成像材料，制备该材料的方法及使用该材料的成像方法

专利名称：成像材料，制备该材料的方法及使用该材料的成像方法
技术领域：
本发明涉及一种高感光度，高密度和高解像度的成像材料，制造该成像材料的方法，和使用该成像材料成像的方法。
包含以下步骤的记录方法是众所周知的将成像材料在例如激光的高能量密度光下曝光，其中一部分材料产生形变，被松动、燃烧或蒸发和除去。该方法是一个干过程，未使用含有化学品的处理溶液，仅仅被曝光的部分被融化形变，松动或蒸发，它的优点在于产生高对比度。该方法被用于光记录材料，例如阻蚀材料、光碟、或能产生可视图像的成像材料。
日本专利O.P.I.公开号59-5447，59-10563，和62-115153公开了一种通过图形曝光对粘合剂树脂进行光致退化形成阻蚀层的方法。日本专利O.P.工.公开号55-132536，57-27788，和57-103137公开了一种对蒸发淀积的无机化合物薄层曝光，通过融化形变记录信息的方法。日本专利O.P.I.公开号64-56591，1-99887，6-40163公开了一种通过光热转换除去一层着色的粘合剂树脂以记录信息的方法，美国专利4245003公开了一种成像材料，它包括一个含石墨或炭黑的成像层。
日本专利O.P.工.公开号58-18290/1983，PCT专利4-506709/1994，日本专利O.P.工.公开号6-18290/1992和美国专利5,156,938，5,171,650，5,256,506公开了一种成像材料，它包括一种能够将所吸收的激光能量转换成热能的光热转换物质和一种能够被热量退化的粘合剂。
日本专利O.P.工.公开号58-18290/1983，PCT专利4-506709/1992，日本专利O.P.工.和美国专利5,156,938，5,171,650和5,256,506公开了一种成像方法，它在图像接收层接收已经被退化和松动的成像层。
此外，在日本专利O.P.I.公开号4-327982/1992和4-327983/1992公开了一种成像方法，它包括以下步骤，(a)将成像层在激光下曝光，该成像层顺序包括一个基底、位于基底上的含有光热转换物质的光热转换层和成像层，该光热转换层也是一个蒸发层，其中蒸发层被融化，并改变它与基底间的粘合度，(b)将一个图像接收层放置在成像层之上，(c)从成像层上剥除图像接收层，以形成图像。
根据该方法，虽然被曝光和被释放的成像层污染成像装置的问题被解决了，但是在有空气层存在的情况下，难于获得优良的图像，在图像接收层上难于获得没有缺陷的高密度图像。另一方面，如果高密度的图像不是在图像接受层的一侧形成，而是在成像材料上形成，将产生的问题是成像层上被曝光的部分不能被充分除去，从而无法获得低模糊度和无缺陷的图像，也无法获得令人满意的解像度和感光度。
附

图1(a)、1(b)和1(c)表示本发明的一种成像过程。
附图2(a)、2(b)和2(c)表示本发明的另一种成像过程。
附图3表示一种成像材料的平面图，成像材料顺序包括一个基底、位于其上的成像层和剥离层，其中剥离层在成像层非图像部分的四个边缘部分(5)粘合在成像层上。
附图4(a)、4(b)和4(c)表示本发明的成像材料的一个优选实施例。
附图5表示本发明的剥离层的实施例的剖面图。
附图6(a)、6(b)和6(c′)和6(c)表示本发明的另一种成像过程。
本发明的目的是克服上述问题。本发明的一个目的是提供一种高感光度、高光密度、无污染和高解像度的成像材料，制造该成像材料的方法，和使用该成像材料的成像方法。
本发明的上述目的可通过下述方案实现。
1、一种成像材料，包括一个基底和位于所述基底上的含有着色颗粒和粘合剂的成像层，该成像层在λmax处的光密度为每1μm成像层厚度3.0或大于3.0，λmax为在成像层的光谱吸收波长350-1200nm内产生最大光密度的波长，其中，图像通过消除成像材料的成像层曝光部分形成。
2、根据上述1的成像材料，其中着色颗粒为含金属原子的颗粒。
3、根据上述2的成像材料，其中含金属原子的颗粒选自金属、合金和金属化合物。
4、根据上述2的成像材料，其中含金属原子的颗粒成份的含量为重量的70到99％。
5、根据上述4的成像材料，其中含金属原子的颗粒成份的含量为重量的70到95％。
6、根据上述2的成像材料，其中含金属原子的颗粒成份的含量为体积的20到80％。
7、根据上述2的成像材料，其中含金属原子的颗粒的平均粒径为0.03-0.50μm。
8、根据上述2的成像材料，其中含金属原子的颗粒为针形。
9、根据上述2的成像材料，其中含金属原子的颗粒是磁性颗粒。
10、根据上述9的成像材料，在成像之前，成像层在磁场中经过。
11、根据上述10的成像材料，在成像之后，成像层进行砑光处理。
12、根据上述1的成像材料，其中的粘合剂是聚氨基甲酸乙酯树脂，聚酯树脂或氯乙烯基树脂。
13、根据上述12的成像材料，其中的粘合剂为含有一个重复单元的树脂，该重复单元含有选自-SO3M，-OSO3M，-COOM，和-PO(OM1)2的一个极性基团，其中M代表一个氢原子或碱原子；M1代表一个氢原子、一个碱原子或一个烷基基团。
14、根据上述2的成像材料，其中成像层的碳黑的含量根据含金属原子的颗粒成份的含量为重量的0.5-15％。
15、根据上述1的成像材料，其中成像层的厚度为0.1-5.0μm。
16、根据上述15的成像材料，其中成像层的厚度为0.1-1.0μm。
17、根据上述1的成像材料，其中在基底与成像层相反的一面设置有背层。
18、根据上述1的成像材料，其中还包括一种抗静电剂。
19、根据上述1的成像材料，其中基底的厚度为10-500μm。
20、根据上述1的成像材料，其中在成像层上设置有剥离层。
21、根据上述20的成像材料，其中剥离层含有精细颗粒，一部分精细颗粒由剥离层表面突出，具有突出高度在1-20μm的精细颗粒的数目为每1mm2剥离层10或10个以上。
22、根据上述20的成像材料，其中根据JIS B 0601测量的面对成像层的剥离层的表面粗糙度Ra为0.04-1.0μm。
23、一种使用成像材料的成像方法，该成像材料包括一个基底和位于该基底上的含有着色颗粒和粘合剂的成像层，该成像层在λmax处的光密度为每1μm成像层厚度3.0或大于3.0，λmax为在成像层的吸收光谱波长范围350-1200nm内产生最大光密度的波长，该方法包括以下步骤将成像材料的成像层成像曝光；去除成像层上的曝光部分形成图像。
24、根据上述23的成像方法，其中，在去除步骤之前，基底与成像层的曝光部分的粘合度被降低。
25、根据上述23的成像方法，其中，在成像层上设置了剥离层，在去除步骤之前，基底与成像层的曝光部分的粘合度被降低，通过将剥离层从成像层上分离，将成像层的曝光部分转移到剥离层上，完成去除步骤。
26、根据上述23的成像方法，使用激光进行成像曝光。
27、根据上述26的成像方法，激光的波长为600-1200nm。
以下详细说明本发明。
本发明的成像材料在基底上提供了一个成像层，该成像层的每单位厚度具有一个特定范围的光密度，并含有占重量或体积的一定比例范围的含金属颗粒。
基底包括树脂薄膜，例如聚丙烯酸酯，聚甲基丙烯酸酯，聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚丁基对苯二甲酸酯，聚亚乙基萘二甲酸酯，聚碳酸酯，聚氯乙烯，聚乙烯，聚丙烯，聚苯乙烯，尼龙，芳族酰胺，聚醚醚酮，聚砜，聚砜醚，聚酰亚胺，聚醚，酰亚胺，或者一种上述两种或两种以上树脂薄膜分层组成的薄膜。
