基板抛光的方法和装置的制作方法

专利名称：：基板抛光的方法和装置的制作方法SWtt的方法和錢駄领域本发明涉及一种抛光将被抛光的材料(如半导体)的^光装置，其可消除由于在表面上的残留膜的非一致性(其主要是由这种耗材的老化变化导致)弓胞的产率降低，并延长这种耗材的寿命以M^、运行成本，以及实施该抛)fe^S的方去。
背景技术：
：近年来，随着半导，件逐^t也小型化并且元件结构^ra复杂，半导体器件往往在表面具有更大的粗離和更大的梯度(step)。因此，形成于这些梯度上的膜厚度更小，并且由于金属线连接断开可发生断路，布线层之间的不良绝缘弓l起的短路，导致更低的产率。在解决这些问题的平面4战术中，在布置绝缘膜和布线鍋膜期间(例如在半导体±制造半导#^件过翻间)，使用化学mWfi光(CMP)以平面4七^ffi粗糙。在CMP中，舰，即被抛光的物体，被挤压贴在由琉布^S^朴斗制成的抛光垫上，并且翻和抛光垫相对于彼此滑动，其间供以抛光浆液以:基板。已经发现，在抛光垫表面形成的同心離状沟槽对于在CMPlira间将足量的抛M液t幾深AS^的中心区域是非常有效的。财卜，CMP还涉皿胃的垫调理(padconditioning),以用金刚石盘^^似物修,表面，从而去除可育激附于1^^面的:碎屑。在Wfc觀叠在SIO:的布线金属和绝繊至鹏光的CMP过程中，用于生产线的抛光^K牛在之前已经被优化了，以使#^光在相同的劍牛下进行1^抛鄉件达到优化斜牛下的极限消耗水平。但是，随着;部件被消耗，对鎌上的誠线和纟M^a行wtt后的表面皿(戶腿的"抛皿廓")会随着时间的M与抛光部件的消齡JC平同步改变。一般地，抛光部件在其老化变化影响器件性會&前戶服定的适当时机换。随着半导，件的小型化，布线层的数量增加，近年^ii^M更快，表面轮廓(即布线金属和乡櫞膜在抛光后的W:轮廓)所需的平M更高。特别地，抛光轮廓允许的老化变化在小型化的器件和具有更多层的器件内更为都艮，导致消耗的抛光部件的置换频率更高。但是，CMP的消耗部件如此昂贵，使得磨损损失弓胞的置换频率的增高将极大地影响器件的成本。—般地，通常都知光量Q可根据关系式Q^lqwAt以一定精确度进行预测(其中，Q表示抛光量；k是由抛光垫的材料、抛光液以及鎌和类似物决定的系数；p是加工压力，v是移动速度，并且At是抛光时间)，这;1$页域公知的普雷斯顿i圣验公式，并且普雷斯顿经验公式在CMP中通常也^:的。但是，在CMP中，基于化学鹏的抛^M极^i也受到加工鹏的影响，从而使IK某些膚形下4歐隹,普雷斯顿经验公式以高精确度预测抛光量。形卜，抛光垫的表面内的沟槽中的抛光浆液的状态遵循流体力学，并且因此是;f^虑在普雷斯顿经验公式中的。此外，普雷斯顿公式不能包战些因素，如与垫调理器的切割速率^^有关的不充州彦整以及被去除的抛光碎屑的im减少。
发明内容本发明针对前述的问题而提出，并且本发明的目的在于，抛光装置内基于普雷斯顿公式的模拟器自动地优化加工压力，充分地监控甚至普雷斯顿公式都不包括的参数，从而提高校正精确度，并且实现与誠电路日益小型化相关的均一的抛光轮廓。本发明的另一个目的在于正确地管理耗材的状态，该耗材通常在加工一定M的,后M换以延^i材的^^Wd^行^。为实5JLh^目的，根据本发明的抛光^S包括顶环，用于抓持将光的物体如晶片，同时将>1抛光的物体压紧在抛光部件上，从而抛光将被抛光的物体。顶,在旨同心分割的区域内任意;W将W^的物体设置压力，并因雌制作用于将W^t的物体上的压力。因此，如果^I^Wtt的物^^有被抛光为平面形状，用于所需:量的压力将会卜地加于例如没有^5分的部位，从而使得可能Jlf共带有高精度平ffi的高旨性能。顶环的区域内的压力通常被设定成，为形成于被抛光物体上的布线金属或内层绝缘膜提供平坦表面。一般地，该压力往往根据工程师的经验值设定，因此若干将被抛光的物限定劍牛以将被抛光的物体表面抛光为平坦的之前必须丰M光，以用于调整。因此，本发明利用第一模拟f骄，其接l&J^顶环的齡区域的压力设定割牛，以佐测将被抛光的物体的抛光轮廓。已经发现，第一娜禾M)Wi行的模拟的结果与抛光得到的真，廓相比仅有1-5%的误差。本发明可M^、己经用于压力设定阶段的将被抛光的物体的浪费，同时可通过模拟即时预测抛光轮廓，并且据此也可M^、设定压力所需的时间。因为第一模拟禾辨可简单地更新抛光系数(该系数包括由于垫和浆麵受的影响)，其可颜残留膜(或抛光微)的制犬的观懂结果以较小数量的测量点得到，从而预测在抛光后位于大量一剛量点处的点的位置的残留膜的厚度，模拟禾歸可轻易校正抛光部件中如浆液、垫和类似物的变化导致的影响，并且可预观败正后设定的抛光剝牛下的抛光轮廓。当4顿在第H^乂辦中,光剝牛设定值Pf逝的m结果顿抛絲数时，驗可减至1-3%。当将Wt的物條真实的半导体妒线上随后被m时，在将鹏光的依次排列的物体之间的抛光剝牛设定值没有较娃异，因此可在更高精度下进行模拟。当测定的抛光靴的点的数量较少时，m系数可i顿由湖啶点光滑内插的曲线进衍十算。本发明isi供在所需厚度的晶片表面生,形状，从而提供了一种所需的轮廓。为此目的，在本发明中，所需的抛光时间、平,光量以及残留膜的形状(也可^ffl抛光形状)被输入以计算每个区域的设定压力，从而满足第二模拟禾ijf的^j牛。第一模拟禾M^以模，式被合并人第二模^g0。第一模拟，计算在一定设定压力下抛光轮廓的预定值，并皿二，Me^将该预定值与所需的抛光轮廓进行比较，从而计算设定压力的修正值。当第二模^^用于重复计算抛光轮廓的预定餅且计算设定压力的修正值时，这样可會針算^a0f需抛光轮廓的设定压力。此处，设定ti^时间可被看作参考值(目标值)，并且在实际上被终端点系控的残留膜的!&到预定值0光可终止。因为过去平均抛光量简单地被保持稳定，本发明还控制并稳定m后的平m或残留膜的所需微。