专利名称：用于封装半导体器件的环氧树脂组合物以及使用其的半导体器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于封装半导体器件的环氧树脂组合物以及使用其的半导体器件。更具体地，本发明涉及具有优异阻燃性的用于封装半导体器件的环氧树脂组合物以及使用其的半导体器件。
背景技术：
一般而言，用于封装半导体器件的环氧树脂组合物需要符合VO的UL94可燃性。可基于美国安全检测实验室(Underwriters Laboratories)的UL94标准确定可燃性。按照美国ASTM D635进行UL94测试，基于燃烧棉花、燃烧时间、发光时间和燃烧程度等的实施可确定样本V级别。
为了赋予用于封装半导体器件的环氧树脂组合物阻燃性，溴环氧树脂或三氧化锑 (Sb2O3)已被普遍用作阻燃剂。然而，当燃烧时，使用卤代阻燃剂或三氧化二锑会产生有毒的致癌物质，如二噁英或二呋喃。此外，当燃烧时，卤代阻燃剂会产生气体如HBr和HC1，其对人有害并且导致半导体芯片或导线和引线框的腐蚀。为了解决此类问题，对包括磷阻燃剂的新型阻燃剂，例如磷腈和磷酸酯，以及含氮原子树脂进行了研究。然而，磷阻燃剂与水反应，从而形成磷酸和聚磷酸，其劣化了半导体器件的可靠性。此外，含氮树脂表现出的阻燃性不足。
此外，已经建议通过增大无机填料如二氧化硅的含量来赋予阻燃性的方法。然而， 这种方法虽然保证了阻燃性和可靠性，但无机填料导致流动性、分散性和反应性的急剧降低，从而劣化了成型性和加工性。发明内容
本发明的方面提供了用于封装半导体器件的环氧树脂组合物，包括勃姆石作为非卤阻燃剂以提供优异的热稳定性、可靠性和阻燃性，以及使用其的半导体器件。
本发明的一个方面提供了用于封装半导体器件的环氧树脂组合物。环氧树脂组合物包括环氧树脂、固化剂、固化促进剂、无机填料和阻燃剂，其中阻燃剂包括式I表示的勃姆石，基于环氧树脂组合物的总量，勃姆石存在的量为按重量计0. 1%至20% (wt% )。
[式I]
AlO(OH)
勃姆石的平均粒径可为0. I至10 ii m。
无机填料可包括二氧化硅。
勃姆石与二氧化硅(硅石，silica)的重量比可为I : 3至I : 900。
环氧树脂组合物可包括2至15wt%的环氧树脂、0. 5至12wt%的固化剂、0. 01至 2界1:%的固化促进剂、70至95wt%的无机填料、以及0. I至20wt%的勃姆石。
基于环氧树脂的总量，环氧树脂可包括10至90wt%的式2表示的环氧树脂。3
[式2]
权利要求
1.一种用于封装半导体器件的环氧树脂组合物，包括环氧树脂；固化剂；固化促进剂；无机填料；和阻燃剂；其中，所述阻燃剂包括式I表示的勃姆石，基于环氧树脂组合物的总量，所述勃姆石存在的量为按重量计0. I至20wt% [式I]AlO(OH)。
2.根据权利要求I所述的环氧树脂组合物，其中，所述勃姆石的平均粒径为0.I至 10 u m0
3.根据权利要求I所述的环氧树脂组合物，其中，所述无机填料包括二氧化硅。
4.根据权利要求3所述的环氧树脂组合物，其中，所述勃姆石与所述二氧化硅的重量比为I : 3至I : 900。
5.根据权利要求I所述的环氧树脂组合物，其中，所述环氧树脂组合物包括2至 15wt%的所述环氧树脂、0. 5至12wt%的所述固化剂、0. 01至2wt%的所述固化促进剂、70 至95wt%的所述无机填料和0. I至2(^1:%的所述勃姆石。
6.根据权利要求I所述的环氧树脂组合物，其中，基于所述环氧树脂的总量，所述环氧树脂包括10至90wt%的式2表示的环氧树脂[式2]其中n为I至7的整数。
7.根据权利要求I所述的环氧树脂组合物，其中，基于所述固化剂的总量，所述固化剂包括10至90wt%的式4表示的酹树脂[式4]其中n为I至7的整数。
8.一种封装半导体器件的方法，所述方法包括使用根据权利要求I所述的环氧树脂组合物来封装具有引线框的半导体器件；以及固化所述组合物。
9.一种利用根据权利要求I所述的环氧树脂组合物封装的半导体器件。
全文摘要
本文公开了用于封装半导体器件的环氧树脂组合物，一种封装半导体器件的方法，以及一种利用环氧树脂组合物封装的半导体器件。环氧树脂组合物包括环氧树脂、固化剂、固化促进剂、无机填料和阻燃剂。阻燃剂包括式1表示的勃姆石，并且基于环氧树脂组合物的总量，勃姆石的量为0.1至20wt％。该环氧树脂组合物显示出优异的阻燃性和足够的成型性和可靠性，而无需使用燃烧时会产生对人体和环境有害的副产物的阻燃剂化合物。[式1]AlO(OH)。
文档编号C08K3/36GK102532810SQ20111041877
公开日2012年7月4日 申请日期2011年12月14日 优先权日2010年12月29日
发明者李映均, 李殷祯, 裴庆徹 申请人:第一毛织株式会社