交联性含氟芳香族预聚物及其用途的制作方法

文档序号:3694419阅读:118来源:国知局

专利名称::交联性含氟芳香族预聚物及其用途的制作方法
技术领域
:本发明涉及交联性含氟芳香族预聚物及其用途。
背景技术
:电子装置及多层布线板等逐渐微细化和高集成化,另外,随着TFT等显示器的大型化、高精细化,为了对其适用,需要相对介电常数更低的绝缘膜。另外,作为在光集成电路、光开关、光-电混载基板等光传送体中使用的光学材料,需要光的透射性高、双折射(折射率的偏振波依赖性)小的材料。为了满足这些要求,并确保在电子装置、多层布线板或光传送体的制造及/或安装工序中所必须的25(TC以上、更好为30(TC以上的耐热性,正在研究含氟芳香族聚合物。作为含氟芳香族聚合物,提出了具有醚键的含氟芳香族聚合物(以下,称为聚芳醚或PAE)(例如,参考专利文献13及非专利文献1)。它们的相对介电常数为2.52.9左右,正在研究其作为电子装置或多层布线板的绝缘膜的应用。另外,也正在研究其作为光传送体的应用。另外,提出了使用具有3个以上酚性羟基的化合物制得的具有分支结构的PAE(例如,参考专利文献4)。另外,提出了通过具有分支结构的特定的含氟芳香族化合物制得的兼具低介电常数、高玻璃化转变温度(以下,称为Tg)的PAE(例如,参考专利文献5、6)。另外,提出了设置有由透明度高的氟系有机薄膜所形成的层间绝缘膜的透射型液晶显示装置(例如,参考专利文献7)。作为该有机薄膜,为了提高开口率,需要有高透明性、低介电常数以及高表面平坦性。专利文献1专利第3064011号公报专利文献2美国专利5115082号说明书专利文献3美国专利5959157号说明书专利文献4日本专利特开平10-247646号公报专利文献5国际公布文本第03/008483号专利文献6日本专利特开2005-105115号公报专利文献7日本专利特开平9-90404号公报非专利文献1J.Polm.Sci.:PartA:Polm.Chem.,vol.36,2881(1998)发明的揭示但是,在上述的以往技术中存在以下问题。在专利文献13及非专利文献1中公开的PAE是使用具有2个酚性羟基的化合物制得的直链状聚合物,其Tg低,耐热性不充分。如果向PAE中导入交联性官能基团进行交联,可以提高Tg,但相对介电常数上升到2.73.0左右,难以兼具低相对介电常数和高Tg。另外,双折射为0.007左右,虽与聚酰亚胺等比较是具有较低的值,但作为光传送体还不能称为充分。另外,在专利文献4中公开的具有分支结构的PAE由于没有交联性官能基团,因此有热增塑性,极难使Tg达到300℃以上。另外,在专利文献5中公开的由具有分支结构的特定的含氟芳香族化合物制得的PAE由于具有体积非常大的分子结构,因此具有脆、挠性差的缺点。具体地讲,当形成特别厚的膜时,具有由于热应力在涂膜中容易发生裂纹的缺点。另外,在专利文献6中公开的由具有分支结构的特定的含氟芳香族化合物制得的PAE有时透明性不充分。另外,在专利文献7中公开的技术中没有记载兼具低相对介电常数、高耐热性、高透明性的具体的材料。本发明鉴于上述情况,目的在于提供可以形成兼具高透明性、低相对介电常数、高耐热性、低双折射及高挠性的固化物的交联性含氟芳香族预聚物,含有其的涂布用组合物、使用该预聚物形成的固化物以及由该涂布用组合物形成的固化膜。为了达到上述目的,本发明提供了一种交联性含氟芳香族预聚物,其中,使具有聚合性双键(A)及酚性羟基的化合物(Y-1)以及具有聚合性双键(A)和氟原子取代芳香环的化合物(Y-2)中的任一者或两者与下式(1)<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage6</formula>所示的含氟芳香族化合物(B),以及,具有3个以上酚性羟基、且各酚性羟基不存在于同一芳香环的化合物(C),在脱HF剂存在下进行縮合反应而得,具有聚合性双键(A)及醚键,且数均分子量为1X1035X105。另外,本发明提供了固化物,它由使上述交联性含氟芳香族预聚物固化而形成。另外本发明还提供了涂布用组合物,其中,含有上述交联性含氟芳香族预聚物和溶剂。本发明提供了固化膜,它如下形成使用上述涂布用组合物在基材上形成交联性含氟芳香族预聚物的湿润膜,接着除去该湿润膜中的溶剂,而后或者与溶剂的除去同时,使该交联性含氟芳香族预聚物固化。另外,本发明提供具有上述固化膜的电子电气元件或光传送体。本发明的交联性含氟芳香族预聚物由使用具有3个以上的酚性羟基、且各酚性羟基不存在于同一芳香环的化合物(C)制得,且具有聚合性双键(A),藉此可以形成同时满足高透明性、低介电常数、低双折射及高耐热性的固化膜。另外,本发明的交联性含氟芳香族预聚物由于可以形成挠性优良的固化膜,因此可以得到对弯曲等外力的抵抗能力强的膜,而且可以形成厚的膜。另外,使本发明的交联性含氟芳香族预聚物固化形成的固化膜兼具低相对介电常数、高耐热性、低双折射及高挠性,可用作电子电气元件用的绝缘膜或光传送体。另外,使本发明的交联性含氟芳香族预聚物固化而形成的固化物,对电子装置用及多层布线板用的绝缘膜、膜及光传送体的适用性优良,通过将其应用在这些上,可以达到降低元件的信号传递延迟时间等高性能化,且由于高温区域优良的机械物性而可实现高可靠性。实施发明的最佳实施方式本发明的交联性含氟芳香族预聚物(以下,简称为预聚物)的特征在于,使具有聚合性双键(A)及酚性羟基的化合物(Y-l)以及具有聚合性双键(A)和氟原子取代芳香环的化合物(Y-2)中的任一者或两者与下式(1)<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage7</formula>所示的含氟芳香族化合物(B),以及,具有3个以上酚性羟基、且各酚性羟基不存在于同一芳香环的化合物(C),在脱HF剂存在下进行縮合反应而得,具有聚合性双键(A)及醚键,且数均分子量为1X1035X105。