考虑到尺寸的稳定性，本发明所使用的基底最好通过薄膜形式的定向树脂和热定型获得，并最好具有50％或70％以上的透明度，因为当使用以下所描述的成像方法时，曝光从基底一侧进行。基底可含有填料，例如二氧化钛，氧化锌，硫酸钡或碳酸钙，着色剂或抗静电剂，只要它不抑制本发明的效果。
本发明的基底的厚度最好为10-500μm，25-250μm更好。
本发明使用的成像材料的成像层包括着色剂颗粒和粘合剂。
吸收光谱在350-1200nm波长的着色颗粒适用于成像层。着色颗粒可以单独使用，也可以两种或两种以上混合使用。在以下说明的成像方法中，通过高能量密度的光减小成像层和基底之间的粘合度，成像层最好含有一种化合物(以下称为光热转换物质)。
这种光热转换物质可以选自无机化合物，也可以选自有机化合物。所述有机化合物包括，分散在成像层中的吸收光谱在600-1200nm波长范围的染料，例如花青染料，罗丹明染料，氧菁类染料，羰花青染料，二羰花青染料，三羰花青染料，四羰花青染料，五羰花青染料，苯乙烯染料，吡啶翁染料，和含金属的染料，例如金属酞菁染料和金属卟啉。具体地说，Chem.Rev.92，1197(1992)所公开的化合物均可以使用。吸收光谱在600-1200nm波长范围的所述无机化合物包括石墨，碳黑，金属粉末颗粒(例如铁，镍，锌，铝，钼，钨，铜，铅和锡)，合金粉末颗粒(例如铁铝，铁钴和铅锡合金)，金属氧化物粉末颗粒(例如氧化铁，氧化铬，氧化铜，和钛黑)，金属氮化物(例如氮化铌)，金属碳化物颗粒(例如碳化钽)和金属硫化物。各种磁性粉末颗粒也可适用。
除了吸收光谱在600-1200nm的化合物以外，吸收光谱在350-1200nm波长范围的同样有机化合物和/或无机化合物也可以用作光热转换物质。有机化合物包括各种众所周知的染料或颜料，无机化合物包括周知的无机颜料，金属粉末颗粒，金属氧化物粉末颗粒，金属氮化物，金属碳化物颗粒和金属硫化物。
上述染色颗粒最好均匀分散在成像层中，并且染色颗粒最好不是多孔的，这是因为在高密度光下曝光和成像后被除去的成像层的剩余率较小，这一点下面将要详细说明。
考虑到稳定性，吸收光谱在350-1200nm波长范围内用作光热转换物质的非多孔性化合物最好为含金属原子的颗粒，并且最好为含金属的染料，例如酞菁和卟啉，和金属有机化合物颗粒。在其中，具有相对均匀的形状和尺寸的无机金属颗粒对于获得高解像度更为有利。作为此类颗粒，如一种或两种或两种以上的金属和合金，以及无机金属化合物例如其氧化物、氮化物、和碳化物的颗粒可以被使用。在这些化合物中，最好使用各种磁性粉末。为了获得高解像度，颗粒的粒径最好为0.03-0.50μm，0.05-0.30μm更好。例如，当使用磁性粉末颗粒时，铁磁铁氧化物粉末颗粒、铁磁金属粉末颗粒、和立方、片状的粉沫颗粒可以被使用。铁磁铁氧化物粉末颗粒、铁磁金属粉末颗粒适合于被使用。
作为磁性粉末颗粒的铁磁铁氧化物粉末颗粒包括γ-Fe2O3，Fe3O4，和一种中间铁氧化物，FexO(1.3＜x＜1.50)。
铁磁金属粉末颗粒的例子包括铁磁粉末例如Fe类，Co类，Fe-Al类，Fe-Al-Ni类，Fe-Al-Zn类，Fe-Al-Co类，Fe-Al-Ca类，Fe-Ni类，Fe-Ni-Al类，Fe-Ni-Co类，Fe-Ni-Zn类，Fe-Ni-Mn类，Fe-Ni-Si类，Fe-Ni-Si-Al-Mn类，Fe-Ni-Si-Al-Zn类，Fe-Ni-Si-Al-Co类，Fe-Al-Si类，Fe-Co-Ni-P类，Fe-Co-Al-Ca类，Ni-Co类，和主要成分为Fe、Ni和Co的磁性金属粉末。其中，Fe类金属粉末是优选的，包括含Co的铁氧化物，例如含Co的γ-Fe2O3，包覆了Co的γ-Fe2O3，含Co的γ-Fe3O4，包覆了含Coγ-Fe3O4，和含Co的磁性FeO x(4/3＜x＜3/2)。
考虑到抗腐蚀性和分散性，优选的是Fe-Al类铁磁金属粉末，包括Fe-Al类，Fe-Al-Ca类，Fe-Al-Ni类，Fe-Al-Zn类，Fe-Al-Co类，Fe-Ni-Si-Al-Co类和Fe-Co-Al-Ca类。在这些粉末中，优选是Fe原子和Al原子的含量比在100∶1到100∶20，以及在100AA深度由ESCA(电子显微镜化学分析)测量的铁原子和铝原子的含量比为30∶70到70∶30的铁磁粉末，或者至少含有Fe，Ni，Al，Si，Co和Ca的一种、其中Fe原子含量在90％或更多，Ni原子含量在1到10％，Al原子含量在0.1到5％，Si原子含量在0.1到5％，Co或Ca原子含量(或Co和Ca的总和)是0.1到13％，通过ESCA测量的(电子显微镜化学分析)在100AA的深度含量比为Fe∶Ni∶Al∶Si∶(Co和/或Ca)为100∶(不大于4)∶(10到60)∶(10到70)∶(20到80)的铁磁粉末。
铁磁粉末颗粒的形状最好为针形以便定向颗粒。颗粒的平均粒径由平均主轴长度代表，平均主轴长度通常不大于0.30μm，最好不大于0.20μm。使用这些颗粒，在所获得的图像中，在用高能光曝光成像层被除去之后，驻留成像层被减少，而且成像层的表面特性被改善。平均粒径是通过用显微镜测量100个颗粒的主轴长度，然后计算平均而得。
铁磁粉末颗粒的亲和度(Hc)最好为在600到5000ersted的范围，饱和磁化强度(σs)小于70emu/g，根据BET方法，颗粒的表面积不小于30m2/g。
成像层的着色颗粒含量为重量的70到99％，最好为重量的75到95％。
本发明所用的粘合剂是聚氨基甲酸乙酯，聚酯，和氯乙烯基类树脂，例如氯乙烯共聚物。这些树脂最好含有数个具有至少一个选自-SO3M，-OSO3M，-COOM和-PO(OM1)2极化基团的重复单元，其中M代表一个氢原子或碱金属原子；M1代表一个氢原子、一个碱金属原子或一个烷基基团。这些极性基团的作用是加强着色颗粒的扩散，它们在树脂中所占的比例为0.1-8.0mol％，最好为0.5-6.0mol％。
粘合剂可以单独使用，也可以两种或两种以上混合使用；当混合使用时，聚氨基甲酸乙酯和/或聚酯与氯乙烯类树脂的比例通常在90∶10到10∶90的范围，优选范围为70∶30到30∶70(重量比)。
含有极性基团的聚氯乙烯的制备是通过含羟基基团的树脂例如氯乙烯-乙烯醇共聚物与极化基团例如ClCH2CH2SO3M，ClCH2CH2O-SO3M，ClCH2COOM或ClCH2P(＝O)(OM1)2，或与含氯原子的化合物反应制得。其中一例如下
含有极性基团的聚氯乙烯树脂可通过具有一个双键和一个极性基团的活性单体在游离基引发剂(例如过氧化苯甲酰或偶氮二异丁腈)，氧化还原引发剂或阳离子聚合引发剂存在的情况下，在高压釜中聚合进行制备。
加入磺酸或其盐的单体包括不饱和烃磺酸，如乙烯基磺酸、烯丙基磺酸、甲基丙烯酰基磺酸或对苯乙烯磺酸和其盐。为加入羧酸或其盐，例如可用甲基丙烯酸或马来酸，为加入磷酸或基盐，如可用甲基丙烯酰基-2-磷酸盐。
为了提高粘合剂的热稳定性，优选在氯乙烯共聚物中并入环氧基团。此共聚物中具有环氧基团的单元的量为1-30mol％，优选为1-20mol％。并入环氧基团的单体优选丙烯酸缩水甘油酯。
