专利名称：板、具有该板的用于调节基板温度的装置及加工基板的装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种板、具有该板的用于调节基板温度的装置，以及一种具有 该板的用于加工基板的装置。本发明尤其涉及用于均匀调节整个基板温度的一 种板，具有该板的用于调节基板温度的一种装置，以及具有该板的用于加工基 板的一种装置。
背景技术：
在半导体加工技术中，可通过在半导体基板上执行各种工艺流程而制成半 导体设备。例如，可对半导体基板进行热处理而制造所需的半导体设备。
半导体基板可被加热至预定温度以执行热处理。此外，半导体基板经热处 理后可被冷却至预定温度。
用于调节半导体基板温度的装置可包括板，其用于支承半导体基板以及加 热或冷却半导体基板。该板可包括本体和设置在本体内的流道，该本体具有用 于支承半导体基板的上表面，该流道让用于加热或冷却半导体基板的流体在其 间通过。
流道可包括进口和出口。这里，靠近流道进口的一部分本体之上的一部分 半导体基板的温度，可高于或低于靠近流道出口的另一部分本体之上的另一部 分半导体基板的温度。结果，整个半导体基板可能不均匀地被加热或冷却，因
而半导体设备的生产率会受到不利影响。此外，将半导体基板加热或冷却至理 想温度所需的时间可能会增加。
发明内容
本发明的实施例提供一种板，其用于均匀调节整个基板的温度。 此外，本发明的实施例提供一种具有板的装置，其能够均匀调节整个基板 的温度。
另外，本发明的实施例还提供一种具有板的用于加工基板的装置，其能够
均匀调节整个基板的温度。
根据本发明的一方面，用于调节基板温度的板可包括用于支承基板的本 体、设置在本体内的第一流道和设置在本体内的第二流道。第一流道具有第一 进口和第一出口以及使第一流体在其中通过以调节基板的温度。第二流道具有 靠近第一出口的第二进口和靠近第一进口的第二出口以及使第二流体在其中 通过以调节基板的温度。
在本发明的一些实施例中，第一进口和第一出口可设置在本体上彼此相对 的侧面部。此外，第二进口和第二出口可设置在本体上彼此相对的侧面部。
在本发明的一些实施例中，第一流道和第二流道可各包括相对于本体的中 心成对称设置的两个分岔的支流道。
在本发明的一些实施例中，第一流道的支流道可在靠近第一进口处分岔并 且可在靠近第一出口处汇合，以及第二流道的支流道可在靠近第二进口处分岔 并且在靠近第二出口处汇合。
在本发明的一些实施例中，第一流道和第二流道可并排设置。
在本发明的一些实施例中，绝热元件可设置在第一流道和第二流道之间以 阻隔第一流体和第二流体之间的热传导。
在本发明的一些实施例中，第一流道和第二流道各具有曲线形。
根据本发明的另一方面，用于调节基板温度的装置可包括板和流体供给 部。板可包括用于支承基板的本体、设置在本体内的第一流道和设置在本体内 的第二流道。第一流道具有第一进口和第一出口以及使第一流体在其中通过以 调节基板的温度。第二流道具有靠近第一出口的第二进口和靠近第一进口的第 二出口以及使第二流体在其中通过以调节基板的温度。流体供给部可供给第一 流体和第二流体至板。
在本发明的一些实施例中，第一进口和第一出口可设置在本体上彼此相对 的侧面部。此外，第二进口和第二出口可设置在本体上彼此相对的侧面部。
在本发明的一些实施例中，第一流道和第二流道可各包括相对于本体的中 心成对称设置的两个分岔的支流道。
在本发明的一些实施例中，第一流道的支流道可在靠近第一进口处分岔并 且可在靠近第一出口处汇合，以及第二流道的支流道可在靠近第二进口处分岔 并且可在靠近第二出口处汇合。
在本发明的一些实施例中，第一流道和第二流道可并排设置。
在本发明的一些实施例中，绝热元件可设置在第一流道和第二流道之间以 阻隔第 一 流体和第二流体之间的热传导。
在本发明的一些实施例中，流速调节部可设置在第一、第二进口与流体供 给部之间，以分别对供给至第一流道的第 -流体和供给至第二流道的第二流体 的流速进行调节。
在本发明的一些实施例中，流速调节部可包括电子阀。
在本发明的一些实施例中，温度测量部可分别对供给至第一流道的第一流 体和供给至第二流道的第二流体的温度进行测量。
