光板PL2 (白显不)。
[0062]接着，对液晶显示装置I的制造方法的一例进行说明。
[0063]图3是简要地示出制造液晶显示装置I的流程的流程图。首先，制造在第一绝缘基板10的第二主面1B上形成有底涂层11、第一绝缘膜12、第二绝缘膜13、第三绝缘膜14、第四绝缘膜15、开关元件SW、像素电极PE、共用电极CE及第一取向膜ALl等的阵列基板AR(步骤 STl)。
[0064]另一方面，制造在第二绝缘基板20的第一主面20A上形成有划分各像素PX的黑色矩阵21、滤色器22、顶涂层23及第二取向膜AL2等的对置基板CT (步骤ST2)。柱状间隔件可以在阵列基板AR以及对置基板CT中的任一方、或者两方分别形成。作为一例，柱状间隔件在步骤ST2中形成对置基板CT的过程中形成。
[0065]接着，涂布或者印刷用于将对置基板CT贴合于阵列基板AR的密封材料(步骤ST3)。密封材料可以形成于阵列基板AR以及对置基板CT中的任一个，但在一例中，在步骤ST3中，形成在阵列基板AR侧。此时，密封材料例如形成为环状。然后，进一步，在阵列基板AR上，朝由密封材料包围的内侧滴下适量的液晶材料。
[0066]对以这种方式涂布有密封材料、且滴下有液晶材料后的阵列基板AR，贴合对置基板CT (步骤ST4)。液晶材料在阵列基板AR与对置基板CT之间均匀地扩展并被封入。
[0067]另外，此处举例示出了使阵列基板AR与对置基板CT贴合之前滴下液晶材料的方法，但并不限于该例子。例如，也可以以具有液晶注入口的方式形成密封材料，在使阵列基板AR与对置基板CT贴合之后从液晶注入口注入液晶材料。
[0068]在该贴合后，以使得第一绝缘基板10以及第二绝缘基板20成为规定的厚度的方式，对第一绝缘基板10的第一主面1A以及第二绝缘基板20的第二主面20B进行研磨(步骤ST5)。在本实施方式中，第一绝缘基板10以及第二绝缘基板20是玻璃基板，通过化学蚀刻被进行研磨。该研磨例如通过以氟化氢的质量百分比浓度为10%以上的氢氟酸水溶液作为蚀刻液的蚀刻进行。
[0069]然后，在经过这种研磨而薄型化后的阵列基板AR以及对置基板CT设置第一光学元件ODl以及第二光学元件0D2等，并设置栅极布线G以及源极布线S的驱动电路等，由此完成液晶显示面板LPN。此外，在该液晶显示面板LPN的背面侧设置背光BL，根据需要在第二光学元件0D2上设置玻璃罩、触摸屏等，由此完成液晶显示装置I。
[0070]在这种制造工序中，存在由于因用于实施成膜、图案形成的制造装置的工作台或输送机构与第一绝缘基板10之间的摩擦而产生的静电导致第一绝缘基板10带电的情况。由于该带电，存在例如开关元件SW等具有电容的要素发生静电破坏的可能性。
[0071]以下，对用于防止这种静电破坏的对策例进行说明。图4?图9是用于对图3中的步骤STl、即阵列基板AR的制造工序的详细情况进行说明的剖视图。
[0072]首先，如图4所示，准备在第一主面1A以及第二主面1B未实施成膜等的第一绝缘基板(玻璃基板)10。
[0073]接着，如图5所示，在第一绝缘基板10的第一主面1A的大致整面形成导电性膜30。作为该导电性膜30的材料，例如能够使用各种金属、金属化合物、或者ITO等具有透光性的材料。例如，作为导电性膜30的材料，通过使用高熔点金属的氮化物或者氧化物，即便在高温环境下实施的制造工序中也能够防止导电性膜30熔融及变形。另外，通常，氮化物与氧化物相比导电性更好。并且，氧化物容易与例如氢等气体反应，因此会对阵列基板AR的制造工序中的各种工艺造成影响。在基于这些观点的情况下，导电性膜30优选为高熔点金属的氮化物。作为高熔点金属能够举出钨、钽、钼、铌或者它们的合金等。并且，导电性膜30也可以使用金属或者合金等单体。
[0074]并且，在本实施方式中，作为导电性膜30的材料，优选使用满足以下的条件1、2的材料。
[0075][条件I]使用氟化氢的质量百分比浓度为10%以上、优选为30%以上的氢氟酸水溶液作为蚀刻液的蚀刻中的蚀刻速率(第一蚀刻速率)与相同条件的蚀刻中的第一绝缘基板10的蚀刻速率(第二蚀刻速率)实质上相同、或者第一蚀刻速率大于第二蚀刻速率。
[0076][条件2]使用氟化氢的质量百分比浓度为1%以下、或者2%以下的氢氟酸水溶液作为蚀刻液的蚀刻中的蚀刻速率(第三蚀刻速率)为lnm/sec以下。
