技术总结
本发明提供一种具有优异特性的氧化物介电体、及具备该氧化物介电体的固态电子装置(例如，电容器、半导体装置、或微电气机械系统)。本发明的由一个氧化物介电体构成的氧化物层(30)为含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物(可包含不可避免的杂质)的层，并含有烧绿石型晶体结构的第一晶体相、以及β－BiNbO4型晶体结构的第二晶体相。进一步，该氧化物层(30)在25℃以上120℃以下的温度范围内伴随氧化物层(30)的温度上升而相对介电常数降低的第一晶体相的含量、以及在该温度范围内伴随氧化物(30)的温度上升而相对介电常数上升的第二晶体相的含量被进行了调整。
技术研发人员：下田达也;井上聪;有贺智纪
受保护的技术使用者：国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;安达满株式会社
文档号码：201580032577
技术研发日：2015.07.10
技术公布日：2017.02.22