基板处理装置用的部件及保护膜形成方法

专利名称：基板处理装置用的部件及保护膜形成方法
技术领域：
本发明涉及基板处理装置用的部件以及保护膜形成方法，尤其是 涉及对基板实施等离子体处理的基板处理装置用的部件。
背景技术：
对作为基板的晶片实施规定处理的基板处理装置，已知有实施CVD或PVD等成膜处理的成膜装置或者利用等离子体进行蚀刻的蚀 刻装置。近年来，随着晶片的直径越来越大，该基板处理装置也越来 越大，装置的重量增加也成为了课题。因此，使用轻型的铝制构件作 为基板处理装置的结构部件用的构件的情形也逐渐变多。但是， 一般说来，铝制构件相对于为了在基板处理装置中实施规 定处理而使用的腐蚀性气体或等离子体的抗腐蚀性较差，所以，在由 该铝制构件构成的结构部件、例如散热板(cooling plate)的表面形成 具有耐腐蚀性的防蚀铝保护膜(例如，参考专利文献l)。专利文献l:日本特开平11一43734号公报但是，最近，实施以HARC (HighAspectRatioContact:高纵横比 接触)处理等为代表的高功率的等离子体处理。在高功率的等离子体 处理中，散热板的温度上升，然而，由于防蚀铝保护膜的耐热性一般 比较低，所以在这种等离子体处理中，在散热板的防蚀铝保护膜上有 裂缝生成，防蚀铝保护膜的一部分缺失，从而产生颗粒。发明内容本发明的目的在于，提供一种能够防止因保护膜的缺失而产生颗 粒的基板处理装置用的部件和保护膜形成方法。为了达到上述目的，本发明第一方面所述的基板处理装置用的部 件，是一种对基板实施等离子体处理的基板处理装置用的部件，其特征在于包括保护膜，该保护膜通过将上述部件连接于直流电源的阳
极并且浸渍在以有机酸为主要成分的溶液中的阳极氧化处理，形成在 上述部件的表面，并对上述保护膜实施使用沸水的半封孔处理。本发明第二方面所述的基板处理装置用的部件如本发明第一方面 所述的部件，其特征在于在上述半封孔处理中，将上述基板处理装 置用的部件浸渍在上述沸水中5 10分钟。本发明第三方面所述的基板处理装置用的部件如本发明第一方面 或第二方面所述的部件，其特征在于具有通过喷镀不能形成保护膜 的表面。本发明第四方面所述的基板处理装置用的部件如本发明第三方面 所述的部件，其特征在于上述表面是至少一个孔部或凹部的表面。本发明第五方面所述的基板处理装置用的部件如本发明第一^^第 四方面中任一项所述的部件，其特征在于上述部件的表面暴露于大 功率的等离子体气氛中。本发明第六方面所述的基板处理装置用的部件如本发明第一 第 五方面中的任何--项所述的部件，其特征在于上述基板处理装置用 的部件是圆板状的散热板，该散热板具有多个贯通孔。本发明第七方面所述的基板处理装置用的部件如本发明第一 第 六方面中的任何一项所述的部件，其特征在于构成上述部件的基材 的主要成分是JIS规格的A6061合金。为了达到上述目的，本发明第八方面所述的保护膜形成方法是一 种对基板实施等离子体处理的基板处理装置用的部件的保护膜形成方 法，其特征在于，包括将上述部件连接于直流电源的阳极并且浸渍 在以有机酸为主要成分的溶液中的阳极氧化步骤；和将上述部件浸渍在沸水中5 10分钟的半封孔步骤。如本发明第一方面所述的基板处理装置用的部件，该部件被连接 于直流电源的阳极且被浸渍于以有机酸为主要成分的溶液中，从而在 表面形成保护膜，然后对保护膜实施使用沸水的半封孔处理。如果将 部件连接于直流电源的阳极并浸渍于以有机酸为主要成分的溶液中， 则氧化膜从该部件的表面向内侧生长，而氧化膜不会从部件的表面向 外侧生长。g卩，由于氧化物的结晶柱并不是从表面向外侧伸长，所以 能够抑制因结晶柱彼此之间的冲突而引起的残留应力的发生。另外，