本发明的预聚物由使用具有3个以上酚性羟基、且各酚性羟基不存在于同一芳香环的化合物(C)制得,且具有聚合性双键(A),藉此可以得到同时满足高透明性、低介电常数、低双折射及高耐热性的固化物(含氟芳香族聚合物)。即,通过使用具有3个以上酚性羟基、且各酚性羟基不存在于同一芳香环的化合物(C),向聚合物链中导入分支结构,将分子结构三维化,从而使聚合物的自由体积增大,实现低密度化即低介电常数化。另外,一般具有芳香环的直链状聚合物容易因芳香环的堆积而发生分子的定向,但本发明的固化物中,由于导入分支结构而抑制分子的定向,结果,双折射变小。另外,通过选择特定的分子结构,抑制预聚物及固化物的着色,达到高透明性。通过具有聚合性双键(A),在所得的固化物中可以使预聚物分子间的交联或链延长反应进行,结果,耐热性大大提高。同时,也具有固化物的耐溶剂性有所提高的效果。另外,通过使用上式(1)所示的含氟芳香族化合物(B),可以得到挠性良好的固化物。与通过其自身具有分支结构的含氟芳香族化合物制得的含氟芳香族聚合物相比较,可以提高醚键的密度,提高主链的柔软性,结果可以得到挠性良好的固化物。挠性良好对固化物为固化膜的形状的情况特别有利。本发明中,含氟芳香族化合物(B)是上式(1)所示的含氟芳香族化合物。该式(1)中,Rf1及Rf2为碳数8以下的含氟烷基。从耐热性的观点来看,优选全氟垸基。作为具体示例,优选全氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基。另外,a个Rf1及nXb个Rf2可以分别相同或不同。如果Rf1及Rf2增多,则难以制造含氟芳香族化合物(B),因此这些Rf及Rf2的数量(a及n个b)分别独立地优选02,最优选0。作为含氟芳香族化合物(B),优选全氟苯、全氟甲苯、全氟二甲苯、全氟联二苯、全氟联三苯、全氟(l,3,5-或1,2,4-)三苯基苯、全氟联四苯,特别优选全氟甲苯、全氟联二苯、全氟-1,3,5-三苯基苯。这些可以单独使用也可以将2种以上混合使用。从所得的固化物的介电常数与耐热性的平衡优良、且固化物的挠性增高的方面来考虑,作为含氟芳香族化合物(B)最优选全氟联二苯或全氟-l,3,5-三苯基苯。本发明中,作为具有3个以上酚性羟基、且各酚性羟基不存在于同一芳香环的化合物(C),优选为多官能酚类。作为化合物(C),不含有具有聚合性双键(A)的化合物。作为具体例,可例举如1,1,1-三(4-羟苯基)乙垸、1,2,4-或1,3,5-三(4-羟苯基)苯、1,1,2,2-四(4-羟苯基)乙垸等。由于所得的固化膜的挠性增高,因此化合物(C)优选具有3个酚性羟基的化合物。其中,由于所得的固化物的介电常数降低,且所得固化物的透明性增高,因此最优选l,l,l-三(4-羟苯基)乙烷。本发明的预聚物含有聚合性双键(A)。该聚合性双键(A)是在预聚物制造时实质上不发生反应,而在制造膜、薄层(film)或成形体等固化物时,或制造后的任意时刻,由于给予外部能量而反应,引起预聚物分子间的交联或链延长的反应性官能基团。作为外部能量,由于在电子装置、多层布线板或光传送体的制造及/或安装工序中的适用性优良,因此优选热、光、电子射线等,以及将这些并用。使用热作为外部能量时,优选在40℃500℃的温度下进行反应的反应性官能基团。如果过低,则在保存预聚物或含有该预聚物的涂布用组合物时,不能确保稳定性,如果过高,则反应时发生预聚物自身的热分解,因此优选在上述范围内。更预选为60℃400℃,最优选为70℃350℃。使用光作为外部能量时,优选向预聚物或后述的含有该预聚物的涂布用组合物中添加光自由基产生剂、光酸产生剂、增敏剂等。另外,由于不具有极性基团的聚合性双键(A)不使固化膜的相对介电常数上升,因此特别是将本发明的预聚物应用于绝缘膜的制造中时,优选使用不含极性基团的聚合性双键(A)。作为聚合性双键(A)的具体示例,可例举如乙烯基、烯丙基、甲基丙烯酰(氧)基、丙烯酰(氧)基、乙烯氧基、三氟乙烯基、三氟乙烯氧基、1-氧代环戊-2,5-二烯-3-基、羟芴基等。甲基丙烯酰(氧)基是指甲基丙烯酰基或甲基丙烯酰氧基,丙烯酰(氧)基也同样。由于可以得到反应性高、高交联密度,因此优选乙烯基、甲基丙烯酰(氧)基、丙烯酰(氧)基、三氟乙烯氧基。从所得固化物具有良好的耐热性的方面考虑,特别优选乙烯基、甲基丙烯酰(氧)基、丙烯酰(氧)基。另外,由于可以降低使预聚物固化的温度,因此最优选乙烯基。本发明的预聚物中聚合性双键(A)的含量为相对于lg预聚物,聚合性双键(A)优选为0.14毫摩,更优选为O.23毫摩。特别优选为0.83毫摩。通过使该含量为O.l毫摩以上,则可以提高固化物的耐热性及耐溶剂性,另外,通过使其为4毫摩以下,可容易抑制相对介电常数的提高。本发明的预聚物可以按照下述(i)或(ii)的方法的任一者或两者来制造。(i)使上式(l)所示的含氟芳香族化合物(B)与上述具有3个以上酚性羟基、且各酚性羟基不存在于同一芳香环的化合物(C),以及具有聚合性双键(A)和酚性羟基的化合物(Y-1)在脱HF剂存在下进行缩合反应的方法。(ii)使上述含氟芳香族化合物(B)与上述具有3个以上酚性羟基、且各酚性羟基不存在于同一芳香环的化合物(C),以及具有聚合性双键(A)和氟原子取代芳香环的化合物(Y-2)在脱HF剂存在下进行縮合反应的方法。另外,用上述(i)及(ii)两者制造预聚物时,使含氟芳香族化合物(B)、化合物(C)、化合物(Y-1)及化合物(Y-2)在脱HF剂存在下进行縮合反应。在上述预聚物的制造方法中,縮合反应如下式(2)所示,由酚性羟基衍生的苯氧基攻击含氟芳香族化合物(B)的与氟原子结合的碳原子,接着氟原子脱离,通过该反应机理生成醚键。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage9</formula>作为制造方法(i)中使用的具有聚合性双键(A)及酚性羟基的化合物(Y-l),优选具有1个酚性羟基的化合物(Y-l-l)及具有2个酚性羟基的化合物(Y-1-2)。