60上的Au/Ti/Pt膜610。由此，如图5(C)所示，利用Au/Ti/Pt膜610形成了镜面层23。需要说明的是，在第一硅层210中的构成反射镜2的部分以外的部分上残留有S12膜260。
[0078]随后，通过蚀刻来除去与第一硅层210中的供后述玻璃基板600接合的部分对应的S12膜260，这在图中省略不示出。
[0079]接着，在第一硅层210的表面上形成第二抗蚀剂掩模320。第二抗蚀剂掩模320具有覆盖住第一硅层210中的构成第一结构体和第三结构体的部分的形状。在图6(A)的例子中，第一硅层210中的构成基部I的部分、构成反射镜2的部分、构成第二铰链5的部分以及构成内侧可动梳齿电极62的部分被第二抗蚀剂掩模320覆盖住。第二抗蚀剂掩模320具有比其对应的结构体的最终形状还大的形状。以下，只要没有特别说明，最终形状和形状都是指从镜器件100的厚度方向来看结构体的情况下的形状，也就是说向镜器件100的厚度方向上投影而成的形状。
[0080]随后，使用第二抗蚀剂掩模320对氧化膜层260进行蚀刻，从而除去氧化膜层260中的从第二抗蚀剂掩模320露出的部分。对氧化膜层260的蚀刻是通过高密度等离子体源(APS:Advanced Physical Source(先进物理源))进行的(以下称为“APS蚀刻”)。
[0081]接着，如图6(B)所示，使用第二抗蚀剂掩模320来对第一硅层210进行蚀刻。对硅层的蚀刻是通过感应親合等离子体(Inductively Coupled Plasma:1CP)进行的(以下称为“ICP蚀刻”)。由此，在第一硅层210上形成:基部I中的由第一硅层210构成的部分的预结构(pre-structure )41;第二铰链5中的由第一娃层210构成的部分的预结构42;反射镜2的预结构43;以及内侧可动梳齿电极62的预结构44。在此，预结构是指具有比最终形状还大的形状的结构，预结构最终会被蚀刻而形成对应的最终形状。此外，第一硅层210中的与内侧固定梳齿电极61相对置的部分被蚀刻而形成凹部R。而且，在第一硅层210上形成第一对准标记 211。
[0082]以下，将预结构41称为基部预结构41，将预结构42称为第二铰链预结构42，将预结构43称为镜预结构43，将预结构44称为可动梳齿预结构44。但是，在不区别各预结构时，有时候只单纯地称为预结构。基部预结构41和第二铰链预结构42是第一预结构的一个例子。镜预结构43和可动梳齿预结构44是第三预结构的一个例子。
[0083]接着，如图6(C)所示，使用第二抗蚀剂掩模320对氧化膜层220进行APS蚀刻，使氧化膜层220中的从第二抗蚀剂掩模320露出的部分变薄。此时，不是将氧化膜层220完全蚀刻掉，而是留下较薄的氧化膜层220。对氧化膜层220进行的该蚀刻结束后，将第二抗蚀剂掩模320剥离。需要说明的是，也可以省略使氧化膜层220变薄的该工序。
[0084]接着，如图7所示，将玻璃基板600阳极接合到第一硅层210的表面上。玻璃基板600接合到第一硅层210中的未设有S i02膜260的部分上。
[0085]接着，形成用来从第二硅层230侧对SOI基板200进行蚀刻的最终掩模390(掩模形成工序)。最终掩模390是掩模的一个例子。首先，如图8所示，在第二硅层230的表面上形成S12膜620 ο具体而言，首先，通过背面研磨来加工第二硅层230，将第二硅层230减薄到希望的的厚度。接着，通过气相沉积(例如低压化学气相沉积)在第二硅层230的表面上形成S12膜620。
[0086]接着，如图9所示，在S12膜620和第二硅层230上形成第二对准标记231。详细而言，在S12膜620的表面上形成第三抗蚀剂掩模330。使用该第三抗蚀剂掩模330依次对S12膜620和第二硅层230进行蚀刻，从而在S12膜620和第二硅层230上形成第二对准标记231。随后，将第三抗蚀剂掩模330剥离。
[0087]接着，对S12膜620进行蚀刻来形成氧化膜掩模370，然后形成第五抗蚀剂掩模350。
