用于去除和防止金属线表面形成氧化物的组合物的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种用于去除和防止金属线表面氧化物形成的组合物。更具体地，本 发明涉及一种在制造半导体电路、或液晶显示器（LCD)电路、发光二极管（LED)或有机发光 二极管（OLED)显示设备的过程中，用于去除金属线表面的氧化物以及防止氧化物形成的 组合物。
【背景技术】
[0002] 随着电路越来越集成，用于半导体电路或用于液晶显示器（LCD)电路、发光二极 管（LED)或有机发光二极管（OLED)显示设备中的金属布线电路，其结构越来越小型化。
[0003] 同时，多种金属例如Al、Ti、Cu、Ag和Au已被用作金属线材料。这些金属中，由于 Cu具有优异的导电性和相对低的价格，所以其已被广泛用于各种领域。然而，Cu即使是在 空气中也很容易被氧化，因此，当使用Cu的线通过进行布线的单元过程时，其表面会被氧 化物覆盖。换句话说，当使用Cu的线通过能够沉积低介电材料的热处理过程、能够确定使 用感光材料的金属线形状的曝光过程、能够在曝光过程之后形成金属布线膜的蚀刻过程以 及能够去除蚀刻过程后残留在金属布线膜表面上的感光材料的剥离过程时，其表面会被氧 化物覆盖。然而，这种氧化物可降低Cu本身的导电性，增加电阻，并且最终使得难于获得良 好的低电压的电路结构。因此，迄今为止，Cu还没有作为OLED显示设备中的金属而被使用。
[0004] 因此，如果通过去除在经过上述各种过程时形成的金属线表面氧化物，则可以保 持金属线自身的导电性，就能够获得更良好的金属电路布线。然而，金属氧化物膜和金属膜 具有非常相似的性质，目前还不能够选择性地去除金属氧化物。
【发明内容】
[0005] 【技术问题】
[0006] 本发明的目的是提供一种可以选择性地去除金属线表面氧化物的组合物。
[0007] 本发明的另一目的是提供一种可以防止金属线表面氧化物形成的组合物。
[0008] 本发明的再一目的是提供一种可以防止更低层的金属膜腐蚀，同时可以去除金属 线表面的氧化物并防止该氧化物形成的组合物。
[0009] 【技术方案】
[0010] 根据本发明的一种用于去除和防止金属线表面氧化物形成的组合物，包括 0. 01-20重量％的下述化学式1所示的化合物，10-99. 99重量％的溶剂，以及0-70重量％ 的水：
[0011]
【主权项】
1. 一种用于去除和防止金属线表面氧化物形成的组合物，包括： 0. 01-20重量％的下述化学式1所示的化合物； 10-99. 99重量％的有机溶剂；以及
0-70重量％的水： 化学式1 其中，化学式1中，X1是C或S; X2是CR Vnr2J或s，此处R1和R2各自独立地为氢、c H2烷基、c H2烷基硫醇或c…烷 氧基，C6_12芳基，或羟基，以及 X3和X 4各自独立地为CR 3或N，此处R 3独立地为氢、C i_12烷基或C ^2烷基硫醇，或氢， 以及，此处当X3和X4均为CR3且R 3为C i_12烷基时，取代基R3末端的碳可以相互键合形成饱 和或不饱和的环。
2. 根据权利要求1所述的用于去除和防止金属线表面氧化物形成的组合物，其中，所 述有机溶剂为胺系溶剂。
3. 根据权利要求2所述的用于去除和防止金属线表面氧化物形成的组合物，其中，所 述胺系溶剂选自由：单乙醇胺、单异丙胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、二异丙 胺、氨丙醇、单甲基乙醇胺、氨乙基乙醇胺、二甲基乙醇胺、吗啉、N-甲基吗啉、N-乙基吗啉、 N-氨乙基哌嗪、二甲基哌嗪、二甲氨基丙胺、氨丙基吗啉、甲氧基丙胺、五甲基二亚乙基胺、 乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、及其混合物组成的组。
4. 根据权利要求1所述的用于去除和防止金属线表面氧化物形成的组合物，其中，所 述有机溶剂选自由：醇系溶剂、酰胺系溶剂、二醇系溶剂、二醇醚系溶剂及其混合物组成的 组，以及 水为1-70重量％。
5. 根据权利要求4所述的用于去除和防止金属线表面氧化物形成的组合物，其中，所 述有机溶剂选自由：乙二醇单甲醚、丙二醇丙醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇单丁醚、三乙二 醇丁醚、乙二醇单乙醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、三丙二醇甲醚、乙二醇甲醚乙酸 酯、乙二醇单丁醚乙酸酯、二乙二醇单丁醚乙酸酯、3-甲氧基-1-丁醇、二丙二醇单甲醚、丙 二醇二甲醚、3-甲氧基-1-丙醇、乙酸2-乙氧基乙基酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、乙烯基卡必 醇、丙烯基卡必醇、γ-丁内酯、二甲亚砜、环丁砜、二甲基甲酰胺、四氢糠醇、炔丙醇、三乙二 醇单乙醚、聚乙二醇单乙醚、丙二醇单甲醚、乙二醇单异丙基醚、乙二醇单异丁基醚、二乙醇 单苯醚及其混合物组成的组。
6. 根据权利要求1所述的用于去除和防止金属线表面氧化物形成的组合物，其中，所 述金属是Cu。
【专利摘要】本发明提供一种在制造半导体电路、有机发光二极管、LED或液晶显示器的过程中，去除形成在铜膜表面的氧化物，且不会引起更低层金属膜的腐蚀的方法。该组合物包括腐蚀性胺，可去除金属氧化物，这取决于范围为0.01-10％的添加剂，而不论超纯水的含量为多少。当其同样含有水和0.01-20％的添加剂时，除了腐蚀性胺以外，其它极性溶剂可有效去除金属表面的氧化物。
【IPC分类】C23F1-44, C23F1-10
【公开号】CN104662202
【申请号】CN201380049569
【发明人】崔好星, 柳匡铉, 裵锺一, 李锺淳, 梁惠星, 河相求
【申请人】Ltc有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年7月24日
【公告号】EP2878707A1, WO2014017819A1