本发明属于电子陶瓷介质材料技术领域，尤其涉及一种微波陶瓷介质材料及制备方法。
背景技术：
微波介质陶瓷材料具有损耗低，频率温度系数小，介电常数高等特点。用微波介质陶瓷材料做成的各类高性能器件，已被广泛应用于卫星电视、雷达、移动通讯、电子计算机及现医学等众多领域。微波介质陶瓷是谐振器、滤波器、振荡器、移相器等微波元器件的关键材料,而且微波介质陶瓷的性能在很大程度上决定了上述元器件与系统的尺寸及性能极限。
国内已有厂家生产该瓷料，但有介电常数小、温度系数大、损耗大、性能不稳定等缺点，不能用于要求较严的场合。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种介电常数大，温度系数小、插入损耗小和性能稳定的微波陶瓷介质材料。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的，该微波陶瓷介质材料由以下原料制成：碳酸钡(baco3)30～60%，氧化锆(zro2)20～40%，氧化锡(sno2)20～40%，氧化钨(wo3)0.2～1%，氧化钇(y2o3)0.2～1%，三氧化二铬(cr2o3)0.1～0.6%，氧化镝(dy2o3)0.1～0.6%。
优选的，该微波陶瓷介质材料由以下原料制成：碳酸钡(baco3)45%，氧化锆(zro2)30%，氧化锡(sno2)30%，氧化钨(wo3)0.6%，氧化钇(y2o3)0.6%，三氧化二铬(cr2o3)0.3%，氧化镝(dy2o3)0.3%。
其制备工艺为：原材料购入后，经过检验合格后进行基料的配料，经过球磨、压滤、干燥、煅烧、粉碎、除铁等工艺，得到基料待用；然后即可进行成品料配料，再经过球磨、搅拌磨、混料、喷雾造粒、除铁、混料即得成品料，检验合格后包装入库。
本发明为ba-zr-sn基瓷料，通过添加wo3、y2o3、cr2o3、dy2o3促进烧结，降低烧结温度，达到瓷体细晶化，从而提高了介电常数、降低了损耗及温度系数；本发明的主要特点是1、在bazrsn团块合成时加入少量的w离子，可明显提高瓷料的介电常数；2、用y2o3、cr2o3、dy2o3取代了常用的氧化铈(ceo2)、五氧化二铌(nb2o5)、氧化镧(la2o3)等组分，在进一步提高介电常数、促使瓷体细晶化、提高介电常数、降低损耗、改善温度特性方面有明显的效果。
通过检测和用户使用证明，本发明和现有技术性能指标对比如下：
本发明现有技术
介电常数εr60±538-44
品质因数q*f70000-90000ghz45000-7000ghz
温度系数τf-1.5～+1.5×10-6/℃-12.5～+26.3×10-6/℃。
具体实施方式
表1给出了构成本发明的各式样的成分配比的几个具体实例。
表2给出了各配方式样的介电性能。当然这些实施例并不是为了限制本发明的范围。
表1各试样的成分配比
表2各配方试样的介电性能