在本发明的一些实施例中，供给至第一流道的第一流体的温度与供给至第 二流道的第二流体的温度相等。
在本发明的一些实施例中，升降杆设置成可在垂直方向活动通过本体。基 板可被装载在本体上以及借助升降杆从本体卸除。
在本发明的一些实施例中，升降杆可连接于传动部，以使升降杆在垂直方 向活动。
还根据本发明的另一方面，用于加工基板的装置可包括热处理单元和温度 调节单元。热处理单元可配备成对基板进行热处理，而温度调节单元可配备成 对经由热处理单元热处理后的基板的温度进行调节。温度调节单元可包括板和 流体供给部。板可包括用于支承基板的本体、设置在本体内的第一流道和设置 在本体内的第二流道，第一流道具有第一进口和第一出口以及使第一流体在其 中通过以调节基板的温度，第二流道具有靠近第一出口的第二进口和靠近第一 进口的第二出口以及使第二流体在其中通过以调节基板的温度。流体供给部可 供给第一流体和第二流体至板。
根据本发明的一些实施例，板可包括使第一流体在其中通过的第一流道和 使第二流体在其中通过的第二流道以分别对基板的温度进行调节。第一流道可 具有第一进口和第一 出口 ，第二流道可具有靠近第一 出口的第二进口和靠近第 一进口的第二出口。此外，第一流道和第二流道可在板的本体内并排设置。因 而，可均匀调节由板的本体支承的整个基板的温度。
结合附图并参看本发明的详细说明，会清楚本发明的实施例，其中
图1示出了根据本发明实施例的用于加工基板的装置的平面图2示出了图1中所示的基板加工装置的第一加工区块的侧视图3示出了图1中所示的基板加工装置的第二加工区块的侧视图4示出了图3中所示的温度调节单元的主视图5示出了图3中所示的另一例温度调节单元的立体图6示出了图3中所示的板的平面图7示出了图6中所示的部分"A"—实例的局部放大图8示出了图6中所示的部分"A"另一实例的局部放大图；以及 图9示出了图3中所示的温度调节单元的示意阁。
具体实施例方式
现参见示出本发明实施例的附图，进一步详述本发明。然而，本发明可以 以许多不同的形式实现，并且不应解释为仅限于在此提出之实施例。更确切地， 提出这些实施例以达成全面及完整的公开，并且使本领域技术人员完全了解本 发明的范围。图示中，清楚起见，可能放大了层和区域的尺寸及相对尺寸。
应理解，当将元件或层称为在另一元件或层"之上"、与另一元件或层"连接" 时，其可为直接地在其它元件或层之上、与其它元件或层连接，或者存在居于 其中的元件或层。与此相反，当将元件称为"直接在(另一元件或层)之上"、 与另一元件或层"直接连接"时，并不存在居于其中的元件或层。类似的元件始 终标以类似的附图标记。如本文中所使用的，表述"及/或"包括一个或多个相关 的所列项目的任何或所有组合。
应理解，尽管本文中使用第一、第二、第三等术语来描述各种元件、组件、 区域、层及/或部分，但这些元件、组件、区域、层及/或部分并不受这些表述 的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个区域、 层或部分区别开来。由此，下文所称之第一元件、组件、区域、层或部分可称 为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离本发明的教导。
空间相对的术语，如"下(lower)"、"上(upper)"等，在本文中使用这些 术语以方便地表述如图所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。应理 解，这些空间相对的术语意欲涵盖除图中所示方位之外的该设备在使用或操作 中的不同方位。例如，若图中的该设备翻转，描述为"在其它元件或特征之下"、 "在其它元件或特征下方"的元件则会确定为"在其它元件或特征上方"。由此， 该示范性的术语"在...下方"可同时涵盖"在...上方"与"在...下方"两者。该设备 可为另外的定向(旋转90度或其它定向)，并且本文中所使用的这些空间相 对的术语亦作相应的解释。
