用于利用光电流对分析物进行特异性检测的电极构件的制作方法

专利名称：用于利用光电流对分析物进行特异性检测的电极构件的制作方法
技术领域：
本发明涉及通过利用光电流对具有特异性结合能力的分析物，如核酸、外源性内分泌干扰物质、或抗原，进行特异性检测的电极构件以及制造该电极构件的方法。
背景技术：
近来已尝试并开发出可以简单地以低成本检测激素和蛋白质的测试系统，该测试系统可以预测人的疾病的症状和发展。此外，包括二續英的外源性内分泌干扰物质(环境激素)对生殖系统、神经系统等造成的损害被认为是社会问题，因而需要开发出一种可以检测外源性内分泌干扰物质的简单方法。例如，已提出了在分析物(生物分子，如DNA和蛋白质)的检测中利用光电流的方案，所述光电流是利用使用增感染料由光产生电能的太阳能电池的原理，通过增感染料的光激发而产生的(例如参见，JP 2002-181777 A(专利文献1) ,JP 2005-251426 A(专利文献2)、和JP 2006-507491 T(专利文献幻)。根据这些方法，将激发光施加在固定于电极上的染料上，测量通过该激发光照射所产生的电流，并由所检测出的电流量来确定已结合染料的量。因此，与作为图像检测荧光的常规方法相比，所述方法可以实现装置尺寸的减小， 并且可以相对简单地检测分析物。还提出了利用通过增感染料的光激发所产生的光电流对分析物(生物分子，如 DNA和蛋白质)进行特异性检测的方法(例如参见，中村等“光電変換1二 J: 3新L· 0 DNA 二本鎖検出方法”日本化学会講演予稿集Vol. 81st. No. 1 (2002)第947項(非专利文献 1))。此外，本发明的部分发明人以前已提出过一种利用工作电极进行检测的方法，所述工作电极通过探针物质固定了结合有增感染料的分析物(WO 2007/037341(专利文献 4)，该公开的内容通过引用并入本文中)。如核酸、外源性内分泌干扰物质、或抗原的物质通常以低浓度存在于样品中。因此，理论上理想的是，利用光电流对分析物进行的检测中使用的电极具有高的透光率、生物分子担载能力以及光电转换效率。然而，根据本发明人所获得的发现，仅仅使用具有上述性能的工作电极，不能在低浓度范围的分析物测量中始终提供满意的测量。现有技术文献专利文献
专利文献1 日本特开2002-181777号公报专利文献2 日本特开2005-2514 号公报专利文献3 日本特表2006-507491号公报专利文献4 =WO 2007/037341号公报非专利文献
非专利文献1 中村等“光電変換C J 3新L· 0 DNA 二本鎖検出方法”日本化学会講演予稿集 Vol. 81st. No. 1 (2002)第 947 項。

发明内容
发明所要解决的问题
本发明人等目前已发现通过使用半导体和使之存在于该半导体表面的进而另一种物质作为电极构件中的电子接受物质，可以以更高的灵敏度实现具有特异性结合能力的分析物的检测并以更高的精度实现该分析物的定量测定。本发明人基于上述发现而完成。因此，本发明的目的是提供一种电极构件，其可以以更高的灵敏度实现具有特异性结合能力的分析物的检测并以更高的精度实现该分析物的定量测定。用于解决问题的手段
根据本发明，提供一种在利用光电流对分析物进行特异性检测中使用的电极构件，该电极构件至少包括导电性基材和设置于该导电性基材上的电子接受物质；该电子接受物质至少包括包含半导体的第一物质的层、以及担载于该第一物质的层的表面上且包含不同于所述半导体的半导体或者包含金属或金属氧化物的第二物质。本发明可以有利地提高在低浓度下检测分析物的灵敏度，同时提高测量精度。


