入的扫描信号。扫描信号控制有源元件的开关。在将后述的有源元件开启的情况下，扫描信号的电压值为比后述的公共电极95的电位高的高栅极电压，在将有源元件关闭的情况下，扫描信号的电压值为比公共电极95的电位低的低栅极电压。扫描信号线9为例如钼钨合金等金属制。需要说明的是，扫描信号线9还可以为钛铝合金制。
[0050]绝缘层98形成平板状。将绝缘层98设置在未设置有扫描信号线9的绝缘层97上、及扫描信号线9上的整个范围。绝缘层98例如为氮化硅制。
[0051]此外，在绝缘层98中，相对于每I个亚像素形成2个孔，所述孔沿上下方向贯通，并为朝向下方前端越来越细的形状。将形成于绝缘层98中的2个孔分别形成在形成于绝缘层97中的2个孔的上侧。形成于绝缘层98中的孔在半导体层94上的一部分沿上下方向贯通，并为朝向下方前端越来越细的形状。绝缘层98的2个孔的下端形状可以与形成于绝缘层97中的2个孔的上端形状相同。
[0052]中继电极7具有平板部72和突出部71。平板部72设置于绝缘层98上。平板部72为比沿着亚像素的边界上方的扫描信号线9彼此之间的间隔、及影像信号线8彼此之间的间隔小的板状，例如在俯视下为矩形。中继电极7为例如钛铝合金等金属制。
[0053]此外，突出部71以在平板部72的中央附近与平板部72连续的方式设置。突出部71例如为圆锥形状或圆锥台形状，并向下方突出。在突出部71的内部填充有彩色滤光片I，为朝向下方前端越来越细的形状。突出部71的侧面沿着绝缘层98的孔及绝缘层97的孔设置，下端与半导体层94的上表面接触。
[0054]影像信号线8与设置于各像素的后述有源元件即TFT(Thin Film Transistor)连接，在有源元件为导通的状态时施加影像信号，由此向后述的液晶层400施加电压。影像信号线8与设置于有源元件基板200的影像信号电路连接。影像信号线8导通从影像信号电路输入的影像信号。影像信号线8为钛铝合金等金属制。需要说明的是，影像信号线8还可以为钼钨合金制。
[0055]影像信号线8具有线状部81和突出部82，在俯视下形成线状。线状部81设置于绝缘层98上。线状部81在俯视下沿着与扫描信号线9垂直的方向设置。线状部81为具有直线部分和弯曲部(在俯视下在与扫描信号线9交叉之处弯曲)的大致直线状。在沿着扫描信号线9的方向上相邻的弯曲部分别向同一方向弯曲。另一方面，在与扫描信号线9垂直的方向上相邻的弯曲部彼此向相反方向弯曲。需要说明的是，扫描信号线9可以为与影像信号线8垂直的直线状。
[0056]此外，突出部82设置于线状部81中的中继电极7的附近。突出部82例如为圆锥形状或圆锥台形状，并向下方突出。在突出部82的内部填充有彩色滤光片I，为朝向下方前端越来越细的形状。突出部82的侧面沿着绝缘层98的孔及绝缘层97的孔设置，下端与半导体层94的上表面接触。
[0057]如上所述，将中继电极7的平板部72和影像信号线8的线状部81设置于同一层，中继电极7的突出部71和影像信号线8的突出部82与相同的半导体层94接触。
[0058]图5是实施方式I中的有源元件基板200的俯视图。图5示意性地表示彩色滤光片I。
[0059]将彩色滤光片I设置于中继电极7上、影像信号线8上、和未设置有中继电极7或影像信号线8的绝缘层98上的整个范围。彩色滤光片I为包含颜料粒子的负型有机光致抗蚀剂即绝缘体制。彩色滤光片I的厚度例如为I?3[μπι]。
[0060]彩色滤光片I包括红色滤光片15、绿色滤光片16及蓝色滤光片17。按各亚像素设置红色滤光片15、绿色滤光片16及蓝色滤光片17中的任一个，并且以各种颜色在沿着扫描信号线9的方向上周期性重复的方式并列设置。
[0061]I个像素包括分别具有I个红色滤光片15、绿色滤光片16及蓝色滤光片17的亚像素。此外，将像素在沿着影像信号线8及扫描信号线9的方向上分别并列设置。需要说明的是，影像信号线8沿着红色滤光片15、绿色滤光片16及蓝色滤光片17各自的边界设置。
