第二蚀刻工序中，通过利用所述第一掩模391和所述第二掩模392中的所述第五抗蚀剂掩模350、以及所述第三掩模393对所述第二硅层230和所述氧化膜层220进行蚀刻，从而形成所述第一结构体中的由所述第二硅层230和所述氧化膜层220所构成的部分的最终形状、以及第二结构体的最终形状，并且将所述第二硅层230和所述氧化膜层220中的位于所述第三结构体之上的部分形成为与所述第三结构体的最终形状对应的形状后，通过将所述第一掩模391和所述第二掩模392中的所述第五抗蚀剂掩模350、以及所述第三掩模393剥离，并利用所述第一掩模391和所述第二掩模392中的所述氧化膜掩模370、以及残留在所述第三结构体之上的所述氧化膜层220来对所述第二硅层230中的位于所述镜预结构43和所述可动梳齿预结构44之上的部分以及该镜预结构43和该可动梳齿预结构44进行蚀刻，从而形成所述第一结构体的最终形状以及所述第三结构体的最终形状。
[0152]根据所述结构，就包括第一硅层210、氧化膜层220和第二硅层230的基板来说，在第二蚀刻工序中，利用氧化膜层220作为掩模来形成第三结构体。而且，使第一掩模391和第二掩模392构成为具有氧化膜掩模370和第五抗蚀剂掩模350这样的两层结构，能够将氧化膜层220形成为希望的形状，从而将氧化膜层220作为掩模来利用。
[0153]在所述掩模形成工序中，使用规定了所述第一掩模391、所述第二掩模392和所述第三掩模393之间的位置关系的光掩模352来形成该第一掩模391、该第二掩模392和该第三掩模393。
[0154]根据这样的结构，在光掩模352的位置偏离了的情况下，第二掩模392、第三掩模393的位置也与第一掩模391—起偏离。其结果是，能够维持第一结构体与第三结构体之间的位置关系，并且能够维持第二结构体与第三结构体之间的位置关系。
[0155]<其它实施方式>
[0156]如上所述，作为在本申请中公开的技术的示例，对上述实施方式进行了说明。但是，本发明中的技术不局限于此，还能够应用在适当地进行了变更、替换、附加、省略等的实施方式。也能够将在上述实施方式中说明了的各构件组合成为新的实施方式。在附图和具体说明中记载的构件中，除了解决问题上必要的构件以外，还可以包含用于对上述技术举例的、在解决问题上非必要的构件。因此，不应该因为这些非必要的构件记载在附图或具体说明中，就直接认为这些非必要构件是必要的。
[0157]上述实施方式还可以采用下述结构。
[0158]所述镜器件100是电子器件的一个例子，能够应用所述制造方法的电子器件不限于该镜器件100。此外，镜器件100的结构也只是示例，镜器件100的结构不限于此。而且，第一结构体、第二结构体和第三结构体也只是示例。
[0159]此外，在所述制造方法中，存在具体地特定出了蚀刻的种类、成膜的方法的情况，但不限于这些种类、方法。也就是说，只要能够实现所述制造方法，蚀刻的种类没有特别的限制，成膜的方法也没有限制。此外，抗蚀剂掩模可以是正性抗蚀剂，也可以是负性抗蚀剂。而且，在所述实施方式中说明的材质和形状只是一个例子，本发明不限于这些材质和形状。
[0160]此外，在所述制造方法中，使用SOI基板作为基板，但基板的种类不限于此。只要是具有两个以上的层的基板，就能够应用所述制造方法。
[0161]而且，只要能够制造电子器件，可以对所述制造方法的各工序的次序进行替换或省略任一个工序。
[0162]此外，在所述实施方式中，对使用第二对准标记231来布置光掩模352时的位置偏离导致的最终掩模390发生位置偏离这样的情况下的电子器件的制造进行了说明，但发生位置偏离的机理不限于此。例如，只要最终掩模390的形成方法改变，发生最终掩模390的位置偏离的机理也会改变。所述制造方法不受最终掩模390的形成方法、发生最终掩模390的位置偏离的机理的限制。所述制造方法对于从一面对基板进行加工时的位置与从另一面对基板进行加工时的位置之间的偏离广泛有效。
[0163]一产业实用性一
[0164]如以上说明那样，在此公开的技术对于从基板的两面对基板进行加工的电子器件的制造方法有用。
[0165]—符号说明一