[图1]是显示在光电流检测中所使用电极单元的实施例的剖面图。[图2]是显示实施例1中获得的光电流值的图。[图3]是显示实施例2中获得的光电流值的图。[图4]是显示实施例4中获得的光电流值的图。[图5]是显示实施例5中获得的光电流值的图。[图6]是实施例6中获得的ZnO溅射电极的放大450000倍的TEM照片。[图7]是实施例6中获得的ZnO溅射电极的放大1800000倍的TEM照片。[图8]是经硝酸处理的实施例6中获得的ZnO溅射电极的放大450000倍的TEM 照片。[图9]是经硝酸处理的实施例6中获得的ZnO溅射电极的放大1800000倍的TEM 照片。
具体实施例方式
利用光电流对分析物讲行特异件检测的方法
利用光电流对分析物进行特异性检测的方法包括下述工序提供含有分析物的样品溶液、在其表面上具有可与该分析物直接或间接结合的探针物质的工作电极、和对电极；在增感染料的共存下使所述样品溶液与所述工作电极接触，以使所述分析物直接或间接地特异性地与所述探针物质结合，并通过该结合使所述增感染料固定于所述工作电极上；使所述工作电极和所述对电极与电解质介质接触；以及向所述工作电极施加光以检测流过工作电
4极和对电极的光电流。电极构件
根据本发明的电极构件，在所述利用光电流对分析物进行的特异性检测的方法中，通过将分析物固定于电极表面而被用作工作电极。导电件基材
构成本发明所述电极构件的导电性基材可由导电性材料构成，或者可具有通过将导电性材料担载于如玻璃或塑料的非导电性支持体表面上而确保了具有导电性能的构造。导电性材料包括如钼、金、银、铜、铝、铑和铟的金属；如碳、碳化物和氮化物的导电性陶瓷；以及如铟-锡复合氧化物、掺氟氧化锡、掺锑氧化锡、掺镓氧化锌、和掺铝氧化锌的导电性金属氧化物，更优选铟-锡复合氧化物(ITO)和掺氟氧化锡(FTO)。当电子接受物质本身发挥导电性基材的功能时，则除该电子接受物质以外无需提供导电性基材。在该情况中，该电子接受物质可用作导电性电子接受物质。此外，在本发明中，导电性基材也包括其本身不具有作为支持体的强度的膜状或点状的导电性材料。在本发明的优选实施方案中，导电性基材基本透明。具体地，导电性基材的透光率优选不小于10%、更优选不小于50%、更优选不小于70%。上述范围内的透光率可实现下述电池，其可被构成为确保光从工作电极的背侧(即，经过导电性基材)施加、且透过该工作电极的光激发增感染料。此外，在本发明的优选实施方案中，导电性基材具有约0. 02至10 μ m 的厚度。此外，在本发明的优选实施方案中，导电性基材具有不大于ΙΟΟΩ/cm2的表面电阻率、更优选不大于40 Ω/cm2。导电性基材的表面电阻率的下限没有特别限制，但通常为约 0. 1 Ω/cm2。电子接受物质
本发明所述的电极构件包括设置于导电性基材上的电子接受物质，该电子接受物质至少包括包含半导体的第一物质的层；以及第二物质，其被担载于所述第一物质的层的表面上且包含不同于所述半导体的半导体或由金属或金属氧化物制成。所述第一物质为半导体，更优选为氧化物半导体，进一步优选为金属氧化物半导体，最优选为η型金属氧化物半导体。通过利用半导体的带隙，可以有效率地从染料中取出电子。此外，在本发明的优选实施方案中，所述半导体可以具有多孔结构、或者有凹凸表面的结构；此结构的优势在于可以制备具有大表面积的工作电极，并且可以增加所固定探针的量。本发明中的电子接受物质包含可以接受响应于光激发而从经由探针物质固定的增感染料中释放出的电子的电子接受物质。即，电子接受物质是可取得来自光激发的标记染料的电子可被注射到其中的能级的物质。