专利名称：复合式金属陶瓷基板的制法及其结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种复合式金属陶瓷基板的制法及其结构，尤适于应用在电路基板的制造方法。
背景技术：
近年来由LED灯的制造技术日趋成熟，而且LED具有耗电量低、发热度低、使用寿命长、启动速率快、色彩丰富以及亮度佳的优点，同时并能大量节省照明灯具的用电量。故LED已渐渐取代传统灯具成为未来市场的主流。LED虽有上述种种优点，但当LED使用于照明用途时，主要是通过多个LED灯模块化而形成LED灯具，由模块化的LED灯具提供所需的照明，而LED灯具在发光提供照明的同时也会产生热能，产生的热能若无法有效散逸，长期下来将会影响LED灯具的使用寿命。在现有的LED散热技术中，一般都是以陶瓷散热器或是以铝制鳍片散热；铝制鳍片的散热方式是将铝制的散热鳍片装设于LED模块的表面，当LED模块发光时，由铝制的散热鳍片将LED模块所产生的热予以散逸。这样的散热方式虽然可以将LED模块所产生的热散发，但铝制散热鳍片除可散热之外并具有导电的功能，因此必须在LED模块与散热鳍片之间做好绝缘，以防止电击的情况发生。而传统的陶瓷散热器以银胶将电路印制于陶瓷散热器，并且在印制完成后以700度以上的高温长时间烧结，使电路固化于陶瓷散热器。然而，这样的制作方式耗时、制造过程繁复，而且制出的陶瓷散热器本身的重量较重。由此可知，现有的LED散热器所衍生的问题及不足，实非一良善的设计而亟待加以改良。
发明内容
本发明的主要目的，在提供一种可制出具有优良散热效果的基板的复合式金属陶瓷基板的制法。本发明的次要目的，在提供一种于金属基板表面披覆有散热层的复合式金属陶瓷基板的结构。为达到上述目的，本发明包括下列步骤:a、提供金属基板；b、对金属基板进行前处理，以去除金属基板表面的各种物质及油污；c、将陶瓷材料喷涂溅镀到金属基板表面；以及d、对金属基板进行干燥处理；藉此，通过上述步骤以得一散热优良的复合式金属陶瓷基板者。如上所述的复合式金属陶瓷基板的制法，步骤b前处理包含脱脂、除污或除锈任一种。如上所述的复合式金属陶瓷基板的制法，步骤c是使用等离子熔射、喷涂或等离子氧化烧结的其中任一种方式。如上所述的复合式金属陶瓷基板的制法，步骤c利用不同电压功率、电流大小、脉波频率大小而将陶瓷材料喷涂溅镀到金属基板表面。
如上所述的复合式金属陶瓷基板的制法，步骤c还包括修整电功率、频率的变化，以控制金属基板表面的陶瓷厚度。如上所述的复合式金属陶瓷基板的制法，步骤a的金属基板厚度为6mm以上，步骤c的陶瓷厚度为2mm以下。如上所述的复合式金属陶瓷基板的制法，步骤d后还包括步骤e，该步骤e为对表面结构进行硬度、刮痕、阻抗、热阻的量测。如上所述的复合式金属陶瓷基板的制法，步骤e还后包括步骤f，该步骤f为对结晶面进行EMC检测。如上所述的复合式金属陶瓷基板的制法，步骤f结晶面的EMC检测包含:附着力检测、粗燥度检测、裂痕检测及颜色检测。为达到上述目的，本发明的复合式金属陶瓷基板结构，包括:一金属基板；以及一陶瓷披覆层，将金属基板完全包覆住。如上所述的复合式金属陶瓷基板结构，金属基板为铝合金基板。如上所述的复合式金属陶瓷基板的制法，金属基板的厚度为6mm以上，陶瓷披覆层的厚度为2mm以下。 如上所述的复合式金属陶瓷基板结构，穿孔为供电源线穿设。本发明相较于现有技术突出的优点是:1、通过等离子处理，令金属基板的表面形成陶瓷材料披覆层，使基板成为复合式金属陶瓷基板。2、通过陶瓷披覆层于金属基板上的形成，使金属基板的散热率更上一层楼。以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
图1本发明的制造流程方框图；图2本发明金属基板的纵向剖视图；图3本发明实施例的纵向剖视图；图4本发明实施例的立体外观图；图5本发明实施例的使用示意图。其中，附图标记步骤a e1、复合式金属陶瓷基板11、基属基板111、穿孔12、陶瓷披覆层121、可焊锡性铜胶13、电源线14、电源线15、led 芯片
