等，吸引树脂板30及基准板来进行贴合。除此之夕卜，也可以使用静电吸附法等来进行贴合。作为基准板，可举出例如具有规定的开口图案的TFT基板或光掩模等。
[0119]另外，上述中说明了薄型化工序作为形成一般区域1a的方法，但在本发明一实施方式的制造方法中，也可以在上述说明的工序间、或工序后进行薄型化工序。例如，在上述说明的金属掩模10的形成方法中，金属板11的厚度直接成为厚壁区域1b的厚度，但是也可以根据需要进行薄型化，来调整厚壁区域1b的厚度。另外，同样地，也可以调整一般区域1a的厚度。
[0120]例如，在使用比上述说明的优选厚度更厚的金属板、例如具有比厚壁区域1b的厚度更厚的金属板，作为成为树脂掩模20的树脂板30、或成为金属掩模10的金属板11的情况下，在制造工序中，在单独运送金属板11或树脂板30时等，可赋予优异的耐久性或运送性。另一方面，为了防止阴影的产生等，本发明一实施方式的制造方法中得到的蒸镀掩模100的厚度优选为最佳厚度。薄型化工序是在制造工序间、或工序后，在满足耐久性或运送性的同时对将蒸镀掩模100的厚度最适化的情况有用的工序。
[0121]金属掩模10或金属板11的厚壁区域1b的薄型化可以通过在上述说明的工序间或工序后，使用可蚀刻金属板11或金属掩模10进行蚀刻的蚀刻材料蚀刻金属板11的未与树脂板30相接的一侧的面、或金属掩模10的未与树脂板30或树脂掩模20相接的一侧的面来实现。需要说明的是，该情况下，可以将一般区域1a进行掩蔽，一般区域1a的厚度不会产生其以上的变动，也可以在与厚壁区域1b的薄型化同时，进行一般区域1a的厚度的调整。该情况下，不需要对一般区域1a进行掩蔽。
[0122]关于成为树脂掩模20的树脂板30、或树脂掩模20的薄型化，即树脂板30、树脂掩模20的厚度的最佳化也相同，可以通过在上述中所说明的任何工序间、或工序后，使用可蚀刻树脂板30或树脂掩模20的材料蚀刻树脂板30的未与金属板11或金属掩模10相接的一侧的面、或树脂掩模20的未与金属掩模10相接的一侧的面来实现。另外，也可以在形成蒸镀掩模100后，通过将金属掩模10、树脂掩模30 二者进行蚀刻加工，将双方的厚度最佳化。
[0123](蒸镀掩模准备体)
[0124]接着，说明本发明一实施方式的蒸镀掩模准备体。本发明一实施方式提供一种蒸镀掩模准备体，用于获得叠层有设有缝隙的金属掩模、和在与缝隙重合的位置设有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的树脂掩模的蒸镀掩模，其特征在于，在树脂板的一面上叠层设有缝隙的金属掩模而成，金属掩模具有设有缝隙的一般区域和壁厚厚于该一般区域的厚壁区域。
[0125]本发明一实施方式的蒸镀掩模准备体除了在树脂板30上未设置开口部25以外，与上述说明的本发明一实施方式的蒸镀掩模100共通，所以省略具体说明。作为蒸镀掩模准备体的具体构成，可举出在上述蒸镀掩模的制造方法中的准备工序所准备的带树脂板的金属掩模(参照图17(h))。
[0126]根据本发明一实施方式的蒸镀掩模准备体，在该蒸镀掩模准备体的树脂板上形成开口部，由此，即使在大型化的情况下，也可以满足高精细化和轻质化二者，可以得到可形成高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模。
[0127](有机半导体元件的制造方法)
[0128]本发明一实施方式的有机半导体元件的制造方法的特征在于，具有通过使用带框架的蒸镀掩模的蒸镀法形成蒸镀图案的工序，在制造该有机半导体元件的工序中，使用以下说明的带框架的蒸镀掩模。
[0129]具有通过使用带框架的蒸镀掩模的蒸镀法形成蒸镀图案的工序的一实施方式的有机半导体元件的制造方法具有:在基板上形成电极的电极形成工序、有机层形成工序、对向电极形成工序、密封层形成工序等，在各任意工序中，通过使用带框架的蒸镀掩模的蒸镀法，在基板上形成蒸镀图案。例如，在有机EL器件的R、G、B各色的发光层形成工序中分别应用使用带框架的蒸镀掩模的蒸镀法的情况下，在基板上形成各色发光层的蒸镀图案。需要说明的是，本发明一实施方式的有机半导体元件的制造方法不限定于这些工序，可适用于制造使用蒸镀法的现有公知的有机半导体元件时的任意工序。
[0130]本发明一实施方式的有机半导体元件的制造方法的特征在于，在形成上述蒸镀图案的工序中，固定于框架的蒸镀掩模为上述说明的本发明一实施方式的蒸镀掩模。
[0131]作为通过本发明的制造方法制造的有机半导体元件，例如可举出有机EL元件的有机层、发光层、或阴极电极等。尤其是，本发明的有机半导体元件的制造方法可适用于制造要求高精细的图案精度的有机EL元件的R、G、B发光层。
[0132]用于制造有机半导体元件的带框架的蒸镀掩模只要满足在框架上固定有上述说明的本发明一实施方式的蒸镀掩模的条件即可，关于其它条件，没有特别限定。关于框架，没有特别限定，只要为可支撑蒸镀掩模的部件即可，例如可使用金属框架或陶瓷框架等。其中，金属框架在容易与蒸镀掩模的金属掩模进行焊接、变形等的影响较小这一点上，优选。以下，以使用金属框架作为框架的例子为中心进行说明。例如，如图18所示，也可以使用在金属框架60上固定I个蒸镀掩模100而成的带金属框架的蒸镀掩模200，如图19所示，也可以使用在金属框架60上沿纵向或横向排列固定有(在图示的方式中沿横向排列固定)多个蒸镀掩模(在图示的方式中为4个蒸镀掩模)的带框架的蒸镀掩模200。需要说明的是，图18、图19是从树脂掩模20侧观察一实施方式的带金属框架的蒸镀掩模200的正面图。
