基于Cl₂反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法

专利名称：基于Cl₂反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法
技术领域：
本发明属于微电子技术领域，涉及半导体薄膜材料及其制备方法，具体地说是基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法。
背景技术：
石墨烯出现在实验室中是在2004年，当时，英国曼彻斯特大学的两位科学家安德烈 杰姆和克斯特亚 诺沃消洛夫发现他们能用一种非常简单的方法得到越来越薄的石墨薄片。他们从石墨中剥离出石墨片，然后将薄片的两面粘在一种特殊的胶带上，撕开胶带， 就能把石墨片一分为二。不断地这样操作，于是薄片越来越薄，最后，他们得到了仅由一层碳原子构成的薄片，这就是石墨烯。这以后，制备石墨烯的新方法层出不穷。目前的制备方法主要有两种1.电弧法最早由Rao CNR等人用来制备石墨烯，他们使用氢气和氦气的混合气体作为反应气。使用该方法制备石墨烯需要较高的氢气压力和较大的放电电流，危险性较高。2.热分解SiC法将单晶SiC加热以通过使表面上的SiC分解而除去Si，随后残留的碳形成石墨烯。然而，SiC热分解中使用的单晶SiC非常昂贵，并且生长出来的石墨烯呈岛状分布，孔隙多，层数不均勻。现有的石墨烯的制备方法，如申请号为200810113596. 0的“化学气相沉积法制备石墨烯的方法”专利，公开的方法是首先制备催化剂，然后进行高温化学气相沉积，将带有催化剂的衬底放入无氧反应器中，使衬底达到500-1200°C，再通入含碳气源进行化学沉积而得到石墨烯，然后对石墨烯进行提纯(即酸处理或低压、高温下蒸发)除去催化剂。该方法的主要缺点是工艺复杂，需要专门去除催化剂，能源消耗大，生产成本高。

发明内容
本发明的目的在于针对上述已有技术的不足，提出一种基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，以提高表面光滑度、降低孔隙率。为实现上述目的，本发明的制备方法包括以下步骤(1)对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；(2)将清洗后的SiC样片置于石英管中，加热至700-1100°C ；(3)向石英管中通入Ar气和Cl2气的混合气体，持续时间3-8min，使Cl2与3C_SiC 反应生成碳膜；(4)将生成的碳膜样片置于Ar气中在温度为1000-1200°c下退火10-30min，使碳
膜重构成石墨烯。本发明与现有技术相比具有如下优点1.本发明使用的方法工艺简单，节约能源，安全性高。2.本发明中SiC与Cl2可在较低的温度和常压下反应，且反应速率快。3.本发明由于利用SiC与Cl2气反应，因而生成的石墨烯表面光滑，空隙率低，且厚度容易控制，可用于对气体和液体的密封。