来自光激发的标记染料的电子可被注射的能级 (A)，例如，当将半导体用作电子接受物质时意指传导带(CB)、当将金属用作电子接受物质时意指费米能级。即，本发明中所使用的电子接受物质可以是具有下述A能级的电子接受物质，该A能级比增感染料的LUMO的能级更基底，换而言之，是比增感染料的LUMO的能级更低的能级。优选的电子接受物质的实例包括硅、锗等的单元素半导体；钛、锡、锌、铁、钨、 锆、铪、锶、铟、铈、钇、镧、钒、铌、钽等的氧化物半导体；钛酸锶、钛酸钙、钛酸钠、钛酸钡、铌酸钾等的钙钛矿半导体；镉、锌、铅、银、锑和铋的硫化物半导体；镉或铅的硒化物半导体；镉的碲化物半导体；锌、镓、铟、镉等的磷化物半导体；以及砷化镓、铜-铟硒化物、或铜-铟硫化物的化合物半导体。更优选硅、TiO2、SnO2、Fe2O3、WO3、ZnO, Nb2 O5、钛酸锶、氧化铟、 CdS, ZnS,PbS, Bi2S3、CdSe、CcTre、GaP、InP、GaAs、Ci^n&、CuInSe、和 C6(l。更优选 Ti02、&i0、 Sn02、Fe203、W03、Nb205、钛酸锶、CdS、PbS、CdSe、 P、GaAs、Cu 、和 Culr^e2。最优选 Ti02。 上述半导体可以是本征半导体或杂质半导体的任一者。在本发明的优选实施方案中，半导体传导带的电位低于增感染料的LUMO的电位； 更优选为满足以下关系的电位增感染料的LUM0>半导体的传导带 > 电解质的氧化还原电位 > 增感染料的HOMO。该关系可使电子有效率地被取出。在本发明的另一个优选实施方案中，可将铟-锡复合氧化物(ITO)或掺氟氧化锡 (FTO)用作电子接受物质。因为ITO和FTO不仅起着电子接受物质的作用而且还起着导电性基材的作用，所以这些材料可以构成导电性电子接受层，且在不提供导电性基材的情况下也可使该电子接受层单独地起工作电极的作用。构成本发明所述电极构件中的电子接受物质的第二物质，是由类型不同于第一物质的半导体的半导体、或者金属或金属氧化物所构成。可以构成第二物质的半导体的具体实例包括作为所述第一物质的半导体所例示的那些。此外，金属包括金、钼、银、铜、铝、铑、 铟和镍。所述金属涵盖具有金属键的金属，即广义上的“金属元素”。构成第二物质的金属氧化物包括钛、锡、锌、铁、钨、锆、铪、锶、铟、铈、钇、镧、钒、铌、钽等的非半导体氧化物。第二物质被担载于第一物质的层的表面上。这里，只要第一物质的层与第二物质以电接触或物理接触的方式而存在，则对表述“担载于…表面上”的含义没有特别限制。例如，将第二物质以层的形式堆叠于第一物质的层上。或者，将第二物质置于第一物质的层上，以部分地覆盖第一物质的层的表面。在后者的情况中，可采用将第二物质施加于第一物质的层的表面上后、再将部分第二物质去除的方法。此外，本发明包括下述实施方案，其中第二物质例如以粒子形式局部地存在于第一物质的层的表面上。在本发明的优选实施方案中，构成第二物质的金属元素相对于构成第一物质的金属元素的比率，表面存在元素比(摩尔比)为大于0 (零)且小于1。该表面存在元素比更优选大于O (零)且小于0. 27、进一步更优选大于0 (零)且不大于0. 15、最优选大于0 (零) 且不大于0. 10。该表面存在元素比可通过X射线光电分析来确定。在第二物质部分地覆盖第一物质的表面的实施方案中，该第二物质的覆盖膜的厚度优选为大于0 (零)且小于2nm。表述“第二物质被担载于第一物质的层的表面上”包括其中第二物质经由第一物质的层与第二物质的界面而与第一物质的层的表面相接触的实施方案、以及其中在距第一物质的层的表面给定深度的区域内检测出第一物质的实施方案。在本发明的优选实施方案中，第二物质优选存在于距第一物质的表面向该第一物质的内部深度为4 nm的区域内，更优选存在于距第一物质表面向该第一物质内部深度不大于2nm的区域内。作为电子接受物质的半导体或者金属或金属氧化物，可以是单晶体或多晶体的任 “"者 ο电极构件的制造方法