作为具有聚合性双键(A)及1个酚性羟基的化合物(Y-1-1)的具体例,优选4-羟基苯乙烯等具有聚合性双键的酚类。这些可以单独使用,也可以将2种以上混合使用。作为聚合性双键(A)更优选具有乙烯基的芳香族化合物。作为具有聚合性双键(A)及2个酚性羟基的化合物(Y-l-2)的具体例,可例举如2,2'-二(苯乙烯基)-5,5,-二羟基联二苯、2,2,-二(苯乙烯基)-4,4,-二羟基联二苯等二(苯乙烯基)二羟基联二苯类等。这些可以单独使用,也可以将2种以上混合使用。作为制造方法(ii)中使用的具有聚合性双键(A)及氟原子取代芳香环的化合物(Y-2),优选具有聚合性双键(A)以及全氟苯、全氟联二苯等全氟芳香环的化合物。作为该具体例,可例举如五氟苯乙烯、丙烯酸五氟苄酯、甲基丙烯酸五氟苄酯、丙烯酸五氟苯酯、甲基丙烯酸五氟苯酯、全氟苯乙烯、五氟苯基三氟乙烯基醚、3-(五氟苯基)五氟-l-丙烯等具有反应性双键的含氟芳香类。这些可以单独使用也可以将2种以上混合使用。由于可以在较低的温度进行交联反应,且所得预聚物固化物的耐热性增高,因此化合物(Y-2)优选五氟苯乙烯。作为制造本发明的预聚物时所使用的脱HF齐l」,优选碱性化合物,特别优选碱金属的碳酸盐、碳酸氢盐或氢氧化物。具体例可例举如碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠、碳酸氢钾、氢氧化钠、氢氧化钾等。脱HF剂的使用量在制造方法(i)的情况中,相对于化合物(C)及化合物(Y-l)的酚性羟基的合计摩尔数,以摩尔比计需要1倍以上的量,优选1.13倍。对于制造方法(ii)的情况,相对于化合物(C)的酚性羟基的摩尔数,以摩尔比计需要l倍以上的量,优选1.13倍。上述制造方法(i)及(ii)中,縮合反应优选在极性溶剂中进行。极性溶剂优选含有N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯垸酮、二甲基亚砜、环丁砜等非质子性极性溶剂的溶剂。在不使生成的预聚物的溶解性降低、不对縮合反应带来不良影响的范围内,可以使极性溶剂中含有甲苯、二甲苯、苯、四氢呋喃、三氟甲苯、六氟二甲苯等。通过含有这些,溶剂的极性(介电常数)变化,可以控制反应速度。作为縮合反应条件优选为在1020(TC下180小时。更优选为在20180℃下260小时,最好为在50160℃下348小时。本发明的预聚物的数均分子量为1X1035X105,优选在1.5X1031X105的范围。如在该范围,则后述的含有该预聚物的涂布用组合物的涂布特性良好,所得的固化膜具有良好的耐热性、机械特性以及耐溶剂性等。电子装置用绝缘膜用途中,要求充分浸透到底层的微细空间之间、且使表面平滑的特性(所谓的埋入平坦性)的情况时,预聚物的数均分子量最好在1.5X1035X1()4的范围。预聚物的数均分子量可以通过使制造方法(i)中化合物(C)及化合物(Y-l)的合计与含氟芳香族化合物(B)的添加比例变化来控制。在此,优选预聚物中不残存羟基,因为这样相对介电常数低。本发明的制造方法(i)的缩合反应中,分子量的控制优选在化合物(C)及化合物(Y-1)的羟基的合计摩尔数不超过含氟芳香族化合物(B)的可与羟基反应的氟原子的摩尔数的范围内进行调整。作为具体示例,当含氟芳香族化合物(B)作为三官能性化合物起作用时,优选在化合物(C)及化合物(Y-1)的羟基的合计摩尔数不超过含氟芳香族化合物(B)的摩尔数的3倍的范围内进行调整。当含氟芳香族化合物(B)作为二官能性化合物起作用时,优选在化合物(C)及化合物(Y-l)的羟基的合计摩尔数不超过含氟芳香族化合物(B)的摩尔数的2倍的范围内进行调整。同样,在制造方法(ii)的縮合反应中,可以通过使含氟芳香族化合物(B)及化合物(Y-2)的合计与化合物(C)的添加比例变化来控制预聚物的数均分子量。在此同样,当含氟芳香族化合物(B)作为三官能性化合物、化合物(Y-2)作为一官能性化合物起作用时,分子量的控制优选在化合物(C)的羟基的合计摩尔数不超过含氟芳香族化合物(B)的摩尔数的3倍与化合物(Y-2)的摩尔数的合计的范围内进行调整。另外,当含氟芳香族化合物(B)作为三官能性化合物、化合物(Y-2)作为二官能性化合物起作用时,优选在化合物(C)的羟基的合计摩尔数不超过含氟芳香族化合物(B)的摩尔数的3倍与化合物(Y-2)的合计摩尔数的2倍的范围内进行调整。含氟芳香族化合物(B)作为二官能性化合物、化合物(Y-2)作为一官能性化合物起作用时,优选在化合物(C)的羟基的合计摩尔数不超过含氟芳香族化合物(B)的摩尔数的2倍与化合物(Y-2)的摩尔数的合计的范围内进行调整。另外,当含氟芳香族化合物(B)作为二官能性化合物、化合物(Y-2)作为二官能性化合物起作用时,优选在化合物(C)的羟基的合计摩尔数不超过含氟芳香族化合物(B)与化合物(Y-2)的合计摩尔数的2倍的范围内进行调整。另外,在制造方法(ii)中,当含氟芳香族化合物(B)与化合物(Y-2)的反应速度不同时,因添加顺序有时会得到不同的预聚物的分子量、组成。例如,相对于由化合物(C)的酚性羟基衍生的苯氧基的反应速度为(B)>(Y-2)时,如果同时加入含氟芳香族化合物(B)和化合物(Y-2),则有时会在化合物(Y-2)完全用完之前,全部的苯氧基被含氟芳香族化合物(B)用完,未反应的化合物(Y-2)残留。这种情况时,为了提高化合物(Y-2)的反应率,优选先加入化合物(Y-2)之后再加入含氟芳香族化合物(B),但在该方法中,所得的预聚物链间的组成的离差有增大的趋势。当需要减小所得预聚物链间的组成的离差时,优选通过一并加入来制造。