因此，在本发明中，在一个将被m的测试物体优选被加工以更新抛光系数后，第二模拟,找至批化抛光劍牛以ji^所需m时间、平均抛光量和残留膜柳。当将被抛光的物#匕优髓光割牛下被抛光时，抛光系数基于抛光部件的消耗離被适当地魏，从而再次优tt^光条件以稳定地提供所需抛光时间、平均抛光量和残留膜的形状。此处，当将被抛光的物体被抛光的抛光剝牛可被反馈用于随后的抛光时，考虑到受抛光后残留膜的平整度的精度影响的反馈控制精度以及抛光条件，可以极高的精度保证将被抛光的物体的质量。本发明可得至ij与抛光微相关的t^，不仅可用于由光学测M^a观啶的生鹏，而且可用于〗顿可测量金属膜以传导反馈控帝啲测觀置的金属膜，并且富于通常目的的特性，因为它不仅仅限于CMP加工。itw卜，厚度的l^可fflil任意选择的方法而获得，如使用抛光期间可进行监控的测量装置的测量方法，测量抛光后被转移至测觀置处的晶片的方法，纟維于CMP^g^卜部的测S^g观啶的ta^链并且将娜输入CMP錢的方法，籍。财卜，前述的方法可任意组合，以使用不同方法获ffM光前和抛光后的厚ra^等等，以便于操作。财卜，在本发明中，校正精度通过充分M控普雷斯顿公式没有包括的参数来提高，并且实现了与集成鹏的日益小型化同步所需的Htt晶片微的一致性。为此目的，本发明甚至考虑了晶片的抛光表面的温度、垫片的厚度、垫片内的沟槽的離以及修整器的切害瞇率{|^控制:操作。因此，本发明的权利要求1臓的实施例Jli共了一种S^制单元的控制下对将Wfc物体进行抛光的ti^g，包括顶环，其具有至少两个压紧部分，并且育^从每个^ffi紧部分对将舰光的物^加任意压九用于测量将W^的物体的W!:量的测^置；以及^^的物体的:扰态的^2，戶;^^g的特征在于戶;f^制单元根据一个模扑鹏迫使抛^g抛光将W6的物体，臓模拟^s于戶腿测s^置的输出和所皿控装置sm出对戶脱顶环设定优化将ITOfc的物体的Wfc轮廓所需的加工压力。权利要求2戶腿的本发明的特征在于0MM少两个压紧部他括多个同心气袋以及围^^f^气袋的卡环，并i^M卡环的压力被保持在大于戶;f^气袋施加的压力的总和的平均值的20%。权利要求3所述的本发明的特征在于，当所iM^置的输出指示戶;f^卡环的磨损损失低于阈值，戶;MS制单元j际戶;^Wfc^a停雄光。权利要求4戶腿的本发明的特征在于，当监控装置的输出指示将im)fc的物体的表面驢超过预设鹏，控制单元停止〗顿模拟禾骄或指示抛^S停止抛光，并且当鹏装置的输出指示表面鹏低于预设值时，控制单元指示抛條置继续抛光。本发明的权利要求5中，抛^S还包括抛光垫，用于^0W^MM顶环压紧将被抛光的物体的状态下抛光将被抛光的物体，所^:装置的特征在于当所M控装置的输出指示所述抛光垫的厚度低于阈值时，戶;^制单元停止舰模拟辦或指示戶;w^^g停iUtt。权利要求6戶皿的本发明的特征在于，戶;^控^g包括激光位移量测定仪，用于测a^MM光垫的厚度。在本发明的权利要求7中，抛^S还包括抛，，用于^E^Wtt,顶环压紧的状态下抛光将被抛光的物体，以及包括调s^述mi!的修整器，戶膽抛光^s的特征在于当戶腿监控装置的输出指示所述修整器的切害腿率低于阈值时，戶;Mg制单元停止^ffl模概骄，或^^戶;few^s停ihm。权利要求s，的本发明的特征在于，切害腿率iOT驱动戶;M修整器用的电机的i^Ba行监控。权利要求9臓的本发明的特征在于，戶;M控制单元可根据鹏状态调节鹏的浆液量。通常地，抛光装置具有作员输入操作割牛的触摸面板，并且当控带惮元指示抛，置停止，模拟程序时，该命令显示^M^面板上。作为响应，操作员确定抛光是否继续或者停止。此外，通过在触摸面板上的操作可进fiii先设定，以当控制单元产生停止顿模^1^的指示时选择停±:的设定。图1为大体示出根据本发明的m^S的一个实施例的俯视图2为图1的m^g的透视图3为描述图1的抛光装置的鹏部件的示意图4为描述图1的抛條置的某些部件的示意图5为描述用于图1的抛;)t^a的顶环的结构的截面图6为描述在图1的抛光體中收翻舰率分布M的过程的流程图7(A)为总体描述在图1的抛光驢中4顿激光位移量测定仪检测m垫厚度变化的结构的示意图，并且图7(B)为示出激光位移量测定仪的输出随着时间变化的示意图8(A)为示出^顿或不i顿根据本发明的抛光方法得至啲测定值的比较表，图8(B)为示出比较结果的示意图9(A)至9(C)分别为当抛光垫为新的时在CMP(A)之前的晶片上的膜厚度、在CMP(B)之后的晶片上的膜厚度以及抛光速率(C)的曲线图10(A)至IO(C)分别为当m垫已被消耗0.1mm时在CMP(A)之前的晶片上的膜厚度、在CMP(B)之后的晶片上的膜厚度以及抛率(C)的曲线图；并且图ll(A)至ll(C)分别为当抛已被消耗0.2謹时在0^(A)之前的晶片上的,度、在CMP(B)之后的晶片上的麟度以及抛^i率(C)的曲线图。下面，将结合附图描述根据本发明的抛光方法和装置的^F实施例。首先，,本发明的W^S的一个实施例将结合图1和图2述，图1为示出抛^S的各^IH牛的结构和布局的俯视图，图2为示出M^S的舰图。在图1和2中，安装于区域A、B的两个Wfc站台(polishingstation)共用的微机构包括单独安装的直线41器，每个直线传输器都包括两个直线往复平台(stage),m^线往复平台分别是专用于两个抛形占台的^liTOl。稱哋，图1和2所示的M^g包括四个装敷卸载台2IMit,叠多个晶片的晶片盒1。具有两只手的mg机器人4位Tig^S3上，从而其手可够至蝶薪卸载台2上的旨晶片盒1。运fi^S3以直线电机为基础。M:^ffl基于直线电机的运行装置，即使晶片的直径和重4ii加也可确保高速和稳定的传输。