在保护膜上有多个孔洞(孔)产生，然而，由于使用沸水的半封孔处 理将这些孔洞不完全地封闭，所以即使氧化物在各孔洞中膨胀，也能 够确保膨胀的氧化物的逃逸处。所以，即使部件变为高温，保护膜也 不会被破坏，从而能够防止因保护膜的缺失而引起的颗粒产生。如本发明第二方面所述的基板处理装置用的部件，由于基板处理 装置用的部件被浸渍在沸水中5 10分钟，所以能够减少保护膜的各 孔洞中的氧化物的生长量，从而能够可靠地确保开口。所以，能够确 实地防止因保护膜的缺失而引起的颗粒产生。如本发明第三方面所述的基板处理装置用的部件，具有通过喷镀 无法形成保护膜的表面。如果将该部件浸渍在以有机酸为主要成分的 溶液中，那么，通过喷镀不能形成保护膜的表面就与以有机酸为主要 成分的溶液相接触。所以，能够在通过喷镀不能形成保护膜的表面上 形成保护膜。如本发明第四方面所述的基板处理装置用的部件，通过喷镀不能 形成保护膜的表面为至少一个孔部或凹部的表面。通过浸渍在孔部或 凹部的表面上也能够形成保护膜，从而抑制在该保护膜上产生残留应 力，各孔洞被不完全地封闭。所以，能够提高该部件的耐热性。如本发明第五方面所述的基板处理装置用的部件，其表面虽然暴 露于大功率的等离子体气氛中，然而，由于在表面形成具有不完全封 闭的孔洞的保护膜，所以即使暴露于大功率的等离子体气氛中，也能 够防止因保护膜的缺失而引起的颗粒的产生。如本发明第六方面所述的基板处理装置用的部件，该部件是具有 多个贯通孔的散热板。由于保护膜通过散热板的表面以及各贯通孔与 有机酸相接触而形成，所以能够提高散热板的耐热性。如本发明第七方面所述的基板处理装置用的部件，由于构成部件的基材的主要成分是JIS规格的A6061合金，所以能够显著地产生上 述效果。如本发明第八方面所述的保护膜形成方法，将基板处理装置用的 部件连接于直流电源的阳极且浸渍在以有机酸为主要成分的溶液中， 然后将部件浸渍在沸水中5 10分钟。如果将部件连接于直流电源的 阳极并浸渍于以有机酸为主要成分的溶液中，则氧化膜从该部件的表
面向内侧生长，而氧化膜不会从该部件的表面向外侧生长。S卩，由于 氧化物的结晶柱并不是从表面向外侧伸长，所以能够抑制因结晶柱彼 此之间的冲突而引起的残留应力的发生。另外，在保护膜上有多个孔 洞(孔)产生，然而，如果将部件浸渍在沸水中5 10分钟，那么能 够减小各孔洞中的氧化物的生长量，由于各孔洞并没有被完全地封闭， 所以即使氧化物在各孔洞中膨胀，也能够确保膨胀的氧化物的逸出处。 因此，即使部件变为高温，保护膜也不会被破坏，从而能够防止因保 护膜的缺失而引起的颗粒产生。


图1是表示应用本发明的实施方式所涉及的基板处理装置用的部 件的基板处理装置的构成概况的截面示意图。图2是表示在基板处理装置用的部件的表面形成的一般的防蚀铝 保护膜的构成的截面立体示意图。图3是表示在通常的保护膜形成方法中的防蚀铝保护膜的生长形 态的示意图，图3 (A)是表示孔洞(pore)中的氧化铝的膨胀 生长 形态的示意图，图3 (B)是防蚀铝保护膜的生长方向的示意图，图3 (C)是防蚀铝保护膜中的结晶柱的伸长形态的示意图。图4是表示在本实施方式的保护膜形成方法中的防蚀铝保护膜的 生长形态的示意图，图4 (A)是表示防蚀铝保护膜的生长方向的示意 图，图4 (B)是表示在沸水中浸渍5 10分钟后的孔洞中的氧化铝膨 胀 生长形态的示意图，图4 (C)是将部件浸渍在沸水中30 60分 钟后的孔洞中的氧化铝的膨胀 生长形态的示意图。图5是表示向草酸溶液施加的电压与防蚀铝保护膜的晶胞(cell) 大小、阻挡层的厚度以及孔洞直径增加的关系的示意图。图6是本实施方式涉及的保护膜形成方法的流程图。[符号说明]S:处理空间W:晶片10:基板处理装置 11:腔室 36:散热板37:上部电极体48、57:防蚀铝保护膜49、56:铝基材50:阻挡层51:多孔层52、58:晶胞(cell)53、59:孔洞55:结晶柱60、61、 63:氧化铝具体实施方式