制造方法(i)中,化合物(C)的使用量相对于含氟芳香族化合物(B)以摩尔比计优选0.11倍,更优选0.30.6倍,化合物(Y-1)的使用量相对于含氟芳香族化合物(B)以摩尔比计优选0.12倍,更优选0.21.5倍。制造方法(ii)中,化合物(C)的使用量相对于含氟芳香族化合物(B)以摩尔比计优选0.52倍,更优选O.61.5倍,化合物(Y-2)的使用量相对于含氟芳香族化合物(B)以摩尔比计优选O.12倍,更优选0.21.5倍。各值如果在该范围内,则所得的预聚物兼具低介电常数和高耐热性。本发明的预聚物可以根据固化后所得固化物的耐热性、相对介电常数、双折射、挠性等物性,适当选择制造方法(i)或(ii),来制造可以得到希望物性的固化物的预聚物。例如,使用制造方法(ii)时,将所制的的预聚物固化而得的固化物的相对介电常数及双折射值一般有降低的趋势,因此为了得到相对介电常数及双折射值低的固化物,优选通过制造方法(ii)来制造预聚物。本发明中,当预聚物的固化物的耐热性不充分时,由该固化物形成的膜或薄层(film)具有脆性,这时,为了提高固化物的耐热性、改良挠性,可以在预聚物制造时添加共縮成分。共縮成分可例举如提高固化膜的挠性用的除(Y-l)之外的具有2个酚性羟基的化合物(Z)。作为上述具有2个酚性羟基的化合物(Z),可例举如二羟基苯、二羟基联二苯、二羟基联三苯、二羟基萘、二羟基蒽、二羟基菲、二羟基-9,9-二苯基芴、二羟基苯并呋喃、二羟基二苯基醚、二羟基二苯基硫醚、二羟基二苯甲酮、二羟基-2,2-二苯基丙垸、二羟基-2,2-二苯基六氟丙烷、二羟基联二萘等2官能酚类。这些可以单独使用也可以将2种以上混合使用。将本发明的预聚物通过在縮合反应后或溶液化之后中和、再沉淀、萃取、过滤等方法来精制。精制由于以存在制造时优选使用的极性溶剂的状态,或者溶解或分散于后述溶剂中的状态进行的效率高,因此优选。在作为电子装置用绝缘膜及多层布线板用绝缘膜的用途中,作为縮合反应催化剂的钾、钠等金属以及游离的卤素原子可成为造成晶体管工作不良、布线腐蚀等的原因,因此优选充分精制。可以通过使本发明的预聚物进行交联反应再使之固化来得到固化物。本发明提供通过使该预聚物固化而形成的固化物。作为固化物可以是任意形状。由于交联反应均一进行,可以得到均质的固化物,因此优选为由含有后述所述的溶剂的涂布用组合物所形成的固化膜(固化薄膜)。以下的说明中,以优选形状即固化膜为主进行详细说明。本发明的预聚物可适合用作在适当的基材上涂布使之进行縮合反应再使之固化形成膜用的涂布用组合物的材料,本发明提供了含有上述预聚物和溶剂的涂布用组合物。本发明的涂布用组合物由例如将上述的本发明的预聚物在溶剂溶解,或分散而得。作为本发明的涂布用组合物中使用的溶剂,只要可以溶解或分散本发明的预聚物以及根据需要添加的催化剂或添加剂类,通过希望的方法得到具有希望的膜厚、均一性、或埋入平坦性的固化膜,就没有特别的限定,可例举如芳香族烃类、非质子性极性溶剂类、酮类、酯类、醚类、卤化烃类。涂布用组合物的溶剂可以与上述的预聚物制造时的反应溶剂相同,也可以不同。使用不同的溶剂时,可以利用再沉淀法等从反应溶液将预聚物先回收,再使之溶解或分散于不同的溶剂中,或者使用蒸发法、超滤法等公知方法来进行溶剂置换。作为芳香族烃类,可例举如苯、甲苯、二甲苯、乙苯、异丙基苯、来、四氢萘、甲基奈等。作为非质子性极性溶剂类,可例举如N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、Y-丁内酯、二甲基亚砜等。作为酮类可例举如环戊酮、环己酮、环庚酮、环辛酮、甲基戊基甲酮等。作为醚类,可例举如四氢呋喃、吡喃、二卩恶烷、二甲氧基乙烷、二乙氧基乙烷、二苯基醚、茴香醚、苯乙醚、二甘醇、三甘醇等。作为酯类,可例举如乳酸乙酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丁酯、苯甲酸苄酯、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单丙基醚乙酸酯、丙二醇单丁基醚乙酸酯、丙二醇单乙基醚乙酸酯等。作为卤化烃类,可例举如四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、四氯乙烷、氯苯、、二氯苯等。对于本发明的涂布用组合物,组合物中的预聚物的浓度优选150质量%,更优选530质量%。该涂布用组合物除了预聚物和溶剂之外,还可以掺入选自增塑剂、增粘剂等涂布领域中公知的各种添加剂的至少l种添加剂。另外,形成具有空孔的膜或薄层(film)时,可以适当掺入后述的形成中空体及薄膜后可以除去的物质等。本发明的预聚物含有具有蒸气压的低分子量体时,为了防止焙烧时的挥发,可以在溶液中使聚合性双键(A)的一部分反应。作为该方法优选加热。作为加热条件优选在50250℃下进行150小时,更优选在70200℃下进行120小时。聚合性双键的溶液中的反应率从防止溶液中的预聚物的凝胶化的观点出发,优选不到50%,更优选不到30%。将本发明的涂布用组合物涂布在适当的基材表面形成湿润膜,接着将溶剂通过挥发等除去之后,或者在进行除去的同时施以固化处理,使预聚物中的聚合性双键(A)发生交联反应,形成适用作绝缘膜及光传送体等的固化膜。作为该湿润膜的形成方法,优选采用涂布法。例如旋涂法、浸涂法、喷涂法、模涂法、棒涂法、刮涂法、挤出涂布法、扫描涂布法、刷涂法、浇铸涂布法等公知的涂布方法。作为电子装置用绝缘膜使用时,从膜厚的均一性的观点来看,优选为旋涂法或扫描涂布法等。涂布该涂布用组合物之后,为了使溶剂挥发,通过交联、链延长反应使之固化进行焙烧(加热)。该预聚物的聚合性双键(A)在溶液中实质上没有反应,在制膜后的加热(焙烧)工序中进行交联反应。加热条件优选在100250℃下进行1120分钟左右,更优选在150200℃下进行260分钟左右。作为加热装置优选加热板、烘箱、加热炉,加热气氛可例举如氮气及氩气等惰性气体气氛、空气、氧、减压等,优选惰性气体气氛以及减压。