[0166]100镜器件(电子器件)
[0167]I 基部(第一结构体)
[0168]2 反射镜(第三结构体)
[0169]3 框体(第一结构体、第三结构体)
[0170]4 第一铰链(第三结构体)
[0171]5 第二铰链(第一结构体)
[0172]61内侧固定梳齿电极(第二结构体)
[0173]62内侧可动梳齿电极(第三结构体)
[0174]71外侧固定梳齿电极(第二结构体)
[0175]72外侧可动梳齿电极(第三结构体)
[0176]41基部预结构(第一预结构)
[0177]42第二铰链预结构(第一预结构)
[0178]43镜预结构(第三预结构)
[0179]44可动梳齿预结构(第三预结构)
[0180]200 SOI基板(基板)
[0181]210第一硅层(第一层)
[0182]220氧化膜层(第三层)
[0183]230第二硅层(第二层)
[0184]340氧化膜掩模(下层掩模)
[0185]350第四抗蚀剂掩模(上层掩模)
[0186]390最终掩模(掩模)
[0187]391 第一掩模
[0188]392 第二掩模
[0189]393第三掩模
[0190]372光掩模
[0191]R 凹部
【主权项】
1.一种电子器件的制造方法，在所述电子器件的制造方法中，对至少包括第一层和第二层的基板进行蚀刻来形成结构体，所述电子器件的制造方法的特征在于: 所述电子器件的制造方法包括: 从所述第一层侧对所述基板进行蚀刻的第一蚀刻工序； 在所述基板的所述第二层侧形成掩模的掩模形成工序；以及 利用所述掩模从所述第二层侧对所述基板进行蚀刻的第二蚀刻工序， 在所述第一蚀刻工序中，将所述结构体中的由所述第一层所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的预结构， 在所述掩模形成工序中，将与所述最终形状对应的掩模形成为布置在所述基板的所述第二层侧而且从所述基板的厚度方向看去时布置在所述预结构内， 在所述第二蚀刻工序中，通过利用所述掩模对所述第二层和所述预结构进行蚀刻，从而形成所述最终形状。2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于: 所述结构体具有由所述第一层和所述第二层所形成的第一结构体， 在所述第一蚀刻工序中，将所述第一结构体中的由所述第一层所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的第一预结构， 在所述掩模形成工序中，将与所述第一结构体的最终形状对应的第一掩模形成为布置在所述基板的所述第二层侧而且从所述基板的厚度方向看去时布置在所述第一预结构内，在所述第二蚀刻工序中，通过利用所述第一掩模对所述第二层和所述第一预结构进行蚀刻，从而形成所述第一结构体的最终形状。3.根据权利要求2所述的电子器件的制造方法，其特征在于: 所述结构体具有由所述第二层所形成的、不包含所述第一层的第二结构体， 在所述第一蚀刻工序中，通过对所述第一层中的与所述第二结构体相对置的部分进行蚀刻而在该第一层上形成凹部， 在所述掩模形成工序中，将与所述第二结构体的最终形状对应的第二掩模形成为布置在所述基板的所述第二层侧而且从所述基板的厚度方向看去时布置在所述凹部内， 在所述第二蚀刻工序中，通过利用所述第二掩模对所述第二层进行蚀刻，从而形成所述第二结构体的最终形状。4.根据权利要求3所述的电子器件的制造方法，其特征在于: 在所述掩模形成工序中，使用规定了所述第一掩模和所述第二掩模之间的位置关系的光掩模来形成该第一掩模和该第二掩模。5.根据权利要求2所述的电子器件的制造方法，其特征在于: 所述电子器件具有基础部、能够相对于所述基础部移动的可动部、以及将所述可动部和所述基础部弹性地连结起来的连结部， 所述连结部是所述第一结构体。6.