本文中所使用的表述仅用于描述特定的实施例，并且并不意欲限制本发 明。如本文中所述的，单数形式的"一"和"该"意欲包括复数形式，除非其上下 文另有明确表示。还应理解，当本说明书中使用术语"含有"与/或"包括"之时， 明确说明了存在有所描述的特征、整体、步骤、操作、元件及/或组件，但并不 排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件及/或它们的组群的 存在或添加。
除非另有定义，本文所使用的所有术语(包括科技术语)的含义与本发明 所属技术领域的技术人员所通常理解的一致。还应理解，诸如一般字典中所定 义的术语应解释为与相关技术领域中的含义-致，并且不应作理想化的或过度 刻板的解释，除非在文中另有明确定义。
本发明的实施例，本文中是参照本发明的理想化实施例(及其中间结构) 的示意剖视图来描述的。照此，预期会产生例如因制造工艺及/或公差而造成形 状上的变化。由此，本发明实施例不应解释为将其限制成本文所示的特定区域 形状，还应包括例如因制造而导致的形状偏差。由此，图中所示区域是示意性 的，并且其形状并不意欲示出部件区域的精确形状，也不意欲限制本发明范围。
图1示出了根据本发明实施例的用于加工基板的装置的平面图，图2示出 了图1中所示的基板加工装置的第一加工区块的侧视图，以及图3示出了图1 中所示的基板加工装置的第二加工区块的侧视图。
参照图1至图3，根据本发明的实施例，基板加工装置IO可用于加工诸如 硅片的半导体基板。例如，装置10可用于执行涂布处理、显影处理、烘烤处 理。涂布处理用于在基板上形成一层光致抗蚀剂层或抗反射底涂层(BARC)。 显影处理用于在执行曝光处理以将电路图形转刻到光致抗蚀剂层后，在基板上 形成光致抗蚀剂图形。烘烤过程用于固化光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图形等。
基板加工装置10可包括用于加工基板的基板加工组件20、用于传送基板 的基板传送组件30以及设置在基板加工组件20和曝光装置2之间的接口组件 40。
基板传送组件30可包括用于支承容器4的多个装载端口 32，其中各容置 多个基板，并且基板传送组件30可在容器4和基板加工组件20之间传送基板。 例如，前开式统一规格晶片盒(FOUP)可位于各装置端口32上。
基板传送室34可连接于基板加工组件20。基板传送用自动机械36可设置 在基板传送室34内。该基板传送用自动机械36可设置成在水平方向和垂直方 向运动，例如在x轴、y轴和z轴方向运动。此外，基板传送用自动机械36的 机械臂可设置成转动、展开和收縮。风机过滤单元38可设置于基板传送室34 上部内，以供给净化空气至基板传送室34。
基板加工组件20可包括第一加工区块100。第一加工区块IOO可以光致抗 蚀剂组合物或抗反射材料涂布基板以形成光致抗蚀剂层或BARC层，并且第一 加工区块100可在由曝光装置2进行曝光处理的基板上形成光致抗蚀剂层。
第一加工区块IOO可包括以多层堆叠的上部单元区块IIO和下部单元区块 130。上部单元区块110可包括多个涂布单元，下部单元区块130可包括多个 显影单元。替代地，上部单元区块110可包括多个显影单元，下部单元区块130 可包括多个涂布单元。
如图所示，第一加工区块IOO可包括两个上部单元区块IIO和两个下部单 元区块130。然而，本发明的范围并不受上部单元区块IIO和下部单元区块130 的数量所限制。
根据本发明的实施例，上部单兀区块IIO可各包括用于形成BARC层的第一涂布单元112和用于形成光致抗蚀剂层的第二涂布单元114。第一涂布单元
112和第二涂布单元114可设置在x轴方向。根据本发明的另一实施例，上部 单元区块IIO可各包括设置在水平方向(例如x轴方向)的多个涂布单元。各 涂布单元可配备成在基板上形成光致抗蚀剂层。
下部单元区块130可各包括设置在x轴方向的多个显影单元132。各显影 单元132可配备成在由曝光装置2进行曝光处理的基板上显影出光致抗蚀剂层。
根据本发明的实施例，中部单元区块150可设置在上部单元区块110和下 部单元区块130之间。中部单元区块150可选择性地包括涂布单元和显影单元。 例如，中部单元区块150可包括涂布单元或显影单元。替代地，中部单元区块 150可包括一个涂布单元和多个显影单元或包括多个涂布单元和一个显影单 元。此外，中部单元区块150可包括多个涂布单元和多个显影单元。
