电子装置外壳及其制造方法

文档序号:3412935阅读:126来源:国知局
专利名称:电子装置外壳及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种电子装置外壳及其制造方法。
背景技术
为了使电子产品较久地保持其原有的外观,通常要求其表面具有较好的耐磨性及耐腐蚀性。真空镀膜(PVD)技术是一种较为环保的技术,通常通过PVD工艺沉积出的膜层具有特殊的金属质感,外观效果较佳,同时具有较好的耐腐蚀性能,因此,在电子产品外壳上
进行真空镀膜被广泛研究。但是,由于通过PVD工艺沉积出的膜通常由柱状晶组成,而柱状晶之间存在较大的间隙,使膜层的耐腐蚀性能受到限制。另一方面,现有的通过真空镀膜制备于电子装置外壳上膜层一般是难熔化合物形成的陶瓷膜,这些膜层由于硬度、熔点太高,对其进行进一步的热加工或机械加工比较困难,因此,难以在膜层自身上形成装饰性的图纹。

发明内容
有鉴于此,本发明提供一种具有较佳的外观质感,且耐磨性、耐腐蚀性能较好的电子装置外壳。另外,本发明还提供一种上述电子装置外壳的制造方法。一种电子装置外壳,包括金属基体及形成于该金属基体上非晶合金薄膜,该非晶合金薄膜由具有IOK以上的过冷液相温度区间的非晶合金构成,该非晶合金薄膜表面形成有立体图纹。一种电子装置外壳的制造方法,包括以下步骤
提供金属基体,并对金属基体进行脱脂除油清洗;
以具有IOK以上的过冷液相温度区间的金属合金为靶材,对金属基体进行真空镀膜处理,以在金属基体表面形成非晶合金薄膜;
用具有凹凸图纹表面的模具对非晶合金薄膜进行热压处理,以在非晶合金薄膜上形成立体图纹。本发明电子装置外壳通过选用具有较大过冷液相温度区间的金属合金为靶材,通过真空镀膜方法在金属基体表面形成非晶合金薄膜;再通过具有图纹表面的模具对该非晶合金薄膜上进行热压形成图纹,使该电子装置外壳既具有金属的外观,又具有立体图纹装饰效果及纹路触感。而且,由于非晶合金薄膜由具有高强度、高耐磨性以及耐腐蚀性能的非晶合金成分构成,使该电子装置外壳能够较长时间保持其原有的外观效果不被破坏。


图I为本发明较佳实施例的电子装置外壳的剖视示意图。图2为本发明较佳实施例的电子装置外壳制造方法的流程图。
图3为本发明较佳实施例的电子装置外壳制造方法中所用真空镀膜设备的示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种电子装置外壳,包括金属基体,其特征在于该电子装置外壳还包括形成于该金属基体上非晶合金薄膜,该非晶合金薄膜由具有IOK以上的过冷液相温度区间的非晶合金构成,该非晶合金薄膜表面形成有立体图纹。
2.如权利要求I所述的电子装置外壳,其特征在于所述非晶合金为Zr基非晶合金、Cu基非晶合金及Ti基非晶合金中的ー种。
3.如权利要求2所述的电子装置外壳,其特征在干所述Zr基非晶合金为Zr54%~65%Alio%~2o%Co18%~28% Ζγ50%~70%Α1 m~i2%Niio%~2o%Cu1Q%~2Q%非日日合金;所述Cu基非日日合金为CU5o%^65%^r40%^45%A J- 3%^5% Λ し1158%~65%な28%~32% ^CU58%^65%h-t23%^27%Tj-8%^12% 非晶合金中ー种;所述Ti基非晶合金为Ti5cw Ni 15%~20%CU24%~33%SH2%~6% 非日日合金。
4.如权利要求所述的电子装置外壳,其特征在于所述图纹为凸出或凹陷于该非晶合金薄膜表面的图案、线条或者纹路。
5.如权利要求I所述的电子装置外壳,其特征在于所述图纹通过用模具对非晶合金薄膜进行热压形成。
6.一种电子装置外壳的制造方法,包括以下步骤 提供金属基体,并对金属基体进行脱脂除油清洗; 以具有IOK以上的过冷液相温度区间的金属合金为靶材,对金属基体进行真空镀膜处理,以在金属基体表面形成非晶合金薄膜; 用具有凹凸图纹表面的模具对非晶合金薄膜进行热压处理,以在非晶合金薄膜上形成立体图纹。
7.如权利要求6所述的电子装置外壳的制造方法,其特征在于所述金属合金为Zr基合金、Cu基合金及Ti基合金中的ー种。
8.如权利要求7所述的电子装置外壳的制造方法,其特征在干所述Zr基合金为 Zr54%~65%Al10%~20%Co18%~28% 或 Zr50%~70%Al 18%~12%Ni10%~20%Culost~20% ;所述 Cu 基合金为CU5o%~65%^r40%~45%A 丄 3%~5%、しリ58%~65%ムで28%~32% ^18%~12% 及 Cu58sr65stHf23sr27stTi8sri2st 中的ー种;所述 Ti 基合为 I'150%Nl 15%~20%^24%~33%'5η2%~6%。
9.如权利要求6所述的电子装置外壳的制造方法,其特征在于所述真空镀膜处理的方法为磁控溅射或电弧离子镀。
10.如权利要求9所述的电子装置外壳的制造方法,其特征在于所述磁控溅射是在如下參数条件下进行真空室内本底真空度为6X10_3 8X10_3Pa,真空室温度为10(Tl8(TC,转架公转转速为3 12转/分钟,靶材功率为6 12kw,氩气流量为10(T300sccm,金属基体施加偏压为-5(T-200V,溅射时间为20 40分钟。
11.如权利要求6所述的电子装置外壳的制造方法,其特征在于所述热压处理是将形成有非晶合金薄膜的金属基体加热至该非晶合金薄膜的玻璃转化温度点Tg以上、起始晶化温度点Tx以下,再用具有凹凸图纹表面的模具压在非晶合金薄膜表面,以在非晶合金薄膜上形成所述图纹。
全文摘要
本发明提供一种电子装置外壳,包括金属基体及形成于该金属基体上非晶合金薄膜,该非晶合金薄膜由具有10K以上的过冷液相温度区间的非晶合金构成,该非晶合金薄膜表面形成有立体图纹。本发明还提供一种上述电子装置外壳的制造方法,该方法主要包括以具有10K以上的过冷液相温度区间的金属合金为靶材,对金属基体进行真空镀膜处理,以在金属基体表面形成非晶合金薄膜;用具有凹凸图纹表面的模具对非晶合金薄膜进行热压处理,以在非晶合金薄膜上形成立体图纹。
文档编号C23C14/35GK102686074SQ20111005473
公开日2012年9月19日 申请日期2011年3月8日 优先权日2011年3月8日
发明者张新倍, 林顺茂, 蒋焕梧, 陈文荣, 陈正士 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司
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