为了确保薄膜的表面平滑性,或使薄膜的微细空间埋入性提高,优选追加50250℃左右的预焙烧工序,或将加热工序分成几步实施。固化膜中的聚合性双键(A)的反应率优选30100%。通过使反应率在30%以上,固化膜的耐热性及耐化学性良好。从该观点来看,反应率更优选为50%以上,特别优选为70%以上。可以按照制造目标的固化膜的形状来适当设定由涂布用组合物形成的湿润膜的厚度。例如,在制造绝缘膜或薄膜的目的中,优选在基板上成膜0.01500um左右的湿润膜,更优选0.1300um。由本发明的涂布用组合物所得的固化膜可以将其从基材剥离作为薄膜单体使用,也可以以在基材上粘合的原状态作为绝缘膜等使用。后者的情况时,为了提高固化膜与基材之间的粘合性,也可以使用粘合促进剂。作为粘合促进剂,优选硅烷类偶联剂、钛酸酯类偶联剂、铝系偶联剂等,更优选乙烯基硅烷类、环氧硅垸类、氨基硅垸类等硅垸系偶联剂。作为乙烯基硅烷类可例举如乙烯基三甲氧基硅垸、乙烯基三乙氧基硅烷。作为氨基硅垸类,可例举如3-氨丙基甲基二乙氧基硅垸、3-氨丙基三乙氧基硅烷等脂肪族氨基硅垸类,氨基苯三甲氧基硅烷、氨基苯三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷等含芳香族基氨基硅烷类。作为粘合促进剂的应用方法,优选在涂布用组合物的涂布之前,用粘合促进剂处理基材的方法,或向涂布用组合物中添加粘合促进剂的方法。作为用粘合促进剂处理基材的方法,以氨基硅烷类为例,可例举如将0.013质量%的醇系溶液旋涂在基材上的方法。作为醇,优选甲醇、乙醇、异丙醇。在将粘合促进剂添加到预聚物溶液中的方法中,优选为粘合促进剂的添加量相对于含有的预聚物的IOO质量份为0.0510质量份,更优选为0.15质量份。如果粘合促进剂的添加量少,则粘合性提高效果不充分,如果过多则电特性、耐热性下降。作为使用本发明的预聚物制得的固化物的用途,可例举如光致抗蚀剂、光波导、非线性光学材料、光学粘合剂、被覆材、电子用部件、密封剂、保护膜剂、透明薄层(film)材、耐热低吸湿薄层(film)材等。特别优选光传送体(特别是液晶基板的绝缘膜)的用途。本发明提供了具有使用上述含有预聚物和溶剂的涂布用组合物制得的固化膜的电子电气元件或光学传送体。可以应用本发明的固化膜的电子电气元件中,作为电子装置,可例举如二极管、晶体管、化合物半导体、热敏电阻、压敏电阻、晶闸管等单独的半导体,DRAM(DynamicRandomAccessMemory,动态随机存储器)、S廳(staticrandomaccessmemory,静态随机存储器)、EPROM(ErasableProgrammableReadOnlyMemory,可擦写可编程只读存储器)、掩模ROM(maskReadOnlyMemory)、EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory,电可擦写可编程只读存储器)、闪存等存储元件,微处理器、DSP、ASIC等理论电路元件,以MMIC(monolithicmicrowaveintegratedcircuit,单片微波集成电路)为代表的化合物半导体等集成电路元件、混合集成电路(HybridIC)、发光二极管、激光二级管等光半导体、电荷耦合元件等光电变换元件、非晶硅TFT(薄膜晶体管)、多晶硅TFT等显示用元件等。可以应用本发明的绝缘膜的电子电气元件中,作为多层布线板有安装电子装置等用的各种基板,可例举如印制布线板、组合布线板、MCM用基板、透明塑料基板、内插板>夕一水一廿'一)等高密度布线板等。作为这些电子电气元件中的绝缘膜,可例举如缓冲覆膜、钝化膜、层间绝缘膜、再布线用绝缘膜、a射线屏蔽膜等。上述光传送体是使光通过,具有传送、分路、放大、或者分波/合波等功能的部件。光传送体例如光纤维、棒透镜、光波导、光分路器、光合波器、光分波器、光衰减器、光开关、光隔离器、光发射模块、光接受模块、耦合器、偏振子、光波长变换元件、光调制器、光集成电路、光/电混载电路或基板、光拾取(pick-up)元件、LED(LightEmittingDiode,发光二极管)、LD(激光二极管)、塑料透镜等本身或其光传送部分。上述光传送体中使用的光的波长优选在4001600nm的范围。其中,由于激光等部件容易得到,因此优选405nm带、650nm带、850nra带、1300nm带或1550nm带。将上述光传送体用作由外部电场调制控制光的传播、进行位相变化、方向性藕合、模式变换、导波光的进路变化的所谓电光学(EO)材料时,优选掺有非线性光学色素。作为非线性光学色素,优选具备具有供电子共轭体系、具有供电子基团和吸电子基团的推拉型电子结构的化合物,作为具体示例可例举如偶氮苯系色素、多烯系色素等。使用了由本发明的预聚物形成的固化膜的电子装置用绝缘膜或多层布线板用绝缘膜的用途中,为了得到更低相对介电常数的绝缘膜,优选在本发明的绝缘膜中设置空孔。作为空孔的导入方法,可例举如以下的(a)和(b)的方法等。(a)本发明的涂布用组合物中,本发明的预聚物与热分解温度低的聚合物(以下,称为热分解性聚合物)复合化,在绝缘膜形成时除去热分解性聚合物部分的方法。(b)向本发明的涂布用组合物中添加微粒,绝缘膜形成时或形成后除去微粒部分的方法。(a)的方法中,热分解性聚合物可例举如脂肪族聚醚、脂肪族聚酯、丙烯酸系聚合物、苯乙烯系聚合物等。热分解性聚合物的分子量优选1000100000,更优选100050000。分子量如在该范围,则可以保证涂布用组合物中与本发明的预聚物的相溶性,因此优选。作为将本发明的预聚物与热分解性聚合物复合化的方法,可例举如制备含有预聚物和热分解性聚合物的涂布用组合物,将其涂布在基材上后,使溶剂挥发,进行加热处理得到复合膜的方法;以及通过进行嵌段或接枝化将预聚物与热分解性聚合物复合化,将该复合体混入涂布用组合物的方法等。