如图所示，中部单元区块150包括一个涂布单元152和两个显影单元154。 然而，本发明的范围可以不受中部单元区块150设置的限制，例如不受涂布单 元和显影单元数量的限制。
特定地，中部单元区块150的涂布单元和显影单元可以可拆卸地设置在上 部单元区块IIO和下部单元区块130之间。也就是说，中部单元区块150的设 置可随不同的预定加工工艺而变化。因而，基板加工装置IO的生产量可得到 改进。
基板加工组件20可包括第二加工区块200，其方向与第一加工区块100相 对。第二加工区块200可包括设置在x轴方向的多个单元区块，以对半导体基 板进行热处理。
基板传送区块300可设置在第一加工区块100和第二加工区块200之间以 传送基板。传送用自动机械310和320可设置在基板传送区块300中以传送基 板。例如，上部传送用自动机械310和下部传送用自动机械320可设置于基板 传送区块300中。
第二加工区块200可包括第一单元区块210、第二单元区块230和第三单 元区块250。第二单元区块230可设置在第一单元区块210和第三单元区块250 之间。第一和第三单元区块210和250可包括多个加热单元212、 214、 252和 254以加热基板，以及第二单元区块230可包括多个热处理单元232和234以 加热和冷却基板。加热单元212、 214、 252和254以及热处理单元232和234 可在垂直方向堆叠。
第一加热单元212可设置在第一单元区块210的上部，第二加热单元214 可设置在第一单元区块210的下部。第三加热单元252可设置在第三单元区块 250的上部，第四加热单兀254可设置在第三单元区块250的下部。然而，本
发明的范围并不受加热单元212、 214、 252和254的位置的限制。
基板加工组件20还可包括第三加工区块400和第四加工区块500，其用于 调节基板温度。第三加工区块400和第四加工区块500可设置在基板传送区块 300的两侧上，其方向垂直于第一加工区块100和第二加工区块200的设置方 向，例如x轴方向。具体地，第三加工区块400和第四加工区块500可分别设 置在基板传送组件30、基板传送区块300和接口组件40之间。
第三加工区块400和第四加工区块500可配备成冷却经由第二加工区块 200加热过的基板。例如，第三加工区块400和第四加工区块500各可包括多 个温度调节单元600以将基板冷却到预定温度，比如冷却至约23t:的温度。温 度调节单元600可以多层堆叠。
此外，第三加工区块400和第四加工区块500可用于将已经过首次冷却的 基板二次冷却至约23°C，基板之前已由上部热处理单元232或下部热处理单元 234的冷却板冷却。热处理单元232或热处理单元234的冷却板可将基板首次 冷却至约3(TC至约50°C。
温度调节单元600各可包括冷却室(未示出)和置于其中的板。借助流体 流动通过板的本体，可将板的温度保持在约23。C。此处，流体可用作冷却基板 的冷却剂。此外，用于传送基板的门可配备成穿过冷却室上靠近基板传送区块 300的侧壁。
尽管图中未示出，但也可采用板来加热基板。例如，可采用板来对加热单 元212、 214、 252和254与/或热处理单元232和234中的基板进行加热。
此外，第三加工区块400和第四加工区块500各可包括第一传送台410和 第二传送台510，以容置其各自的半导体基板。第一传送台410和第二传送台 510各可设置于温度调节单元600之间。例如，第一传送台410和第二传送台 510可在水平方向靠近第一加工区块100的中部单元区块150。
接口组件40可设置于第四加工区块500和曝光装置2之间。接口自动机 械42可设置在接口组件40内以在基板加工组件20和曝光装置2之间传送基 板。接口自动机械42可设置成在垂直方向运动，并且接口自动机械42的机械 臂可设置成转动、展开和收縮以传送基板。
此外，边缘曝光单元44和容置台46可设置在接口组件40内。边缘曝光 单元44可配备成从基板的边缘部去除光致抗蚀剂层的边缘部分。曝光处理之 前或之后，基板可在容置台46内保持就绪。边缘曝光单元44和容置台46可 设置在以接口自动机械42为中心的y轴方向上，方向彼此相对。