在图1所示的M^S中，运载晶片盒1的装歡卸载台2包括一个SMIF(标准制造接口)舱自其外部连,敷卸载台的FOUP(前开口式S^舱)。SMF和FOUP都是密闭的容器，在其内接收晶片M^^分隔件将皿盖，以保持与外界空间隔离。当SMIF或FOUP作为^置的装敏卸载台2被安装时，M^丁开位于M^g的壳体H上的闸板S以及SMF或FOUP的闸板，抛光装置与晶片盒被合并为一体。在终止ii光步骤后，SMEF或FOUPM:闭合闸feiAIW:,上分离，并且自动i喊手动地被j输至另一个加工步骤，因此保持了内部环境的清洁。为此目的，3iil在晶片返回盒子前刚刚乡纽的区域C上方的化学过滤器形成了向下清洁空气流。财卜，因为直线电mffi于移动^it腊人4，就抑制了M^f区域C的环境更力征常。itl^卜，为{親晶片盒1内的晶片清洁，可4顿包含化学过滤器和风扇的清洁盒以利用自身维持其内的清洁度，以用于密闭容器如SMIF和FOUP。在晶片盒1的相反两侧、相对于,机器人4的运fi^置3地设置了两台清洗机5、6。旨清洗机5、6者啦于^ig机器人4触手可及的位置。晶片站50包括四个半导体晶片基座7、8、9、10，且位于两个^5tm5、6之间艇机器人4触手可及的涯设置挡隔件14以将设置了清洗机5、6和基座7、8、9、IO的区域D与设置了晶片盒1和H^机器人4的区域C的清洁度分级。挡隔件14在一个开口处具有闸板ll以将半导体晶片从一个区:ls旋至另一个区域。^t机器人20位于MiE机器人20触手可及清^l几5和三个基座7、9、10的^S，并^Mitm^人21位于liit机器人21触手可及清6和三个基座8、9、10的健。清舰22位于清舰5的,和鹏几器人20的手可舰的織雌，衞Ml234立于清iML6的Pftifi和^i^皿人21的手可MSi的位置。ltbm22、23可衝冼晶片的Mffi。所有这些清洗机5、6、22、23，晶片站台(waferstation)50的基座7、8、9、10，以Mit机器人20、21搬于区域D，其中空缀力被调节至低于区域C的空气压力。图1和2所示的抛^S具有围绕M^置的壳体H，并且壳体H被分隔件14、24A、24B分隔为多个室(包括区域C，D)。分隔件24A、24BP艮定了与区域D分开的、形成两个抛光室的两个区域A、B。两个区域A、B的^h都包括两个抛光台(polishingtable)，以及一个抓持半导体晶片并且将其压紧在鹏台的同Btm该半导体晶片的顶环。特别地，抛光台34、36位于区域A,同日光台35、37位于区域B。顶环32设置在区域A，且顶环33设置在区域B。此外，在区域A内还设置研磨液喷嘴40以向抛光台34掛期开磨液，以及机械修整器38以修翻光台34，同时在区域B體研磨液喷嘴41以向抛光台35提^5开磨液，以及,修整器39以修光台35。此外，在区域A内设置修整器48以修整抛光台36，同时在区域B内设置修整器49以修整抛光台37。除机械修整器38、39之外，鹏台34、35包括喷雾器44、45，戶腐喷雾器44、45是舰修整器。喷雾器将液体(例如，船JO与气体(例如，氮气)混合成喷雾流体混合物，从多倾嘴吹向抛光表面从而冲洗抛舰以及抛光表面上堆积離塞的泥点。通过喷雾器的流体压力进行的抛光表面的清洁，以及修整器38、39Mi共的涉及机,触的抛光表面修整，可实IJ^Mim的修整，即抛光表面的恢复。图3为示出顶环32与抛光台34、36之间关系的示意图。可以理解，33与抛光台35、37之间建立类似的关系。如图3所示，顶环32通过可旋转顶环驱动轴91从顶环头31悬伸下来。顶环头31被可定位的摇臂轴92所支撑，并且使得顶环32可^5li光台34、36。修整器38M可旋樹彦整器驱动轴93从修整头94悬伸下来。修整头94被可定位的摇臂轴95所支撑，并且修整器38可在Jitt台34上的待机，与修謝5S之间移动。修整头(摇臂)97被可定位的摇臂轴98所支撑，并且修整器48可在抛光台36上的待机OT与修l^fi之间移动。修整器38具有比抛光台36的直径更长的细长形状，并且修整头97，臂轴98麟。修整器48il31修整固定装置96从修整头97劚申下来，从而与来自摇臂轴98的修整头97相对的修整固定装置％和修整器48—^^滩,动，因此使得修歡48舰类似群的刮水器的运动在鹏台36上修整麻旋转。！形1台可用于1台36、37。回到图l，反，28安装于^itm^人20的手可触及的地方，以在M:分隔件24A与区域D隔开的区域A内反转半导体晶片。类似地，反转器28，安装于^ii机器人21的手可触及的地方，以^i!M分隔件24B与区域D隔开的区域B内反转半导体晶片。将区域A、B与区域D分隔的分隔件24A、24B具有使半导体晶片被^lr通过的开口，井且专用于反转器28、28，的闸板25、26位于計开口上。反转器28、28'的^都包括夹持半导体晶片的夹持机构，使得半导体晶片上下反转的反转机构，以及确定半导体晶片是否持机构所夹持的晶片存在探测传感器。半导体晶片Wg机器人20^至反转器28，同时半导体晶片被MiS机器人21iiit至反转器28'0在限定一个抛光室的区域A内，安装了衝斜专输机构的直线^lr器27A，以在反转器28与顶环32之间传输半导体晶片。在限定一个Wfc室的区域B内，安装了J^^^几构的直线4彌器27B，以在反转器28，与顶环33之间^tr半导体晶片。直线传输器27A、27B包括两个可直线往复的平台(stage),并且半导体晶片在直线^^器与顶环或反转器之间M:晶片托盘移动。图3的右部区域示出直线f^I器27A、升降器29与,器30之间的，关系。在直线传输器27B、升麟29'与概器30，之间具有与图3所示类似的位置絲。因此，下面的描述仅针对直线4输器27A、升麟29与ffia器30。如图3所示，升降器29和推进器30位于直劍纖器27A下部。反转器28位于直线4^f器27A上部。