含极性基团的聚酯借助多羟基化合物与有极性基团的多元酸间的缩合反应来制备。带极性基团的多元酸包括5-磺基-间苯二甲酸、2-磺基-间苯二甲酸、4-磺基间苯二甲酸、3-磺基苯二甲酸、5-磺基间苯二甲酸二烷基酯、2-磺基-间苯二甲酸二烷基酯、4-磺基-间苯二甲酸二烷基酯或3-磺基苯二甲酸二烷基酯或其金属盐，而多羟基化合物包括三羟甲基丙烷、乙三醇、甘油、三羟基乙烷、新戊二醇、季戊四醇、乙二醇、丙二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、1，3-乙二醇、1，6-乙二醇、二甘醇和环乙烷二甲醇。
含极性基团的聚氨基甲酸乙酯通过多羟基化合物同聚异氰酸酯的反应来制备。多羟基化合物包括由多羟基化合物同有极性基团的多元酸的反应制备的多羟基化合物的聚酯。聚异氰酸酯包括二苯基甲烷-4，4-二异氰酸酯，2，4-甲代亚苯基二异氰酸酯，2，6-甲代亚苯基二异氰酸酯，1，5-萘二异氰酸酯和lydin异氰酸酯甲酯。含极性基团的聚氨基甲酸乙酯的其他制备方法包括带羟基的聚氨基甲酸乙酯同含极性基团和氯原子的化合物，如ClCH2CH2SO3M、ClCH2CH2OSO3M、ClCH2COOM或ClCH2P(＝0)(OM1)2间的反应。
除上述树脂外的粘合剂树脂包括氯乙烯树脂，如氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；聚烯烃，如丁二烯-丙烯腈共聚物；聚乙烯缩醛，如聚乙烯醇缩丁醛；纤维素衍生物，硝基纤维素；苯乙烯树脂，如苯乙烯-丁二烯共聚物；丙烯酸酯树脂，如丙烯酸酯树脂，聚酰胺树脂、酚醛树脂、环氧树脂和苯氧基树脂。
成像层的粘合剂含量为1-30％(重量比)，优选5-25％(重量比)。
成像层中DBP(苯二甲酸二丁酯)的炭黑油吸附率优选20ml/100g-500ml/100g。其中的油吸附率为边捏合边逐步向100g的颜料中加入DBP时，其由分散形至聚集为团块所需加的DBP的量。炭黑的平均粒度优选10-200nm，此为电子显微镜测定的。炭黑加入成像层中后，每单位厚度成像层中即可获得高的光密度，因此，曝露于高能量密度光下并被去除的成像层的剩余量就较少。要使成像层具有抗静电能力并要防止粘附灰尘而引起图像缺陷。
加入炭黑的方法可以进行种种改变。于分散机中同时对细的粗炭黑颗粒进行混合，或先混合一部分，然后再加剩下的部分。如炭黑的分散度重要时，则用三辊式研磨机或banbury混合机对炭黑和其他添加剂一起捏和，然后再用分散机进行分散。也可使用所谓“炭母炼胶法”，其中将炭黑同粘合剂一起进行预分散。
成像层可含的添加剂有润滑剂、耐久性改进剂、分散剂、vabrasive材料、填料和硬化剂等，其条件是这些添加剂不应对本发明效果有不利影响。
润滑剂包括脂肪酸、脂肪酸酯、脂肪酸酰胺、(改性)硅油、(改性)硅氧树脂、氟化树脂和氟化碳，耐久性改进剂包括聚异氰酸酯。
分散剂包括日本专利公开文献No.4-21428/1992中0093栏上披露的化合物。抗静电剂包括阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、聚合抗静电剂，及Kagaku Kogyo Nippo有限公司编的11290 chemicals 875-876页上介绍的导电细粒和化合物。填料包括无机填料和有机填料，无机填料，如炭黑、石墨、TiO2、硫酸钡、ZnS、MgCO3、CaCO3、ZnO、CaO、WS2、MoS2、MgO、SnO2、SiO2、Al2O3、α-Fe2O3、α-FeOOH、SiC、BN、SiN、MoC、BC、WC、硅化钛、刚玉、人造金刚石、石榴石、硅藻石、硅藻土、白云石，有机填料如聚乙烯树脂颗粒、含氟树脂颗粒、胍胺树脂颗粒、丙烯酸酯树脂颗粒、硅氧烷树脂颗粒和蜜胺树脂颗粒。
只要能硬化成像层的任何硬化剂均可以使用，这包括如用于制备上述聚氨基甲酸乙酯粘合剂的聚异氰酸酯。
硬化剂硬化成像层并使图像具有高的耐久性，用下述成像方法时还可减少图像部分的污斑。
成像层中添加剂的加入量为0-20％(重量比)，优选0-15％(重量比)。
成像层的厚度优选0.05-5.0μm，更优选0.1-5.0μm，较之更优选0.1-2.0μm，最优选0.2-1.0μm。这样的厚度使得曝露于低能的高能量密度光下能成像，换言之，这使之具有高的感光度。成像层既可是单层，也可是成份相同或不同的多层。对于多层而言，考虑到感光度，靠近基底的成像层优选含光热转换物质。
由于根据下面将要描述的成像方法，成像层上的曝光部分被除去，因此考虑到解像度，成像层最好较薄一些。但是，如果光密度较低，高能量密度光不能被有效地吸收，因此，在λmax时的光密度最好是每1μm成像层为3.0或大于3.0，优选3.5或大于3.5，更优选范围是4.0或大于4.0，其中λmax为350到1200nm的吸收光谱内产生最大透光密度时的波长，或者在高能量密度光的波长下第1μm的成像层的透光密度为3.0或大于3.0时的波长。
本发明的优选实施例在λmin下每1μm成像层的透射系数为0.1％或小于0.1％，优选0.05％或小于0.05％，更优选0.03％或小于0.03％，其中λmin为在350到1200nm的吸收光谱内最小透射系数波长。
除上述的基底和成像层之外，本发明的成像材料优选包含一个位于基底上与成像层相反一侧的背层，以避免静电，改善可传输性，或避免堵塞。
背层可以借助于将市场可购的背层制造成份结合在基底上，也可以采用其上具有背层的基底。如果背层是新结合上去的，可根据不同的目的使用常规的背层成份。
当基底和成像层之间的粘合力被加强时，成像层的可涂性得到改善，或者成像材料需要抗静电性能，根据特定的目的最好设置一个中间层，但是不得妨碍本发明的效果。可根据不同的目的使用常规的中间层。
中间层或背层的厚度优选0.01到10μm，更优选范围是0.1到5μm。
作为在下面描述的成像法中利用曝光和剥离转移图像的剥离层，可以使用一种自带基底的树脂或者上述的用作基底的树脂薄膜。
剥离层也可以是一层位于成像层一侧的在树脂薄膜之上的粘贴层。
当成像层与基底之间的粘合力由于高能量密度光的成像曝光而被减小时，最好在成像层和剥离层之间形成微小的空隙(间隙)，从而使成像层的变形容易产生，以形成高解像度的图像，而且曝光部分没有污染。
本发明的剥离层的第一个实施例含有微细颗粒，一部分颗粒从剥离层中突出，该层的突出高度为1到20μm的颗粒的密度为10个/mm2或更多。
附图4(a)、4(b)或4(c)是本发明的成像材料的一个优选实施例。附图4(a)表示位于基底13上的含有微细颗粒的剥离层14和紧贴剥离层的成像材料，成像材料的成像层12位于基底11之上。附图4(b)表示位于基底13上的由聚烯烃构成的剥离层15和紧贴剥离层的成像材料，成像材料的成像层12位于基底11上。附图4(c)表示由一片有突起的定向的薄膜或以自身为基底的薄膜构成的剥离层16，位于成像层12表面上，后者位于基底11表面上。附图5表示本发明的剥离层的一个实施例的剖面图。在这种剥离层中，含有微细颗粒的层24被设置在基底23上，其中的一部分颗粒从表面突起。标号29代表1μm的高度，颗粒27超过1μm的高度，颗粒28未超过1μm高度，或埋藏在剥离层内。重要的是，本发明的剥离层中突起的颗粒满足上述条件。
添加在剥离层中的微细颗粒可以是任何能够满足上述条件的颗粒，例如，成像层中使用的上述填料就可以被使用。
平均粒径不超过1μm的微细颗粒不能够满足上述条件。
如果剥离层的厚度超过微细颗粒的平均粒径，一些颗粒将超出上述范围，但是如果满足上述条件的微细颗粒的数目为10或大于10个/mm2，它们仍属于本发明的范围。微细颗粒加入量通常为5mg/m2到10g/m2。
