蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法。
【背景技术】
[0002]目前，在有机EL元件的制造中，为了形成有机EL元件的有机层或阴极电极，例如在应蒸镀的区域使用以微小间隔平行地排列多个微细缝隙而成的金属制蒸镀掩模。在使用该蒸镀掩模的情况下，在应蒸镀的基板表面载置蒸镀掩模，从背面使用磁铁来保持，但由于缝隙的刚性极小，所以在将蒸镀掩模保持于基板表面时，容易在缝隙产生变形，而妨碍高精细化或缝隙长度变大的制品大型化。
[0003]对于用于防止缝隙变形的蒸镀掩模进行了各种研究，例如在专利文献I中公开了一种蒸镀掩模，其具备:具有多个开口部的兼作第一金属掩模的底板；在覆盖上述开口部的区域具备多个微细缝隙的第二金属掩模；使第二金属掩模以沿缝隙的长度方向拉伸的状态位于底板上的掩模拉伸保持装置。即，公开了一种组合有2种金属掩模的蒸镀掩模。根据该蒸镀掩模，缝隙不会发生变形，即可确保缝隙精度。
[0004]但是，近年来，随着使用有机EL元件的制品的大型化或基板尺寸的大型化，对于蒸镀掩模，大型化的要求不断增高，用于制造由金属构成的蒸镀掩模的金属板也大型化。但是，在现在的金属加工技术中，难以在大型的金属板上高精度地形成缝隙，即使通过上述专利文献I所提出的方法等可防止缝隙部的变形，也不能应对缝隙的高精细化。另外，在形成为仅由金制构成的蒸镀掩模的情况下，随着大型化，其质量也增大，包含框架的总质量也增大，因此，会在处理时造成障碍。
[0005]在上述公开的蒸镀掩模中，为实现蒸镀掩模的轻质化，需要减薄由金属制成的蒸镀掩模的厚度。但是，在减薄由金属制成的蒸镀掩模的厚度的情况下，使蒸镀掩模的强度降低，会产生在蒸镀掩模上发生变形的情况、或难以处理等新的问题。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特开2003-332057号公报
【发明内容】
[0009]发明所要解决的课题
[0010]本发明是鉴于这样的状况而进行的，其主要课题在于，提供一种即使在大型化的情况下，也能够满足高精细化和轻质化二者，且可以在保持强度的同时形成高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模；可简便制造该蒸镀掩模的蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法；以及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。
[0011]用于解决课题的技术方案
[0012]为解决上述课题，本发明提供一种蒸镀掩模，其叠层有设有缝隙的金属掩模、和在与所述缝隙重合的位置设有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的树脂掩模，所述金属掩模具有设有所述缝隙的一般区域、和壁厚厚于该一般区域的厚壁区域。
[0013]所述蒸镀掩模中，所述一般区域的厚度也可以为5 μπι以上且25 μm以下。
[0014]另外，为解决上述课题，本发明提供一种用于获得蒸镀掩模的蒸镀掩模准备体，所述蒸镀掩模叠层有设有缝隙的金属掩模、和在与所述缝隙重合的位置设有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的树脂掩模，其中，在树脂板的一面上叠层设有缝隙的金属掩模，所述金属掩模具有设有所述缝隙的一般区域、和壁厚厚于该一般区域的厚壁区域。
[0015]另外，为解决上述课题，本发明提供一种蒸镀掩模的制造方法，该方法包括:将设有缝隙的金属掩模和树脂板贴合的工序；从所述金属掩模侧照射激光，在所述树脂板上形成与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的工序，作为所述金属掩模，使用具有设有所述缝隙的一般区域、和壁厚厚于该一般区域的厚壁区域的金属掩模。
[0016]另外，所述制造方法中使用的所述金属掩模也可以是通过以下工序得到的金属掩模:将金属板的所述厚壁区域部分进行掩蔽，将该金属板的未掩蔽区域进行薄型化加工，由此形成所述一般区域的工序；在所述一般区域内形成所述缝隙的工序。
[0017]另外，在所述制造方法中，也可以进行下述工序:在将贴合有所述树脂板的金属掩模固定于框架上后，从所述金属掩模侧照射激光，在所述树脂板上形成与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的工序。
[0018]另外，为解决上述课题，本发明提供一种有机半导体元件的制造方法，该方法包括:使用框架上固定有蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模，在蒸镀对象物上形成蒸镀图案的工序，在形成所述蒸镀图案的工序中，所述固定于所述框架的所述蒸镀掩模叠层有设有缝隙的金属掩模、和在与所述缝隙重合的位置设有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的树脂掩模，所述金属掩模具有设有所述缝隙的一般区域、和壁厚厚于该一般区域的厚壁区域。
[0019]发明的效果
[0020]根据本发明一实施方式的蒸镀掩模，即使在大型化的情况下，也能够满足高精细化及轻质化二者，且可在保持强度的同时，形成高精细的蒸镀图案。另外，根据本发明一实施方式的蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法，可简便制造上述特征的蒸镀掩模。另外，根据本发明一实施方式的有机半导体元件的制造方法，可高精度地制造有机半导体元件。
【附图说明】
[0021]图1 (a)是从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模的正面图，(b)是一实施方式的蒸镀掩模的概略剖面图；
