一种取向膜的制备方法
【专利摘要】本发明涉及显示【技术领域】，公开了一种取向膜的制备方法，包括：在基板上涂布覆盖基板的有效区域和无效区域的PI液并固化；去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图形。上述制备方法中，在将PI液涂布到基板上时不用区分基板的无效区域和有效区域，对基板无效区域的管控是通过步骤去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图形实现的，此时PI液已经固化，固化后PI液已经不具备流动性，所以，采用上述制备方法制备取向层时便于实现对基板上无效区域的管控。
【专利说明】-种取向膜的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示【技术领域】，特别涉及一种取向膜的制备方法。
【背景技术】
[0002] 在显示【技术领域】，液晶显示器件的制备工艺主要分为三大部分，即制备阵列基板、 制备彩膜基板、以及阵列基板与彩膜基板的对盒；其中对阵列基板和彩膜基板进行对盒时 的第一道工艺为取向膜制备工艺。
[0003] 现有技术中，取向膜的制备工艺主要包括基板清洗、PI (Polyimide，聚酰亚胺）液 涂布、预备干、PI检测、主固化五部分。其中，PI液涂布是将PI液涂布到基板上的一个步 骤，具体为将PI液涂布到转印版上，然后再通过转印版将PI液转印到相应的基板上。
[0004] 阵列基板和彩膜基板上均具有多个有效区域和多个无效区域，其中，每一个有效 区域与阵列基板和彩膜基板对盒之后切割形成的一个小显示屏的有效显示区域对应；无效 区域指的是基板上除有效区域之外的区域，包括与阵列基板和彩膜基板对盒之后切割形成 的一个小显示屏的边框区域对应的区域；为保证基板上PI液涂布的效果，上述取向膜的制 备工艺中使用的转印版需根据基板上的有效区域和无效区域进行区分，再将PI液涂布到 转印版上时，仅在转印版中与基板的有效区域对应的区域涂布PI液，而在转印版中与基板 的无效区域对应的区域没有涂布PI液。
[0005] 但是，由于转印版上涂布的PI液为液态，再通过转印版将PI液涂布到基板上时由 于PI液的流动性会流动，从而导致PI液涂布时无法通过转印版对基板上的无效区域进行 严格的管控；特别是随着液晶显示器件的窄边框化，基板上的无线区域越来越窄，取向膜的 制备工艺中采用转印版对基板上的无效区域进行管控越来越困难。
【发明内容】
[0006] 本发明提供了一种取向膜的制备方法，上述取向膜的制备方法便于实现对基板上 无效区域的管控。
[0007] 为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
[0008] 一种取向膜的制备方法，包括：
[0009] 在基板上形成覆盖基板的有效区域和无效区域的PI液并固化；
[0010] 去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图形。
[0011] 上述制备方法中，首先在基板上采用涂布等方式形成覆盖基板的有效区域和无效 区域的PI液并固化，在将PI液涂布到基板上时不用区分基板的无效区域和有效区域，涂布 在基板上的PI液固化后的各部分不再具有流动性，然后再去除固化后的PI液位于基板的 无效区域内的部分，保留PI液固化后位于基板的有效区域内的部分，最终形成取向层的图 形。
[0012] 采用上述制备方法在基板上制备取向层时，对基板无效区域的管控是通过步骤去 除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图形实现的，此时PI液已 经固化，固化后PI液已经不具备流动性，因此，便于对基板无效区域的管控。
[0013] 所以，采用上述制备方法制备取向层时便于实现对基板上无效区域的管控。
[0014] 优选地，所述去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的 图形，具体包括：
[0015] 采用等离子轰击工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取 向层的图形。
[0016] 优选地，所述采用等离子轰击工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的 部分以形成取向层的图形，具体包括：
[0017] 使用掩膜板覆盖所述基板，其中，掩膜板中的间隙与基板上的无效区域对应设 置；
[0018] 采用等离子轰击工艺对掩膜板覆盖的基板进行轰击，以去除基板上固化后的PI 液中与掩膜板的间隙对应的部分。
[0019] 优选地，掩膜板中的间隙与基板上的无效区域正对设置。
[0020] 优选地，所述去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的 图形，具体包括：
[0021] 采用刻蚀工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取向层的 图形。
[0022] 优选地，所述在基板上涂布覆盖基板的有效区域和无效区域的PI液并固化，具体 包括：
[0023] 在转印版上涂布PI液，所述转印版涂布PI液的区域为整体区域；
[0024] 将转印版上的涂布的PI液转印至基板上，转印至基板上的PI液覆盖所述基板的 有效区域和无效区域；
[0025] 对涂布于基板上的PI液进行预备干工艺；
[0026] 对基板上预备干之后的取向层进行PI检测工艺；
[0027] 对基板上的取向层进行主固化工艺。
【专利附图】
【附图说明】
[0028] 图1为本发明实施例提供的取向层的制备方法的流程图；
[0029] 图2为本发明一种实施例提供的制备方法中采用等离子轰击工艺时的原理结构 图；
[0030] 图3为本发明一种实施例提供的制备方法中采用等离子轰击工艺后的原理结构 图。
【具体实施方式】
[0031] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0032] 请参考图1，本发明实施例提供的取向膜的制备方法，包括：
[0033] 步骤S101，在基板上涂布覆盖基板的有效区域和无效区域的PI液并固化；