下面利用附图6(a)、6(b)、6(c′)和6(c)解释剥离层的用途。其成像层32位于基底31之上的成像材料被设在位于基底33表面上、含有微细颗粒的剥离层34上，如附图6(a)所示。对这样所获得的材料从基底31的一侧进行曝光，对曝光后的成像层进行磨蚀以便获得图像，如附图6(b)所示。曝光部分32(e)被转移到剥离层一侧(见附图6(c′)，将剥离层34从成像层剥离，形成图像(见附图6(c))。
作为本发明的剥离层的第二个实施例，剥离层靠近成像层一侧的表面的表面粗糙度Ra根据J1S B 0601测量为1.0到0.04μm。
表面粗糙度可以通过在剥离层中掺入填料或者使含有发泡剂的剥离层发泡进行调整，其中剥离层与成像层相接触。此外，表面粗糙度可以通过表面处理所采用的喷砂法或压花处理进行调整。
成像层的表面在将链烯树脂(例如聚丙烯)挤塑层合成为成像层上的粘合层之前最好进行底剂(primer)的处理。
底剂包括钛醇盐，锆醇盐，金属醇盐，乙烯-乙烯基乙酸酯共聚物，聚偏二氯乙烯，链烯树脂例如聚丁二烯，尿烷树脂，环氧树脂，聚脂树脂，丙烯酰基树脂，聚乙烯亚胺树脂。底剂还包括经过硬化剂例如异氰酸酯化合物、胺化合物或酸酐硬化后或者经过电子射线例如紫外光照射后的上述树脂。由Kakogijutu Kyokai所编“Sin Ramineto Kako Ichiran”一书的第33章至第36章所描述的化合物适合用作底剂。
涂底剂层的方法包括溶液涂布法或熔融涂布法。前者涂布底剂溶剂并使其干燥，后者将底剂层组分在熔融状态下涂布。溶液涂布法所使用的溶剂包括水，乙醇，溶解剂，芳香族有机溶剂，酮，酯，醚和氯化了的溶剂。涂布可以采用常规使用的凹槽辊方法，挤出贴面方法，线材涂覆方法和辊涂方法进行。
底剂层的厚度通常为0.001-2.0μm，最好为0.01到1.0μm。
剥离层的厚度通常为5到300μm，优选范围为10到100μm。粘合层的厚度通常为0.1到40μm，优选范围为0.3到30μm。
粘合层可以是本身具有粘性的层，或者在加热或加压情况下产生粘性的层，它可以通过例如使用一种低软化点树脂，一种粘合剂或热溶剂形成。
低软化点树脂包括乙烯共聚物，例如乙烯-乙烯基乙酸酯共聚物或乙烯-丙烯酸乙酯共聚物；聚苯乙烯树脂，例如苯乙烯-丁二烯共聚物，苯乙烯-异戊二烯共聚物，或苯乙烯-乙烯-丁烯共聚物；聚酯树脂，聚烯烃树脂，例如聚乙烯或聚丙烯，聚乙烯醚树脂，聚丙烯酸酯树脂例如聚异丁烯酸丁酯；离子键树脂，纤维素，环氧树脂，和聚氯乙烯树脂例如col聚氯乙烯-乙烯基乙酸酯。粘合剂包括改性的和未改性的松脂例如松香，氢化松香，松香-马来酸，聚合松香，松酯苯酚，萜烯和石油树脂或它们的改性树脂。热溶剂包括常温下为固态并且加热时可逆地液化或软化的化合物，具体说来，为单分子化合物例如萜品醇，乙酰酰胺，苯甲酰胺，α-苯并吡喃酮，肉桂酸苄酯，苯醚，冠醚，樟脑，对甲基苯基甲酮，香草醛，二甲氧苯甲醛，对苄基二苯，1，2-二苯乙烯，十七(烷)酸，二十(烷)醇，鲸蜡醇十六醇酯，硬脂酰胺，behenylamine，蜡例如蜂蜡，小烛树蜡，石蜡，酯蜡，褐煤蜡，巴西棕榈蜡，酰胺蜡，聚乙烯蜡，微晶蜡，松香衍生物例如松香甘油酯，松香-马来酸树脂和松香酚醛树脂，酚醛树脂，酮树脂，环氧树脂，邻苯二甲酸二烯丙酯，萜烯类烃树脂，环戊二烯树脂，聚烯烃树脂，聚乙内酰胺树脂，聚环氧乙烷，例如聚乙二醇和聚丙乙醇。
剥离层的厚度最好为0.1到100μm，更优选的范围是0.5到50μm。
粘合层的厚度最好为0.1到40μm，更优选的范围是0.3到30μm。
为了避免堵塞和粘灰尘，本发明上述的基底、成像层、背层、中间层、剥离层和粘合层中至少有一层最好含有抗静电剂。抗静电剂可从添加到成像层中的那些化合物中选取。
成像层的形成可以通过将着色颗粒、粘合剂，以及选择性加入的润滑剂，耐久性改善剂，分散剂，抗静电剂，填料和硬化剂在溶剂中捏合，获得高浓度的溶液，然后用溶剂将该溶液稀释，从而获得涂料溶液，将涂料溶液涂敷在基底上并使其干燥。
溶剂包括醇(乙醇，丙醇)，溶纤剂(甲基溶纤剂，乙基溶纤剂)，芳香族溶剂(甲苯，二甲苯，氯苯)，酮(丙酮，甲基乙基酮)，酯(乙酸乙酯，乙酸丁酯)，醚(四氢呋喃，二噁烷)，卤化溶剂(氯仿，二氯苯)，胺类溶剂(二甲基甲酰胺)，N-甲基吡咯烷酮)。
适用于成像层成份的捏合机包括两辊磨机，三辊磨机，球磨机，卵石球磨机，coball磨机，Tron磨机，砂磨机，砂磨，sqegvari超微磨碎机，高速搅拌分散混合器，高速石磨机，高速冲击研磨机，分散混合机，高速搅拌机，均化器，超声波分散混合机，开式揉合机，和连续揉合机。
为了将成像层涂布在基底上，涂布是采用挤出贴面法进行的。当使用磁性粉末颗粒作为着色剂时，为了选择性地使磁性颗粒定向，并使成像层的表面均匀，可以进行砑光处理。磁性颗粒可以通过非定向处理使其任意朝向。这些处理能产生高解像度。
定向处理可以这样进行，例如将涂布好的层通过一个水平取向的磁体或竖直取向的磁体，或无取向的磁体，并且将它置入一个干燥器，使其在干燥器中利用位于它的上、下的喷嘴喷出的热空气进行干燥。砑光处理可以这样进行，例如，使载有干燥的成像层的基底通过一个高度砑光机进行砑光处理。
水平取向磁体、竖直取向磁体和无取向磁体的磁场为20到1000高斯，砑光处理在50到140℃的温度下、50到400kg/cm2的压下力、20到1000m/分钟的传输速度下进行。干燥是在30到120℃的温度下进行0.1到10分钟。
当含金属原子的颗粒含量较高时，成像层容易产生空隙。在这种情况下，最好在砑光或加压处理过程中对该层施加压力，从而在成像层被高能量密度光曝光并被去除以后剩余的层将减少。
为了减少剩余层，对成像层进行加压以获得30％或更小的空隙度，更优选的空隙度为20％或小于20％。空隙度可以使用一个孔度计用水银压力法测量。
当上述压力不加到成像层时，无取向处理导致的磁性粉末的任意取向将减少剩余的成像层，如上所述。在这种情况下，空隙度可以为30％或30％以上。成像层中含金属原子的颗粒通常为体积的20到80％，优选范围是50-80％，尽管该含量由于颗粒特定的重力或该层的空隙度会发生变化。此处的体积含量由下列方程式定义体积％＝每单位面积含金属原子的颗粒的理论体积/(每单位面积成像层的体积，通过测量成像层的厚度可得)×100。
当其它的层设置在成像层一侧上时，每一层可以单独涂布，或者在湿层上进行湿涂布的多层涂布。
在进行上述湿湿多层涂布时，可以使用挤出贴面机与以下涂布机的组合逆辊涂布机，凹槽辊涂布机，气刮刀涂布机，刮板式涂布机，气刀刮涂机，挤压辊涂布机，蘸涂机，刮条涂布机，传料辊式涂布机，吻涂机，流延涂布机或者喷涂机。
由于在湿湿涂法的多层涂布中，上一层直接涂布在湿的下层之上，因此上、下层之间的粘合是增强的。
当成像层上设有剥离层并且剥离层是以自身为基底树脂时，剥离层结合在成像层上的方法如下将树脂在溶剂中溶化，得到一种涂布溶液，将溶液涂布在成像层上；或者熔化地将树脂捏合，将捏合好的树脂挤出层合在成像层上。如果用作基底的树脂薄膜被用作剥离层，并且该薄膜是热封性聚乙烯或聚丙烯，可以通过一个热压滚或热碾滚施加热和压力，将该薄膜结合和层叠在成像层之上，得到一个剥离层。如果该薄膜不具有热封性，需在成像层上设置一层粘合层。即，在成像层上涂布一层能形成粘合层的成分，使其干燥，然后将薄膜层合在粘合层上得到剥离层，或者，将能形成粘合层的组分涂布在薄膜上并使其干燥；或者利用挤出一层合法将能够形成可熔化的粘合层的组分层合在薄膜上，并将所得的粘合层放在成像层上，用热碾滚或热压滚进行热和压力处理，得到剥离层。