下面，参照附图，说明本发明的实施方式。首先，对应用本发明的实施方式所涉及的基板处理装置用的部件 的基板处理装置进行说明。图1是应用本发明的实施方式涉及的基板处理装置用的部件的基 板处理装置的构成概况的截面示意图。该基板处理装置以对作为基板的半导体晶片W进行RIE (Reactive Ion Etching:反应离子蚀刻)处理 或灰化处理等的等离子体处理的方式构成。在图1中，基板处理装置10具有圆筒状的腔室11，该腔室11在 内部具有处理空间S。另外，在腔室11内，配置有圆柱状的基座12， 其作为载置台，载置例如直径为300mm的半导体晶片(以下简称为"晶 片")W。腔室11的内壁面被侧壁部件31覆盖。该侧壁部件31由铝 构成，其相对于处理空间S的面被氧化钇(Y203)喷镀保护膜涂覆。 另外，腔室11电接地，基座12经由绝缘性构件29被设置于腔室11 的底部。基板处理装置10中，由腔室11的内侧壁和基座12的侧面形成排 气通路13，将基座12上方的气体排出腔室11之外。在该排气通路13 的途中，配置有环状的排气板14，防止等离子体向下游泄漏。另外， 排气通路13中的比排气板14更靠下游的空间，向基座12的下方延伸， 连通于作为可变式蝶形阀的自动压力控制阀(Automatic Pressure Control Valve)(下面，称为"APC阀")15。 APC阀15通过隔离器 (Isolator) 16连接于作为抽真空用排气泵的涡轮分子泵(Turbo Molecular Pump)(下面，称为"TMP") 17， TMP17通过阀门VI连接 于作为排气泵的干泵(dry pump)(下面称为"DP") 18。 APC阀15 控制腔室U内的压力，TMP17对腔室11内抽真空。并且，旁路配管19，从隔离器16以及APC阀15之间通过阀V2 与DP18连接。DP18通过旁路配管19对腔室11内抽低真空。基座12通过供电棒21以及匹配器(Matcher) 22与高频电源20 连接，该高频电源20向基座12供给高频电力。由此，基座12作为下 部电极而起作用。并且，匹配器22减小来自基座12的高频电力的反 射，使向基座12供给的高频电力的供给效率达到最大。基座12向处 理空间S施加从高频电源20供给的高频电力。在基座12的内部上方，配置有由导电膜构成的圆板状的ESC电极 板23。 ESC电极板23电连接于ESC直流电源24。从ESC直流电源 24向ESC电极板23施加的直流电压产生库仑力或约翰逊一拉贝克 (Johnsen-Rahbek)力，将晶片W吸附保持于基座12的上面。另夕卜， 在基座12的上部，以包围被吸附保持于基座12上面的晶片W的周围 的方式配置有圆环状的聚焦环(focus ring) 25。该聚焦环25露出于处 理空间S，将在该处理空间S产生的等离子体聚集到晶片W的表面， 提高等离子体处理的效率。另外，在基座12的内部，例如，设置有在圆周方向延伸的环状的 制冷剂室26。从冷却单元(图中没有示出)通过制冷剂用配管27向该 制冷剂室26循环供给规定温度的制冷剂、例如冷却水或Galden (注册 商标)液，根据该制冷剂的温度控制被吸附保持于基座12上面的晶片 W的处理温度。而且，在基座12上面的吸附保持晶片W的部分(以下称为"吸 附面")，开有多个传热气体供给孔28。这些多个传热气体供给孔28， 通过配置于基座12内部的传热气体供给管30连接于传热气体供给部 32，该传热气体供给部32通过传热气体供给孔28向吸附面以及晶片 W背面的间隙供给作为传热气体的氦(He)气体。 