顶环32摇摆时可體于繊器30和直线传输器27A的上部。图4为描述半导体晶片如何JM:直线传输器与反转器之间以^sm线^^器与顶环之间。如图4所示，半导体晶片101在抛光前^g,人20itM^转器28，从而lte转器28反转。当升降器29向上移动，装载台901上的晶片托盘925被趙升麟29上。当升降器29再度向上移动时，半导体晶片101从反转器28被MM升降器29上的晶片托盘925。随后，升降器29向下移动，并且半导体晶片101与晶片髓925—起位預载台卯l上。晶片髓925和半导体晶片101借助装载台901的直躯动被送至腿器30上方。在这种情形下，卸载台902M晶片托盘925接收来自顶环32的抛光半导体晶片101，并且朝升降器29移动。装载台901和卸载台902在其移动中途彼J^劍。当装载台901至跶Jlia器30上方B寸，顶环32在之前已经摆动至如图4戶标的隨。接下来，!liS器30向上移动，并且在其膽载台901接收晶片托盘925和半导体晶片101后进一步向上移动，以至挞仅4魏半导体晶片101的顶环32。已被^3IM顶环32的晶片101被顶环32的真空抽吸机构所抽吸，当其仍然棚吸时被4输至:台34。接下来，晶片101被具有Wfcls磨石或安装于抛光台34上的类似物的抛光表面所Ktto第二抛光台36位于顶环32可至哒的位置。在晶片以此方式在第一抛光台34上被抛光后，晶片再次在第二抛光台36上被抛光。但是，取决于形成于半导体晶片上的膜类型，半导体晶片可首先在第二抛光台36上被抛光，随后在第一抛光台34上被抛光。被抛光晶片101Sii与前述相反的ffiil而返回反转器28。返回反转器28的晶片用纯水或来自冲洗喷嘴的化学洗涤液清洗。财卜，晶片已被移走的顶环32的晶片抽吸表面用纯7jCg^自顶环清洗喷嘴的化学液Wt洗。现在，对图14示出的抛光装置的加工步皿行一般描述。在两个平台清洗中，两个盒平行加工，一个晶片、隨传递晶片盒(CS1)的路径一^g丰腊人4—晶片站台(waferstation)50的基座7—i^ii机器人20—反转器28—直线传输器27A的装载台901—顶环32—抛光台34—M:台36(若需要)一直线4鳓器27A的卸载台902—反转器28—J^t^l器人20—清Ml22—^glfl^人20—清洗机5—^ig机器人4t—晶片盒(CS1)。另一个晶片依次g传递晶片盒(CS2)的路径一Hig机器人4—晶片站台50的基座8—^gmH人21—反转器28，一直线^l!器27B的装载台901—顶环33—抛光台35—顶环33—直线寸flf器27B的卸载台902—反转器28'—igig机器人21—清,23—人21—清^fet几6—H^t腊人4—晶片盒(CS2)。扫^F台(three-stage)清洗中，两^:平行加工，j晶片沿着糊晶片盒(CS1)的路径一^i丰腿人4—晶片站台50的基座7—^igm^人21—清洗机6H^,人21—晶片站台50的基座9—,机器人20—反转器28—直线fHl器27A的装载台901—顶环32—抛光台34—抛光台36(若需要)一直线^ll器27A的卸载台902—反转器28—^ii机器人20—瘠^^122—^t机器人20—晶片站台50的基座10—^ig机器人20—清洗机5—^1人4—晶片盒(CS1)。另一个晶片依次、^W传递晶片盒(CS2)的路径一^ii机器人4—晶片站台50的基座8—i^t机器人21—反转器28，一直线^lr器27B的装载台901—顶环33—抛光台35—抛光台37(若需要)一直线fHr器27B的卸载台902—反转器28'—^i^lfl人21—繊几23—艇机器人2卜清6—l^t机器人21—晶片站台50的基座9—!^g机器人20—衝皿5—!^tm^人4—晶片盒(CS2)。itb^卜，SH个平台清^爐续加工中，一个晶片沿着传递晶片盒(CS1)的路径一i^t机器人4—晶片站台50的基座7—搬运m^人20—反转器28—直线传输器27A的装载台901—顶环32—抛光台34—抛光台36(若需要)一直线寸^f器27A的卸载台902—反转器28—^il机器人20—清洗机22—搬运人20—晶片站台50的基座(seat)10—反转器28'—直线^if器27B的装载台901—抛光台35—抛光台37(若需要)一直线传输器27B的卸载台902—顶环33—反转器28，一鹏机器人21—清先丰几23—i5ig机器人21—^ftMl6—鹏^L器人21—晶片站台50的基座9—^g机器人20—清洗机5—^ii机器人4—晶片盒(CS1)。根据图l"4所示的Wfi装置，因为抛光,包括具有至少两个直线往复平台(基座)的直线^if器(作为专用于旨抛光站台的#^机构)，抛^a可减少在反转器与顶环之间转移将被抛光的物体所需的时间，并且可增加单位时间内可fe!ra工的将自光的物体的数量。此外，当将被抛光的物^t线传输器的一个平台与反转器之间转移时，将被抛光的物條晶片托盘与反转器之间转移，并且当将被抛光的物條直线传输器的一个平台与顶环之间转移时，将被抛光的物体在晶片托盘与顶环之间转移，因此晶片托盘在转移期间可吸收冲击九从而使得不仅增加了将被抛光的物体被转移6^,而且增加了将M光物体的产量。itW卜，因为从反转器到顶环的晶片的转移和位移可以5M:可拆卸地保持在直线传输器的^h平台上的ft^实现，有可能^>晶片的转移，例如升降器与直线传输器之间以及直线传输器与ffiiS器之间的转移，从而防止产生的M可能导致的损坏以及在保持晶片过程中的失效。因为^置具有可被分为两组的多个托盘，即一组专用^载以在抛光fH辦将被m的物体，并且一组专用于卸载以保^tt物体，:前的晶片从专用于装载的托盘而非从^iS^^传递至顶环，同时抛光后晶片从顶环被^mM专用于卸载的托盘而非職器。