[0062]红色滤光片15、绿色滤光片16及蓝色滤光片17例如分别为同一尺寸的矩形，但尺寸及形状并不限于此。需要说明的是，彩色滤光片I还可以为其他颜色的滤光片。此外，彩色滤光片I也设置于突出部71及突出部82的内部。
[0063]进而，在彩色滤光片I中形成有孔。彩色滤光片I的孔形成于平板部72的上方。彩色滤光片I的孔沿上下方向贯通，为朝向下方前端越来越细的形状。对于彩色滤光片I的孔而言，例如，上端为直径约4[μπι]的圆形，下端为直径约2[μπι]的圆形。
[0064]第二绝缘层2设置于彩色滤光片I上。第二绝缘层2例如为正型有机光致抗蚀剂制。第二绝缘层2的厚度例如为I?2[μπι]。在第二绝缘层2中，在彩色滤光片I的孔的上侧形成有孔。第二绝缘层2的孔沿上下方向贯通，形成朝向下方前端越来越细的形状。对于第二绝缘层2的孔而言，例如，上端为直径约8[μπι]的圆形，下端为直径约6[μπι]的圆形。
[0065]公共电极95设置于第二绝缘层2上。公共电极95形成为遍及各亚像素的几乎整个区域内的板状。此外，公共电极95还可以形成沿与后述的像素电极6相同方向或大致相同方向伸长的带状。公共电极95为例如IT0(Indium Tin Oxide)、IZ0(Indium Zinc 0xide)、IG0(indium gallium oxide)等氧化铟物质等透明的导电性物质制。公共电极95经由布线与例如扫描电路连接。公共电极95的电压值可以保持恒定，但为了减少闪烁，电压值可以与扫描周期一同变化。
[0066]在公共电极95中形成有孔。公共电极95的孔比形成于第二绝缘层2中的孔的上端大。公共电极95的孔的周缘与第二绝缘层2的孔的周缘形成层差。
[0067]图6是实施方式I中的有源元件基板200的俯视图。图6示意性地表示公共布线4。
[0068]公共布线4设置于公共电极95上。公共布线4与公共电极95电连接，优选设置在公共电极95的正上方。公共布线4例如为铬钼合金制。另外，公共布线4可以为电阻比公共电极95低的材料制，还可以为铝硅合金制。
[0069]公共布线4沿着影像信号线8及扫描信号线9设置。沿着影像信号线8的公共布线4比影像信号线8更宽，在俯视下，优选与影像信号线8的全部重叠。
[0070]沿着扫描信号线9设置的公共布线4比扫描信号线9更宽，在俯视下，优选与扫描信号线9的全部重叠。此外，公共布线4的宽度比第二绝缘层2的孔的直径更宽。在公共布线4中设置有与第二绝缘层2的孔呈同心圆、且比第二绝缘层2的孔的上端更大的孔。
[0071]在公共电极95为ITO制的情况下，与金属制的情形相比，电阻较高。尤其是在公共电极95的电压值发生变化的情况下，存在电压值的变化发生延迟的情形。由于公共布线4的电阻值比公共电极95低，所以能够立即传达信号，抑制电压值的延迟。
[0072]图7是实施方式I中的有源元件基板200的俯视图。图7示意性地表示反射抑制膜5。
[0073]反射抑制膜5设置于公共布线4上。反射抑制膜5在俯视下为与公共布线4相同的形状。在俯视下，反射抑制膜5可以比公共布线4更宽。
[0074]反射抑制膜5例如为含有黑色粒子的非感光性的有机高分子膜制。反射抑制膜5的厚度为0.5[μπι]。此外，对于反射抑制膜5而言，为了同时实现抑制对比度的降低及抑制厚度，0D(0ptical Density)值优选为0.5?1.0。
[0075]另外，反射抑制膜5例如可以为氮化钛制。这种情况下，反射抑制膜5的厚度为120?140[nm]。
[0076]另外，反射抑制膜5还可以为利用了干涉效应的多层膜。这种情况下，反射抑制膜5例如为从靠近公共布线4 一侧层合有第一低折射率层、高折射率层、第二低折射率层的结构。这种情况下，例如第一低折射率层和第二低折射率层为IT0、IZ0、IG0等氧化铟物质制，高折射率层为钼铌合金制。
[0077]从上侧射入有源元件基板200后的外部光线通过反射抑制膜5并被公共布线4反射后，再次通过反射抑制膜5。如上所述，由于光通过反射抑制膜5两次，所以如果将反射抑制膜5的透过率设为T、将公共布线4的反射率设为R，则公共布线4和反射抑制膜5的层合体的反射率为T2R。在例如