[0034] 步骤S102,去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图 形。
[0035] 上述制备方法中，首先通过步骤S101在基板上涂布覆盖基板的有效区域和无效 区域的PI液并固化，步骤S101中，在将液态的PI液涂布到基板上时不用区分基板的无 效区域和有效区域，涂布在基板上的PI液固化后的各部分不再具有流动性，然后通过步骤 S102去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分，保留PI液固化后位于基板的有效 区域内的部分，最终形成取向层的图形。所述形成方式除涂布外，还可以为溅射等其他形成 方式。
[0036] 采用上述制备方法在基板上制备取向层时，对基板上无效区域的管控是通过步骤 S102实现的，由于经过步骤S101固化后的PI液已经不具备流动性，液态PI液的流动不会 对基板无效区域的管控造成影响。
[0037] 所以，采用上述制备方法制备取向层时便于实现对基板上无效区域的管控。
[0038] -种优选实施方式中，上述步骤S102中描述的去除固化后的PI液位于基板的无 效区域内的部分以形成取向层的图形，具体包括：
[0039] 采用等离子轰击工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取 向层的图形。
[0040] 采用等离子轰击工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取 向层的图形，能够减少步骤S102进行后对基板有效区域中的取向层的成分造成影响。
[0041] 更具体地，如图2所示，基板1上的有效区域如A所示，无效区域如B所示，上述采 用等离子轰击工艺去除固化后的PI液位于基板1上无效区域B内的部分以形成取向层11 的图形，具体包括：
[0042] 使用掩膜板2覆盖基板1，其中，掩膜板2中的间隙与基板1上的无效区域B优选 为正对设置，掩膜板2对基板1的有效区域A进行覆盖保护；
[0043] 采用等离子轰击工艺对掩膜板2覆盖的基板1进行轰击，以去除基板1上固化后 的PI液中与掩膜板2的间隙正对的部分，采用等离子3轰击后的结果如图3所示。
[0044] 当然，上述步骤S102还可以通过其他方式实现，如，上述步骤S102去除固化后的 PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图形，还可以包括：
[0045] 采用刻蚀工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取向层的 图形。
[0046] 一种优选实施方式中，上述步骤S101中在基板上涂布覆盖基板的有效区域和无 效区域的PI液并固化，具体可以包括：
[0047] 在转印版上涂布PI液，所述转印版涂布PI液的区域为整体区域；
[0048] 将转印版上的涂布的PI液转印至基板上，转印至基板上的PI液覆盖所述基板的 有效区域和无效区域；
[0049] 对涂布于基板上的PI液进行预备干工艺；
[0050] 对基板上预备干之后的取向层进行PI检测工艺；
[0051] 对基板上的取向层进行主固化工艺。
[0052] 显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发 明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术 的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1. 一种取向膜的制备方法，其特征在于，包括： 在基板上形成覆盖基板的有效区域和无效区域的PI液并固化； 去除固化后的PI液位于基板的无效区域内的部分以形成取向层的图形。
2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除固化后的PI液位于基板的 无效区域内的部分以形成取向层的图形，具体包括： 采用等离子轰击工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取向层 的图形。
3. 根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述采用等离子轰击工艺去除固化 后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取向层的图形，具体包括： 使用掩膜板覆盖所述基板，其中，掩膜板中的间隙与基板上的无效区域对应设置； 采用等离子轰击工艺对掩膜板覆盖的基板进行轰击，以去除基板上固化后的PI液中 与掩膜板的间隙对应的部分。
4. 根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，掩膜板中的间隙与基板上的无效区 域正对设置。
5. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除固化后的PI液位于基板的 无效区域内的部分以形成取向层的图形，具体包括： 采用刻蚀工艺去除固化后的PI液位于基板上无效区域内的部分以形成取向层的图 形。
6. 根据权利要求1?5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在基板上涂布覆盖基 板的有效区域和无效区域的PI液并固化，具体包括： 在转印版上涂布PI液，所述转印版涂布PI液的区域为整体区域； 将转印版上的涂布的PI液转印至基板上，转印至基板上的PI液覆盖所述基板的有效 区域和无效区域； 对涂布于基板上的PI液进行预备干工艺； 对基板上预备干之后的取向层进行PI检测工艺； 对基板上的取向层进行主固化工艺。
【文档编号】G02F1/1337GK104155805SQ201410360313
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年7月25日 优先权日:2014年7月25日
【发明者】王华锋, 王成祥, 吴云飞, 孟战虎 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司