图4示出了图3中所示的温度调节单元的主视图；以及图5示出了图3中 所示的另 一 例温度调节单元的立体图。
参照图4，各温度调节单元600可包括多个升降杆622，其可设置成在垂直方向活动地通过板610以装载和卸除半导体基板。
升降杆622可设置成通过支承基板的板610的本体620。例如，升降杆622 可设置成在垂直方向活动地通过板610的本体620。此外，传动部624可设置 在板610下方。传动部624可连接于升降杆622，以使升降杆622在垂直方向 运动。基板可被装载在本体620的上表面之上，以及可借助升降杆622从本体 620的上表面卸载。
例如，升降杆622可向上运动以支承由上部传送自动机械310或下部传送 自动机械320运送进来的基板，以及可向下活动以将基板装载在板610的本体 620上。调节基板温度之后，升降杆622可向上活动以从板610的本体620卸 除基板，以及基板可由上部传送自动机械310或下部传送自动机械320运送出 去。
如上所述，虽然板610用于冷却基板，板610也可用于加热基板。例如， 可采用板610来对加热单元212、 214、 252和254与/或热处理单元232和234 中的基板进行加热。
参照图5，各温度调节单元600可包括提升件700和连接于提升件700的 传动部706。提升件700用于提升基板以装载和卸除基板。
提升件700可具有开环状，例如马蹄状或大致C形状。提升件700的开口 部702可配备成避免提升件700与上部传送自动机械310或下部传送自动机械 320的机械臂(未示出)产生干扰，其可设置成朝向冷却室的门。多个凸部704 可设置在提升件700的内表面上以支承基板。
板610可具有与基板相应的盘状，并且多个凹槽626可在垂直方向形成于 板610的外表面部，以使凸部704在其中通过。由上部传送自动机械310或下 部传送自动机械320传送的基板可借助提升件700，从上部传送自动机械310 或下部传送自动机械320提升。然后，提升件700向下活动以将基板装载到板 610上。反之，承载在板610上的基板可由提升件700提升，并且基板可由上 部传送自动机械310或下部传送自动机械320运送出冷却室。
传动部706可在水平方向设置在板610的一侧上，并且其可连接于提升件 700。因而，与使用升降杆622的情形相比，温度调节单元600的高度可被降 低。
图6示出了图3中所示的板的平面图，图7示出了图6中所示的部分"A" 一实例的局部放大图，以及图8示出了图6中所示的部分"A"另一实例的局部 放大图。
参照图6和图7，根据本发明一些实施例的板610可包括本体620以及让 流体在其中通过的第一流道630和第二流道640。
本体620可支承基板。例如，本体620可具有上表面以支承基板。执行热处理过程后，基板可由上部传送自动机械310或下部传送自动机械320传送到 板610的本体620上。
第一流道630可设置在本体620内。第一流道630可包括两个分岔的支流 道，以及第一流体可流动通过第一流道630的支流道以调节基板温度。
第二流道640可设置在本体620内。第二流道640可包括两个分岔的支流 道，以及第二流体可流动通过第一流道640的支流道以调节基板温度。
如上所述，虽然第一流道630和第二流道640各包括两个支流道，本发明 的范围可不受支流道数量的限制。第一流道630和第二流道640的支流道各可 具有曲线形，以均匀调节基板的温度。
此外，第一流道630和第二流道640的支流道可相对于本体620的中心成 对称设置，以均匀调节基板温度。
第一流道630可具有第一进口 632和第一出口 634，第二流道640可具有 第二进口 642和第二出口 644。特定地，第一进口 632和第一出口 634可设置 在本体620的彼此相对的侧表面部上。此外，第一进口 632可靠近第二出口 644 设置，第一出口 634可靠近第二进口 642设置。