图1是本发明制备石墨烯的装置示意图；图2是本发明制备石墨烯的流程图。
具体实施例方式参照图1，本发明的制备设备主要由石英管1和电阻炉2组成，其中石英管1设有进气口 3和出气口 4，电阻炉为2为环状空心结构，石英管1插装在电阻炉2内。参照图2，本发明的制作方法给出如下三种实施例。实施例1步骤1 清洗6H_SiC样片，以去除表面污染物。(1. 1)对6H_SiC衬底基片使用ΝΗ40Η+Η2&试剂浸泡样品10分钟，取出后烘干，以去除样品表面有机残余物；(1. 2)将去除表面有机残余物后的6H_SiC样片再使用HC1+H2&试剂浸泡样品10 分钟，取出后烘干，以去除离子污染物。步骤2 将6H-SiC样片装入石英管，并排气加热。(2. 1)将清洗后的6H_SiC样片放入石英管1中，把石英管置于电阻炉2中；(2. 2)从进气口 3向石英管中通入流速为SOsccm的Ar气，对石英管进行排空10 分钟，将空气从出气口 4排出；(2. 3)打开电阻炉电源开关，对石英管加热至700°C。步骤3:生成碳膜向石英管通入流速分别为98SCCm和kccm的Ar气和Cl2气，时间为5分钟，使Cl2 与6H-SiC反应生成碳膜。步骤4 对生成的碳膜重构成石墨烯将电阻炉温度升至1000°C，向石英管中通入流速为lOOsccm的Ar气，对生成的碳膜进行10分钟的退火，以重构成石墨烯。实施例2步骤一清洗4H_SiC样片，以去除表面污染物。对4H_SiC衬底基片先使用NH40H+H2A试剂浸泡样品10分钟，取出后烘干，以去除样品表面有机残余物；再使用HC1+H202试剂浸泡样品10分钟，取出后烘干，以去除离子污染物。步骤二 将4H_SiC样片装入石英管，并排气加热。将清洗后的4H_SiC样片置于石英管1中，把石英管置于电阻炉2中；从进气口 3 向石英管中通入流速为SOsccm的Ar气，对石英管进行排空10分钟，将空气从出气口 4排出；再打开电阻炉电源开关，对石英管加热至1000°C。步骤三生成碳膜向石英管通入流速分别为97SCCm和3sCCm的Ar气和Cl2气，时间为3分钟，使Cl2 与4H-SiC反应生成碳膜。
步骤四对生成的碳膜重构成石墨烯将电阻炉温度升至1050°C，向石英管中通入流速为75sCCm的Ar气，对生成的碳膜进行15分钟的退火，以重构成石墨烯。实施例3步骤A 对6H_SiC衬底基片进行表面清洁处理，即先使用ΝΗ40Η+Η2&试剂浸泡样品 10分钟，取出后烘干，以去除样品表面有机残余物；再使用HC1+H202试剂浸泡样品10分钟， 取出后烘干，以去除离子污染物。步骤B 将清洗后的6H_SiC样片置于石英管1中，并把石英管置于电阻炉2中；从进气口 3向石英管中通入流速为SOsccm的Ar气，对石英管进行排空10分钟，将空气从出气口 4排出；再打开电阻炉电源开关，对石英管也加热至1100°C。步骤C 向石英管中通入流速分别为95sccm和kccm的Ar气和Cl2气，时间为8 分钟，使Cl2与6H-SiC反应生成碳膜。步骤D 将电阻炉温度升至1200°C，向石英管中通入流速为25SCCm的Ar气，对生成的碳膜进行30分钟的退火，以重构成石墨烯。
权利要求
1.一种基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于，制备方法包括以下步骤(1)对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；(2)将清洗后的SiC样片置于石英管中，加热至700-1100°C；(3)向石英管中通入Ar气和Cl2气的混合气体，持续时间3-8min，使Cl2与3C_SiC反应生成碳膜；(4)将生成的碳膜样片置于Ar气中在温度为1000-1200°C下退火10-30min，使碳膜重构成石墨烯。
2.根据权利要求1所述的基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述步骤(1)对SiC样片进行清洗，是先使用ΝΗ40Η+Η2Α试剂浸泡SiC样片10分钟，取出后烘干，以去除样片表面有机残余物；再使用HC1+H2A试剂浸泡样片10分钟，取出后烘干， 以去除离子污染物。
3.根据权利要求1所述的基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于步骤( 所述通入的Ar气和Cl2气，其流速分别为95-98sccm和5_kccm。
4.根据权利要求1所述的基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述步骤(4)退火时Ar气的流速为25-lOOsccm。
5.根据权利要求1所述的基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述SiC样片的晶型采用4H-SiC或6H-SiC。
全文摘要
本发明公开了一种基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、层数不均匀的问题。其实现过程是先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的SiC样片置于石英管中，向石英管中通入Ar气和Cl2的混合气体，在700-1100℃下SiC与Cl2反应3-8min，生成碳膜；将生成的碳膜置于Ar气中，在温度为1000-1200℃下退火10-30min生成石墨烯。用本发明工艺简单，安全性高，生成的石墨烯表面光滑，孔隙率低，可用于对气体和液体的密封。
文档编号C01B31/04GK102530936SQ201210007340
公开日2012年7月4日 申请日期2012年1月3日 优先权日2012年1月3日
发明者吕晋军, 张克基, 张玉明, 邓鹏飞, 郭辉, 雷天民 申请人:西安电子科技大学