1.一种成膜装置，其包括：
基板载置台，其用于载置基板；
处理室，其用于对载置到所述基板载置台的基板实施成膜处理；
处理气体供给部件，其用于向所述处理室供给成膜处理用的处理气体，该成膜装置对所述基板载置台上的基板实施成膜处理，其特征在于，
所述基板载置台包括：
载置部，其上表面成为用于载置基板的载置面；
外周环，其以包围所述载置部的外周的方式设置；
第1温度调节部，其用于将所述载置部的温度调节成能够利用所述处理气体进行成膜的第1温度；
第2温度调节部，其用于将所述外周环的温度调节成无法利用所述处理气体进行成膜的第2温度，
在所述载置部和所述外周环之间，整周地设置有作为用于抑制所述载置部和所述外周环之间的换热的绝热部发挥功能的间隙，
所述载置部的所述载置面形成得比所述基板小，所述间隙以在所述基板载置到所述载置面时所述基板的从所述载置面超出的超出部分整周地搭于所述外周环的方式形成。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述基板载置台具有基体，所述载置部从所述基体的中央部向上方突出地设置，所述外周环隔着绝热材料设置于所述基体。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
在所述基板载置到所述载置面时的所述基板的超出部分的宽度是未用作产品的区域的宽度以下。
4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，
所述超出部分的宽度小于10mm，所述间隙的宽度是1mm～9mm。
5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，
所述超出部分的宽度是5mm以上且小于10mm，所述间隙的宽度是3mm～5mm。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
该成膜装置还具有：上部罩，其以覆盖所述基板载置台的方式设置，用于划分形成所述处理室；第3温度调节部，其用于将所述上部罩的温度调节成无法利用所述处理气体进行成膜的第3温度。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
该成膜装置还具有以与所述基板载置面相对的方式设置的喷淋构件，将从所述处理气体供给部件供给来的处理气体从所述喷淋构件喷出。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
作为所述处理气体，使用有机系气体，利用蒸镀聚合在所述基板上形成有机膜。
9.根据权利要求8所述的成膜装置，其特征在于，
所述有机膜是聚脲膜，利用所述第1温度调节部进行温度调节，以使所述载置部的所述第1温度成为100℃以下，利用所述第2温度调节部进行温度调节，以使所述外周环的所述第2温度成为150℃以上。
10.一种基板载置台，其用于供给处理气体而对基板实施成膜处理的成膜装置，其特征在于，
该基板载置台包括：
载置部，其上表面成为用于载置基板的载置面；
外周环，其以包围所述载置部的外周的方式设置；
第1温度调节部，其将所述载置部的温度调节成能够利用所述处理气体进行成膜的第1温度；
第2温度调节部，其将所述外周环的温度调节成无法利用所述处理气体进行成膜的第2温度，
在所述载置部和所述外周环之间，整周地设置有作为用于抑制所述载置部和所述外周环之间的换热的绝热部发挥功能的间隙，
所述载置部的所述载置面形成得比所述基板小，所述间隙以在所述基板载置到所述载置面时所述基板的从所述载置面超出的超出部分整周地搭于所述外周环的方式形成。
11.根据权利要求10所述的基板载置台，其特征在于，
该基板载置台还具有基体，所述载置部从所述基体的中央部向上方突出地设置，所述外周环隔着绝热材料设置于所述基体。
12.根据权利要求10或11所述的基板载置台，其特征在于，
在所述基板载置到所述载置面时的所述基板的超出部分的宽度是未用作产品的区域的宽度以下。
13.根据权利要求12所述的基板载置台，其特征在于，
所述超出部分的宽度小于10mm，所述间隙的宽度是1mm～9mm。
14.根据权利要求13所述的基板载置台，其特征在于，
所述超出部分的宽度是5mm以上且小于10mm，所述间隙的宽度是3mm～5mm。
15.一种成膜方法，在该成膜方法中，使用成膜装置在基板载置到载置部的状态下向处理室供给处理气体而对基板实施成膜处理，该成膜装置在所述处理室内配置有基板载置台，该基板载置台包括：所述载置部，其上表面成为用于载置基板的载置面；外周环，其以隔着作为抑制在其与所述载置部之间的换热的绝热部发挥功能的间隙包围所述载置部的外周的方式整周地设置，该成膜方法的特征在于，
该成膜方法具有如下工序：
将所述基板以整周地遮蔽所述间隙并搭于所述外周环的方式载置于所述载置面的工序；
将所述载置部的温度调节成能够利用所述处理气体进行成膜的第1温度的工序；
将所述外周环的温度调节成无法利用所述处理气体进行成膜的第2温度的工序。