因此，向顶环装载晶片1M糊夹具或与用于从顶环卸载晶片的部件所不同的部件来实现，使得可倉辦决这样的问题，即粘附于抛光后晶片的抛光液麟似物会粘在或凝固在装t^l卸辦用的晶片支撑部件上，并且在抛光前刮擦鄉占在晶片上。联控器(inlinemonitor)IM安装于J^Ji^g的区域C内的适当位置，因此被抛光和衞先的晶片Wiimt^M输至联ltt控器iM处以测量晶片的厚度和轮廓。联M^器M顿测量抛光前的晶片，并鹏光前和抛光后厚度的差被视为与抛光量相等。因此，联^tt控器M作用为厚度测，置。事实上，联M控器IM位于in^人3:tJ:。Jl^卜，抛光體包括状态监控器SM以监控表示W^S操作状态的参数，如Wfi表面的皿、抛光垫的厚度、修整器的切害腿率以及卡环的磨损,。M^抛光装置的运行由控制单元CU所控制。控制单元cu存储后面将详述的模拟禾歸，以及控制流程辦，用于测量抛光表面上鹏、垫厚度、垫内沟槽深度、修整器切害瞇率值以及顶环内的卡环的磨损程度中的任意值，从而优^W光。控制单元CU可容纳于图1所示的抛光體内或与抛)t^S分离。状态监控器SM、联TO^器IM以鹏制单元CU在图2中被省略。从普雷斯顿(Preston)公式已知，将晶片表面压紧在抛光垫上的挤压力通常与抛光量成正比。但是，必须通过模拟具有复杂结构的顶环，并且考虑由弹性材料制成的抛光垫的非线性、薄板式晶片的巨大变形特别是明显出现在晶片端面的应力集中，以找到适当的挤压力。因此，困难集中在分析地寻求一种数学解决方案。另一方面，使用有限元法或边界元法以寻找挤压力涉及将物体划分为大量的单元，需要极其大量的计算，很长的运算时间以及极高的运算能九此外，为得到适当结果，操作员需要具有数值分析的专业能力，因Jtb!^:和实际的角度考虑，几乎不可能在该领,行简单的调整就参照数学方知的挤压九以及将其包括在CMP體中进行鹏。有了前述的讨论，战构型的抛光装置中的顶环M31轮廓控带撲型的顶环来实现。此处的轮廓控制类型顶环是指普通意义上的具有多个压紧部件的顶环。特别地，轮廓控制类型顶环可以是包括被多个膜同心分隔开的气^7JC袋的多个压紧部件，或者是具有M^分隔气室Jli共压力而，气压直接压紧晶片后表面的多，件，或者是具有借助弹簧产生挤压力的部件，或者是具有M:安置一个或多个压电元件的局部压紧部件，以及或者是其组合。下面，将参照具有多个同心分隔的气袋的,来描,紧部件。如图5所示，顶环包括多个同心气袋，并且调节从^hn袋供至相关晶片区域的压力。下面，晶片面对，的Hi称为"晶片后表面"，并且晶片面Wtt垫的Hi称为"晶片表面"。图5示出沿包括用于本发明的抛，置中的顶环的旋转轴的平面来看的截面图，其中顶环T具有中心圆盘状气袋E1，围,袋E1的环形气袋E2，围气袋E2的环形气袋E3，围^n袋E3的环形气袋E4，以及围气袋E4的环形卡环E5。如图所示，卡环E5被如此设计以使其可与,触，并且7承载在抛光台上的晶片W装配在被卡环E5限定的空间，并且受到气袋El-E4提供的压力。可以働军，构成顶环T的气袋数目不限于四个，而是可根据晶片的尺寸增加或^b。此外，尽管图5未示出，用于^^袋的气压供给,于顶环T的适当位置以M相关的气袋E1-E4调节供给晶片W后表面的压力。Ith^卜，施力口于卡环E5的压力可被置于卡环E5上的气袋以类似其它气袋的方^^f控制，或M31直接从支撑顶环T的轴传递压力lffi制。在本发明中，M气袋E1-E4和卡环E5对晶片W的后表面以及围绕晶片W的抛光垫施加的压力的组合，以及在晶片W表面上的挤压力的结果分布，已在之前被存储，置的控制单元CU的存储器内。tt^i也，卡环E5的压力被设置为大^袋E1-E4施加的压力的总和的20%或更高，从而避免晶片滑落。MHffi，结构，假定从气袋供至晶片后表面以M卡环供至抛光垫的实际压力(下文中称为"后表面压力")设定范围是100^500hPa,气压的范围是土200hPa，并且在晶片\￥上的挤压力分布被视为;^性的(即，動n原理大致成立)fflil组合施加于后表面上的三个不同压力100hPa、300hPa和500hPa而合成晶片表面上的挤压力分布，可在后表面压力设定范围士200hPa中得至晦^袋供至晶片后表面上的相关区域的理想压力弓胞的晶片表面上的挤压力分布o也就是说，M在表面挤压力变化被视为基本线性的范围内划分后表面上的设定压力(動卩原S^:),准备之前计算的多种情形下分布于晶片表面上的挤压力分布的数据，并且合成从准备的数据中适当地选择的数据，不需复斜十算就可根据有限元法或类似方法算出对应于晶片后表面上的任意设定压力的晶片表面上的挤压力分布。M存fit在计f^几内寻找晶片表面上的挤压力分布的程序，可^f拟工具以寻找用于晶片后表面上的设定压力的晶片表面上挤压力分布。一旦晶片表面上的挤压力分布以这种方式被找到，可il31将该挤压力分布乘以之前找到的用于将被抛光的晶片的晶片表面上的抛光系数分布数据，以得到晶片的预计抛光轮廓。从前述的普雷斯顿公式可知，Wt的晶片量Q通常与m^纖加于晶片的压力即挤压力P、^M面上的移动鹏V以2^W时间At成正比。当晶片表面上的,面的移动速度(即，晶片^M相)^J1i，的速度)v在晶片表面的一个OT上与另一个位置上不同，并且取决于;条件的抛光时间At也各异，如果单位压力内的抛率被限定为抛光系数，那么Jtt^im应于kv。当已得到普雷斯顿公式中用于晶片表面的对应于kv的数值分布,按本发明，所述内框架支架3浮动地并且借助于有弹性的减轻冲击和振动的緩沖本体、优选借助于公知的钢丝绳减震器34得到緩沖地支承在所述外框架支架2中。所述钢丝绳减震器34基本上包括两块平行地彼此保持间距的、具有优选圓形的空隙34b的端子板34a，尤其由钢或特种钢优选由弹簧钢制成的钢丝绳34c按照弹簧的方式从所述空隙34b中穿过或穿线并且巻绕，其中由此产生的钢丝绳34c的螺距会随着所述空隙34b的数目和间距而不同(图5和6)。