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于: 所述结构体具有由所述第一层所形成的、不包含所述第二层的第三结构体， 在所述第一蚀刻工序中，将所述第三结构体中的由所述第一层所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的第三预结构， 所述掩模形成工序中，将与所述第三结构体的最终形状对应的第三掩模形成为布置在所述基板的所述第二层侧而且从所述基板的厚度方向看去时布置在所述第三预结构内， 在所述第二蚀刻工序中，通过利用所述第三掩模对所述第二层和所述第三预结构进行蚀刻，从而形成所述第三结构体的最终形状。7.根据权利要求6所述的电子器件的制造方法，其特征在于: 所述基板包括设在所述第一层和所述第二层之间的第三层， 在所述第二蚀刻工序中， 通过利用所述第三掩模对所述第二层和所述第三层进行蚀刻，从而将该第三层中的位于所述第三预结构之上的部分形成为与所述第三结构体的最终形状对应的形状后， 通过将所述第三掩模剥离，并利用残留在所述第三预结构之上的所述第三层对所述第三预结构进行蚀刻，从而形成所述第三结构体的最终形状。8.根据权利要求7所述的电子器件的制造方法，其特征在于: 所述结构体具有由所述第一层和所述第二层所形成的第一结构体， 在所述第一蚀刻工序中，将所述第一结构体中的由所述第一层所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的第一预结构， 在所述掩模形成工序中，将与所述第一结构体的最终形状对应的第一掩模形成为布置在所述基板的所述第二层侧而且从所述基板的厚度方向看去时布置在所述第一预结构内，所述第一掩模具有形成在所述第二层之上的下层掩模、以及形成在该下层掩模之上的上层掩模， 在所述第二蚀刻工序中， 通过利用所述第一掩模中的所述上层掩模、以及所述第三掩模对所述第二层和所述第三层进行蚀刻，从而形成所述第一结构体中的由所述第二层和所述第三层所构成的部分的最终形状，并且将所述第二层和所述第三层中的位于所述第三预结构之上的部分形成为与所述第三结构体的最终形状对应的形状后， 通过将所述第一掩模中的所述上层掩模、以及所述第三掩模剥离，并利用所述第一掩模中的所述下层掩模、以及残留在所述第三结构体之上的所述第三层来对所述第二层中的位于所述第三预结构之上的部分以及该第三预结构进行蚀刻，从而形成所述第一结构体的最终形状以及所述第三结构体的最终形状。9.根据权利要求8所述的电子器件的制造方法，其特征在于: 在所述掩模形成工序中，使用规定了所述第一掩模和所述第三掩模之间的位置关系的光掩模来形成该第一掩模和该第三掩模。10.根据权利要求6所述的电子器件的制造方法，其特征在于: 所述电子器件具有第一梳齿电极和第二梳齿电极，所述第一梳齿电极包括多根电极指，所述第二梳齿电极包括与所述第一梳齿电极的所述电极指交替地排列的多根电极指，所述第一梳齿电极是由所述第二层所形成的、不包含所述第一层的第二结构体， 所述第二梳齿电极是所述第三结构体。
【专利摘要】在从第一硅层(210)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第一蚀刻工序中，将第一结构体中的由第一硅层(210)所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的预结构。在将最终掩模(390)形成在SOI基板(200)的第二硅层(230)侧的掩模形成工序中，将与第一结构体的最终形状对应的第一掩模(391)形成为布置在预结构内。在从第二硅层(230)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第二蚀刻工序中，通过利用第一掩模(391)对第二硅层(230)和预结构进行蚀刻，从而形成第一结构体的最终形状。
【IPC分类】H01L21/3065, G02B26/08, B81C1/00
【公开号】CN105637405
【申请号】CN201480057389
【发明人】平田泰之, 松冈元
【申请人】住友精密工业株式会社
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年11月7日
【公告号】US20160200569, US20160202473, WO2015068399A1, WO2015068400A1