嵌段化或接枝化的方法可以采用公知的方法,例如,制备在末端具有含氟芳香环或酚性羟基的热分解性聚合物,预聚物合成的縮合反应时进行共縮的方法等。预聚物的縮合反应由于按照上式(2)或(3)的反应机理进行,因此末端的含氟芳香环或酚性羟基部分与预聚物链结合。在此,热分解性聚合物在一个末端具有含氟芳香环或酚性羟基时,可以得到接枝有热分解性聚合物的预聚物。热分解性聚合物在两末端具有含氟芳香环或酚性羟基时,可以得到预聚物与热分解性聚合物的嵌段物。热分解性聚合物由于热分解温度低,因此通过绝缘膜形成中的加热被选择性分解除去,被除去的部分形成空孔。通过向涂布用组合物添加的热分解性聚合物的添加量,可以控制空孔率。热分解性聚合物的添加量相对于通常预聚物优选为580容积%,更优选1070容积%。(b)的方法中,作为分散于本发明的涂布用组合物中的微粒优选无机微粒。无机微粒可例举如二氧化硅、金属等的微粒。微粒通过制膜后的酸处理等溶解除去,被除去的部分形成空孔。通过微粒的添加量可以控制空孔率。该微粒的添加量通常相对于预聚物优选580容积%,更优选1070容积%。本发明的绝缘膜也优选与其他膜进行复合化。例如,作为半导体元件钝化膜或半导体元件用层间绝缘膜应用时,优选在本发明的绝缘膜的下层及/或上层形成无机膜。无机膜由常压、减压或等离子化学气相沉积(CVD)法、涂布法形成,例如在氧化硅膜中根据需要掺有磷及/或硼的所谓PSG膜或BPSG膜、氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、SiOC膜、旋涂玻璃(SOG)膜等。通过在本发明的绝缘膜与金属布线之间形成无机膜,可以得到防止金属布线的剥离,容易进行达莫士(damocene,夕、'^、>y)形状等的蚀刻加工的效果。无机膜优选通过回蚀法或CMP(ChemicalMechanicalPolishing,化学机械研磨)法部分消去发明的绝缘膜后,形成在绝缘膜上层。本发明的绝缘膜的上层形成无机膜时,当绝缘膜与无机膜之间的密着性不充分或者无机膜形成时膜縮小等时,优选采用以下的(I)或(II)的方法。(I)形成多层无机膜的方法通过等离子体CVD法形成氧化硅膜时,由于使用的气体组成出现縮膜时,首先形成氮化硅膜或常压CVD-氧化硅膜等不出现縮膜的无机膜的薄膜。接着,将该薄膜作为阻挡层形成氧化硅膜。(II)用能量线处理本发明的绝缘膜的方法通过利用能量线的处理,有时会使本发明的绝缘膜与无机膜的界面的密着性提高。作为能量线处理,可例举如利用包括光的广义的电磁波即UV光照射、激光照射、微波照射等,或利用电子射线的处理,即电子射线照射、辉光放电处理、电晕放电处理、等离子体处理等处理。其中,作为适于半导体元件的批量生产工序的处理方法,可例举如UV光照射、激光照射、电晕放电处理、等离子体处理。由于等离子体处理对半导体元件的损伤小,因此更优选。作为进行等离子体处理的装置,只要可以向装置内导入希望的气体、可以施加电场则没有特别的限定,可以适当使用市售的桶型、平行平板型的等离子体发生装置。作为向等离子体装置导入的气体,只要是将表面有效活性化的就没有特别的限定,可例举如氩气、氦气、氮气、氧气、它们的混合气体等。另外,作为使预聚物固化膜的表面活性化、几乎不发生縮膜的气体,可例举如氮与氧的混合气体及氮气。实施例通过以下的实施例和比较例具体说明本发明,本发明不限于这些。以下的示例中,例17为实施例、例8为比较例。例18是评价固化膜的基本特性用的预聚物的合成,例9涉及固化膜的粘合性评价。另外,例18的预聚物及使用了该预聚物的固化膜的基本特性评价中,通过下述方法测定了分子量、相对介电常数及透射率。通过凝胶渗透色谱法(GPC)求得经真空干燥的预聚物粉末的苯乙烯换算的数均分子量。载体溶剂使用四氢呋喃。使经真空干燥的预聚物粉末在环己酮中溶解得到20质量%溶液,将该溶液用孔径0.5wm的聚四氟乙烯(PTFE)制滤膜过滤。使用所得的溶液,通过旋涂法在4英寸硅晶片上形成厚度约lum的固化膜。旋涂条件为每分钟10003000转X30秒,经加热板进行100℃X90秒、200℃X90秒的预焙烧之后,使用立式炉进行250℃X1小时、氮气气氛下的后焙烧。接着,通过利用水银探针(SSM公司制、SSM-495)的CV测定,求得lMHz的相对介电常数。固化膜厚度使用由椭圆偏振光谱计求得的值。使经真空干燥的预聚物粉末溶解于环己酮得到30质量%溶液,将该溶液用孔径O.5μm的PTFE制滤膜过滤。使用所得的溶液,通过旋涂法在玻璃基板上形成厚度约3μm的固化膜。旋涂条件为每分钟10003000转X30秒,利用加热板进行100℃X90秒、200℃X90秒的预焙烧之后,使用立式炉进行250℃X1小时、氮气氛下的后焙烧。使用所得的玻璃基板上的薄膜,利用分光光度计(岛津制作所制、UV-3100),测定波长400800nm的光线透射率。将经真空干燥的预聚物粉末作为试料,使用差示热分析装置(马克赛恩斯マツクサイエンス)公司制、TG-DTA2000S),进行差示热分析。具体地讲,从40℃到450℃,在氮气气氛下以10℃/分钟的升温速度升温进行测定,将伴随交联反应的发热曲线的峰作为交联温度。向装有戴氏冷凝器(Dimrothcondenser)、热电偶温度计、机械搅拌器的100mL玻璃制4颈瓶中,加入五氟苯乙烯(1.0g)、1,1,1-三(4-羟苯基)乙垸(2.4g)、二甲基乙酰胺(以下,称为函Ac)(31.1g)。一边搅拌一边在油浴上加热,当液温达到6(TC时,迅速添加碳酸钠(3.8g)。一边继续搅拌一边在60°C加热24小时。接着,添加画Ac(45.0g)中溶有全氟-1,3,5-三苯基苯(5.0g)的溶液,再于60℃加热24小时之后,将反应液冷却至室温。一边剧烈搅拌,一边向0.5N盐酸水(约200mL)中缓慢滴入反应液,进行再沉淀。过滤之后,用纯水清洗2次,在60℃进行真空干燥12小时,得到白色粉末状的预聚物(6.9g)。