热碾滚进行的热处理在温度为室温到180℃(优选范围为30到160℃)、压力为0.1到约20kg/cm，0.5到10kg/cm、传输速度为1到200mm/秒(优选范围为5到100mm/秒)的条件下进行。热压滚进行的热处理在温度为室温到约180℃(优选范围为30到150℃)、压力为0.1到10kg/cm，0.5到5kg/cm的条件下进行0.1到50秒种(优选值为0.5到20秒钟)。
成像方法在本发明中，可使用以上所述的成像材料通过以下四种成像方法获得图像，下面详细说明。
成像方法1成像方法1包括以下步骤成像材料从基底一侧在高能量密度光下曝光，该成像材料包括基底，以及含有含金属原子的颗粒的在基底上形成的成像层；除去成像层上被曝光的部分，获得图像。
成像层可以是单独的一层，也可以是两层或多层。后者包括一个光热转换层，其光吸收光谱在600到1200nm的波长范围，并包括含着色剂的着色层，着色剂吸收光谱在350到600nm。
从基底一侧进行成像曝光的高能量密度光没有限制，只要它是一个能够除去成像层的被曝光部分的光源即可。为了获得高解像度，光源最好是能量点较小的电磁波，特别是具有1nm到1mm波长的紫外光灯、可见光或红外光灯。这类高密度能量光源包括例如激光，发光二极管，氙气灯，卤素灯，碳弧灯，金属卤化物灯，钨丝灯，水银石英灯和高压水银灯。根据所使用的成像材料的种类，所施加的能量可通过选定曝光距离、曝光时间或曝光强度来有当使用高能量密度光进行全部曝光时，曝光通过一个掩模材料进行，该掩模材料上具有使用遮光材料制得的负片图案。
当使用阵列光例如发光二极管阵列，或采用卤素灯、金属卤素灯或钨丝灯进行曝光时，可使用光栅材料例如液晶或者PLZT控制金属卤灯或钨灯，从而有可能根据成像信号进行数字曝光，从而可以直接写入，无需使用掩模材料。
但是，该方法除需要光源之外，还需要附加的光栅。因此，数字曝光最好使用激光进行。
当使用激光时，光被聚集成束，可根据图像使用扫描曝光形成潜像。激光易于聚集，曝光点尺寸小，因此能获得高分辨率的图像。
本发明使用的激光是公知技术。激光光源包括固体激光器例如红宝石激光器、YAG激光器、玻璃激光器；气体激光器例如氦氖激光器、氩气激光器、氪激光器、二氧化碳激光器、一氧化碳激光器、氦镉激光器、氮气激光器、eximer激光器；半导体激光器例如InGaP激光器、AlGaAs激光器、GaAsP激光器、InGaAs激光器、InAsP激光器、CdSnP2激光器或GaSb激光器；或化学激光器和染料激光器。在这些激光器中，为了有效地除去被曝光的部分，感光度在600到1200nm波长，最好750到1200nm的激光器是优选的，因为这时的光能量能够有效地被转换为热能。在具有同样波长的激光器中，优选的是具有高光强度的激光器。
在本发明中，成像方法1包括以下步骤将成像层在高能量密度光下曝光，除去成像层上被曝光的部分，获得图像。当作为去除方法，曝光能量是足以完全破坏和散射成像层的被曝光部分，被散射的部分可以通过吸引被除去，并可通过在紧贴成像层处设置的吸引装置将其除去。
当高能量密度光源的曝光能量不能完全破坏成像层的曝光部分时，例如仅仅造成了曝光部位基底与成像层之间的粘合力的减小，被曝光的部位可以根据下面说明的成像方法3和4和上述的吸引方法被除去。
这里所述的减小粘合力包括这样的现象，即由于物理或化学改变，成像层完全被散射，一部分成像层散射和或被破坏，或成像层的表面未被破坏，但仅有紧邻基底的成像层发生物理或化学改变。
没有发生完全分散的改变。
成像方法2成像方法2包括以下步骤将成像材料从基底侧在高能量密度光下曝光，该成像材料包括基底和在基底的一侧具有含着色颗粒和粘合剂的成像层，在曝光部位基底与成像层之间的粘合力被减小，除去成像层上被曝光的部分，获得图像。
用高能量密度光源除去曝光层可根据上述的成像方法1或下述的成像方法3或4进行。
成像方法3成像方法3包括以下步骤从基底一侧对上述成像材料用高能量密度光曝光，该成像材料包括如附图1(a)所示的成像层，在曝光部位基底1与成像层2之间的粘合力被减小，将成像层叠放在包括在背贴层4上粘贴层3的粘贴薄片上，面对粘贴层，如附图1(b)所示，从成像材料上剥除粘贴薄片，从而使成像层上被曝光的部分2(e)被转移到粘贴薄片上，从而获得图像，如附图1(c)所示。
当本发明中的部分成像层由于其物理或化学变化被散射和/或被毁坏时，可以借助下面将要描述的粘贴薄层法和上面已经描述的吸引法将曝光后的成像层的部分吸引和除去。当使用吸引除去法难于进行时，最好调整高能量密度光的曝光能量，以便物理和化学变化仅仅在靠近基底的一层产生。
粘贴薄层包括市场上可见的一个粘贴层，一个热封层和一个层叠层。当成像材料与粘贴薄层相接触并且对其施加压力或热压力时，那么只要压力或热压力可以气密性地施加，粘贴薄层的选用可以没有限制。压力可以借助于一个加压辊或模子施加，热压力可以借助于一个热头，一个热压辊或一个热印模施加。
当使用一个加压辊时，压力通常为0.1-20kg/cm，优选0.5-10kg/cm，传送速度通常为0.1-200mm/sec，优选0.5-100mm/sec。当使用印模时，压力通常为0.05-10kg/cm，优选0.5-5kg/cm，加压时间通常为0.1-50秒，优选0.5-20秒。热头通常用于常规可熔的或升华的转移过程条件下。当使用热压辊时，加热温度通常为60-200℃，优选80-180℃，压力通常为0.1-20kg/cm，优选0.5-10kg/cm，传送速度通常为0.1-200mm/sec，优选0.5-100mm/sec。当使用热印模时，加热温度通常为60-200℃，压力通常为0.05-10kg/cm，优选0.5-5kg/cm，加压时间通常为0.1-50秒，优选0.5-20秒。
只要对成像无不利的影响，可采用多种的剥离方法。剥离方法包括采用剥离板或剥离辊从固定剥离角度从成像材料上剥离粘贴薄层的方法和无固定角度从成像材料上手工地剥离粘贴薄层的方法。
上面描述了在基底具有单一成像层的成像材料。当在基底上形成了两层或更多的成像层时，基底及与基底相邻的成像层之间的粘合力可以根据上面所述减小。当具有不同成分的多个成像层形成在同一基底上，例如，第一个成像层包含光热转换物质作为一种着色剂，第二个成像层包含具有350至1200nm吸收波长的化合物，第一和第二成像层按该顺序在基底上设置，基底与第一个成像层之间的粘合力或第一个成像层与第二个成像层之间的粘合力可以减小。当在一个成像层与基底之间提供一个中间层时，成像层与中间层之间的粘合力可以减小。
成像方法4成像方法4包括以下步骤从基底一侧如附图2(a)对成像材料用高能量密度光曝光，该成像材料包括设在上面描述的成像材料的成像层2上的剥离5层和背贴层4，在被曝光的部分2(e)上，减小了基底与成像层之间的粘合力，对附图2(b)所示的合成材料施加热压，并从成像层剥离剥离层，从而成像层的被曝光的部分被转移到剥离层一边，形成一个如附图2(c)所示的图象。
由于高能量密度光曝光的曝光条件，成像方法1、2和3存在一个曝光的成像层向周围散射的问题，但根据成像方法4，图象的形成不会造成曝光部分的散射，因为剥离层被设置在成像层上。
本成像方法中，成像材料包括成像层与剥离层粘合的一种材料和成像层不与剥离层相粘合、而仅仅与剥离层紧密接触的一种材料。
