一种PVC基聚合物及其制备方法以及一种PVC基均相阴离子交换膜及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种PVC基聚合物，其特征在于，具有式(Ⅰ)或式(Ⅱ)所示结构：

其中，R选自-H、-C₂H₅或-C₄H₉；

x₁+y₁＝1；x₂+y₂＝1。

2.根据权利要求1所述的PVC基聚合物，其特征在于，0.6≤x₁＜1，0＜y₁≤0.4；0.6≤x₂＜1，0＜y₂≤0.4。

3.一种PVC基聚合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A1)将聚氯乙烯、NaN₃、催化剂与溶剂混合，反应，得到PVC-N₃接枝聚合物溶液；

所述PVC-N₃接枝聚合物溶液中PVC-N₃接枝聚合物的结构如式(a)所示，

B1)将所述PVC-N₃接枝聚合物溶液、溴化亚铜、五甲基二乙烯三胺和丙炔基三甲基溴化铵混合，反应，得到PVC基聚合物；

所述PVC基聚合物具有式(Ⅰ)所示结构，

其中，x₁+y₁＝1；

或者包括以下步骤：

A1)将聚氯乙烯、NaN₃、催化剂与溶剂混合，反应，得到PVC-N₃接枝聚合物溶液；

所述PVC-N₃接枝聚合物溶液中PVC-N₃接枝聚合物的结构如式(a)所示，

B2)将所述PVC-N₃接枝聚合物溶液、溴化亚铜、五甲基二乙烯三胺和炔类化合物混合，反应，得到中间体聚合物；

所述炔类化合物为乙炔、丁炔或己炔；

C2)将所述步骤B2)得到的中间体聚合物、碘甲烷和溶剂混合，反应，得到PVC基聚合物；

所述PVC基聚合物具有式(Ⅱ)所示结构，

其中，R选自-H、-C₂H₅或-C₄H₉；x₂+y₂＝1。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述PVC-N₃接枝聚合物的接枝度为10.0％～40.0％。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B1)具体包括：

B11)将所述PVC-N₃接枝聚合物溶液、溴化亚铜、五甲基二乙烯三胺和丙炔基三甲基溴化铵混合，反应，得到PVC基聚合物溶液；

B12)将所述PVC基聚合物溶液与水混合，过滤，得到PVC基聚合物；

所述步骤B2)具体包括：

B21)将所述PVC-N₃接枝聚合物溶液、溴化亚铜、五甲基二乙烯三胺和炔类化合物混合，反应，得到中间体聚合物溶液；

所述炔类化合物为乙炔、丁炔或己炔；

B22)将所述中间体聚合物溶液与水混合、过滤，得到中间体聚合物；

所述步骤C2)具体包括：

C21)将所述步骤B2)得到的中间体聚合物、碘甲烷和溶剂混合，反应，得到PVC基聚合物溶液；

C22)将所述PVC基聚合物溶液与水混合、过滤，得到PVC基聚合物。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A1)中，所述反应的温度为30～50℃，时间为24～48h。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B1)中，所述反应的温度为40～60℃，时间为24～48h；

所述步骤B2)中，所述反应的温度为40～60℃，时间为24～48h。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤C2)中，所述反应的温度为50～90℃，时间为18～48h。

9.一种PVC基均相阴离子交换膜，其特征在于，包括权利要求1或2所述的PVC基聚合物中的一种或几种或权利要求3～8中任一项所述的制备方法制得的PVC基聚合物中的一种或几种。

10.一种PVC基均相阴离子交换膜的制备方法，其特征在于，将权利要求1或2所述的PVC基聚合物中的一种或几种或权利要求3～8中任一项所述的制备方法制得的PVC基聚合物中的一种或几种成膜，得到PVC基均相阴离子交换膜。