另外，在基座12的吸附面，配置有能够自如地从基座12的上面突出的作为升降销的多个推进销(pusherpin) 33。这些推进销33自如 地从吸附面突出。在为了对晶片W实施等离子体处理而将晶片W吸 附保持到吸附面时，推进销33被收容到基座12，而在将已实施了等离 子体处理的晶片W搬出腔室11时，推进销33从基座12的上面突出， 使晶片W离开基座12，向上方举起。在腔室11的顶棚部，以与基座12相对的方式配置有气体导入喷 头34。该气体导入喷头34包括顶棚电极板35、散热板36 (基板处理 装置用的部件)、以及上部电极体(Upper Electrode Body) 37。在气体 导入喷头34中，顶棚电极板35、散热板36以及上部电极体37从下方 开始依次重叠。顶棚电极板35是由导电体材料构成的圆板状部件。高频电源38 通过匹配器39连接于该顶棚电极板35，该高频电源38向顶棚电极板 35施加高频电力。因此，顶棚电极板35作为上部电极而起作用。另外， 匹配器39具有与匹配器22相同的功能。顶棚电极板35向处理空间S 施加从高频电源38供给的高频电力。而且，在顶棚电极板35的周围 以包围该顶棚电极板35的方式配置有环状的绝缘部件40，该绝缘部件 40使顶棚电极板35从腔室11绝缘。散热板36是由铝例如JIS规格的A6061合金构成的圆板状部件。 该散热板36的表面，被通过后述的保护膜形成方法而形成的防蚀铝保 护膜57覆盖。散热板36吸收因等离子体处理而升为高温的顶棚电极 板35的热量，冷却该顶棚电极板35。而且，由于散热板36的下面通 过防蚀铝保护膜57而与顶棚电极板35的上面相接触，所以顶棚电极 板35与散热板36绝缘。上部电极体37是由铝构成的圆板状部件。该上部电极体37的表 面也被通过后述的保护膜形成方法而形成的防蚀铝保护膜57覆盖。在 上部电极体37的内部设有缓冲(buffer)室41，该缓冲室41与来自处 理气体供给部(图中未显示)的处理气体导入管42连接。从处理气体 供给部通过处理气体导入管42向缓冲室41导入处理气体。顶棚电极板35以及散热板36，分别具有在其厚度方向上贯通的多 个气体孔43、 44 (贯通孔)。另外，上部电极体37具有多个气体孔 45，该气体孔贯通上部电极体37的下面以及缓冲室41之间的部分。 当顶棚电极板35、散热板36、以及上部电极体37互相层叠时，各气 体孔43、 44、 45排列于同一直线上，向处理空间S供给被导入缓冲室 41的处理气体。在腔室11的侧壁上，在对应于由推进销33从基座12向上方举起 后的晶片W高度的位置上，设置有晶片W的搬入搬出口 46，在搬入 出口 46上安装有开关该搬入搬出口 46的闸阀47。在该基板处理装置10的腔室11中，如上所述，基座12以及顶棚 电极板38向处理空间S施加高频电力，由此，从气体导入喷头34向 处理空间S供给的处理气体变为高密度的等离子体，产生阳离子和自 由基，利用该阳离子和自由基对晶片W实施等离子体处理。图2是在基板处理装置用的部件的表面形成的一般的防蚀铝保护 膜的构成的截面立体示意图。在图2中，防蚀铝保护膜48，包括在部件的铝基材49上形成的阻 挡层50，以及在该阻挡层50上形成的多孔层51 。阻挡层50是由氧化铝(A1203)构成的几乎没有缺陷的层，由于不 具有气体透过性，所以阻止腐蚀性气体或等离子体接触铝基材49。多 孔层51沿着防蚀铝保护膜48的厚度方向(下面，简称"膜厚方向") 延伸生长，具有由氧化铝构成的多个晶胞(cell) 52。各晶胞52在防 蚀铝保护膜48的表面开口，具有作为沿着膜厚方向延伸的孔的孔洞 53。