位置之间的对位。即使按上述方式进行对位，从SOI基板200的一面进行加工时的位置与从SOI基板200的另一面进行加工时的位置之间的对位仍有可能产生误差。例如，在从第一硅层210侧加工了SOI基板200后，当从第二硅层230侧加工第一硅层210时，最终掩模390的位置有可能发生偏离。在这样的情况下，就现有的制造方法来说，从第一硅层210侧加工成的结构体的位置与从第二硅层230侧加工成的结构体的位置会相互偏离。但是，根据上述制造方法，即使最终掩模390的位置偏离了，也能够准确地形成结构体。
[0108]详细而言，如图16(A)所示，一旦光掩模352的位置发生偏离，则如图16(B)所示，第五抗蚀剂掩模350的位置就会发生偏离。一旦第五抗蚀剂掩模350的位置发生偏离，则如图16(C)所示，最终形成的最终掩模390的位置也会发生偏离。其结果是，使用最终掩模390来形成的部分也会从本来的位置偏离。
[0109]特别是，就第一结构体即基部I和第二铰链5来说，由于由第一硅层210构成的部分已先形成，因此由第一硅层210构成的部分和由第二硅层230构成的部分之间的位置偏离就成为问题。
[0110]但是，在从第一硅层210侧加工SOI基板200时，第一结构体中的由第一硅层210构成的部分形成为比最终形状还大的预结构。而且，如图16(C)所示，最终掩模390中的第一掩模391形成为从镜器件100的厚度方向看去时布置在预结构内。也就是说，预结构的尺寸是考虑了可以设想到的最终掩模390的最大限度的位置偏离而设定的。也就是说，即使最终掩模390发生了可以设想到的最大限度的位置偏离，从镜器件100的厚度方向看去时，第一掩模391仍布置在预结构内。
[0111]需要说明的是，就布置光掩模352之前形成的氧化膜掩模370来说，也是考虑了可以设想到的光掩模352的最大限度的位置偏离而形成为比氧化膜掩模370的最终形状、也就是说最终掩模390的最终形状还大的形状。因此，即使光掩模352的位置偏离了，也能够防止形成在氧化膜掩模370上的第五抗蚀剂掩模350从氧化膜掩模370突出来。
[0112]然后，通过利用该第一掩模391来依次对第二硅层230和氧化膜层220进行蚀刻，从而如图17(A)所示，使第一结构体中的由第二硅层230构成的部分形成为最终形状，并且使氧化膜层220形成为与最终形状对应的形状。接着，通过利用氧化膜层220和第一掩模391中的氧化膜掩模370对预结构进行蚀刻，使第一结构体中的由第一硅层210构成的部分形成为最终形状。
[0113]如上所述，第一结构体中的由第一硅层210构成的部分和由第二硅层230构成的部分都是利用位置偏离了的最终掩模390来形成为最终形状。其结果是，虽然与最终掩模390的位置偏离了的量相应地，镜器件100整体中的第一结构体的位置发生偏离，但是由于能够防止第一结构体中的由第二硅层230构成的部分相对于第一结构体中的由第一硅层210构成的部分发生位置偏离，因此能够准确地形成第一结构体。
[0114]例如，一旦第一结构体即第二铰链5的形状变得不准确，第二铰链5的弹簧常数就会改变，从而反射镜2的驱动性能会变差。也就是说，通过准确地形成第二铰链5，能够提高支承反射镜2的第二铰链5的弹簧常数的精度，从而能够确保反射镜2的驱动性能。
[0115]在此，最终掩模390的位置发生偏离的主要原因之一为光掩模352的位置偏离。光掩模352的位置发生偏离这一情况意味着:不只是最终掩模390中的第一掩模391的位置发生偏离，最终掩模390中的第二掩模392的位置也发生偏离。
[0116]由于第二结构体不包含第一硅层210，因此当使用第二掩模392来蚀刻第二硅层230时，第一硅层210中的与第二结构体相对置的部分预先被除去而形成有凹部R。然而，一旦第二掩模392偏离到第一硅层210未被除去的部分，则使用第二掩模392来对第二硅层230进行蚀刻的结果是，会形成残留有第一硅层210的第二结构体。