从侧面看上去，所述巻绕的钢丝绳34c弯曲成椭圓状(图6)。此外，优选如此确定所述内框架支架3和外框架支架2的尺寸，尤其如此使得所述内框架支架3完全布置在所述外框架支架2的内部并且被该外框架支架2所容纳，从而所述外框架垂直支柱7按照与所述相应的内框架垂直支柱24在侧3见图中前后齐平的方式进行布置(图3)，所述外框架底部支柱13按照与所述相应的内框架底部支柱27在俯视图中上下齐平的方式进行布置，并且所述外框架顶部支柱14、15按照与所述相应的内框架顶部支柱28、29在俯^L图中上下齐平的方式进行布置(图4)。此外，优选所述外框架侧面支柱11、12向里偏置布置，并且所述内框架侧面支柱25、26向外偏置布置，使得其按照在俯^L图中上下齐平的方式进行布置(图4)，并且所述钢丝绳减震器34分别以其端子板34a与所述上面的内框架侧面支柱25的上侧面35相连接并且与所述上面的外框架侧面支柱11的下侧面36相连接，或者与所述下面的内框架侧面支柱26的下侧面37相连接并且与所述下面的外框架侧面支柱12的上侧面38相连接(图2和3)。3.基于测量结果，计算出抛光压力剝牛从而创建目标抛光轮廓。该步骤在11下步翻行3-1)设定目标抛光轮廓。例如，抛光離当被控制的多个任意点在晶片表面上被指定，并且抛光量Qr在每个指定点被设定，或抛舰率QrAt^Qi/At在每个点被设定。通过樹可方法进行加工。此处，给出描述设定抛爐的方法。3-2)算出实际抛光的晶片的每个区域的抛光量Qpoli。抛光量的计算需要抛光前的晶片厚度的初始数据，并且初始厚度^ffi容纳于抛^S内或位于抛光錢外部的测量體进行观懂。初始厚度娜可鹏步骤2描述的招可方法得到。3-3)每个点算出的ife光量除以施加于区域的压力P，后者包^i十算每单位^Mffi力的抛光量的点QpoliAp=Qpoli/P。34)在最離步骤2观懂的分布的点处的目标抛光量Qr被开方。可舰，目标抛爐Qr可根据範湖懂点附近的两个位置以线性丰試被估算。3-5)在旨点，3-1设定的目标抛光量Qr与3-2算出的抛光量Qpoli之间的MKOr—Qpoli，并1^应于该差值的1量除以3-3算出的单位,压力的Jtt:量以算出校正抛光压力(Qr—Qpoli)/QpoliAp。3-6)3-5算出的校正m玉力加上抛光时设定的压力得到压力值Piiq)Ut。当一个区域包括多个测量点时，多个点算出的压力值被平均，并且平均值被设定为该区域的压力值Pinput。3-7)3~6算出的压力值Pinput输A^发明的模拟工具，以依测3-1指定的每个点的m量，从而得到抛光量Qest的估计值。3-8)抛光量Qest的估计值与目标m量Qr之间的對直为Qr—Qest。3-9)3-7算出的抛光量Qest除以压力值Pinput以算出单位^Mffi力下的抛光量QestAp(=Qest/Pinput)。3-10)3-8计算出的MtQr—Qest除以单位接角ffi力下的抛光量QestAp以得妾啦IEE力值(Qr—Qest)/QestAp，后者接着加上压力值Piiput。区域内的各点处计算出的压力值被平均，并且得到的平均值被定义为旨区域所推荐的压力值Poutput。3-11)3-10算出的推荐的压力值Poutput再次输入模拟工具内。如果每个点的抛光量的估计值与目标抛光量之间的差值落入预先设定的任意允许范围内，该推荐的压力值PoutputlM加(反馈)于从那时起实际上将被抛光的晶片。如果差值縱可允许的范围之外，步骤3-73-10被重mmMMIt落入允许的范围内以得到推荐的压力值。反馈的周期可被任意设定，并且设定周期的典型方法可涉及测量所有晶片并且将推荐的压力值反馈给随后将被抛光的晶片，或当抛光部件由于抛光轮廓的小小变化没有被怎么消耗时不进行反馈而是当抛光部件已经被消耗的很厉害时进行反馈。此外，后者方法设定的周期也可测量任意数量的晶片，并且紧邻测量前反馈的抛光剝牛从一旦进行观懂的时间起,驗续施加鼓晶片被下一步测量。拋光部件被消耗的越多，周期可设定的越短。可^i也，为设定抛M率，*:量可除以前述步骤3的抛光时间。此外，不是校正受边缘形状影响的已形成以预测抛光轮廓的抛光系数，而是该職職的湖ij量弓胞的后表面的压力可在计算推荐的压力能被校正，以校正驗抛光轮廓，限制由于雌形状弓胞的晶片的外周区域的Jltt聽。例如，对于晶片上的氧4機，卡环(E5)的推荐压力值可根据跌落量(rdk)ff)乘以压力校正系数(卡环的ffiEJl力值压力校正系数X卡环的推荐压力值)。此处，压力校正系M31实际抛光晶片而得到，该晶片具有例如当改变卡环压力时预先可知的跌落量。可选地，可依靠有限元法计算压力与跌落量之间的关系以得到^IE系数。因为Wdi行时跌落量在每一，都彼此不同，抛光期间跌落量可M与抛光體有关的测量装魏行测量以校正抛光期间的压力。可舰，可M:考皿光时间得到的压力校正系lf![^^E压力而^i量抛光期间跌落量。由于晶片上的金属膜一端的皿，可以iM与氧tt^皿正方法类似的方法进行校正。当推荐的压力值没有算出时，也可自使用压力校正系t^IE纖靴的方法。il3iS换顶环，图l示出的W^g可用于将被抛光的各种物体。当顶环被交换以改变将被抛光的物体，必然要改变将光的物体表面上的、与顶环形状一致的预先算出的一系列挤压力分布。这样，可设定单独预先算出的挤压力分布的计算结果，或当W^S被最初致动时可输入参辦顺环的，数目、有效的压力范围和类似物，并且可在抛光装置内对应于输入的参数计i^l每被抛光的物体表面上的多个挤压力分布并将餘储在控制单元中。这样，图i所示的Wfc装置中，可生成不仅抛光晶片为平面的而且抛光晶片为特定形状的块穷方法。甚至当抛光前晶片的膜表面形状不是平坦的，考虑其原始形状也可生成出使得残留膜的形状在抛光后为平坦的诀穷方法。财卜，抛光割牛可被优化而不依赖前m:程师的经验值，相反可计算出优化^#以抛光为雌抛光轮廓。