技术总结
本发明涉及半导体处理技术领域，特别涉及一种半导体处理设备。本发明的半导体处理设备通过特别的反应腔设计，使得所述反应腔既能用于执行原子层沉积工艺又能用于执行等离子体化学气相沉积工艺，还能执行衬底在位表面处理，从而可以减少半导体处理设备的数量，降低成本，减少设备的占用空间；同时，由于多个工艺可以在同一腔室中完成，无需附加的转运过程，从而可以减少待处理衬底被污染的发生。
技术研发人员：奚明;吴红星;胡兵;黄占超;马悦
受保护的技术使用者：理想晶延半导体设备（上海）有限公司
文档号码：201510137717
技术研发日：2015.03.26
技术公布日：2016.11.23