[0117]相对于此，在上述制造方法中，如图16(C)所示，从镜器件100的厚度方向看去时，第二掩模392形成在预先形成于第一硅层210上的凹部R内。也就是说，凹部R是考虑了可以设想到的最终掩模390的最大限度的位置偏离而设定的，即使最终掩模390发生了可以设想到的最大限度的位置偏离，从镜器件100的厚度方向看去时，第二掩模392仍布置在凹部R内。
[0118]因此，通过利用该第二掩模392来对第二硅层230进行蚀刻，能够形成未残留有第一硅层210的第二结构体。也就是说，能够准确地形成第二结构体。
[0119]例如，一旦第二结构体即内侧固定梳齿电极61和外侧固定梳齿电极71的形状变得不准确，内侧固定梳齿电极61与内侧可动梳齿电极62之间的位置关系、以及外侧固定梳齿电极71与外侧可动梳齿电极72之间的位置关系就会出现偏差。其结果是，反射镜2的驱动性能会变差。相对于此，通过准确地形成内侧固定梳齿电极61和外侧固定梳齿电极71，能够确保反射镜2的驱动性能。
[0120]而且，根据上述制造方法，由第一硅层210所形成的、不包含第二硅层230的第三结构体也在从第二硅层230侧加工SOI基板200时形成为最终形状。由此，即使最终掩模390的位置偏离导致镜器件100整体中的第一结构体和第二结构体的位置发生了偏离，也能够维持第三结构体与第一结构体之间的位置关系、以及第三结构体与第二结构体之间的位置关系。也就是说，第三结构体是在从第二硅层230侧对SOI基板200进行加工时，通过使用最终掩模390进行蚀刻而被形成为最终形状的。一旦最终掩模390的位置发生偏离，第一掩模?第三掩模391?393的位置也一律地发生偏离。因此，在第一结构体和第二结构体形成在偏离了的位置上的情况下，第三结构体也同样地形成在偏离了的位置上。其结果是，第三结构体与第一结构体之间的位置关系、以及第三结构体与第二结构体之间的位置关系得以维持。而且，就第三结构体来说，与第一结构体同样地，通过在第一蚀刻工序中，将第一硅层210形成为比第三结构体的最终形状还大的预结构，并且在掩模形成工序中，将第三掩模393形成为从镜器件100的厚度方向看去时布置在预结构内，从而能够准确地形成第三结构体。
[0121 ]例如，就既是第一结构体也是第三结构体的框体3来说，由于第三结构体与第一结构体之间的位置关系得以维持，因此能够将框体3形成为准确的形状。此外，由于第一结构体即第二铰链5与第三结构体即反射镜2之间的位置关系得以维持，因此能够防止反射镜2的倾动轴的偏离。而且，由于第二结构体即内侧固定梳齿电极61与第三结构体即内侧可动梳齿电极62之间的位置关系得以维持，因此能够防止反射镜2的驱动性能变差。同样地，由于第二结构体即外侧固定梳齿电极71与第三结构体即外侧可动梳齿电极72之间的位置关系得以维持，因此能够防止反射镜2的驱动性能变差。
[0122]需要说明的是，镜器件100的制造方法不限于上述方法。
[0123]例如，在上述制造方法中，就所有的第一结构体来说，在从第一硅层210侧加工时，将由第一硅层210所构成的部分形成为预结构，然后在从第二硅层230侧加工时，形成由第二硅层230所构成的部分，并且将由第一硅层210所构成的部分从预结构形成为最终形状。此外，就所有的第三结构体来说，从第一硅层210侧形成预结构，然后从第二硅层230侧将预结构形成为最终形状。但是，没有必要按这样的方式来形成所有的第一结构体和第三结构体。可以是只有第一结构体和第三结构体中的、要求从一面加工的部分和从另一面加工的部分之间的位置精度的结构体按上述方法那样，从一面形成预结构，并从另一面将预结构形成为最终形状。例如，在镜器件100中，就第一结构体中的第二铰链5来说，一旦由第一硅层210所构成的部分的位置与由第二硅层230所构成的部分的位置之间相互偏离，则弹簧常数就会改变，因此要求这两个部分之间的位置精度。另一方面，就第一结构体中的基部I来说，虽然优选位置精度高，但即使由第一硅层210构成的部分的位置与由第二硅层230构成的部分的位置相互偏离了，也不会对镜器件100的性能造成太大的影响。此外，虽然第三结构体本身是由第一硅层210所形成，不包含第二硅层230，但是第三结构体中的内侧可动梳齿电极62和外侧可动梳齿电极72分别与由第二硅层230所形成的内侧固定梳齿电极61和外侧固定梳齿电极71协作来产生静电引力。因此，与例如反射镜2和第一铰链4等其它第三结构体相比，要求内侧可动梳齿电极62和外侧可动梳齿电极72具有较高的相对于由第二硅层230所构成的结构体的位置精度。如上所述，只有第一结构体和第三结构体中的要求具有高位置精度的结构体按照上述那样的从预结构到最终形状的次序来形成，其它部分则适当地以较容易的方法来制作即可。