该防蚀铝保护膜48，通过将部件连接于直流电源的阳极，浸渍于 酸性溶液(电解液)中，将铝基材49的表面氧化(阳极氧化处理)而 形成。这时，虽然阻挡层50和多孔层51 —起形成，但是在多孔层51 中，伴随着晶胞52的成长，孔洞53也沿着膜厚的方向延伸。如果在含有水分的气氛中使用表面形成有防蚀铝保护膜48的部 件，那么，各孔洞53有时会吸收水分，然后将其放出。由于等离子体 处理必须在真空中施行，所以，如果各孔洞53释放水分，那么将很难 实现真空。所以，必须封闭各孔洞53 (封孔处理)。通常，在封孔处理中，防蚀铝保护膜48暴露于120。C 140。C的 高压水蒸气中。这时，如图3 (A)所示，在各晶胞52中，被水蒸气
触发，氧化铝60膨胀、生长，几乎封闭孔洞53。这时，在孔洞53内 膨胀生长的氧化铝60的逃逸处消失，在多孔层51等产生压縮应力。另外，虽然通常在阳极氧化处理中使用硫酸溶液，但是如果将部 件浸渍在硫酸溶液中，那么如图3 (B)所示，铝基材49被氧化，防 蚀铝保护膜48在向着内侧生长的同时，也向外侧生长。虽然在向着铝 基材49的内侧生长的防蚀铝保护膜48中，铝只是变为氧化铝，然而 在向着铝基材49的外侧生长的防蚀铝保护膜48中，如图3 (C)所示， 以杂质54为顶点的氧化铝的结晶柱55向着防蚀铝保护膜48的外侧延 伸。这时，某个结晶柱55在弯曲的同时进行延伸，与相邻的结晶柱55 发生冲突，于是在各个结晶柱55上产生残留应力。在通过使用硫酸溶液的阳极氧化处理和使用水蒸气的封孔处理而 形成的防蚀铝保护膜48中，通过HARC处理，部件变为高温，例如， 表面形成有防蚀铝保护膜48的散热板36中的与顶棚电极板35相接触 的接触面的温度达到176。C左右，所以，在防蚀铝保护膜48中，孔洞 53的氧化铝60膨胀，在多孔层51等内产生压缩应力。另外，在结晶 柱55彼此之间的冲突而引起的残留应力之外，还有热应力。结果，防 蚀铝保护膜48有时会被破坏。与此相对的是，在作为本实施方式涉及的基板处理装置用部件的 散热板36表面所形成的防蚀铝保护膜中，可抑制多孔层等中的压缩应 力以及残留应力的产生。具体地说，将表面裸露出铝基材56的散热板36连接于直流电源 的阳极，浸渍在有机酸、例如以草酸为主要成分的酸性溶液(下面称 为"草酸溶液")中，氧化散热板36的表面(阳极氧化处理)。这时，如图4 (A)所示，与使用硫酸的阳极氧化处理不同，防蚀 铝保护膜57主要向铝基材56的内侧生长，且几乎不向铝基材56的外 侧生长。所以，氧化铝的结晶柱几乎不从铝基材56的表面向外侧生长， 相邻的结晶柱彼此之间也不会产生冲突。结果，防蚀铝保护膜57中， 残留应力的产生能够被抑制。而且，在防蚀铝保护膜57的各晶胞58， 也有与孔洞53相同的孔洞59形成。然后，将表面形成有防蚀铝保护膜57的散热板36浸渍在沸水中 5 10分钟(半封孔处理)。这时，如图4 (B)所示，在各晶胞58中，被沸水触发，氧化铝61膨胀生长。该膨胀生长量小于由使用水蒸气的封孔处理而引起的膨胀生长的氧化铝60的膨胀生长量。结果，孔洞59 被不完全地封闭，确保了在孔洞59中被氧化铝61所包围的开口通路 62。因此，在孔洞59中即使氧化铝61膨胀，也能够确保膨胀的氧化 铝61的逸出通路，几乎能够防止在多孔层等中产生压縮应力。另外，如果将散热板36浸渍在沸水中30 60分钟，那么如图4 (C)所示，在孔洞59中的防蚀铝保护膜57的表面附近，氧化铝62 大大地膨胀生长，几乎将孔洞59封闭。所以，散热板36浸渍在沸水 中的时间不要超过30分钟，优选为5 10分钟。关于通过使用草酸溶液的阳极氧化处理以及将散热板36浸渍在沸 水中5 10分钟的半封孔处理而形成的防蚀铝保护膜57，由HARC处 理即使散热板36变为高温，在孔洞59中氧化铝61的逃逸处也能够被 确保，所以，多孔层等中几乎不会产生压缩应力。