[0133]金属框架60为大致矩形形状的框部件，具有用于使设于最终固定的蒸镀掩模100的树脂掩模20的开口部25露出于蒸镀源侧的开口。关于金属框架的材料，没有特别限定，但刚性大的金属材料，例如SUS或因瓦合金材等较为适合。
[0134]关于金属框架的厚度，也没有特别限定，从刚性等方面来看，优选为1mm?30mm左右。金属框架的开口的内周端面和金属框架的外周端面间的宽度只要为可固定该金属框架和蒸镀掩模的金属掩模的宽度，就没有特别限定，可例示例如1mm?50mm左右的宽度。
[0135]另外，在不妨碍构成蒸镀掩模100的树脂掩模20的开口部25的露出的范围内，在金属框架的开口处也可以存在补强框架65等。换言之，金属框架60所具有的开口也可以具有通过补强框架等而分割的构成。在图18所示的方式中，沿纵向配置有多个沿横向延伸的补强框架65，但也可以取代该补强框架65，或者与此同时沿横向配置多列沿纵向延伸的补强框架。另外，在图19所示的方式中，沿横向配置有多个沿纵向延伸的补强框架65，但是也可以取代该补强框架65，或者与此同时沿纵向配置多个沿横向延伸的补强框架。通过使用配置有补强框架65的金属框架60，将本发明一实施方式的蒸镀掩模100沿纵向及横向排列多个固定于该金属框架60时，在该补强框架与蒸镀掩模重合的位置，也可以将蒸镀掩模固定于金属框架60。
[0136]关于金属框架60和本发明一实施方式的蒸镀掩模100的固定方法，也没有特别限定，可使用通过激光等来进行固定的点焊、用粘接剂、螺纹固定等来进行固定。
【主权项】
1.一种蒸镀掩模，其叠层有金属掩模和树脂掩模，其中，所述金属掩模设有缝隙，所述树脂掩模在与所述缝隙重合的位置设有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部， 所述金属掩模具有设有所述缝隙的一般区域、和壁厚厚于该一般区域的厚壁区域。2.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，所述一般区域的厚度为5μπι以上且25 μπι以下。3.一种蒸镀掩模准备体，其用于得到蒸镀掩模，所述蒸镀掩模叠层有金属掩模和树脂掩模， 所述金属掩模设有缝隙，所述树脂掩模在与所述缝隙重合的位置设有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部，其中， 在树脂板的一侧的面上叠层有设有缝隙的金属掩模， 所述金属掩模具有设有所述缝隙的一般区域、和壁厚厚于该一般区域的厚壁区域。4.一种蒸镀掩模的制造方法，该方法包括: 将设有缝隙的金属掩模和树脂板贴合的工序； 从所述金属掩模侧照射激光，在所述树脂板上形成与要蒸镀制作的图案相对应的开口部的工序， 作为所述金属掩模，使用具有设有所述缝隙的一般区域、和壁厚厚于该一般区域的厚壁区域的金属掩模。5.如权利要求4所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，所述金属掩模是通过以下工序得到的金属掩模: 将金属板的成为所述厚壁区域的部分进行掩蔽，将该金属板的未进行掩蔽的区域进行薄型化加工，由此形成所述一般区域的工序； 在所述一般区域内形成所述缝隙的工序。6.如权利要求4或5所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，进行下述工序: 在将贴合有所述树脂板的金属掩模固定于框架上后，从所述金属掩模侧照射激光，在所述树脂板上形成与要蒸镀制作的图案相对应的开口部。7.一种有机半导体元件的制造方法，该方法包括: 使用框架上固定有蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模，在蒸镀对象物上形成蒸镀图案的工序，其中， 在形成所述蒸镀图案的工序中，固定于所述框架的所述蒸镀掩模叠层有金属掩模和树脂掩模， 所述金属掩模设有缝隙，所述树脂掩模在与所述缝隙重合的位置设有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部， 所述金属掩模具有设有所述缝隙的一般区域、和壁厚厚于该一般区域的厚壁区域。
【专利摘要】本发明提供一种即使在大型化的情况下，也能够同时满足高精细化和轻质化二者，且可以在保持强度的同时形成高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模；及可简便制造该蒸镀掩模的蒸镀掩模准备体或蒸镀掩模的制造方法；以及可制造高精细的有机半导体元件的制造方法。将设有缝隙(15)的金属掩模(10)、和在与缝隙(15)重合的位置设有与要蒸镀制作的图案相对应的开口部(25)的树脂掩模(20)叠层，金属掩模(10)具有设有缝隙(15)的一般区域(10a)、和壁厚厚于该一般区域的厚壁区域(10b)。
【IPC分类】C23C14/24, H05B33/10, H01L51/50
【公开号】CN105102668
【申请号】CN201480017634
【发明人】小幡胜也, 武田利彦, 川崎博司, 西村佑行, 真木淳, 落合洋光, 广部吉纪
【申请人】大日本印刷株式会社
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年3月24日
【公告号】WO2014157068A1