所得预聚物具有醚键以及作为聚合性双键(A)的乙烯基,分子量为5300。另外,该预聚物的交联温度为145℃。使用该预聚物通过上述方法所形成的固化膜的相对介电常数为2.4,400nm、600nm、800nm的光线透射率分别为98%、99.5%、99.5%。向装有戴氏冷凝器、热电偶温度计、机械搅拌器的lOOmL玻璃制4颈瓶中,加入五氟苯乙烯(2.2g)、1,1,1-三(4-羟苯基)乙垸(3.3g)、DMAc(49.2g)。一边搅拌一边在油浴上加热,当液温达到60。C时,迅速加入碳酸钠(5.lg)。一边继续搅拌一边在60。C加热24小时。接着,添加DMAc(36.Og)中溶有全氟联二苯(4.0g)的溶液,再于60'C加热17小时之后,将反应液冷却至室温。一边剧烈搅拌,一边向0.5N盐酸水(约300mL)中缓慢滴入反应液,进行再沉淀。过滤之后,用纯水清洗2次,在6CTC进行真空干燥12小时,得到白色粉末状的预聚物(7.5g)。所得预聚物具有醚键和乙烯基。进行与例l同样的评价,将基本特性评价结果示于表1。向装有戴氏冷凝器、热电偶温度计、机械搅拌器的100mL玻璃制4颈瓶中,加入五氟苯乙烯(2.4g)、1,1,1-三(4-羟苯基)乙垸(3.2g)、DMAc(50.8g)。一边搅拌一边在油浴上加热,当液温达到60'C时,迅速加入碳酸钠(5.0g)。一边继续搅拌一边在6(TC加热24小时。接着,添加DMAc(31.5g)中溶有全氟联二苯(3.5g)的溶液,再于6CTC加热17小时之后,将反应液冷却至室温。一边剧烈搅拌,一边向0.5N盐酸水(约300mL)中缓慢滴入反应液,进行再沉淀。过滤之后,用纯水清洗2次,在6(TC进行真空干燥12小时,得到白色粉末状的预聚物(7.0g)。所得预聚物具有醚键和乙烯基。进行与例l同样的评价,将基本特性评价结果示于表1。向装有戴氏冷凝器、热电偶温度计、机械搅拌器的300mL玻璃制4颈瓶中,添加五氟苯乙烯(2.7g)、1,1,1-三(4-羟苯基)乙烷(9.9g)、DMAc(114.2g)。一边搅拌一边在油浴上加热,当液温达到60。C时,迅速加入碳酸钠(15.5g)。一边继续搅拌一边在6(TC加热24小时。接着,添加DMAc(90.Og)中溶有全氟甲苯(IO.Og)的溶液,再于6(TC加热24小时之后,将反应液冷却至室温。一边剧烈搅拌,一边向0.5N盐酸水(约600mL)中缓慢滴入反应液,进行再沉淀。过滤之后,用纯水清洗2次,在6(TC进行真空干燥12小时,得到白色粉末状的预聚物(17.9g)。所得预聚物具有醚键和乙烯基。进行与例l同样的评价,将基本特性评价结果示于表1。向装有戴氏冷凝器、热电偶温度计、机械搅拌器的100mL玻璃制4颈瓶中,添加五氟苯乙烯(1.0g)、1,1,2,2-四(4-羟苯基)乙烷(2.3g)、DMAc(30.lg)。一边搅拌一边在油浴上加热,当液温达到6(TC时,迅速加入碳酸钠(2.8g)。一边继续搅拌一边在6(TC加热24小时。接着,添加DMAc(45.0g)中溶有全氟-l,3,5-三苯基苯(5.0g)的溶液,再于6(TC加热24小时之后,将反应液冷却至室温。一边剧烈搅拌,一边向0.5N盐酸水(约250mL)中缓慢滴入反应液,进行再沉淀。过滤之后,用纯水清洗2次,在6(TC进行真空干燥12小时,得到白色粉末状的预聚物(7.0g)。所得预聚物具有醚键和乙烯基。进行与例l同样的评价,将基本特性评价结果示于表1。向装有戴氏冷凝器、热电偶温度计、机械搅拌器的100mL玻璃制4颈瓶中,添加五氟苯乙烯(2.2g)、1,1,2,2-四(4-羟苯基)乙烷(3.2g)、DMAc(48.1g)。一边搅拌一边在油浴上加热,当液温达到6(TC时,迅速加入碳酸钠(3.8g)。一边继续搅拌一边在6(TC加热24小时。接着,添加DMAc(36.Og)中溶有全氟联二苯(4.0g)的溶液,再于6(TC加热24小时之后,将反应液冷却至室温。一边剧烈搅拌,一边向O.5N盐酸水(约250mL)中缓慢滴入反应液,进行再沉淀。过滤之后,用纯水清洗2次,在6CTC进行真空干燥12小时,得到白色粉末状的预聚物(7.5g)。所得预聚物具有醚键和乙烯基。进行与例l同样的评价,将基本特性评价结果示于表1。向装有戴氏冷凝器、热电偶温度计、机械搅拌器的100mL玻璃制4颈瓶中,添加五氟苯乙烯(3.0g)、1,1,2,2-四(4-羟苯基)乙垸(3.9g)、DMAc(61.6g)。一边搅拌一边在油浴上加热,当液温达到6(TC时,迅速加入碳酸钠(4.6g)。一边继续搅拌一边在6(TC加热24小时。接着,添加DMAc(27.Og)中溶有全氟甲苯(3.0g)的溶液,再于6(TC加热24小时之后,将反应液冷却至室温。一边剧烈搅拌,一边向0.5N盐酸水(约250mL)中缓慢滴入反应液,进行再沉淀。过滤之后,用纯水清洗2次,在60℃进行真空干燥12小时,得到白色粉末状的预聚物(7.6g)。所得预聚物具有醚键和乙烯基。进行与例l同样的评价,将基本特性评价结果示于表1。向装有戴氏冷凝器、热电偶温度计、机械搅拌器的10L玻璃制4颈瓶中,添加全氟联二苯(450g)、全氟苯乙炔(155g)、1,3,5-三羟基苯(130g)、粉末状分子筛4A(600g)、DMAc(6620g)。一边搅拌一边在油浴上加热,当液温达到60°C时,迅速加入碳酸钠(600g)。一边继续搅拌一边在60℃加热45小时后,将反应液冷却至室温。一边剧烈搅拌,一边向0.5N盐酸水(约270mL)中缓慢滴入反应液,进行再沉淀。过滤之后,用纯水清洗2次,在60℃进行真空干燥12小时,得到白色粉末状的预聚物(620g)。所得预聚物具有醚键和乙烯基。另外该预聚物的交联温度为235°C。进行与例l同样的评价,将基本特性评价结果示于表1。表1<table>Complextableseetheoriginaldocumentpagex</column></row><table>由表1的结果可知,本发明的预聚物同时具有高透明性和低相对介电常数。