的第一电极251与第二电极252也相对于第一 方向对称设置。
[0030] 本发明上述实施例中，针对第一电极251和第二电极252,其中第一电极251可以 包括至少一个第一条状电极253,而第二电极252也可以包括至少一个第二条状电极254， 并且第一条状电极253和第二条状电极254 对应的设置，如图2B所不的，其中的第一 条状电极253和第二条状电极254均为4条。并且进一步的，上述第一条状电极253与第 二条状电极254也可以是相对于第一方向对称设置。图2B所不实施例中，第一电极251和 第二电极252都包括4条条状电极，另外，在具体实施例中，条状电极的数目也可以为1、2、 3、5 等。
[0031] 参考图3A所示，为本发明实施例提供的第二种阵列基板的结构示意图。本实施例 是图2A所示阵列基板的基础上，其中每一个第一条状电极253包括第一电极主体部261，以 及与第一电极主体部261呈第一角度设置的第一拐角区域262,该第一拐角区域262位于第 一电极主体部261的远离薄膜晶体管24的第一端；每个第二条状电极254包括第二电极主 体部263,以及与第二电极主体部263呈第二角度设置的第二拐角区域264,第二拐角区域 264位于第二电极主体部263的远离薄膜晶体管24的第二端。另外，本发明实施例中，由于 黑色畴线主要在第一条状电极253的第一端，以及第二条状电极254的第二端形成，且容易 沿Y方向延伸，本实施例通过上述第一拐角区域262和第二拐角区域264的设置，能够有效 增大像素区域23远离薄膜晶体管24 -端的边缘区域沿Y方向电场强度，从而阻止按压时 黑色畴线沿Y方向延伸，进一步降低黑色畴线（disclination)现象对显示效果的影响，进 而降低按压不均现象。
[0032] 本发明实施例中，对于第一拐角区域262和第二拐角区域264在Y方向上的长度 L1，即拐角深度L1可以设置为5 ym。
[0033] 另外，参见图3A所示，本发明实施例中，第一电极主体部261平行于数据线21的 第一部分211，第二电极主体部263平行于数据线21的第二部分212。
[0034] 本发明实施例中，对于第一电极主体部261和第二电极主体部263的方向，参见图 3B所示，其均可以设置为与第二方向的夹角0为4~30度，该第二方向与第一方向垂直， 即Y方向。
[0035] 其中可选的，可以将上述角度0限制在10度以内，此时，第一电极主体部261与 数据线21的第一部分211平行，第二电极主体部263与数据线21的第二部分212平行，而 第一连接部213可以设置为与第二方向平行，则数据线21上第一部分211或第二部分212 相对于第二方向的拐角0也会低于10度，根据实验分析，当数据线21上第一部分211或 第二部分212相对于第二方向的拐角大于10度时，会发生散射现象而产生漏光，漏光与拐 角0的关系如下表1所示：
[0036]
[0037] 表 1
[0038] 由上述表1所示，在本实施例中，将角度0限制在10度以内并进一步的可以将数 据线上各部分之间的连接处处于遮光区，能够有效避免数据线上各部分之间所呈角度造成 的漏光现象。
[0039] 进一步的，参见图3C所示，本实施例中，其中可以设置第一拐角区域262的宽度W1 大于第一电极主体部261的宽度W2,第二拐角区域264的宽度W1大于第二电极主体部263 的宽度W2。这样可以使得在拐角区域处沿X方向的电场强度大于沿Y方向的电场强度，当 产生按压不均的外力消除时，能够减小沿Y方向的电场的阻碍作用，加快恢复速度，提高显 示效果。
[0040] 进一步的，仍参考图3B，本发明上述实施例中，其中第一电极主体部261与第一拐 角区域262所形成的第一角度al的大小范围为0~60度，其中第二电极主体部263与第 二拐角区域264所形成的第二角度a2的大小范围也为0~60度。例如可以选择第一角度 al和第二角度a2的大小均为30度，使其产生的沿Y方向的电场能够起到有效抑制按压不 均的作用，同时又不会造成各第二拐角区域264间的黑色畴线区域过宽。