[0077]作为具有导电性且满足条件1、2的氮化物的一例，能够举出氮化钨。作为氮化钨的导电性膜30例如能够通过反应性溅射而成膜在第一绝缘基板10的第一主面10A。该反应性溅射例如是通过将钨靶和第一绝缘基板10设置在真空腔内，在第一绝缘基板10的温度为约100 V的状态下，朝该腔内导入氩97 %、氮3 %的反应性气体而实施的。
[0078]在本实施方式中，导电性膜30形成得较薄，例如为200nm以下、或者10nm以下的程度的厚度。作为一例，导电性膜30的厚度为50nm。其中，导电性膜30的膜厚根据氢氟酸水溶液的浓度、蚀刻速率、第一绝缘基板10的研磨量等被适当设定。
[0079]例如如图6(a)所示，为了避免导电性膜30附着于端面10C，对端面1C进行遮掩来形成导电性膜30。在显示装置的制造工序中，当对第一绝缘基板10实施各种图案形成等时，为了进行第一绝缘基板10的对位，实施使机械机构与端面1C接触的机械对准。在实施该机械对准时，若导电性膜30附着于端面10C，则存在对位中产生偏移的危险。并且，在使机械机构与端面1C接触后，附着于端面1C的导电性膜30剥落而成为微粒，存在该微粒对后面的工序等造成不良影响的危险。通过使得导电性膜30不会附着于端面10C，能够防止上述情形。
[0080]另外，在通过光学对准进行上述的对位的情况下，即便导电性膜30附着于端面1C也无妨的话，则例如如图6的(b)所示，也可以在端面1C附着有导电性膜30。在利用CVD法对导电性膜30进行成膜的情况下，导电性膜30容易附着于端面10C。
[0081]在形成导电性膜30后，转移至用于形成开关元件SW的工序(开关元件形成工序)。即，如图7所示，在第一绝缘基板10的第二主面1B侧形成底涂层11，遍及该底涂层11的大致整面地形成半导体层SC，并将该半导体层SC图案形成为与形成有各开关元件SW的区域对应的岛状。
[0082]此外，在岛状的半导体层SC以及底涂层11上对第一绝缘膜12进行成膜，在该第一绝缘膜12上形成作为第一电极WG (栅极布线G)的材料的导电性膜，对该导电性膜进行图案形成而形成第一电极WG。
[0083]接着，通过离子注入法等，以第一电极WG作为掩模朝半导体层SC的第二区域R2以及第三区域R3注入杂质，使上述第二区域R2以及第三区域R3比第一区域Rl低电阻化。然后，在第一电极WG以及第一绝缘膜12上成膜第二绝缘膜13，对该第二绝缘膜13以及第一绝缘膜12进行蚀刻而设置贯通至半导体层SC的第一接触孔CHl以及第二接触孔CH2。
[0084]在设置第一接触孔CHl以及第二接触孔CH2后，转移至清洗工序，该清洗工序中，利用氢氟酸水溶液对经由第一接触孔CHl以及第二接触孔CH2而露出的半导体层SC的一部分进行清洗，除去在半导体层SC的表面形成的氧化膜或异物等。该清洗工序中使用的氢氟酸水溶液例如是氟化氢的质量百分比浓度为I %以下的氢氟酸水溶液，被从该清洗用的喷嘴朝图7所示的状态的阵列基板AR的整体喷雾。即，该氢氟酸水溶液也附着于导电性膜30。如作为条件2所述，导电性膜30相对于氢氟酸水溶液的蚀刻速率极低，为lnm/sec以下。因而，在该清洗中，虽然导电性膜30由氢氟酸水溶液浸蚀，但是为并不至于除去导电性膜30的程度的浸蚀，尽管膜厚变薄，但导电性膜未被除去而残留于绝缘基板10。该清洗工序与后述的研磨工序同样，在本说明书中作为利用氢氟酸水溶液浸蚀导电性膜30的导电性膜浸蚀工序表现。
[0085]在这种清洗后，从第二绝缘膜13以及从各接触孔CHl、CH2露出的半导体层SC之上，形成作为第二电极WG(源极布线S)以及第三电极WD的材料的导电性膜。进而，通过对该导电性膜进行图案形成，如图8所示，形成经由第一接触孔CHl与半导体层SC的第二区域R2接触的第二电极WS (源极布线S)、以及经由第二接触孔CH2与半导体层SC的第三区域R3接触的第三电极WD。
[0086]在像这样形成开关元件SW后，如图9所示，在第二绝缘膜13、第二电极WS (源极布线S)以及第三电极WD上依次形成第三绝缘膜14、共用电极CE、第四绝缘膜15。另外，贯通第三绝缘膜14以及第四绝缘膜15的第三接触孔CH3通过分别形成贯通第三绝缘膜