[0088]首先，如图10(A)所示，在S12膜620的表面上形成第四抗蚀剂掩模340。在S12膜620的表面上涂布抗蚀剂后，利用第二对准标记231来布置规定的光掩模(例如镂空掩模(stencil mask))，并使该抗蚀剂曝光、显像，通过这样的方式形成第四抗蚀剂掩模340，这在后述第五抗蚀剂掩模350中详细地说明。光掩模是形成有开口的遮蔽部件，并且是能够与SOI基板200物理性分离的部件。在光掩模上规定了抗蚀剂掩模的位置关系。
[0089]接着，如图10(B)所示，使用第四抗蚀剂掩模340对S12膜620进行APS蚀刻，从而形成氧化膜掩模370。随后，将第四抗蚀剂掩模340剥离。
[0090]氧化膜掩模370具有覆盖住第二硅层230中的构成第一结构体和第二结构体的部分的形状。在图1O (B)的例子中，第二硅层230中的构成基部I的部分、构成第二铰链5的部分以及构成内侧固定梳齿电极61的部分被氧化膜掩模370覆盖住。氧化膜掩模370具有比其对应的结构体的最终形状还大的形状。
[0091]需要说明的是，在基部I中的与绝缘槽240对应的部分以及与供共用电极255设置的开口部245a对应的部分上未设有氧化膜掩模370。
[0092]接着，在第二硅层230和氧化膜掩模370上形成第五抗蚀剂掩模350。首先，在第二硅层230和氧化膜掩模370之上涂布抗蚀剂351。随后，如图11 (A)所示，在抗蚀剂351之上布置光掩模352。使用光掩模352来使抗蚀剂351曝光、显像，从而如图1l(B)所示，形成第五抗蚀剂掩模350。
[0093]第五抗蚀剂掩模350设在与第一结构体、第二结构体和第三结构体对应的位置。也就是说，构成第一结构体和第二结构体的部分被所述氧化膜掩模370和第五抗蚀剂掩模350双重覆盖住。在图11 (B)的例子中，在第二硅层230之上的与基部I对应的部分、与第二铰链5对应的部分以及与内侧固定梳齿电极61对应的部分处设有氧化膜掩模370和第五抗蚀剂掩模350。在第二硅层230之上的与反射镜2对应的部分以及与内侧可动梳齿电极62对应的部分处只设有第五抗蚀剂掩模350。在此，第五抗蚀剂掩模350具有与其对应的结构的最终形状相同的形状。因此，在第五抗蚀剂掩模350与氧化膜掩模370重叠的部分，氧化膜掩模370从第五抗蚀剂掩模350突出来。
[0094]接着，如图11(C)所示，通过蚀刻来除去因APS蚀刻而从第五抗蚀剂掩模350突出来的氧化膜掩模370。由此，在氧化膜掩模370与第五抗蚀剂掩模350重叠的部分，氧化膜掩模370形成为与第五抗蚀剂掩模350相同的形状。
[0095]这样一来，就形成包括氧化膜掩模370和第五抗蚀剂掩模350的最终掩模390。最终掩模390具有:与第一结构体的最终形状对应的第一掩模391;与第二结构体的最终形状对应的第二掩模392;与第三结构体的最终形状对应的第三掩模393。第一掩模391形成在第二硅层230的表面上的与基部I对应的部分以及与第二铰链5对应的部分处。第二掩模392形成在第二硅层230的表面上的与内侧固定梳齿电极61对应的部分处。第三掩模393形成在第二硅层230的表面上的与反射镜2对应的部分以及与内侧可动梳齿电极62对应的部分处。此夕卜，第一掩模391和第二掩模392具有形成在第二硅层230之上的氧化膜掩模370、以及形成在该氧化膜掩模370之上的第五抗蚀剂掩模350。氧化膜掩模370是下层掩模的一个例子，第五抗蚀剂掩模350是上层掩模的一个例子。另一方面，第三掩模393不包括氧化膜掩模370，只包括第五抗蚀剂掩模350。需要说明的是，在基部I中的与绝缘槽240对应的部分以及与供共用电极255设置的开口部245a对应的部分上未设有氧化膜掩模370，只设有第五抗蚀剂掩模350。
[0096]接着，使用最终掩模390来对第二硅层230和氧化膜层220进行蚀刻(第二蚀刻工序)。具体而言，首先，如图12(A)所示，对第二硅层230进行ICP蚀刻。其结果是，形成基部I和第二铰链5中的由第二硅层230构成的部分。此外，还形成内侧固定梳齿电极61。而且，第二硅层230中的与反射镜2和内侧可动梳齿电极62相对置的部分残留下来。