此外，第一流道630和第二流道640可靠近彼此设置。即第一流道630和 第二流道640可并排设置。因而，第一流体和第二流体可在方向彼此相对的方 向流动，第一流体和第二流体之间的温度差可由第一流体和第二液体之间的热 传导来补偿。结果，第一进口 632和第一出口 634与/或第二进口 642与第二出 口 644之间的温度差可得到充分补偿。即第一进口 632和第二出口 644与/或第 二进口 642与第一出口 634之间的温度差可由热传导得到充分补偿，从而均匀 调节整个基板的温度。
例如，装载于板610的本体620上的基板可被第一流体和第二流体冷却到 约23。C至约27。C的温度。替代地，装载于板610的本体620上的基板可被第一 流体和第二流体加热到约7(TC至约IO(TC的温度。
第一流道630的支流道可在靠近第一进口 632处分岔，以及可在靠近第一 出口 634处汇合。此外，第二流道640的支流道可在靠近第二进口 642处分岔， 以及可在靠近第二出口 644处汇合。
参照图8，绝热元件650可设置在第一流道630和第二流道640之间。绝 热元件650可配备成阻隔第一流体和第二流体之间的热传导。
供给至第一进口 632的第一流体的温度可与供给至第二进口 642的第二流 体的温度相等。
流动通过第一流道630的第一部分(靠近第一进口 632)的第一流体的温 度与流动通过第一流道630的第二部分(靠近第一出口 634)的第一流体的温 度不同。然而，流动通过第一流道630的第-部分的第 -流体的温度与流动通 过第二流道640的第一部分(靠近第二进口 642)的第二流体的温度相等。此
外，流动通过第一流道630的第二部分的第一流体的温度与流动通过第二流道
640的第二部分(靠近第二出口 644)的第二流体的温度相等。
绝热元件650可避免第一流体和第二流体之间发生热传导。因而，流动通
过第一流道630的第一流体的温度可与流动通过第二流道640的第二流体的温
度不同。然而，由于第一流体和第二流体在彼此相反的方向流动，因而可均匀
调节整个基板的温度。
图9示出了图3中所示的温度调节单元的示意图。
参照图9，温度调节单元600可包括板610和流体供给部670。
流体供给部670可配备成供给流体至板610。例如，流体供给部670可连
接于第一进口 632和第二进口 642以分别供给第一流体至第一流道630和供给
第二流体至第二流道640。
温度调节单元600还可包括流速调节部680以调节第一流体和第二流体的
流速。例如，流速调节部680可设置在第一进口 632、第二进口 642和流体供
给部670之间。
流速调节部680可以步进方式增加或减小第一流体和第二流体的流速，以 均匀调节基板的温度。
流速调节部680可包括电子阀。例如，流速调节部680可包括电磁阀。虽 然图中未示出，流速调节部680还可包括用于控制电子阀操作的控制器。
温度调节单元600还可包括温度测量部690以测量第一流体和第二流体的 温度。
温度测量部690可设置在靠近第一进口 632和第二进口 642处。例如，温 度测量部690可设置在板610和流速调节部680之间。
流速调节部680可根据由温度测量部690测得的第一流体温度和第二流体 温度来调节第一流体和第二流体的流速，从而均匀调节基板的温度至预定温 度。此外，流体供给部670可根据由温度测量部690测得的第一流体温度和第 二流体温度将第一流体温度和第二流体温度调节至预定温度。
根据本发明的实施例，板可包括第一流道和第二流道，使第一流体和第二 流体在其中通过，以分别对基板的温度进行调节。第一流道可具有第一进口和 第一出口，第二流道可具有靠近第一出口的第二进口和靠近第一进口的第二出 口。此外，第一流道和第二流道可在板的本体内并排延伸。因而，由板的本体 支承的整个基板的温度可被均匀调节。
尽管业已描述了本发明的实施例，应理解，并不应将本发明限制为这些实 施例，本领域技术人员可在如后文权利要求书所要求保护的本发明的精神及范 围之内对其作出多种改变及修改。
权利要求
1.一种用于调节基板温度的板，所述板包括支承所述基板的本体；设置在所述本体内的第一流道，所述第一流道具有第一进口和第一出口以及使第一流体在其中通过以调节所述基板的温度；以及设置在所述本体内的第二流道，所述第二流道具有靠近所述第一出口的第二进口和靠近所述第一进口的第二出口以及使第二流体在其中通过以调节所述基板的温度。