[0124]以下，对变形例所涉及的制造方法进行说明。在以下的说明中，以与上述制造方法不同的部分为中心进行说明，对于同样的工序则省略其说明。图18?图24是沿图1中的A-A线剖开的镜器件100的剖视示意图。
[0125]在第一变形例的制造方法中，如图18所示，从第一硅层210侧对SOI基板200进行蚀刻时，在第一硅层210上形成:第二铰链5中的由第一硅层210构成的部分的预结构45;内侧可动梳齿电极62的预结构46;以及内侧可动梳齿电极62的预结构(省略图示)。需要说明的是，基部I中的与第二铰链5的预结构45相对置的部分也形成为预结构47，框体3中的与第二铰链5的预结构45相对置的部分也形成为预结构48。另一方面，下述部分在该工序中形成为最终形状，即:框体3中的只由第一硅层210所构成的部分(第一边部31的中间部分和第三边部33的中间部分)；反射镜2;第一铰链4;基部I中的不与第二铰链5的预结构45相对置并且由第一硅层210构成的部分。基于与其它结构体之间的关系，框体3中包括形成为预结构的部分和形成为最终形状的部分。而且，框体3中还包括在从第一硅层210侧对SOI基板200进行蚀刻的工序中不被加工，全都在从第二硅层230侧对SOI基板200进行蚀刻的工序中形成的部分。
[0126]需要说明的是，在变形例所涉及的制造方法中，不进行在图6(C)中示出的、使氧化膜层220变薄的工序。
[0127]接着，从第二硅层230侧对SOI基板200进行蚀刻时，首先，形成如图19所示的最终掩模390。最终掩模390具有:与第一结构体对应的第一掩模391;与第二结构体对应的第二掩模392;与第三结构体对应的第三掩模393。第一掩模391具有氧化膜掩模370和第五抗蚀剂掩模350，第一掩模391形成为与基部I的最终形状和第二铰链5的最终形状对应的形状。第二掩模392具有氧化膜掩模370和第五抗蚀剂掩模350，第二掩模392形成为与内侧固定梳齿电极61的最终形状对应的形状。第三掩模393不包括氧化膜掩模370，只包括第五抗蚀剂掩模350。第三掩模393至少覆盖住第一结构体的最终形状的部分，但不覆盖住第一结构体的预结构中的从最终形状突出来的部分。
[0128]使用该最终掩模390对第二硅层230和氧化膜层220进行蚀刻。首先，对从最终掩模390露出的第二硅层230进行ICP蚀刻。接着，对因ICP蚀刻而露出的氧化膜层220进行APS蚀亥IJ。由此，预结构中的从最终形状突出来的部分就会往第二硅层230侧露出。接着，如图20所示，将最终掩模390中的第五抗蚀剂掩模350剥离。通过将第五抗蚀剂掩模350剥离，第二硅层230中的不构成第二结构体(内侧固定梳齿电极61)和第三结构体(基部1、框体3以及第二铰链5)的部分就会露出。然后，使用氧化膜掩模370对第二硅层230和第一硅层210进行蚀亥IJ。其结果是，第二硅层230中的构成第二结构体和第三结构体的部分以外的部分被除去，第一硅层210的预结构45?48形成为对应的结构体的最终形状。需要说明的是，在该阶段中，第二铰链5、反射镜2和框体3上的S12膜260以与预结构对应的形状残留着。
[0129]接着，通过APS蚀刻来除去:氧化膜掩模370;第一结构体(反射镜2、第一铰链4、框体3和内侧可动梳齿电极62)之上的氧化膜层220;反射镜2、第二铰链5和框体3上的S12膜260中的、从反射镜2、第二铰链5和框体3的最终形状突出来的部