与在抛光多个测试晶片后设定抛光剝牛的现有技斜目比，可參劳动離、时间和成本。在前述的描述中，模拟fM)^顿了两个变量，即初始晶片和Wtt晶片的厚度以及顶环的挤压力。此外，在本发明中，校正的精确度Sil充分监控不能被普雷斯顿公式包括的参数而进行修正，并且抛光表面上的温度、垫的厚度、垫内沟槽的深度、修整器的切割速率值以及顶环内的卡环的磨损量iWJtt有影响，用于完成与誠电路的进一步小型化相关的抛光弓胞的一致微。为实现前述目的，本发明的we^g中的状态监控器sM(图i)执行了下作，并^a^制单元cu供以合成的输出值，以fOT丰莫^^未考虑的参舰—歩优4Wfc。(1)关于抛光表面上的温度，设定抛光可继续的温度范围，并且抛光表面上的驗被状态鹏器SM所监控。这可ililMI如带摘針鹏的状态监控器sm来实现。作为监控的结果，当状态监控器sm检测到Ji^面上的温^i设定^范围的上限或下限时，控制单元cu停iiJtt并且mnm^面。抛光表面以如下方式被冷却。在抛光台内提傲M以在其内ms冷却介质如水。随着Jtt停止信号从控制单元输出，辨卩介质的'M被增加或者糊校正本身的,被减小。此处，当冷却介质的、M^^根据控制单元的停止信号!鹏制时，糊介质的、鹏和驢可鹏状态监控器sm的输出(即^面上的，变化)进行控制。随后，当状态监控器sm检测到ltt表面上的温度落入M范围内，控制单元cu重新开始抛光。这种情形下，光停止的期间可被暂停。(2)状态监控器SM还监控抛的厚度或:台上垫内的沟槽的深度(结合图7更为详述)。每次状态监控器sm检测到抛光垫的厚度^ltt垫内的沟槽的深度^>O.lmm时，监控晶片而不是到目前为止B^^Wfc的晶片就被:，并且状态监控器sm根据抛光结果修正模mi^的默认值，从而优化用于下一个被抛光的晶片的顶环内的卡环和气袋的压力平衡。当状态，器SM检测到抛光垫的厚度或沟槽的深度低于预定阈值同时晶片正在被m，控制单元CU停止抛光。作为响应，操作员替皿光垫。状态监控器SM包括激光位移量测定仪，从而抛的厚度可借助激光位移量测定仪通过直接监控抛光垫的表面被监控，或借助激光位移量测定仪iM:观懂与鹏,触的部件的距离ttt控，本发明不鈔匕限制。(3)为防止修整器的不充^j彦整和被移除抛光碎片的量M^，当调理时，状态监控器SM监控修整器的切割速率。当状态鹏器SM检测至彻害瞇率低于预定阈值时，控制单元CU停止抛光舰长修整器的调理时间，即抛光垫被切割的时间。这样，由于抛光垫总是被一ict也切去，可以极高精确度进行。可ffl3S监控调理用修整器所i顿的电机的转矩来检测切割速率的变化。C4)财卜，状态监控器SM可监控顶环内的卡环的磨损损失。接着，当状态监控器SM检测到卡环的磨损损知氏于一定阈值时控制单元CU当即使考虑到普雷斯顿公式没有包括的那些参,行抛光时也不能得到理想的结果时，供应的浆液量,被调节。前述(1)至(4)的控制指令被存储^g制单元CU内作为,。图7(A)大体示出M与状态i^S器SM有关的激光位移量测定仪测量的机械修整器38、39(图1)的位置相对变化的构型，从而检测抛光垫的厚度。如图戶麻，杆部件1001雜于^H彦整器的驱辦由93的适当錢。mP件1001由可^lt激光的材料形成，#其表面形成有膜并且由可^}#光的材料制成。激光位移量测定仪1002M3i当的连^a连接^^样一个^S，在^S，激光位移量测定仪1002可接收辐照至ra件1001并皿鄉件1001tel!f的激光。这样，当抛艘的厚度随着调理的进行被减小时，激光位移量测定仪1002对应于鄉件1001与激光位移量观啶仪1002之间的距离变化，即mi:厚度的减小，而输出信号。图7(B)示出调理时间与抛艘的厚度减小之间的絲，舰利用激光位移量测定仪1003的输出值推知。从该曲线图中可以了解，抛體的厚度随着调理的进行烦直线减小。ilil利用这种^^，可得出抛光垫厚度的临时变化率，即修整器的切割速率。当上舰光錢实际上用于拋光晶片时，可得到下面的结果。作为参考，〗■IC1000/Suba400(K-gr)的抛用于抛光，以及寸OTSS-25的浆液，并且抛光台的,设定为70/71rpm，顶环的转速设定为71rpm，并且气力的默认值设定为250hPa，修整器的压力设定为200N。在前述^#下，以下述步職行抛光。首先，在抛光垫被置换后，对监控晶片进行抛光。顶环内气袋的压力平衡根据抛光的结魏行最优化以鹏晶片。接下来，在抛光纖切除0.1mm后，监控晶片被抛光。顶环内的，的压力平衡根据抛光晶片的结果被优化。在抛光垫再次被切除O.lmm后，鹏晶片鹏光。气袋内的压力平衡根据抛光晶片的结果被优化。随后，该步骤在所需的时间段内重复。当t應修整器38、39被这样的體如^^丝杠戶;f^时，可测量驱动顿所需的用TiS给的多个冲量(pulse)，以计對几械修整親舰给的量。图8(A)为描述当实施本发明和不实施本发明时残留^t态的示意图。晶片的表面不是平坦的而是部分比较粗糙并且具有梯度。晶片内将M光的膜的厚度的^值与最小值之间的差值被称为"厚度Mit"。当晶片的抛光表面为平坦的时，厚度差值为零。财卜，抛光后与抛光前的"厚錢值"之间的Mt被称为"残留膜對直"。图8(A)示出当，本发明和不实施本发明时的残留^1A，1垫内的沟槽皿分别为0.4mm，0.3mm以及0.2mm，其中顶环内，湊E1-E5的压力如戶标被设定。特别地，残留膜魏A为3.3nm，其中沟槽深度为0.4mm并且未实tt发明；43.5nm，其中沟槽深度为0.4mm并且实施本发明；7.2nm，其中沟槽深度为(X3mm并M实施本发明；-29.4nm，其中沟槽深度为0.3mm并且实施本发明；6&6nm，其中沟槽深度为0.2mm并且未实施本发明；-65.3nm，其中沟槽總为0.2mm并且实施本发明。图8(B)为标上述结果的示意图。