技术特征：
1.一种二硫化钼纳米墙的合成方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：一、准备：依次利用丙酮、无水乙醇和去离子水对硅片进行超声清洗，得到清洗后硅片；称取4mg～8mg的三氧化钼粉末和0.12g～0.18g的硫粉，分别放入各自石英舟中；二、生长二硫化钼纳米墙：将硅片及分别装有三氧化钼粉末和硫粉的石英舟放入化学气相沉积装置的石英管中，具体放置方法为：将装有三氧化钼的石英舟放在炉子中间，将装有硫粉的石英舟放在炉子外的石英管中靠近气体检流计一侧，距炉子2cm处，将硅片放在炉子内的石英管中靠近真空泵一侧，距装有三氧化钼的石英舟3～5cm处；启动真空泵，将石英管内抽真空至压强达到0.1Pa以下，通入氩气或氮气，并同时启动加热系统，将温度从室温升温至600℃～700℃，并在温度为600℃～700℃下维持10min～20min，然后关闭加热系统，并提高氩气或氮气流速到200～500mL/min，自然冷却至室温，关闭真空泵，待到石英管内压强达到常压，取出表面生长有二硫化钼纳米墙的硅片，即完成二硫化钼纳米墙的生长。2.根据权利要求1所述的一种二硫化钼纳米墙的合成方法，其特征在于步骤一中每次超声清洗时间为10min～15min。3.根据权利要求1所述的一种二硫化钼纳米墙的合成方法，其特征在于步骤一中称取5mg～7mg的三氧化钼粉末和0.14g～0.16g的硫粉。4.根据权利要求1所述的一种二硫化钼纳米墙的合成方法，其特征在于步骤二中将硅片放在炉子内的石英管中靠近真空泵一侧，距装有三氧化钼的石英舟4cm处。5.根据权利要求1所述的一种二硫化钼纳米墙的合成方法，其特征在于步骤二中通入氩气或氮气的流速为10～20mL/min。6.根据权利要求1所述的一种二硫化钼纳米墙的合成方法，其特征在于步骤二中提高氩气或氮气流速到300～400mL/min。