2. 如权利要求1所述的板，其中所述第一进口和所述第一出口设置于所述 本体上彼此相对的侧面部。
3. 如权利要求1所述的板，其中所述第一流道和所述第二流道各包括相对 于所述本体的中心成对称设置的两个分岔的支流道。
4. 如权利要求3所述的板，其中所述第一流道的所述支流道在靠近所述第 一进口处分岔并且在靠近所述第一出口处汇合，以及所述第二流道的所述支流 道在靠近所述第二进口处分岔并且在靠近所述第二出口处汇合。
5. 如权利要求l所述的板，其中所述第一流道和所述第二流道并排设置。
6. 如权利要求1所述的板，还包括设置在所述第一流道和所述第二流道之 间的绝热元件以阻隔所述第一流体和所述第二流体之间的热传导。
7. 如权利要求1所述的板，其中所述第一流道和所述第二流道各具有曲线形。
8. —种用于调节基板温度的装置，所述装置包括 板，该板包括 用于支承所述基板的本体；设置在所述本体内的第一流道，所述第一流道具有第一进口和第一出口以 及使第一流体在其中通过以调节所述基板的温度；以及设置在所述本体内的第二流道，所述第二流道具有靠近所述第一出口的第 二进口和靠近所述第一进口的第二出口以及使第二流体在其中通过以调节所 述基板的温度；以及流体供给部，其供给所述第一流体和所述第二流体至所述板。
9. 如权利要求8所述的装置，其中所述第一进口和所述第一出口设置在彼 此相对的侧面部。
10. 如权利要求8所述的装置，其中所述第一流道和所述第二流道各包括 相对于所述本体的中心成对称设置的两个分岔的支流道。
11. 如权利耍求IO所述的装置，其中所述第-流道的所述支流道在靠近所述第一进口处分岔并且在靠近所述第一出口处汇合，以及所述第二流道的所述 支流道在靠近所述第二进口处分岔并且在靠近所述第二出口处汇合。
12. 如权利要求8所述的装置，其中所述第一流道和所述第二流道并排设置。
13. 如权利要求12所述的装置，还包括设置在所述第一流道和所述第二流道之间的绝热元件以阻隔所述第一流体和所述第二流体之间的热传导。
14. 如权利要求8所述的装置，还包括设置在所述第一、第二进口与所述 流体供给部之间的流速调节部，以分别对供给至所述第一流道的所述第一流体 和供给至所述第二流道的所述第二流体的流速进行调节。
15. 如权利要求14所述的装置，其中所述流速调节部包括电子阀。
16. 如权利要求8所述的装置，还包括温度测量部，所述温度测量部分别 对供给至所述第一流道的所述第一流体和供给至所述第二流道的所述第二流 体的温度进行测量。
17. 如权利要求8所述的装置，其中供给至所述第一流道的所述第一流体 的温度与供给至所述第二流道的所述第二流体的温度相等。
18. 如权利要求8所述的装置，还包括设置成可在垂直方向移动通过所述 本体的升降杆，以将所述基板装载在所述本体上以及将所述基板从所述本体卸 除。
19. 如权利要求18所述的装置，还包括连接于所述升降杆的传动部，以使 所述升降杆在所述垂直方向运动。
20. —种加工基板的装置，所述装置包括 设置成对所述基板进行热处理的热处理单元；以及设置成对经由所述热处理单元热处理后的所述基板的温度进行调节的温度调节单元，所述温度调节单元包括 板，该板包括 用于支承所述基板的本体；设置在所述本体内的第一流道，所述第一流道具有第一进口和第一出口以及使第一流体在其中通过以调节所述基板的温度；以及设置在所述本体内的第二流道，所述第二流道具有靠近所述第一出口的第 二进口和靠近所述第一进口的第二出口以及使第二流体在其中通过以调节所 述基板的温度；以及流体供给部，其供给所述第一流体和所述第二流体至所述板。
全文摘要
在一种用于调节基板温度的板中，板的本体支承基板。第一流道和第二流道设置于板的本体内。第一流道具有第一进口和第一出口以及使第一流体在其中通过以调节基板的温度。第二流道具有靠近第一出口的第二进口和靠近第一进口的第二出口以及使第二流体在其中通过以调节基板的温度。此外，第一和第二流道并排设置。因而，可均匀调节整个基板的温度。
文档编号F27D99/00GK101345188SQ20081013154
公开日2009年1月14日 申请日期2008年7月11日 优先权日2007年7月11日
发明者吴昌石, 金炫敬 申请人:细美事有限公司