取出例2所得的预聚物的环己酮20质量%溶液(以下,称为溶液1)的一部分,添加相对于预聚物的100质量份为2质量份的3-氨丙基三乙氧基硅烷得到溶液l-l。另外,用三乙氧基乙烯基硅烷代替3-氨丙基乙氧基硅垸,相对于预聚物的100质量份添加2质量份,得到溶液l-2。接着,通过在硅晶片上旋涂溶液1、溶液1-1及溶液1-2进行涂布形成湿润膜,接着通过加热制备固化膜。调整旋转转数以使湿润膜厚为500nm,利用加热板进行10(TCX90秒、20(TCX90秒的预焙烧后,用立式炉进行250°CX1小时在氮气氛下的后焙烧。对这些样品,在ETAC制室中进行高压力速老化试验(12rC、相对湿度100%、4小时)后,通过JISD0202中记载的方格(square)胶带剥离试验评价固化膜与基材的粘合性。在由溶液1而得的固化膜上形成的方格有80%以上剥离。另一方面,由溶液1-1及1-2而得的固化膜上所形成的方格未见剥离。通过本例可知,氨基硅烷、乙烯基硅烷这样的粘合促进剂具有提高固化膜的粘合性的效果。使例2所得的预聚物溶解于环己酮得到30质量%溶液,将该溶液用孔径0.m的PTFE制滤膜过滤。使用所得溶液,通过旋涂法在硅晶片上形成厚约3um的薄膜。经加热板进行10(TCX90秒、200°CX90秒的预焙烧后,使用立式炉进行25(TCX1小时、氮气氛下的后焙烧。将所得膜浸渍在画SO/单乙醇胺混合溶液(浓度以质量比计为7/3)的溶液中,在8(TC加热6分钟。确认膜的外观以及膜厚没有变化。使例2所得的预聚物溶解于环己酮得到30质量%溶液,将该溶液用孔径0.5uni的PTFE制滤膜过滤。使用所得的溶液,通过旋涂法在硅晶片上形成厚约3iim的薄膜。经加热板进行10(TCX90秒、200°CX90秒的预焙烧之后,使用立式炉进行25(TCX1小时、氮气氛下的后焙烧。对所得膜在溅射压力0.3Pa(2X10—3Torr)、氩/氧混合气体(混合体积比为Ar/02=99.5/0.5)、基板温度20(TC的条件下进行ITO的溅射94秒。确认膜外观没有异常。产业上利用的可能性使本发明的交联性含氟芳香族预聚物固化而形成的固化膜兼具高透明性、低相对介电常数、高耐热性、低双折射及高挠性,可作为电子,电气元件用的绝缘膜、光传送体应用。另外,在此引用在2005年6月24日提出的日本专利申请2005-184611号的说明书、权利要求、附图以及摘要的全部内容,作为本发明说明书的公开内容。权利要求1.交联性含氟芳香族预聚物,其特征在于,使具有聚合性双键(A)及酚性羟基的化合物(Y-1)以及具有聚合性双键(A)和氟原子取代芳香环的化合物(Y-2)中的任一者或两者与下式(1)所示的含氟芳香族化合物(B),以及,具有3个以上酚性羟基、且各酚性羟基不存在于同一芳香环的化合物(C),在脱HF剂存在下进行缩合反应而得,具有聚合性双键(A)及醚键,且数均分子量为1×103~5×105,式(1)中,n为0~3的整数;a、b分别独立地表示0~3的整数;Rf1及Rf2表示可以分别相同或不同的碳数8以下的含氟烷基;芳香环内的F表示该芳香环的氢原子全部被氟原子取代。2.如权利要求l所述的交联性含氟芳香族预聚物,其特征在于,所述化合物(Y-l)为4-羟基苯乙烯及/或二(苯乙烯基)二羟基联二苯。3.如权利要求1或2所述的交联性含氟芳香族预聚物,其特征在于,所述化合物(Y-2)为选自五氟苯乙烯、丙烯酸五氟苄酯、甲基丙烯酸五氟苄酯、丙烯酸五氟苯酯、甲基丙烯酸五氟苯酯、全氟苯乙烯、五氟苯基三氟乙烯基醚以及3-(五氟苯基)五氟-1-丙烯的至少1种。4.如权利要求13中任一项所述的交联性含氟芳香族预聚物,其特征在于,所述含氟芳香族化合物(B)为选自全氟苯、全氟甲苯、全氟二甲苯、全氟联二苯、全氟联三苯、全氟(l,3,5-或1,2,4-)三苯基苯以及全氟联四苯的至少1种。5.如权利要求14中任一项所述的交联性含氟芳香族预聚物,其特征在于,所述化合物(C)为选自1,1,1-三(4-羟苯基)乙烷、1,2,4-或1,3,5-三(4-羟苯基)苯以及1,1,2,2-四(4-羟苯基)乙烷的至少1种。6.固化物,其特征在于,使权利要求15中任一项所述的交联性含氟芳香族预聚物固化而形成。7.涂布用组合物,其特征在于,含有权利要求15中任一项所述的交联性含氟芳香族预聚物和溶剂。8.固化膜,其特征在于,使用权利要求7所述的涂布用组合物在基材上形成交联性含氟芳香族预聚物的湿润膜,接着除去该湿润膜中的溶剂,而后或者与溶剂的除去同时,使该交联性含氟芳香族预聚物固化,从而形成该固化膜。9.电子*电气元件,其特征在于,具有权利要求8所述的固化膜。10.光传送体,其特征在于,具有权利要求8所述的固化膜。全文摘要提供了可以形成兼具高透明性、低相对介电常数、高耐热性、低双折射及高挠性的固化物的交联性含氟芳香族预聚物及其用途。交联性含氟芳香族预聚物,使具有聚合性双键(A)及酚性羟基的化合物(Y-1)以及具有聚合性双键(A)和氟原子取代芳香环的化合物(Y-2)中的任一者或两者与右式(1),[式(1)中,n为0~3的整数;a、b分别独立地表示0或1~3的整数;Rf<sup>1</sup>及Rf<sup>2</sup>表示碳数8以下的含氟烷基]所示的含氟芳香族化合物(B),以及,具有3个以上酚性羟基、且各酚性羟基不存在于同一芳香环的化合物(C),在脱HF剂存在下进行缩合反应而得,具有聚合性双键(A)及醚键,且数均分子量为1×10<sup>3</sup>~5×10<sup>5</sup>。文档编号C08G65/40GK101203546SQ20068002219公开日2008年6月18日申请日期2006年6月15日优先权日2005年6月24日发明者伊藤昌宏,江里口武,石桥雄一郎,鹤冈薰申请人:旭硝子株式会社
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