具体实施例方式下面以具体实施例对本发明作进一步描述:请参图1，本发明复合式金属陶瓷基板的制法，包含下列步骤:a、提供金属基板，金属基板具有至少一穿孔；b、对金属基板进行前处理，以去除金属基板表面的各种物质(包含有机物质)及油污；前处理是包含脱脂、除污或除锈任一种；C、利用不同电压功率、电流大小、脉波频率大小，以将陶瓷材料喷涂溅镀到金属基板表面；并修整电功率、频率的变化，控制金属基板表面的陶瓷厚度，以使金属基板表面的陶瓷均匀平整；d、对金属基板进行干燥处理；e、对表面结构进行硬度、刮痕、阻抗、热阻的量测；以及f、对结晶面进行E MC检测，EMC检测是包含附着力检测、粗燥度检测、裂痕检测及颜色检测。请参图2 图4，为本发明的较佳实施例，主要是设有一金属基板11，金属基板11为一铝合金基板，其上具有至少一穿孔111，本实施例的穿孔111设有一个，一陶瓷披覆层12是利用等离子熔射、喷涂、或等离子氧化烧结的其中一种方式而附着于金属基板11的表层，且金属基板11的厚度大致在6mm以上，附着于金属基板11上的陶瓷披覆层12厚度则大致在2mm以下，以形成一复合式金属陶瓷基板I。又，请再参图5，复合式金属陶瓷基板I的陶瓷披覆层12上是设有多可焊锡性铜胶121，通过可焊锡性铜胶121以便于结合电子元件，例如led芯片15，再者，并通过穿孔111令电源线13、14穿设结合于复合式金属陶瓷基板1，以完成一连接电源后，与复合式金属陶瓷基板I电性连结的多led芯片15发出亮光者。当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种复合式金属陶瓷基板的制法，其特征在于，包括下列步骤: a、提供金属基板； b、对金属基板进行前处理，以去除金属基板表面的各种物质及油污； C、将陶瓷材料喷涂溅镀到金属基板表面，并将金属基板完全包覆住；以及 d、对金属基板进行干燥处理。
2.根据权利 要求1所述的复合式金属陶瓷基板的制法，其特征在于，步骤a金属基板具有至少一穿孔，步骤b前处理包含脱脂、除污或除锈任一种。
3.根据权利要求1所述的复合式金属陶瓷基板的制法，其特征在于，步骤c是使用等离子熔射、喷涂或等离子氧化烧结的其中任一种方式，并利用不同电压功率、电流大小、脉波频率大小而将陶瓷材料喷涂溅镀到金属基板表面。
4.根据权利要求1所述的复合式金属陶瓷基板的制法，其特征在于，步骤c还包括修整电功率、频率的变化，以控制金属基板表面的陶瓷厚度。
5.根据权利要求1所述的复合式金属陶瓷基板的制法，其特征在于，步骤d后还包括步骤e，该步骤e为对表面结构进行硬度、刮痕、阻抗、热阻的量测。
6.根据权利要求5所述的复合式金属陶瓷基板的制法，其特征在于，步骤e之后还包括步骤f，该步骤f为对结晶面进行EMC检测。
7.根据权利要求1所述的复合式金属陶瓷基板的制法，其特征在于，步骤f结晶面的EMC检测包含:附着力检测、粗燥度检测、裂痕检测及颜色检测。
8.一种复合式金属陶瓷基板结构，其特征在于，包括: 一金属基板；以及 一陶瓷披覆层，将金属基板完全包覆住。
9.根据权利要求8所述的复合式金属陶瓷基板结构，其特征在于，金属基板具有至少一穿孔，该金属基板为铝合金基板。
10.根据权利要求8所述的复合式金属陶瓷基板结构，其特征在于，金属基板厚度为6mm以上，陶瓷披覆层的厚度为2mm以下。
全文摘要
一种复合式金属陶瓷基板的制法及其结构，包括下列步骤a、提供金属基板；b、对金属基板进行前处理，以去除金属基板表面的各种物质及油污；c、将陶瓷材料喷涂溅镀到金属基板表面；以及d、对金属基板进行干燥处理；藉此，通过上述步骤以得一散热优良的复合式金属陶瓷基板。
文档编号C23C4/12GK103114261SQ201110375148
公开日2013年5月22日 申请日期2011年11月16日 优先权日2011年11月16日
发明者方学智, 邓焕平, 洪迪恩 申请人:和淞科技股份有限公司