关检测方法，与上一实施例类似，只是像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二数据线的上方，与该第二数据线交叠。故打孔焊接是将像素电极与其同一像素单元区域内的第二数据线电连接。如图9所示，该方法步骤为S901、在液晶面板上出现Mura类不良的TFT像素单元的像素电极和其同一像素单元区域内的第二数据线的交叠处，穿透TFT基板打孔焊接像素电极和该第二数据线，使像素电极和该第二数据线电连接。同样，该打孔焊接可以为激光设备焊接。其等效电路如图10所示，通过激光设备焊接，使得TFT开关的输入端通过等效电路22'和输出端连接。S902、向TFT像素单元所在的栅线和数据线加载测试电压，通过测量与像素电极电连接的该第二数据线的输出电流确定TFT像素单元的Mura类不良是否为TFT开关阵列特性不均所致。其判断过程与上一实施例相同，在此不再赘述。本发明提供的液 晶面板的TFT开关检测方法，TFT像素单元中的像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线和/或第二数据线的上方，与该第二栅线和/或第二数据线交叠。这样，当成盒后的液晶面板出现Mura类不良时，找到该Mura类不良的TFT像素单元，打孔焊接其像素电极和第二栅线，或者打孔焊接其像素电极和第二数据线，得到和像素电极电连接的金属线；然后，向该Mura类不良的TFT像素单元加载测试电压，通过测量与像素电极电连接的金属线的输出电流来判断该Mura类不良是否为TFT开关特性不均所致。 因此，可以在不拆解液晶面板的情况下确定出该Mura类不良的起因，能够及时准确地反馈前工序，简化了检测工序，提高了检测效率，进而提高了生产效率。本领域普通技术人员可以理解实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括R0M、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。以上所述，仅为本发明的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
权利要求
1.一种TFT阵列基板，包括玻璃基板；形成在所述玻璃基板之上的栅线和数据线；所述栅线和数据线交叉定义的像素单元区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方，与所述第二栅线交叠； 和/或所述像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二数据线的上方，与所述第二数据线交叠。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，在所述像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方，与所述第二栅线交叠的情况下，在所述像素电极与所述第二栅线的交叠处，在数据线的同一层上，形成有焊接金属。
3.—种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括在玻璃基板上形成第一导电薄膜，通过构图工艺处理得到多条栅线，所述栅线包括薄膜晶体管的栅极；在玻璃基板上形成第二导电薄膜，通过构图工艺处理得到多条数据线，所述数据线包括薄膜晶体管的源极和漏极；在所述栅线和所述数据线交叉定义的像素单元区域内形成与所述漏极电连接的像素电极；所述像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方，与所述第二栅线交叠， 和/或所述像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二数据线的上方，与所述第二数据线交叠。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方，与所述第二栅线交叠的情况下，通过构图工艺处理得到多条数据线的同时，还得到位于所述第二栅线上方的，对应所述像素电极与所述第二栅线交叠处的焊接金属。
5.一种液晶面板的TFT开关检测方法，其液晶面板包括TFT阵列基板、CF基板以及由这两块基板组成的盒中填充的液晶分子，其特征在于，TFT阵列基板的栅线和数据线交叉定义的像素单元区域内形成的像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方，与所述第二栅线交叠； 所述检测方法包括在液晶面板上出现Mura类不良的TFT像素单元的像素电极和第二栅线的交叠处，打孔焊接所述像素电极和所述第二栅线，使所述像素电极和所述第二栅线电连接；向交叉定义所述TFT像素单元的栅线和数据线加载测试电压，通过测量与所述像素电极电连接的所述第二栅线的输出电流确定所述TFT像素单元的Mura类不良是否为TFT开关特性不均所致。
6.根据权利要求5所述的检测方法，其特征在于，在所述像素电极与所述第二栅线的交叠处，在数据线的同一层上，形成有焊接金属。
7.根据权利要求5或6所述的检测方法，其特征在于，向交叉定义所述TFT像素单元的栅线和数据线加载测试电压，通过测量与所述像素电极电连接的所述第二栅线的输出电流确定所述TFT像素单元的Mura类不良是否为TFT开关特性不均所致具体为向定义所述TFT像素单元的数据线加载恒定的测试电压，向定义所述TFT像素单元的栅线加载薄膜晶体管的关断值电压和开启值电压；当所述栅线加载的电压为薄膜晶体管关断值时，若所述第二栅线的输出电流大于正常 TFT像素单元的沟道充电电流；且当所述栅线加载的电压为薄膜晶体管开启值时，若所述第二栅线的输出电流小于正常TFT像素单元的沟道充电电流，则确定所述TFT像素单元的 Mura类不良是由TFT开关特性不均所致。
8.根据权利要求5或6任意一个所述的检测方法，其特征在于，所述打孔焊接为激光设备焊接。
9.一种液晶面板的TFT开关检测方法，其液晶面板包括TFT阵列基板、CF基板以及由这两块基板组成的盒中填充的液晶分子，其特征在于，TFT阵列基板的栅线和数据线交叉定义的像素单元区域内形成的像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二数据线的上方，与所述第二数据线交叠；所述检测方法包括在液晶面板上出现Mura类不良的TFT像素单元的像素电极和第二数据线的交叠处，打孔焊接所述像素电极和所述第二数据线，使所述像素电极和所述第二数据线电连接；向交叉定义所述TFT像素单元的栅线和数据线加载测试电压，通过测量与所述像素电极电连接的所述第二数据线的输出电流确定所述TFT像素单元的Mura类不良是否为TFT 开关特性不均所致。
10.根据权利要求9所述的检测方法，其特征在于，向交叉定义所述TFT像素单元的栅线和数据线加载测试电压，通过测量与所述像素电极电连接的所述第二数据线的输出电流确定所述TFT像素单元的Mura类不良是否为TFT开关特性不均所致具体为向定义所述TFT像素单元的数据线加载恒定的测试电压，向定义所述TFT像素单元的栅线加载薄膜晶体管的关断值电压和开启值电压；当所述栅线加载的电压为薄膜晶体管关断值时，若所述第二数据线的输出电流大于正常TFT像素单元的沟道充电电流；且当所述栅线加载的电压为薄膜晶体管开启值时，若所述第二数据线的输出电流小于正常TFT像素单元的沟道充电电流，则确定所述TFT像素单元的Mura类不良是由TFT开关特性不均所致。
11.根据权利要求9或10所述的检测方法，其特征在于，所述打孔焊接为激光设备焊接。
全文摘要
本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法与检测方法，涉及TFT-LCD制造领域，能够在不拆解液晶面板的情况下进行阵列基板TFT开关特性的检测，提高了检测效率。该TFT基板包括玻璃基板、栅线、数据线、像素电极，像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二栅线的上方，与第二栅线交叠；和/或像素电极延伸至同一像素单元区域内的第二数据线的上方，与第二数据线交叠。检测方法为在液晶面板上打孔焊接像素电极和第二栅线；或打孔焊接像素电极和第二数据线，通过测量与像素电极电连接的金属线的输出电流，确定TFT像素单元的Mura类不良是否为TFT开关特性不均所致。
文档编号G02F1/13GK102315227SQ201010223560
公开日2012年1月11日 申请日期2010年6月30日 优先权日2010年6月30日
发明者秦纬 申请人:北京京东方光电科技有限公司