用于在导电性基材上形成电子接受物质的优选方法的实例包括将电子接受物质的分散液或胶体溶液涂布于导电性支持体上的方法；将半导体微粒的前体涂布于导电性支持体上并通过空气中的湿气进行水解以形成微粒膜的方法(溶胶-凝胶法)；溅射法；CVD法; PVD法；和蒸镀法。用于制备作为电子接受物质的半导体微粒的分散液的方法的实例，除上述溶胶-凝胶法以外，还包括将粒子在乳钵中磨碎的方法；将粒子用磨机研磨的同时进行分散的方法；或者在半导体的合成期间使微粒从溶剂中析出然后直接进行使用的方法。此处可用的分散介质的实例包括水或各种有机溶剂(例如，甲醇、乙醇、异丙醇、二氯甲烷、 丙酮、乙腈和乙酸乙酯)。在分散过程中，可根据需要将聚合物、表面活性剂、酸、螯合剂等用作分散助剂。涂布电子接受物质的分散液或胶体溶液的优选方法的实例包括如辊涂法和浸涂法的涂覆法；如气刀涂布法、刮刀涂布法等的计量法；作为可在相同部分进行涂覆和计量的方法的、日本特公昭58-4589号公报中公开的线棒涂布法；美国专利沈81四4号、美国专利2761419号、美国专利2761791号等中记载的滑动料斗涂布法、挤压涂布法、幕帘涂布法、 旋涂法、和喷涂法。在本发明的优选实施方案中，在施加于导电性基材上表面的电子接受物质中，第一物质的半导体的厚度优选为0. 1至200 μ m、更优选为0. 1至100 μ m、进一步优选为1至 30 μ m、最优选为2至25 μ m。当第一物质的半导体的厚度在以上限定的范围内时，则可以增加每单位投影面积的探针物质和所固定的增感染料量以增加光电流的量，并且同时也可通过电荷复合减小生成电子的损失。在本发明的优选实施方案中，当电子接受物质包含铟-锡复合氧化物(ITO)或掺氟氧化锡作为金属氧化物(FTO)时，则电子接受层的厚度优选不小于Inm、更优选为IOnm至 1 μ m0将第二物质担载于第一物质的层的表面的方法可根据所述第一物质的形成方法适宜确定，例如，可以使用蒸镀法。本发明的另一个优选实施方案中的电极构件通过将施加于第一物质的层的表面上的第二物质的一部分除去而制造。可举出物理性除去和化学性除去作为可用于除去第二金属或金属氧化物的方法。物理性除去方法利用例如热、超声波、电化学性除去、以及利用密封的除去。化学性除去方法利用使用酸、碱溶液或化学品的溶解。此外，当第二物质为氧化锌时，则优选用酸溶液将被覆物质的一部分除去。酸溶液包括例如硝酸、盐酸、醋酸、过氧化氢、硫酸、有机磺酸、和柠檬酸溶液。也可以使用PH值调节至小于2. 9的缓冲液，例如丁二酸盐缓冲液及乙酸盐缓冲液。通过将酸溶液的pH值调节至优选小于2. 9、更优选2. 5或更小，可以缩短处理时间。此时，电极在酸溶液中的浸渍时间可以不小于1分钟。分析物
在本发明中，只要分析物与探针物质特异性地结合，则对其没有特别限制。在本发明所述的电极构件中，当可直接或间接地特异性地与分析物结合的探针物质被担载于电极构件的表面、优选电子接受物质上时，则该分析物可直接或间接地特异性地与探针物质结合并可被检测到。探针物质
