1.一种氧化物介电体，其是含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物，所述氧化物可包含不可避免的杂质，
所述氧化物介电体含有烧绿石型晶体结构的第一晶体相以及β-BiNbO4型晶体结构的第二晶体相，
所述氧化物介电体的所述第一晶体相的含量、以及所述第二晶体相的含量被进行了调整，
所述第一晶体相在25℃以上120℃以下的温度范围内伴随所述氧化物的温度上升而相对介电常数降低，所述第二晶体相在所述温度范围内伴随所述氧化物的温度上升而相对介电常数上升。
2.一种氧化物介电体，其是含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物，所述氧化物可包含不可避免的杂质，
所述氧化物介电体含有烧绿石型晶体结构的第一晶体相以及β-BiNbO4型晶体结构的第二晶体相，
所述第一晶体相的含量为1时，所述第二晶体相的含量为1.43以上4.67以下。
3.根据权利要求1或2所述的氧化物介电体，还含有Bi3NbO7型晶体结构的第三晶体相以及非晶相，
所述第一晶体相的含量与所述第二晶体相的含量之和超过所述氧化物全体的40％。
4.根据权利要求1或2所述的氧化物介电体，其中，相对介电常数为54以上140以下。
5.一种固态电子装置，其具备根据权利要求1至4中任一项所述的氧化物介电体。
6.根据权利要求5所述的固态电子装置，其中，所述固态电子装置是选自电容器、半导体装置、以及微电气机械系统中的一种。
7.一种氧化物介电体的制造方法，包含加热工序，
在所述加热工序中，将以含铋(Bi)的前体以及含铌(Nb)的前体为溶质的前体溶液作为起始材料的前体在含氧氛围中加热，由此调整烧绿石型晶体结构的第一晶体相的含量、以及β-BiNbO4型晶体结构的第二晶体相的含量，
所述烧绿石型晶体结构的第一晶体相在25℃以上120℃以下的温度范围内伴随由所述前体所形成的含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物的温度上升而相对介电常数降低，
所述β-BiNbO4型晶体结构的第二晶体相在所述温度范围内伴随所述氧化物的温度上升而相对介电常数上升，
所述氧化物可包含不可避免的杂质。
8.一种氧化物介电体的制造方法，包含加热工序，
在所述加热工序中，将以含铋(Bi)的前体以及含铌(Nb)的前体为溶质的前体溶液作为起始材料的前体在含氧氛围中加热，由此形成含有烧绿石型晶体结构的第一晶体相和β-BiNbO4型晶体结构的第二晶体相的含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物时，进行调整使得当烧绿石型晶体结构的第一晶体相的含量为1时β-BiNbO4型晶体结构的第二晶体相的含量成为1.43以上4.67以下，
所述氧化物可包含不可避免的杂质。
9.根据权利要求7或8所述的氧化物介电体的制造方法，其中，
通过所述加热工序进行调整，以使得所述氧化物还含有Bi3NbO7型晶体结构的第三晶体相和非晶相，并且所述第一晶体相的含量和所述第二晶体相的含量之和超过所述氧化物全体的40％。
10.根据权利要求7或8所述的氧化物介电体的制造方法，其中，
在形成所述氧化物介电体的层之前，在含氧氛围中在80℃以上150℃以下对所述前体的层进行了加热的状态下实施压纹加工，由此形成所述前体的压纹结构。
11.一种固态电子装置的制造方法，制造具备根据权利要求7至10中任一项所述的氧化物介电体的固态电子装置。