[0041] 参考图4A所示，为本发明实施例提供的第五种阵列基板的结构示意图。本实施例 是图2A所示阵列基板的基础上，其中每一个第一条状电极253还包括与第一电极主体部 261呈一定角度设置的第三拐角区域265,该第三拐角区域265设置于第一电极主体部261 的靠近薄膜晶体管24的第三端；每个第二条状电极254还包括与第二电极主体部263呈一 定角度设置的第四拐角区域266,第四拐角区域266位于第二电极主体部263的靠近薄膜晶 体管24的第四端。通过上述第三拐角区域265和第四拐角区域266的设置，能够有效利用 沿Y方向电场的影响，阻止黑色畴线延伸到第一电极主体部261和第二电极主体部263所 在区域，降低黑色畴线现象对显示效果的影响。本发明实施例中，对于第三拐角区域和第四 拐角区域在Y反向上的长度，即拐角深度可以设置为5 ym。
[0042] 参见图4B所示的，本发明上述实施例中，其中可以设置第一条状电极253的第三 拐角区域265的宽度W1大于第一电极主体部261的宽度W2,第二条状电极254的第四拐角 区域266的宽度W1大于第二电极主体部263的宽度W2。这样可以使得在拐角区域处沿X 方向的电场强度大于沿Y方向的电场强度，当产生按压不均的外力消除时，能够减小沿Y方 向的电场的阻碍作用，加快恢复速度，提高显示效果。
[0043] 进一步的，参见图4C所示，本发明上述实施例中，其中第一电极主体部261与第三 拐角区域265所形成的第三角度a3的大小范围为0~60度，其中第二电极主体部261与 第四拐角区域266所形成的第四角度a4的大小范围也为0~60度。例如可以选择第三角 度a3和第四角度a4的大小为30度，使其产生的沿Y方向的电场能够起到有效抑制按压不 均的作用，同时又不会导致各第三拐角区域265间的黑色畴线过宽。
[0044] 上述图3A和图4A所示实施例中，分别是在第一电极主体部261和第二电极主体 部263靠近薄膜晶体管24的一端，以及在第一电极主体部261和第二电极主体部263远离 薄膜晶体管24的一端设置拐角区域。而图5所示的，为同时在第一电极主体部261和第二 电极主体部263靠近薄膜晶体管24的一端，以及在第一电极主体部261和第二电极主体部 263远离薄膜晶体管24的一端设置拐角区域，即在第一电极主体部261远离薄膜晶体管24 的第一端设置第一拐角区域262,在第一电极主体部261靠近薄膜晶体管24的第三端设置 第三拐角区域265,在第二电极主体部263远离薄膜晶体管24的第二端设置第二拐角区域 264,在第二电极主体部263靠近薄膜晶体管24的第四端设置第四拐角区域266。
[0045] 如前述的图2A~图5所示的，本发明实施例中，其中在第一电极251包括至少两 个第一条状电极253时，该至少两个第一条状电极253靠近薄膜晶体管24的一端通过第二 连接部272连接，该第二连接部272与薄膜晶体管24的漏极连接；在第二电极252包括至 少两个第二条状电极254时，该至少两个第二条状电极254靠近薄膜晶体管24的一端通过 第三连接部273连接，该第三连接部273与薄膜晶体管24的漏极连接。
[0046] 在上述实施例中，第二连接部272与第三连接部273分别与薄膜晶体管24的漏极 连接，当然，在其他实施方式中，也可以设置为第二连接部272与第三连接部273相互连接， 同时与薄膜晶体管24的漏极连接。
[0047] 参见图6,为本发明实施例提供的第九种阵列基板的结构示意图。与上述图2A~ 图5所示的实施例不同的是，本实施例中，该至少两个第一条状电极253靠近薄膜晶体管24 的一端通过第二连接部272连接，该至少两个第二条状电极254靠近薄膜晶体管24的一端 通过第三连接部273连接；而且，该至少两个第一条状电极253远离薄膜晶体管24的一端 通过第四连接部274连接，以及至少两个第二条状电极254远离薄膜晶体管的一端通过第 五连接部275连接。且具体的，第一电极包括3条第一条状电极253,第二电极也包括3条 第二条状电极254。
[0048] 针对图6所示的本发明的阵列基板，本发明实施例中，针对其按压不均的恢复时 间进行了实验验证，同时还对如图1所示的现有