[0097]在此，由于最终掩模390具有与各结构体的最终形状对应的形状，因此在该工序中形成的、基部I和第二铰链5中的由第二硅层230构成的部分、以及内侧固定梳齿电极61形成为最终形状。
[0098]接着，如图12(B)所示，对氧化膜层220进行APS蚀刻。其结果是，氧化膜层220中的从最终掩模390露出的部分被除去。这样一来，由第一硅层210所形成的预结构41?44中的比最终掩模390还向外突出的部分就会露出。随后，将最终掩模390中的第五抗蚀剂掩模350剥离。
[0099]接着，使用氧化膜掩模370对第一硅层210和第二硅层230进行蚀刻。详细而言，通过将第五抗蚀剂掩模350剥离，如图13(A)所示，残留下来的第二硅层230中的未被氧化膜掩模370覆盖住的部分、也就是说与镜预结构43和可动梳齿预结构44相对置的部分就会露出。此时，基部I中的与绝缘槽240对应的部分以及与供共用电极255设置的开口部245a对应的部分也露出。而且，如上所述，预结构41?44中的从氧化膜层220突出来的部分也露出。在该状态下，通过进行ICP蚀刻，从而如图13(B)所示，第二硅层230中的与镜预结构43和可动梳齿预结构44相对置的部分、基部I中的与绝缘槽240和开口部245a对应的部分、以及预结构41?44中的从氧化膜层220突出来的部分被蚀刻掉。此时，氧化膜层220作为用来对预结构41?44进行蚀刻的掩模发挥作用。
[0100]在此，在图12(B)的工序中使用最终掩模390对氧化膜层220进行蚀刻，从而氧化膜层220形成为与最终掩模390同样的形状。也就是说，由于氧化膜层220具有与各结构体的最终形状对应的形状，因此在该工序中被蚀刻的预结构41?44形成为对应的结构体的最终形状。具体而言，基部预结构41形成为基部I中的由第一硅层210构成的部分的最终形状。第二铰链预结构42形成为第二铰链5中的由第一硅层210构成的部分的最终形状。镜预结构43形成为反射镜2 (镜本体21)的最终形状。可动梳齿预结构44形成为内侧可动梳齿电极62的最终形状。
[0101]需要说明的是，第二铰链5、反射镜2以及内侧可动梳齿电极62上的S12膜260以与预结构对应的形状残留着，并未形成为最终形状。
[0102]接着，如图14所示，通过APS蚀刻来除去氧化膜掩模370、位于绝缘槽240和开口部245a的底部的氧化膜层220、以及反射镜2和内侧可动梳齿电极62之上的氧化膜层220。
[0103]此时，第二铰链5、反射镜2和内侧可动梳齿电极62上的S12膜260也被除去而形成为最终形状。
[0104]需要说明的是，通过形成绝缘槽240，从而在基部I上形成有第一区域?第五区域241?245(在图14中只示出第一区域241、第三区域243和第五区域245)。
[0105]接着，形成电极和镜面层，并且通过引线键合将引线连接到该电极上。具体而言，如图15所示，使用光掩模(省略图示)，通过溅射在规定的部位上形成Au/Ti/Pt膜，从而形成电极和镜面层22。在图15的例子中，形成第一驱动电极251、第三驱动电极253和共用电极255。此外，在镜本体21的靠第二硅层230侧的表面上形成有Au/Ti/Pt膜，从而形成镜面层
22。随后，对第一驱动电极251、第三驱动电极253和共用电极255进行引线键合(参照图2)。[Ο?Ο?]这样一来，就制成了镜器件100。
[0107]在如上所述从SOI基板200的两面进行加工这样的制造方法中，重要的是从SOI基板200的一面进行加工时的位置和从SOI基板200的另一面进行加工时的位置之间的对位。例如，在上述制造方法中，通过利用形成在SOI基板200的两面上的第一对准标记211和第二对准标记231来进行从SOI基板200的一面进行加工时的位置与从SOI基板200的另一面进行加工时的