优选将本发明中使用的电极构件形成为在表面具备可直接或间接地与分析物结合的探针物质的电极。可举出生物分子作为合适的探针物质。具体地，探针物质不仅可以是可特异性地直接与分析物结合的物质而且可以是可特异性地与结合体结合的物质，该结合体通过将分析物特异性地与如受体蛋白质分子的媒介物质结合而得。随后，在增感染料的共存下使样品溶液与工作电极接触，以使分析物直接或间接地特异性地与探针物质结合，并利用该结合将增感染料固定于工作电极上。增感染料是可以响应于光激发而向工作电极释放电子的物质。当用于特异性地结合分析物的方法是夹层法时，则探针物质是一抗，增感染料被标记于二抗上。另一方面，当用于特异性检测分析物的方法是竞争法时，则增感染料被标记于可特异性地结合探针物质的第二分析物上。在本发明中，要选择的分析物和探针物质可以是这样的，即它们可以特异性地相互结合。具体地，在本发明的优选实施方案中，具有特异性结合能力的物质是分析物，可以特异性地与分析物结合的物质被作为探针物质而担载于工作电极上。根据该实施方案，分析物可直接且特异性地结合到工作电极上，并可被检测到。该实施例中的分析物与探针物质的组合的优选实例为单链核酸与和所述核酸互补的单链核酸的组合、抗原与抗体的组合、以及受体蛋白质与配体的组合。在本发明中，分析物与探针物质可以间接地特异性地相互结合。具体地，在本发明的另一优选实施方案中，采用了下述方法，其中具有特异性结合能力的物质为分析物，使可以特异性地与该分析物结合的物质作为媒介物质而共存，可以特异性地与该媒介物质结合的物质被作为探针物质而担载于工作电极上。根据该实施方案，即使当分析物为不能特异性地与探针物质结合的物质时，也可以通过将该物质经由媒介物质间接且特异性地与工作电极结合而检测出该物质。在该实施方案中，分析物、媒介物质和探针物质的组合的优选实例是配体、可以接受配体的受体蛋白质分子、和可以特异性与受体蛋白质分子结合的双链核酸的组合。优选的配体的实例包括外源性内分泌干扰物质(环境激素)。外源性内分泌干扰物质是经由受体蛋白质分子而与DNA或肽结合从而影响基因表达并产生毒性的物质。 根据本发明的方法，可以简便地监测由分析物带来的比如受体的蛋白质与DNA或肽等结合的能力。可通过常规方法将探针物质担载于电极构件上。在本发明的优选实施方案中，当把单链核酸用作探针物质时，可以将该核酸探针直接或间接地与工作电极表面结合。因此， 可通过固定反应将导入有官能团的核酸探针直接固定于载体上。向核酸的末端导入官能团可通过酶反应或使用DNA合成仪来进行。在本发明的优选实施方案中，氨基、羧基、硫醇基、羟基、磷酸基、和二醇基适宜用作用于将探针物质固定于工作电极上的官能团。在本发明的优选实施方案中，为了将探针物质牢固地固定于工作电极，也可使用在工作电极与探针物质之间形成桥的材料。这种桥形成材料的实例包括硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、和如聚噻吩、聚乙炔、聚吡咯及聚苯胺的导电性聚合物。在本发明的优选实施方案中，探针物质的固定还可以通过被称为物理吸附的更简便方法进行。例如，将探针物质物理吸附到电极表面可如下所述进行。首先，使用超声波清洗机用超纯水和丙酮清洗电极表面。然后，将含有探针物质的缓冲液滴加至电极上，静置电极，然后清洗，而将探针物质吸附到电极表面上。实施例
通过以下实施例来进一步说明本发明，所述实施例并不意欲限定本发明。用于检测的装置基本上具有图1中所示的构造。具体地，将对电极2固定于对向构件1上，并经由电解质垫3而将本发明所述的电极构件放置作为工作电极4。此外，利用从光源5发出的光照射工作电极。通过电极单元6对电极上的各点照射激光以得到光电流。棚列1 棚工__禾嶋申舰,尉牛卿工作电极的制作