另外，由于在防蚀 铝保护膜57中，残留应力几乎不产生，所以除了热应力，就没有残留 应力的存在了。结果，防蚀铝保护膜57不被破坏。此效果在JIS规格 的A6061合金中尤其显著。另外，防蚀铝保护膜57的晶胞58的大小、阻挡层的厚度以及孔 洞59的直径，在阳极氧化处理中，随着散热板36所连接的直流电源 向草酸溶液施加的电压的变化而变化。具体地说，如图5所示，施加 的电压越大，晶胞58的大小、阻挡层的厚度以及孔洞59的直径越是 增加。然而，它们的增加程度各不相同，晶胞58的大小的增加程度最 大，孔洞59的直径的增加程度最小。因此，如果增大施加的电压，那 么孔洞59相对于晶胞58变小，防蚀铝保护膜57的致密度上升。如果 防蚀铝保护膜57变致密，那么无法确保各孔洞59中氧化铝61的逃逸 处的可能性提高，所以，优选向草酸溶液施加的电压为某个阈值以下。 下面，对本实施方式涉及的保护膜形成方法进行说明。 图6是本实施方式涉及的保护膜形成方法的流程图。 在图6中，首先，将表面裸露出铝基材56的散热板36连接于直 流电源的阳极，浸渍于草酸溶液中，氧化散热板36的表面(步骤S61) (阳极氧化处理)。
接着，将表面形成有防蚀铝保护膜57的散热板36浸渍在沸水中5 10分钟(步骤S62)(半封孔处理)，完成本处理。根据图6的处理，散热板36连接于直流电源的阳极且被浸渍在草 酸溶液中，然后散热板36被浸渍在沸水中5 10分钟。因此，在防蚀 铝保护膜57中，能够抑制因结晶柱彼此之间的冲突而引起的残留应力 的产生。另外，各孔洞59中能够减小氧化铝61的生长量，各孔洞59 中能够确保氧化铝61的逃逸处，且在多孔层等中，几乎不会产生压缩 应力。所以，即使散热板36变为高温，防蚀铝保护膜57也不会被破 坏，从而能够防止因防蚀铝保护膜57的缺失而引起的颗粒的产生。艮P， 能够提高散热板36的耐热性。散热板36具有多个气孔44，但是，由于这些气孔44通常都是细 孔，所以即使通过喷枪喷雾(gimspmy)等向该气孔44的表面喷氧化 钇等的粒子，也存在着粒子没有充分附着的部分。即，通过喷镀很难 在气孔44的表面形成具有优异耐热性的氧化钇膜等，而在图6的处理 中，由于散热板36浸渍在草酸溶液中，所以作为电解液的草酸溶液与 气孔44的表面相接触。因此，能够在气孔44的表面形成防蚀铝保护 膜57。由此，能够可靠地提高散热板36的耐热性。此外，具有通过喷 枪喷雾等无法充分地喷上氧化钇等粒子的表面或无法完全喷上的表面 的其他部件，例如，具有细孔、深孔、或深入内部的凹部的其他部件， 也能够通过浸渍在草酸溶液中而在整个表面上形成防蚀铝保护膜57， 由此，能够可靠地提高耐热性。另外，在HARC处理中，虽然散热板36的表面、具体地说是气孔 44的表面暴露于大功率的等离子体气氛中，但是由于在气孔44的表面 形成有具有不完全封闭的孔洞59且抑制残留应力的产生的防蚀铝保护 膜57，所以即使散热板36暴露于大功率的等离子体气氛中，也能够防 止因防蚀铝保护膜57的缺失而引起的颗粒的产生。而且，上述图6的处理，虽然防蚀铝保护膜57形成在散热板36 的表面上，但是表面形成有该防蚀铝保护膜57的部件并不限于此。例 如，通过图6的处理在上部电极体37的表面形成防蚀铝保护膜57也 可以。[实施例] 接着，具体地说明本发明的实施方式。 实施例通过图6的处理在散热板36的表面形成防蚀铝保护膜57，将该散 热板36组装进基板处理装置10。接着，准备具有热氧化膜的晶片W， 利用基板处理装置10对该晶片W实施HARC处理。