素区的亮度大于辅像素区的亮度，并且本发明实施例的像素单元中，只有一个或两个亚像素单元进行分区设置。如图1所示的像素单元11，由于只有亚像素单元112进行分区设置，其相比于现有的传统设计，低亮度的辅像素区的面积减少了 2/3，因此液晶面板的亮度会得到提升，穿透率进一步提高。又如图2所示的像素单元21，由于只有亚像素单元211和212进行分区设置，其相比图1中现有的传统设计，低亮度的辅像素区的面积减少了 1/3，所以面板的亮度会得到提升，穿透率同样会提高。
[0033]前文为在每一像素单元中，一个或两个亚像素单元包括两个像素区的实施例。在实际应用中，还可以设置一个亚像素单元包括两个以上的像素区。
[0034]进一步的，还可以对不同位置的像素单元中的分区的亚像素单元的数量进行不同的设置和/或对不同位置的像素单元中的亚像素单元的分区数量进行不同的设置，以此进一步改善大视角特性。
[0035]具体而言，在不同位置的像素单元中，包含至少两个像素区的亚像素单元的数量不同。例如在TFT基板10的中心位置处，每一个像素单元中有两个亚像素单元为单一区，其余的一个亚像素单元包含至少两个像素区；在TFT基板10的边缘位置处，每一个像素单元中有一个亚像素单元为单一区，其余的两个亚像素单元包含至少两个像素区。
[0036]同理，在不同位置的像素单元中，其进行分区的亚像素单元所包含的像素区的数量不同。例如在TFT基板10的中心位置处，每一个像素单元中的一个亚像素单元包含两个像素区；在TFT基板10的边缘位置处，每一个像素单元中的一个亚像素单元包含两个以上的像素区。
[0037]应理解，本发明还可以将上述的两种情况结合。也就是说，在不同位置的像素单元中，包含至少两个像素区的亚像素单元的数量不同并且包含的像素区的数量也不同。例如在TFT基板10的中心位置处，每一个像素单元中，有一个亚像素单元包含两个像素区；在TFT基板10的边缘位置处，每一个像素单元中，有两个亚像素单元包含两个以上的像素区。
[0038]另外，还可以对不同位置的像素单元中的主像素区和辅像素区之间的亮度差值进行不同的设置。例如在TFT基板10的中心位置处，主像素区和辅像素区的亮度差值设置得较小；在1?1基板10的边缘位置处，主像素区和辅像素区的亮度差值设置得大。
[0039]以上介绍的是每一像素单元包含R(Red，红色)、G(Green)以及B(Blue)三个亚像素单元的分区情况。在其他实施例中，每一像素单元还会包括R、G、B以及W(White，白色)四个亚像素单元，其中的亚像素单元的分区原理与像素单元包含三个亚像素单元时的一致，在此不再赘述。
[0040]请一并参阅图1和图3，图3是本发明实施例提供的一种TFT基板的电路结构示意图。其中，图3只举例了图1所示的像素单元11的电路结构示意图，应理解，其他的像素单元的电路结构类似。如图3所示，TFT基板10包括多条平行设置的数据线S31、S32以及S33、扫描线G31 (图3只标示一条)、公共电极PO、分别设置在亚像素单元110、111以及112中的像素电极P1、P2以及P3以及分别设置在亚像素单元110、111以及112中的开关管K31、K32以及K33。其中开关管K31、K32以及K33的控制端电连接扫描线G31，开关管K31、K32以及K33的输入端分别电连接数据线S31、S32以及S33，开关管K31、K32以及K33的输出端分别电连接亚像素单元110、111以及112的像素电极P1、P2以及P3。值得注意的是，在包含有两个像素区的亚像素单元112中，开关管K33的输出端连接的是主像素区113的主像素电极P31。
[0041]在扫描线G31向开关管K31、K32以及K33提供扫描驱动信号后，开关管K31、K32以及K33的输入端和输出端相互导通，数据线S31、S32以及S33分别在给亚像素单元110、111的像素电极P1、P2以及亚像素单元112的主像素区113的主像素电极P31充电，使得像素电极Pl和P2以及主像素电极P31分别和公共电极PO形成存储电容Cl、C2以及C31。