在后一种情况，当使用高能量密度光对该材料进行曝光从而导致成像层与基底之间的粘合力被减小时，成像层的曝光部分，即粘合力被减小的部分，由于热或散射被转移到剥离层上，从而由于剥离层的成分，仅仅成像层的剥离产生图像或者曝光的部分被转移到剥离层上。当成像材料的成像层的制备使得它不会由于成像层的热传导而导致变形，或者成像层与基底间出现碎裂，例如由于成像层中结合了填料，在成像层与剥离层之间产生了一些空隙，那么在曝光以后对成像材料进行热压处理(见附图2b)，然后剥离层从成像层上分离，从而将曝光部分转移到剥离层上。
由于高能量密度光曝光的曝光条件，成像方法1，2，和3存在一个曝光的成像层向周围散射的问题，但根据成像方法4，图象的形成不会造成曝光部分的散射，因为剥离层被设置在成像层上。
使用高能量密度光进行曝光可以按照与成像方法1相同的方法进行，从成像层上剥离剥离层可以按照与成像方法3的剥离方法相同的方法进行。
实施例下面将用实施例来对本发明作进一步说明，本发明的保护范围并不受这些实施例的限制。另有说明除外，实施例中的所有“份数”均是按重量计的。
实施例1《成像材料》下面将介绍用基底、成像层和剥离层制作本发明的成像材料和对比用的成像材料的制备方法。所得到的这些材料列于表1中。
基底(1)Diafoil Hoechst有限公司产的每一面上有打底涂层的T-600∶100μm透明聚对苯二甲酸乙二醇酯膜；(2)Diafoil Hoechst有限公司产的一侧经抗静电处理、成像层或成像层侧经电晕放电的T-100G∶100μm透明聚对苯二甲酸乙二酯膜；(3)Diafoil Hoechst有限公司产的成像层或成像层侧经电晕放电的T-100∶100μm透明聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
成像层(1)用压力捏合机捏合下述组合物并将其分散，以获得含有包含金属原子的微粒的成像层涂液。把所得的涂液涂于基底上，干燥前对其进行磁取向，干燥并在150kg/cm压力下砑光，得到1.2μm干厚度。所得成像层的光密度为4.1/1μm厚(830nm波长下)、透射系数为每1μm厚0.008％(830hm光)、含金属粉末的成份含量体积比为50％、含金属粉末的成份含量重量比为74％。
Fe-Al铁磁金属粉100份
(Fe∶Al(原子数)总平均数＝100∶4，表面层＝50∶50，平均长轴长＝0.14μm，HC1760ersted，σs120emu/g，BET值＝53m2/g)含磺酸钾氯乙烯树脂 10份(Nippon Zeon有限公司制的MR110)含磺酸钠聚氨基甲酸乙酯 10份(Toyobo有限公司产UR8700)α-氧化铝(平均粒度0.15μm) 8份硬脂酸 1份硬脂酸丁脂 1份聚异氰酸酯(Nihon Urethane 5份kogyo有限公司产coronate L)环乙酮 100份甲乙酮 100份甲苯 100份(2)将上述组合物同5份炭黑(平均粒度20nm，DBP油吸附100ml/100g)，用加压捏合机捏合分散，得包含含有金属原子的微粒的成像层涂液，把此涂液施涂于基底上，干燥前磁取向，干燥并砑光(150kg/cm压力下)得干厚1.0μm成像层。此成像层光密度为4.0/1μm厚(830nm波长下)、透射系数0.01％(每1μm厚，380nm波长下)，含金属的粉末含量为45％体积比，含金属的粉末成份含量为重量比75％。
(3)用加压捏合机对下述组合物进行捏合及分散，得包含含有金属原子的微粒的成像层涂液。把所得涂液涂于基底上，干燥前磁取向，干燥后于150kg/cm压力下进行砑光得0.1μm干厚度。所得成像层每1μm厚的光密度为4.0(830nm波长下)，每1μm厚透射系数为0.01％(830nm波长下)、含金属的粉末成份含量为体积比47％，含金属的粉末成份含量为重量比74％。
Fe-Al铁磁金属粉末 100份(Fe∶Al(原子数)总平均数＝100∶6，表面层＝50∶90，平均长轴长＝0.15μ m，HC1700 ersted，σs115emu/g，BET值＝53m2/g)含磺酸钾氯乙烯树脂10份(Nippon Zeon有限公司产MR110)含磺酸钠聚氨基甲酸乙酯树脂10份(Toyobo有限公司产UR8700)α-氧化铝(平均粒度0.15μm) 8份炭黑(平均粒度0.04μm) 0.5份硬脂酸1份硬脂酸丁脂1份聚异氰酸酯(Nihon Urethane有 5份限公司产Coronate L)环乙酮100份甲乙酮100份甲苯 100份(4)用加压捏合机对上述组合物进行捏合和分散，得包含含有金属原子的微粒的成像层涂液。把所得涂液施涂于基底上，干燥前磁取向，干燥并于150kg/cm压力下砑光，得干厚度为1.3μm的成像层。此成像层光密度为每1μm厚4.0(830nm波长下)，每1μm厚透射系数0.01％(830nm波长下)，含金属的粉末成份含量为体积比47％重量比74％。
(5)用上述(3)同将的方法成形成像层，但不用上述Fe-Al铁磁金属粉，而用涂Co的FeOx粉(平均长轴长＝0.45μm，Hc750ersted，BET值＝45m2/g，x＝1.417)。所得成像层光密度为每1μm厚3.9(600nm波长下)，透射系数为每1μm厚0.01％(600nm波长下)、含金属的粉末成份含量为体积比55％，含金属的粉末成份含量重量比74％。
(6)对上述(1)的成像层于基底上进行施涂并干燥，得到0.5μm厚度。用砂磨机对下述组合物进行捏合和分散，得包含含有金属原子的微粒的成像层2的涂液。用挤压成膜法施涂上述成像层，干燥前磁取向，干燥后再予130kg/cm压力下砑光，得0.7μm干厚成像层。对于1μm厚成像层，所得成像层2的光密度为每1μm厚3.5(500nm波长下)，透射系数为每1μm厚0.03％(500nm波长下)，含金属的粉末成份含量体积比54％，含金属的粉末成份含量为重量比83％。
Co-Ti-Nb代替的铁酸钡粉 100份(平均长轴长＝0.15μm，Hc1000 ersted)含磺酸钠的聚氨基甲酸乙酯树脂8份(Toyobo有限公司制UR8700)α-氧化铝(平均粒度0.15μm)5份炭黑(平均粒度0.02μm) 1份硬脂酸 3份硬脂酸丁脂 2份聚异氰酸酯 3份
(Nihon Urethane kogyo有限公司产Coronate L)环乙酮 120份甲苯 60份(7)按上述(6)中同样的办法制成的成像层2，但不用Co-Ti-Nb代替铁酸钡粉，而同Co-Ti铁酸钡(平均长轴长＝0.43μm，Hc1100ersted，BET值二46m2/g，平均长度与直径之比4)。所得成像层2光密度为每1μm厚3.6，透射系数为每1μm厚0.025％，(500nm波长光)，含有金属的粉末成份含量为体积比53％，含金属的粉末成份含量为83％重量比。
(8)用开口捏合机捏合及分散下述组合物，得含着色剂的成像层涂液。于基底层上挤压涂覆此涂液并干燥，150kg/cm压力下砑光得1.3μm干厚度。对每1μm厚成像层和830nm波长光而言，此成像层光密度为2.3，透射系数0.5％。此成像层含金属的粉末成份含量为体积比35％，含金属的粉末成份含量为重量比38％。
炭黑(平均粒度0.04μm)25份含磺酸钾氯乙烯树脂 13份(Nippon Zeon有限公司产MR110)含磺酸钠聚氨基甲酸乙酯树脂13份(Toyobo有限公司产UR8700)α-氧化铝(平均粒度0.15μm) 8份硬脂酸 1份硬脂酸丁酯 1份聚异氰酸酯(Nihon Urethane Kogyo有限 5份公司产Coronate L)
