专利名称：新的含氮杂环化合物及使用该化合物的有机电子器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种新的含氮杂环衍生物和使用该衍生物的有机电子器件。本申请要 求2008年11月3日向韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请10-2008-0108602号 的优先权，该在先申请的公开内容通过引用全文纳入本文。
背景技术：
有机电子器件是指需要在电极和有机材料之间利用空穴和/或电子来交换电荷 的器件。根据工作原理，有机电子器件大致可分成以下几类。首先，有一种电子器件为通过 从外部光源流至该器件的光子在有机层中形成激子(exciton)，激子分成电子和空穴，并且 该电子和空穴分别转移至另外的电极，用作电流源(电压源)。第二，有一种电子器件为，通 过在两个以上的电极上施加电压或电流，使空穴和/或电子注入于与电极形成界面的有机 材料半导体，该器件通过注入的电子和空穴工作。有机电子器件的实例有，有机发光器件、有机太阳能电池、有机光导体(OPC)、有机 晶体管等等，上述所有器件都需要一种空穴注入或传输材料、电子注入或传输材料、或发光 材料以驱动器件。有机发光器件主要将在后文中详细描述。然而，在有机电子器件中，所有 的空穴注入或传输材料、电子注入或传输材料或发光材料都是基于相似的原理工作。总体而言，有机发光现象是指通过使用有机材料将电能转化为光能的现象。利用 有机发光现象的有机发光器件的结构大致包括，一个阳极、一个阴极和置于两者之间的有 机层。此处，为了提高有机发光器件的效率和稳定性，有机层大多具有包含不同材料的多层 结构，例如，可包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等等。在有 机发光器件结构中，如果在两个电极间施加电压，则空穴从阳极射出，电子从阴极射出，注 入至有机层，当射出的空穴和电子相遇时，形成激子，当激子降至基态(bottom state)时发 光。已知这类有机发光器件具有诸如磁性发光、高亮度、高效率、低驱动电压、宽视角、高对 比度、高速响应等特性。在有机发光器件中，作为有机材料层来使用的材料按其功能可分成发光材料及荷 电传输材料(electric charge material)，例如空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材 料、电子注入材料。此外，发光材料根据发出的颜色可分成蓝光发光材料、绿光发光材料和 红光发光材料、以及为了提供更自然的颜色而设计的黄光发光材料和橙光发光材料。另外， 当只有一种材料被用作发光材料时，由于分子间的相互作用，存在以下问题最大发光波长 向长波长移动，且色纯度降低，或者器件的效率由于发光衰减效果而下降。因此，为了提高 色纯度和提高基于能量转移的发光效率，可使用一种主体/掺杂物体系作为发光材料。为了使上述有机发光器件的优异特性得到充分体现，应当用稳定而高效的材料充 当构成该器件内有机材料层的材料，例如空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传 输材料、电子注入材料等等。然而，尚未开发出用于有机发光器件的稳定高效的有机材料层 材料。因此，有必要开发一种新型材料，并且对新型材料的研发也为其他有机电子器件所需 要。
发明内容
技术问题考虑到相关领域中的上述问题，本发明的一个目的是提供一种能够极大改善器件 的低电压、发光效率、稳定性和寿命的材料，以及一种使用该材料的有机电子器件。本发明的另一个目的是提供一种具有真空沉积过程中所必需的热稳定性以及升 华能力的材料，以及一种使用该材料的有机电子器件。技术方案为了达到上述目的，本发明提供了一种新的含氮杂环衍生物，该衍生物由下式1 表示，或者包括两个以上下式1的结构[式1]
权利要求
1. 一种由下式1表示或者包括两个以上下式1的结构的含氮杂环衍生物 [式1]其中X1 为 N 或 CR3、X2 为 N 或 CR4、X3 为 N 或 CR5^X4 为 N 或 CR6^Y1 为 N 或 CR7、Y2 为 N 或 CR8, Y3为N或CR9, Y4为N或CR10, X1至X4和Y1至Y4不同时为N，
2.权利要求1的含氮杂环衍生物，其中式1由式2表示 [式2]
3.权利要求1的含氮杂环衍生物，其中式1由下式3-1或3-2表示 [式 3-1]
4.权利要求1的含氮杂环衍生物，其中式1由下式4-1表示 [式 4-1]
5.权利要求1的含氮杂环衍生物，其中所述含氮杂环衍生物具有两个以上式1结构彼 此直接相连的结构，或两个以上式1结构通过下述连接的结构具有二价或更高价连接基 团的烷烃，具有二价或更高价连接基团的环烷烃，具有二价或更高价连接基团的芳基化合 物，含氮、硫、氧原子中的至少一种且具有二价或更高价连接基团的五边形或六边形杂芳基 化合物，氧原子、硫原子、取代或未取代的氮原子、或取代或未取代的磷原子。
6.权利要求1的含氮杂环衍生物，其中队和&为取代或未取代的芳基、或取代或未取 代的杂环基，并且它们彼此相同。
7.权利要求1的含氮杂环衍生物，其中式1由下表1所示的结构式表示 [表1]
8.
9.权利要求1的含氮杂环衍生物，其中式1由下表3所示的结构式表示 [表3]
10.权利要求1的含氮杂环衍生物，其中式1由以下结构式表示
11.权利要求1的含氮杂环衍生物，其中式1由以下结构式表示
12.权利要求1的含氮杂环衍生物，其中式1由以下结构式表示
13.权利要求1的含氮杂环衍生物，其中式1由以下结构式表示
14.权利要求1的含氮杂环衍生物，其中式1由以下结构式表示
15.
16.权利要求1的含氮杂环衍生物，其中式1由以下结构式表示
17.一种有机电子器件，其包括第一电极、第二电极和一层以上位于所述第一电极和所 述第二电极间的有机材料层，其中所述有机材料层中的一层或多层包含权利要求1-16之 一的含氮杂环衍生物。
18.权利要求17的有机电子器件，其中所述有机材料层包括空穴注入层或空穴传输层，且所述空穴注入层或空穴传输层包含所述含氮杂环衍生物。
19.权利要求17的有机电子器件，其中所述有机材料层包括发光层，且所述发光层包 含所述含氮杂环衍生物作为该发光层的主体。
20.权利要求17的有机电子器件，其中所述有机材料层包括电子传输层，且所述电子 传输层包含所述含氮杂环衍生物。
21.权利要求17的有机电子器件，其中所述有机材料层除了包括含所述含氮杂环衍生 物的有机材料层之外，还包括空穴注入层或空穴传输层，所述空穴注入层或空穴传输层包 含带芳基氨基、咔唑基或苯并咔唑基的化合物。
22.权利要求17的有机电子器件，其中所述含本发明含氮杂环衍生物的有机材料层包 含所述含氮杂环衍生物作为主体，并包含其他有机化合物、金属或金属化合物作为掺杂物。
23.权利要求17的有机电子器件，其中所述有机电子器件选自有机发光器件、有机太 阳能电池、有机光导体(OPC)和有机晶体管。
全文摘要
本发明提供一种新的含氮杂环化合物及使用该化合物的有机电子器件。本发明的有机电子器件具有出色的效率、驱动电压和寿命特性。
文档编号C07D403/14GK102119158SQ200980131071
公开日2011年7月6日 申请日期2009年11月3日 优先权日2008年11月3日
发明者南玄, 张俊起, 朴胎润, 李东勋, 洪性佶, 裵在顺 申请人:株式会社Lg化学