在该HARC处理 中，设定腔室11内的压力为3.33Pa (25mTorr)，向顶棚电极板35供 给3300W的高频电力，向基座12供给3800W的高频电力，向处理空 间S供给由QFs气体、Ar气体以及02气体构成的处理气体((3^8气 体、Ar气体以及02气体的流量比为29/750/47)、在吸附面以及晶片 W的背面的间隙，向晶片W的中央部以及周边部分别供给2.00MPa (15Torr)的He气体以及5.33MPa (40Torr)的He气体，在腔室ll 的内壁，分别设定顶棚部、侧壁部、底面部的温度为60°C、 60°C、 20°C， 然后保持该状态60秒。接着，在HARC处理之后，算出晶片W的热 氧化膜的蚀刻速率，并且，将散热板36从基板处理装置IO取出，确 认防蚀铝保护膜57的状态。比较例通过使用硫酸溶液的阳极氧化处理以及使用水蒸气的封孔处理在 散热板36的表面形成防蚀铝保护膜48，将该散热板36组装进基板处 理装置IO。接着，准备具有热氧化膜的晶片W，利用基板处理装置IO 对该晶片W实施条件与实施例相同的HARC处理。然后，在HARC 处理之后，算出晶片W的热氧化膜的蚀刻速率，并且，将散热板36 从基板处理装置IO取出，确认防蚀铝保护膜48的状态。确认防蚀铝保护膜48、 57的状态后的结果为，在实施例的防蚀铝 保护膜57中没有裂缝产生，而在比较例的防蚀铝保护膜48中则有裂 缝产生。所以，发现通过图6的处理，确实能够提高散热板36的耐热 性。另外，实施例中的热氧化膜的蚀刻速率和比较例中的热氧化膜的 蚀刻速率之间并没有明显差别。所以，通过图6的处理而形成的防蚀 铝保护膜57并不对等离子体处理产生影响。
权利要求
1.一种基板处理装置用的部件，其对基板实施等离子体处理，其特征在于包括保护膜，该保护膜通过将所述部件连接于直流电源的阳极并且浸渍在以有机酸为主要成分的溶液中的阳极氧化处理，形成在所述部件的表面，对所述保护膜实施使用沸水的半封孔处理。
2. 如权利要求l所述的基板处理装置用的部件，其特征在于 在所述半封孔处理中，将所述基板处理装置用的部件浸渍在所述沸水中5 10分钟。
3. 如权利要求1或2所述的基板处理装置用的部件，其特征在于具有通过喷镀不能形成保护膜的表面。
4. 如权利要求3所述的基板处理装置用的部件，其特征在于所述表面是至少一个孔部或凹部的表面。
5. 如权利要求1 4中任一项所述的基板处理装置用的部件，其特征在于所述表面暴露于大功率的等离子体气氛中。
6. 如权利要求1 5中任一项所述的基板处理装置用的部件，其特征在于所述基板处理装置用的部件是圆板状的散热板，该散热板具有多 个贯通孔。
7. 如权利要求1 6中任一项所述的基板处理装置用的部件，其特征在于-构成所述部件的基材的主要成分是JIS规格的A6061合金。
8. —种保护膜形成方法，是对基板实施等离子体处理的基板处理 装置用的部件的保护膜形成方法，其特征在于，包括将所述部件连接于直流电源的阳极并且浸渍在以有机酸为主要成 分的溶液中的阳极氧化步骤；和将所述部件浸渍在沸水中5 10分钟的半封孔步骤。
全文摘要
本发明提供了一种基板处理装置用的部件的保护膜形成方法，其能够防止因保护膜的缺失而引起的颗粒的产生。首先，将表面裸露有铝基材(56)的散热板(36)连接于直流电源的阳极，浸渍于草酸溶液中，氧化散热板(36)的表面(步骤S61)，接着，将表面形成有防蚀铝保护膜(57)的散热板(36)浸渍在沸水中5～10分钟(步骤S62)。
文档编号C25D11/04GK101153407SQ200710141839
公开日2008年4月2日 申请日期2007年8月14日 优先权日2006年9月28日
发明者三桥康至, 大久保智也 申请人:东京毅力科创株式会社