技术总结
一种二硫化钼纳米墙的合成方法，涉及一种二硫化钼纳米材料的合成方法。本发明是要解决现有二硫化钼纳米材料的制备方法存在固态硫源不能控制硫源的通入量及截止时间点，气态硫源会带来杂质、降低纯度，易造成安全隐患的问题。方法：一、清洗硅片；二、将硅片及分别装有三氧化钼粉末和硫粉的石英舟放入化学气相沉积装置的石英管中，启动真空泵，通入氩气或氮气，升温，维持，停止加热，提高气体流速，冷却，关闭真空泵，恢复常压，取出硅片，即完成二硫化钼纳米墙的生长。该方法不向体系内引入杂质元素，保证样品纯净度。可以很好的控制硫源的通入量及截止时间点，方法简单，易操作。本发明用于二硫化钼纳米墙的生长。
技术研发人员：高波;何梦慈;
受保护的技术使用者：哈尔滨工业大学;
文档号码：201610147322
技术研发日：2016.03.15
技术公布日：2016.07.06