[0042]进一步的，TFT基板10还包括开关管K34和降压组件15。其中，开关管K34的控制端和输入端同样分别电连接扫描线G31和数据线S33，开关管K34的输出端电连接辅像素区的辅像素电极P32，使得数据线S33给辅像素电极P32充电时，辅像素电极P32和公共电极PO形成存储电容C32。在亚像素单元112中，主像素区113的主像素电极P31和辅像素区114的辅像素电极P32电连接同一条数据线S33，以由同一条数据线S33提供电压。进一步的，亚像素单元112还通过降压组件15降低辅像素区114的辅像素电极P32的电压，使得主像素电极P31的电压大于辅像素电极P32的电压，从而实现主像素区113的亮度大于辅像素区114的亮度。其中，通过降压组件15来实现主像素区113的亮度大于辅像素区114的亮度的具体方式包括下文所述的三种:
[0043]第一种:如图3所示，在亚像素单元112中，降压组件15为开关管K35，开关管K35的输入端电连接辅像素电极P32，开关管K35的输出端电连接公共电极PO，开关管K35的控制端同样电连接扫描线G31。也就是说，在扫描线G31向开关管K33和K34提供扫描驱动信号，使得数据线S33向主像素电极P31和辅像素电极P32提供电压时，开关管K35的控制端同样接收到扫描线G31提供的扫描驱动信号，使得开关管K35的输入端和输出端相互导通，从而辅像素电极P32通过开关管K35与公共电极PO电连接来放电，这样辅像素电极P32的电位和主像素电极P31的电位相比会更加接近公共电极PO的电位，以达到降压的目的。在TFT基板10正常工作时，辅像素区114的显示亮度更低。由此可以通过亚像素单元112来实现改善液晶面板大视角的特性，而亚像素单元110和111则可以维持面板的较高穿透率。
[0044]第二种:请一并参阅图1和图4，图4是本发明实施例提供的一种TFT基板的另一种电路结构示意图。其中，图4只举例了图1所示的像素单元11的电路结构示意图，应理解，其他的像素单元的电路结构类似。如图4所示，TFT基板10依然包括平行设置的多条数据线S41、S42以及S43、扫描线G41和G42以及对应亚像素单元110、111以及112的开关管K41、K42以及K43。其中，数据线S41、S42以及S43、扫描线G41以及开关管K41、K42以及K43的连接方式分别和图3所示的数据线S31、S32以及S33、扫描线G31以及开关管K3UK32以及K33的相同，在此不再赘述。
[0045]其中，图4所示的电路结构与图3所示的电路结构的不同之处在于:图4所示的降压组件45包括开关管K45和耦合电容Cxi。其中，开关管K45的输入端电连接辅像素区114的辅像素电极P32，开关管K45的输出端电连接耦合电容Cxl，开关管K45的控制端电连接扫描线G42，耦合电容Cxl进一步与公共电极PO电连接。值得注意的是，本实施例的扫描线G42提供的扫描驱动信号比扫描线G41提供的扫描驱动信号延迟。由此，图4所示的亚像素单元112中，在扫描线G41向开关管K43和K44提供扫描驱动信号，使得数据线S43向主像素电极P31和辅像素电极P32提供电压后，扫描线G42才向开关管K45提供扫描驱动信号，即开关管K45的控制端才接收扫描线G42提供的扫描驱动信号，使得开关管K45的输入端和输出端相互导通，从而辅像素电极P32通过耦合电容Cxl和公共电极PO耦合，使得辅像素电极P32的电位更接近于公共电极PO的电位，以达到降压的目的。
[0046]第三种:请一并参阅图1和图5，图5是本发明实施例提供的一种TFT基板的又一种电路结构示意图。其中，图5只举例了图1所示的像素单元11的电路结构示意图，应理解，其他的像素单元的电路结构类似。如图5所示，TFT基板10依然包括平行设置的多条数据线S51、S52以及S53、扫描线G51以及对应亚像素单元110、111以及112的开关管K51、K52以及K53。其中，数据线S51、S52以及S53、扫描线G51以及开关管K51、K52的连接方式分别和图4所示的数据线S41、S42以及S43、扫描线G41以及开关管K41、K42的相同，