环乙酮80份甲乙酮80份甲苯 80份(9)用上述(8)中同样方法制成成像层，但用平均粒度0.03μm的石墨代替其中的炭黑。对于每1μm厚的所得成像层和830nm波长的光而言，光密度为2.7，透射系数为0.3％。此成像层含金属的粉末成份含量为体积比40％，含金属的粉末成份含量为重量比38％。
剥离层(1)于Diafoil Hoechst有限公司产的25μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯透明膜S-100上施涂下述粘合层涂液并使之干燥，得厚度为4.0μm的粘合层，所述透明膜为剥离层。
其后把成像层贴于粘合层上。用压力辊对所得的层状物气密加压处理(传动速度30mm/秒，施压2.0kg/cm)所得成像材料顺序包括基底、基底层上的成像层和剥离层。
乙烯乙酸乙烯酯共聚物3.0份(Evaflex Ev410，Mitsui Dupont化学有限公司产)硅氧烷细粒 0.6份(Toshiba Silicone有限公司产Tospar)甲苯90份环乙酮 6.4份(2)把热焙型粘合剂(Hirodin有限公司产Hirodin 7524)融化挤压涂覆于25μm厚的透明聚对苯二甲酸乙二醇脂膜剥离层上，得厚度为20μm的粘合层。
表1
表1(续)
其后把成像层贴于粘合层上。用温度为100℃施压3.5kg/cm的热压机把所得层状物暂时粘于图3所示的非成像部分的4个边缘6上。由此获得成像层，顺序包括基底及于基底层上的成像层和剥离层。
<成像方法>
1)使用一个半导体激光器(LT090MD，主波长830nm，Sharp Co.Ltd制造)从基底一侧对成像材料成像扫描曝光，聚焦点在基底和成像层之间的界面处。然后在成像层上叠压上粘贴带的粘层(Scotch号845，book tape.3M CO.，Ltd.制造)，并且使用一个压力辊进行气密压力处理(传送速度30mm/s，所加压力3.0kg/cm)。将所得的材料固定到平板上，然后将剥离层从成像层上分离出来(剥离角度为90°，剥离速度为40mm/s)。这样，由于高能量密度光的曝光所致粘合力被减小的曝光部分被转移到粘贴层上，从而形成图像。
所成图像的感光度和解像度以及转移处理之后剩余的曝光部分的剩余率是根据下列参数进行评价的。
<感光度>
使用上述半导体激光器，使用光束直径为4μm的光扫描曝光，形成0.5mm×0.5mm的固态图像，在成像材料的表面处所需要的平均曝光量(E，mJ/cm2)被测量，感光度根据下列五个级进行评价。
5 E≤1004 100＜E≤2503 250＜E≤4002 400＜E≤6001 600＜E<解像度>
使用光束直径为4μm的光，扫描间距为4μm，并按照平均曝光量进行成像扫描曝光，以进行成像，所得的图像的解像度根据每1mm分辨出的线数N进行评价，它按照以下四级进行评价。
4 125≤N3 120≤N＜1252 110≤N＜1201 N＜110<剩余图像密度>
使用光束直径为4μm的光扫描曝光，进行0.5mm×0.5mm固态图像成像的曝光，使用一个光密度测量计(x-rite 310Tr，X-rite Co.，ltd.生产)测量曝光部分的光密度(OD测得的透过密度减去基底的透过密度)，并按照下列四级进行评价。
4OD≤0.060
3 0.060＜OD≤0.1002 0.100＜OD≤0.2501 0.250＜OD<光和密度和透射系数>
成像层设于基底之上，使用一个光密度测量计(X-rite310TR，X-rite公司制造)测量其光密度和透射系数。在测量了厚度以后，计算出每1μm厚度的光密度和透射系数。
2)使用一个半导体激光器对成像材料从基底一侧进行成像扫描曝光，聚焦点在成像层上。所得的材料的基底一面固定在平板上，然后使用一个加热辊(传送速度30mm/秒，温度80℃，压力2.0kg/cm)进行热压处理。然后，将剥离层从成像层上剥离下来(剥离角度为80°，剥离速度为30mm/秒)。这样，由于高能量密度光的曝光所致粘合力被减小的曝光部分被转移到粘贴层上，从而形成图像。
所获图像的感光度和解像度以及转移处理之后剩余曝光部分的剩余率按照与方法1)同样的方法进行评价。
结果如表2所示。
表2
表2(续)
3)除使用YAG激光器DPY521C-NP(输出4000mW，主波长1064μm，Adlas Co.，Ltd制造)之外，成像方法与上述方法1)相同，评价方法也与方法1)相同。
4)除使用上述YAG激光器之外，成像方法与方法2)中相同，评价方法与方法1)中相同。
结果如表3所示。
表3
表3(续)
实施例2本发明使用的剥离层的构成是变化的，并根据污染情况进行评价。
<成像材料>
本发明成像材料或对比成像材料使用下述的基底、成像层和剥离层制备。
-基底-在成像层上经电晕放电的25μm透明聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(T-100，Diafoil Hoechst Co.，Ltd制造)。
-成像层-成像层1使用一个开式捏合机将下列组分捏合和分散，以获得含有含金属的粉末的成像层涂布溶液。将所得的涂布溶液挤出贴面到基底上，在干燥之前进行磁定向处理，干燥并且进行砑光处理，产生的干厚度为1.2μm。
所得的成像层在830mm波长光下具有的光密度每微米厚度为4.0，透射系数在830nm波长光下每一微米厚度为0.01％，含金属的粉末成份含量为体积的45％，重量的71％。
Fe-Al铁磁金属粉末， 100份(着色剂和含金属的粉末；Fe∶Al原子数目之比总平均＝100∶4，表面层＝50∶50，平均长轴长度＝0.14μm)含磺酸钾氯乙烯树脂 10份(MR110，Nippon Zeon Co，Ltd制造)含磺酸钠聚氨基甲酸酯树脂10份
(UR8700，Toyobo Co.，Ltd制造)α-氧化铝(平均粒径0.15μm)8份硬脂酸1份硬脂酸丁酯1份聚异氰酸酯5份(Coronate L，Nihon Urethane Kogyo Co.，Ltd制造)环乙酮 100份甲乙酮 100份甲苯 100份剥离层1至13将下列具有不同平均粒径的细颗粒的按不同用量添加到含10％聚乙烯醇树脂(Gosenol GL0 5，Hihon Goseikagaku Col，Ltd制造)的粘合剂溶液中，并进行超声分散处理。使用一个钢丝刮条将所得溶液涂布在成像层一侧经过电晕放电的100μm透明的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(T-100，Diafoil Hoechst Co.Ltd制造)上，干燥后获得如表4所示的剥离层。
使用一个显微镜计数1cm2的面积内从剥离层的表面凸起1μm或更多的微细颗粒的数目。该数字除以100可得到1mm2内突起的微细颗粒数。
-微细粒子-单分散的PMMA颗粒MX-300(平均粒径3.0μm，Soken KagakuCo.，Ltd制造)单分散的PMMA颗粒MX-1500(平均粒径15.0μm，SokenKagaku Co.，Ltd制造)