负的残留膜難意卩據鹏后的"厚度差值"小于抛光前的"厚度MT'，因此厚度的差值与W:前相比被修正，即平提高。因此可理解，通过实施本发明，CMP后的厚度魏极^ik被减小。接下来，图9示出当抛光垫没有完全被消耗时的厚度和抛，率，其中參代表当实施本发明时的值，并且令代表未实施本发明时的值。图9(A)为示出在CMP之前距300-mm的晶片中心的径向距离与厚度之间关系的曲线图；并且图9(B)示出图9(A)中的在CMP之后距晶片中心的径向距离与厚度之间关系的曲线图。接着，当实施和不实施本发明时从CMP之前和CMP之后的厚度推知抛^I率，得到图9(C)所示的曲线图。当在曲线图中描绘^率(用〇表示)的模拟结果时，可以发现，实施本发明的抛，率与模拟结果高度一致。图10示出当抛^1^消耗O.lmm时的厚度和抛皿率，其中參代表当实施本发明时的值，并且令代表未实施本发明时的值。图IO(A)为示出在CMP之前距300-mm的晶片中心的径向距离与厚度之间关系的曲线图;并且图10(B)示出图10(A)中的在CMP之后距晶片中心的径向距离与厚度之间关系的曲线图。接着，当实施和不^H本发明时从CMP之前和CMP之后的厚度推知J^:速率，得到图10(C)所示的曲线图。当在曲线图中描绘抛舰率(用O标)的丰^^l结果时，可以认识到，当Jfttl:被消耗更多即抛艘具有更浅的沟槽时，抛率在中心尽管轻微但仍被减小了，但，率在中心仍然与模拟结果相当一致，同时砂卜周区域，实际的数值与模拟结果有轻1t^。图11示出当抛，被消耗0.2mm时的厚度和抛^I率，其中參代表当实施本发明时的值，并且令代^实施本发明时的值。与图9和图10类似，图ll(A)为示出在CMP之前距300-mm的晶片中心的径向距离与厚度之间关系的曲线图；并且图ll(B)示出图ll(A)中的在CMP之后距晶片中心的径向距离与厚度之间关系的曲线图。接着，当实施和不实施本发明时从CMP之前和CMP;tB的厚度推知抛，率，得到图ll(C)g的曲线图。当在曲线图中描绘抛，率(用O表示)的模拟结果时，可以认识到，在中心处的m^率被极大地减小了，并且在外周区鹏模拟结果有极腫异。微应用的默认值应当被修正o盖实用性从前述的描述可知，因为本发明基于普雷斯顿基本公式优化了加工压九并且考虑了甚至普雷斯顿公式都没有包括的那些参lfefea行抛光，可以实光晶片的皿的一致化，这在与集成电路的曰益小型化同步中是必需的。还可肯^131正确管M材的状态来延^li材的a，以M^运行J^。权利要求1、一种在控制单元的控制下对将被抛光物体进行抛光的抛光装置，包括顶环，其具有至少两个压紧部分，并且能够从每个所述压紧部分对将被抛光的物体施加任意压力；用于测量将被抛光的物体的抛光量的测量装置；以及监控将被抛光的物体的抛光状态的监控装置，所述抛光装置的特征在于所述控制单元根据一个模拟程序迫使抛光装置抛光将被抛光的物体，所述模拟程序基于所述测量装置的输出和所述监控装置的输出对所述顶环设定优化将被抛光的物体的抛光轮廓所需的加工压力。2、如权利要求1戶皿的抛光^g，，征在于所述至少两个压紧部5^^括多个同心气袋以及围^^^气袋的卡环，并且所述卡环的压力被保持在大于所述气^加的压力的总和的平均值的20%。3、如权利要求l或2戶腿的抛光^S，还包括用于抛光将f^tt的物体的抛光垫，以使得戶;f^光垫M^^顶环压紧，其中当所皿控^s检测到皿抛光,切除预定深度时，戶;f^制单对旨示戶;Mm装置m—个监控晶片而不抛妙脱微抛光的物体。4、如权利要求2所述的抛光装置，，征在于当戶JMM^置的输出指示戶脱卡环的磨损损失落入阈值以下，所述控制单元^^戶;^;)|1^停1光。5、乡敝利要求l或2戶M的抛^g，辦征在于当戶;M^控錢的输出j际将Wfc的物体的表面^^i预设M时，^^制单元停止舰模概醉或驗戶;wtt^s停ihm并且当戶;ime錢的输出指示表面鹏落入设定值以下时，控制单元^t^抛^M新继续亂6、如权利要求1或2所述的^置，，征在于，还包括m垫，用于在戶;MM光垫被顶环压紧贴着将被抛光的物体的状态下抛光将被抛光的物体，戶脱抛^a的特征在于当臓监控縫的输出指示戶脱抛光垫的厚度落入阈值以下时，0f^制单元停止舰模拟辦或指示戶;wfi光驢停止抛光。7、如权利要求6戶舰的抛光^ff，^^寺征在于戶;MU5控^包括激光位移量测定仪，用于测量戶，垫的厚度。8、如权利要求l或2戶腿的Wfc錢，还包括抛體，用于^BWttl:被顶环压紧贴着将光的物体的状态下抛光将被抛光的物体，以及包自理臓抛爐的修整器，臓m^S的特征在于当戶;^控體的输出指示戶做修整器的切害瞇轉入阈值以下时，臓控制单元停止娜熟:ifw，或指示戶;MM光装置停止亂9、如权利要求7g的抛^S，，征在于戶脱切害瞇率iOT驱动所述修整器用的电机的辦Bt行i^。10、如权利要求l-9任意一J砂诚的Jte^a，^t^寺征在于fMg制单元可根据抛光状态调节所供应的浆液量。全文摘要本发明提供了一种用于优化抛光轮廓的抛光装置，其除了抛光量外还考虑到甚至如将被抛光的物体表面的温度以及抛光垫厚度这些参数。在控制单元CU的控制下抛光将被抛光的物体的抛光装置具有至少两个压紧部分，并且包括能够从每个所述压紧部分对将被抛光的物体施加任意压力的顶环，用于测量将被抛光的物体的抛光量的测量装置IM，以及监控将被抛光的物体的抛光条件的监控装置SM。控制单元CU根据一个模拟程序迫使抛光装置抛光将被抛光的物体，所述模拟程序基于所述测量装置的输出和所述监控装置的输出对所述顶环设定优化将被抛光的物体的抛光轮廓所需的加工压力。文档编号B24B49/16GK101107097SQ200680002848公开日2008年1月16日申请日期2006年1月16日优先权日2005年1月21日发明者上冈真太郎,佐佐木达也申请人:株式会社荏原制作所