[0022]图2 (a)?(d)是从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模的正面图；
[0023]图3是从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模的正面图；
[0024]图4是从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模的正面图；
[0025]图5是从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模的正面图；
[0026]图6是一实施方式的蒸镀掩模100的局部放大剖面图；
[0027]图7(a)是树脂掩模的其它实施方式的立体图，(b)是其剖面图；
[0028]图8是表示阴影和金属掩模的厚度的关系的概略剖面图；
[0029]图9是表示金属掩模的缝隙和树脂掩模的开口部的关系的部分概略剖面图；
[0030]图10是表示金属掩模的缝隙和树脂掩模的开口部的关系的部分概略剖面图；
[0031]图11是从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模的正面图；
[0032]图12是从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模的正面图；
[0033]图13是从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模的正面图；
[0034]图14是一实施方式的蒸镀掩模的概略剖面图；
[0035]图15是从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模的正面图；
[0036]图16是用于说明一实施方式的蒸镀掩模的制造方法的工序图，其中(a)?(C)全是剖面图；
[0037]图17是用于说明金属掩模的形成方法的例子的工序图，其中(a)?(h)全是剖面图；
[0038]图18是从树脂掩模侧观察一实施方式的带框架的蒸镀掩模的正面图；
[0039]图19是从树脂掩模侧观察一实施方式的带框架的蒸镀掩模的正面图。
[0040]标记说明
[0041]10:金属掩模
[0042]1a:一般区域
[0043]1b:厚壁区域
[0044]15:缝隙
[0045]18:桥部
[0046]20:树脂掩模
[0047]25:开口部
[0048]60:金属框架
[0049]100:蒸镀掩模
[0050]200:带框架的蒸镀掩模
【具体实施方式】
[0051]以下，采用附图具体说明本发明一实施方式的蒸镀掩模100。
[0052]图1(a)是从金属掩模侧观察本发明一实施方式的蒸镀掩模的正面图，图1 (b)是图1 (a)的概略剖面图。另外，图2?图4是从金属掩模侧观察一实施方式的蒸镀掩模的正面图。需要说明的是，图1(a)、(b)、图2?图4中以斜线部所示区域为厚壁区域10b，金属掩模10通过一般区域1a和厚壁区域1b而形成一体。以下，以图示实施方式的蒸镀掩模为中心进行说明，但本发明不限于图示实施方式。
[0053]如图1 (b)所示，一实施方式的蒸镀掩模100采用下述结构:由设有缝隙15的金属掩模10 ;和位于金属掩模10的表面(在为图1 (b)所不的情况下为金属掩模10的下面)且在与缝隙15重合的位置设有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部25的树脂掩模20叠层而成的结构。
[0054]在此，假设一实施方式的蒸镀掩模100和现有公知的仅由金属制成的蒸镀掩模的整体厚度相同，将二者的质量进行比较时，仅就现有公知的蒸镀掩模的金属材料的一部分被置换成树脂材料这部分而言，本发明的蒸镀掩模100的质量变轻。另外，使用仅由金属构成的蒸镀掩模要实现轻质化，必须使该蒸镀掩模的厚度变薄等，但在使蒸镀掩模的厚度变薄的情况下，在将蒸镀掩模大型化时，会发生蒸镀掩模产生变形的情况、或耐久性降低的情况。另一方面，根据本发明一实施方式的蒸镀掩模，即使是为了满足大型化时的变形、耐久性而加厚蒸镀掩模整体厚度的情况，也可以通过树脂掩模20的存在，而实现比仅由金属所形成的蒸镀掩模更为轻质化。以下，分别具体进行说明。
[0055](树脂掩模)
[0056]树脂掩模20由树脂构成，如图1(b)所示，在与缝隙15重合的位置设有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部25。需要说明的是，在本案说明书中，要蒸镀制作的图案是指要使用该蒸镀掩模来制作的图案，例如在将该蒸镀掩模用于形成有机EL元件的有机层的情况下，即为该有机层的形状。另外，在图示的方式中，列举纵横配置多列开口部的例子进行说明，但开口部25只要设于与缝隙15重合的位置即可，在缝隙15以纵向或横向仅配置I列的情况下，只要在与该I列缝隙15重合的位置设有开口部25即可。
[0057]树脂掩模20可适当选择使用现有公知的树脂材料，关于其材料没有特别限定，但优选为使用可通过激光加工等形成高精细的开口部25、热或经时的尺寸变化率或吸湿率小、且轻质的材料。作为这样的材料，可举出聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树月旨、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚乙烯醇树脂、聚丙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、聚丙烯腈树脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯-乙