硅氧烷树脂微细颗粒Tospar108(平均粒径0.8μm，ToshibaSilicone Co.，Ltd制造)硅氧烷树脂微细颗粒Tospar145(平均粒径4.5μm ToshibaSilicone Co.，Ltd.制造)硅氧烷树脂微细颗粒Tospar 3120(平均粒径12.0μm，Toshiba silicone Co.，Ltd.制造)<成像方法>
使用一个半导体激光器(LT090MD，主波长830nm，sharp Co.制造)对成像材料从基底一侧成像曝光，聚焦点在成像层上。由于激光曝光所致曝光部分的粘合力被减小的成像层从剥离层上分离，形成图像。
曝光部分的透光密度和曝光部分的污染性残余根据下列参数进行评价。
-透光密度-根据下列四级，使用一个光密度测量计(X-rite 310 Tr，X-rite Co，制造)对成像材料上曝光部分的可见光透光密度D进行测量A D≤0.030(很好)B 0.040≤D≤0.05(用显微镜可观察到少量的成像层剩余，没问题)C 0.06≤D≤0.09(roupe观察，转移处理以后，成像层有剩留)D 0.10≤D(转移处理后，可观察到成像层)
表4
从表4可明显看出，本发明所使用的剥离层能产生很好的透光密度(OD污染的标志)。
实施例3剥离层20至25对实施例2所使用的透明聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜在基底一侧进行喷砂处理，从而使表面粗糙化，并且经过喷砂处理的表面粗糙度是变化的，形成一层剥离层。使用上述得到的剥离层和实施例2所制备的成像材料进行与实施例2相同的处理过程。结果在表5中给出。
剥离层20的表面未经粗糙处理。
表面粗糙度的测量使用Kosaka公司制造的表面粗糙度测量仪Surfcorder SEF-30D。对中线(center line)平均表面粗糙度进行测量，纵向多重性(longitudinal multification)20000，界限(cut-off)0.08mm，od标准长度2.5mm，进给率0.1mm/秒。
-解像度-使用光束直径为6μm的光以6μ的扫描间距、按照平均表面曝光量进行成像扫描曝光，形成图像，所形成的图像的解像度是按照每1mm分辨出的线数N评价的，它根据下面的参数评价。
A 80＜NB 40≤N≤80C 20≤N＜40D N＜20
表5
从表5可明显看出，本发明使用的剥离层能产生很好的透光密度(OD是污染的量度)和解像度。
实施例5将按照实施3制备的成像层涂布溶液按照与实施例3相同的方式涂布到一个100μm的透明聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜T-100(DialfoilHoechst公司制造)的电晕放电表面一侧，形成一个1.1μm厚的成像层。将含10％聚氨基甲酸乙酯树脂Nippolane 3116(Nippon Polyure-thane kogyo Co.，Ltd制造)的甲乙酮/甲苯/环乙酮(4/4/2)混合物溶液涂布在38μm的白色聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜W-400(DiafoilHoechst Co.，Ltd.制造)上，经过干燥形成表面粗糙度不一的剥离层。
在此之后，将成像层叠压在剥离层上面。使用一个压力辊(传送速度20mm/S，所加压力2.0kg/cm，温度8℃)对所得材料进行气密压力处理。因而获得成像材料。使用上述获得的成像材料，按照与实施例3相同的方式形成图像。
结果在表9中给出。
表9
权利要求
1.一种成像材料，包括一个基底和位于所述基底上的含有着色颗粒和粘合剂的成像层，该成像层在λmax处的光密度为每1μm成像层厚度3.0或大于3.0，λmax为在成像层的光谱吸收波长350-1200nm内产生最大光密度的波长，其中，图像通过消除成像材料的成像层曝光部分形成。
2.根据权利要求1所述的成像材料，其中着色颗粒为含金属原子的颗粒。
3.根据权利要求2所述的成像材料，其中含金属原子的颗粒选自金属、合金和金属化合物。
4.根据权利要求2所述的成像材料，其中含金属原子的颗粒成份的含量为重量的70到99％。
5.根据权利要求4所述的成像材料，其中含金属原子的颗粒成份的含量为重量的70到95％。
6.根据权利要求2所述的成像材料，其中含金属原子的颗粒成份的含量为体积的20到80％。
7.根据权利要求2所述的成像材料，其中含金属原子的颗粒的平均粒径为0.03-0.50μm。
8.根据权利要求2所述的成像材料，其中含金属原子的颗粒为针形。
9.根据权利要求2所述的成像材料，其中含金属原子的颗粒是磁性颗粒。
10.根据权利要求9所述的成像材料，在成像之前，成像层在磁场中经过。
11.根据权利要求10所述的成像材料，在成像之后，成像层进行砑光处理。
12.根据权利要求1所述的成像材料，其中的粘合剂是聚氨基甲酸乙酯树脂，聚酯树脂或氯乙烯基树脂。
13.根据权利要求12所述的成像材料，其中的粘合剂为含有一个重复单元的树脂，该重复单元含有选自-SO3M，-OSO3M，-COOM，和-PO(OM1)2的一个极性基团，其中M代表一个氢原子或碱原子；M1代表一个氢原子、一个碱原子或一个烷基基团。
14.根据权利要求2所述的成像材料，其中成像层的碳黑的含量根据含金属原子的颗粒成份的含量为重量的0.5-15％。
15.根据权利要求1所述的成像材料，其中成像层的厚度为0.1-5.0μm。
16.根据权利要求15所述的成像材料，其中成像层的厚度为0.1-1.0μm。
17.根据权利要求1所述的成像材料，其中在基底与成像层相反的一面设置有背层。
18.根据权利要求1所述的成像材料，其中还包括一种抗静电剂。
19.根据权利要求1所述的成像材料，其中基底的厚度为10-500μm。
20.根据权利要求1所述的成像材料，其中在成像层上设置有剥离层。
21.根据权利要求20所述的成像材料，其中剥离层含有精细颗粒，一部分精细颗粒由剥离层表面突出，具有突出高度在1-20μm的精细颗粒的数目为每1mm2剥离层10或10个以上。
22.根据权利要求20所述的成像材料，其中根据JIS B 0601测量的面对成像层的剥离层的表面粗糙度Ra为0.04-1.0μm。
23.一种使用所述成像材料的成像方法，该成像材料包括一个基底和位于该基底上的含有着色颗粒和粘合剂的成像层，该成像层在λmax处的光密度为每1μm成像层厚度3.0或大于3.0，λmax为在成像层的吸收光谱波长范围350-1200nm内产生最大光密度的波长，该方法包括以下步骤将成像材料的成像层成像曝光；去除成像层上的曝光部分形成图像。
24.根据权利要求23所述的成像方法，其中，在去除步骤之前，基底与成像层的曝光部分的粘合度被降低。
25.根据权利要求23所述的成像方法，其中，在成像层上设置了剥离层，在去除步骤之前，基底与成像层的曝光部分的粘合度被降低，通过将剥离层从成像层上分离，将成像层的曝光部分转移到剥除层上，完成去除步骤。
26.根据权利要求23所述的成像方法，使用激光进行成像曝光。
27.根据权利要求26所述的成像方法，激光的波长为600-1200nm。
全文摘要
一种成像材料，包括一个基底和位于所述基底上的含有着色颗粒和粘合剂的成像层，该成像层在λ
文档编号G03G5/00GK1144345SQ96102538
公开日1997年3月5日 申请日期1996年2月17日 优先权日1995年2月17日
发明者竹山敏久, 胜田爱, 河村朋己, 泷本正高, 后藤良孝 申请人:柯尼卡株式会社