专利名称：制备有机化合物的方法和由其制备的有机化合物的制作方法
制备有机化合物的方法和由其制备的有机化合物背景概括地讲，本发明涉及制备可用作例如光电器件的电子传输材料和/或空穴阻挡材料的有机化合物及其中间物的方法和由其制备的有机化合物。预期利用在受到偏压时发光的薄膜材料的例如有机发光器件(OLEDs)的光电器件会成为平板显示技术的日益受欢迎的形式。这是因为OLEDs具有广泛的潜在应用，包括蜂窝电话、个人数字助理(PDAs)、计算机显示器、车载信息显示器、电视监视器以及用于一般照明的光源。由于其颜色明亮、视角宽、与全动视频相容、温度范围广、形状因子薄且适合、动力需求低且具有用于低成本制造工艺的潜能，所以OLEDs被看作是阴极射线管 (CRTs)和液晶显示器(LCDs)的未来替代技术。由于其发光效率高，因此对于某些类型的应用来说，OLEDs被看作具有替代白炽灯并且或许甚至替代荧光灯的潜能。OLEDs具有夹层结构，其由在两个相对电极之间的一个或多个有机层组成。例如， 多层器件通常包括至少三层空穴注入/传输层、发光层和电子传输层(ETL)。此外，还优选所述空穴注入/传输层充当电子阻挡层且ETL充当空穴阻挡层。单层OLEDs在两个相对电极之间仅包含单层材料。发明简述一方面，本发明涉及包括一种方法，所述方法包括以下步骤使式A化合物和式B化合物反应以形成式C化合物；和
权利要求
1.方法，其包括使式A化合物和式B化合物反应以形成式C化合物；和
2.权利要求1的方法，其还包括使式E化合物转化为下式的化合物
3.权利要求1的方法，其还包括使式E化合物转化为下式的化合物
4.权利要求1的方法，其还包括使式E化合物转化为下式的化合物
5.权利要求1的方法，其还包括使式E化合物与第二硼酯化试剂反应以产生硼酸或硼酸酯，以与吡啶基二卤化物反应以形成式I化合物
6.权利要求5的方法，其中第一硼酯化试剂和第二硼酯化试剂为频哪醇二硼烷且所述 吡啶基二卤化物为
7.权利要求6的方法，其中式D化合物具有式
8.权利要求7的方法，其中式A化合物为1-氯-3，5- 二溴苯且所述化合物B具有式
9.权利要求8的方法，其中式C化合物具有式
10.权利要求9的方法，其中使式C化合物与频哪醇二硼烷反应以产生式H化合物，以与式D化合物反应
11.权利要求10的方法，其还包括使3-(3-溴苯基)吡啶与频哪醇二硼烷反应以形成式F化合物。
12.权利要求11的方法，其中式E化合物具有式
13.权利要求12的方法，其还包括使式J化合物转化为式K化合物
14.权利要求13的方法，其中式I化合物具有式II
15.权利要求7的方法，其中式C化合物具有式
16.权利要求15的方法，其中式A化合物为1-氯-3，5-二溴苯且式B化合物为3-吡啶硼酸。
17.权利要求16的方法，其中使式C化合物与频哪醇二硼烷反应以产生式M化合物，以与式D化合物反应
18.权利要求17的方法，其中式E化合物具有式
19.权利要求18的方法，其中式I化合物具有式III式 III。
20.权利要求1的方法，其中式A化合物选自
21.式IV化合物
22.权利要求21的化合物，其中Ar为,
23.权利要求22的化合物，其具有式III
24. 一种方法，其包括使式F化合物与1-氯-3，5- 二溴苯反应以形成式G化合物
25.权利要求M的方法，其还包括使3-(3-溴苯基)吡啶与频哪醇二硼烷反应以形成式F化合物。
全文摘要
式(E)的有机化合物由包括以下步骤的方法制备使式(A)化合物和式(B)化合物反应以形成式(C)化合物；和使式(C)化合物和式(D)化合物之一与第一硼酯化试剂反应以产生硼酸或硼酸酯，以与式(C)化合物和式(D)化合物中的另一个反应以形成式(E)化合物。
文档编号C07D213/127GK102574794SQ201080038664
公开日2012年7月11日 申请日期2010年5月24日 优先权日2009年6月26日
发明者K·S·基查克, R·王, 刘升霞, 刘杰, 梁延刚 申请人:通用电气公司