FTO电极
准备掺氟氧化锡(F-SnO2 =FTO)涂布的玻璃(由AI Special Glass公司制造，U膜，薄层电阻12 Ω/cm2，形状50mmX^mm)作为工作电极用基片。ZnO/FTO 电极
将ZnO溅射于所述FTO电极上至0. 44nm的厚度(溅射时间20秒，50W,溅射速率1. 3nm/ min)、至1. 08nm的厚度(溅射时间50秒，50W，溅射速率1. 3 nm/min)、和至50nm的厚度 (溅射时间8分钟，100W，溅射速率6. 25 nm/min)，以准备电极(膜厚由溅射速率粗略地估计)。ZnO/FTO* 申〖极
将ZnO溅射于所述FTO电极上至50nm的厚度Q00W，溅射时间8分钟，溅射速率 6. 25nm/min)，以准备电极(膜厚由溅射速率粗略地估计)。将该电极用丙酮、超纯水和丙酮依次分别超声波清洗1分钟，浸渍于1 M硝酸溶液(pH 0. 2)中，并振摇5分钟。然后，用超纯水充分漂洗该电极，而制备SiO/FTO*电极。探针蛋白质的固定
将如此制备的工作电极用丙酮、超纯水和丙酮依次分别超声波清洗1分钟。然后，将其中形成有直径3mm开口的压敏粘合性密封(厚度0. 5mm)载置于工作电极上并使其与该工作电极紧密接触。制备浓度为10μ g/ml的羊源抗体(抗荧光素酶多克隆抗体由!Iomega 制造)。此时，将含有250 mM NaCl和0. 05% Tween 20的10 mM磷酸盐缓冲液(pH 7)用作溶剂。将该蛋白质溶液以5 μ 1的量滴加至各电极上密封中的开口中，接着在37°C下孵育 30分钟。然后，通过在超纯水中振摇10分钟来清洗电极。被测蛋白质的结合反应
制备浓度为lOOng/ml的染料标记抗原(Cy5_抗羊抗体(兔)由Chemicon制造)。使用含有250 mM NaCl和0. 05% Tween 20的10 mM磷酸盐缓冲液(pH 7)作为溶剂。将如此制备的抗原溶液以5 μ 1的量滴加至之前已在其上固定了探针蛋白质的各工作电极上的密封中的开口中，接着在37°C下孵育1小时。然后，剥去置于电极上的密封，并通过用超纯水漂洗来清洗电极表面。
准备上述制备的结合了分析物的工作电极、和由其上蒸镀了钼的玻璃板构成的对电极。将含有电解溶液(0.4 M四丙基碘化铵)的电解质片夹持在两个电极之间，并使之与这两个电极都接触。在该实施例中，将工作电极和对电极设置成工作电极的固定了蛋白质的表面朝向对电极的蒸镀了钼的表面。在两个电极均与电化学分析仪相连接的状态下，用来自激光源(输出120 mW、照射区直径1mm、波长650nm的红色激光)的光照射工作电极，并记录此时观察到的电流值。结果如图2所示。 结果显示，与FTO电极相比，ZnO/FTO (0. 44nm、l. 08nm)和SiO/FTO*电极可以实现检测精度的提高。实施例2 利用硝酸处理的部分除去电极的制备
准备掺氟氧化锡(F-SnO2 :FT0)涂布的玻璃(由AI Special Glass Company公司制造， U膜，薄层电阻12 Ω/cm2，形状50mmX^iim)作为工作电极用基片。通过以与实施例1同样的方式将ZnO溅射到电极上至50nm厚度来制备电极(ZnO/FTO)。将该电极用丙酮、超纯水和丙酮依次分别超声波清洗1分钟，然后浸渍于具有不同浓度的各硝酸溶液中。所用硝酸溶液被制备为具有以下8个pH值(浓度)。所制备的硝酸溶液和电极的浸渍时间示于表 1。在溶液中浸渍后，通过用超纯水充分漂洗来清洗电极。[表 1]
权利要求
1.一种电极构件，其用于利用光电流对分析物进行特异性检测，所述电极构件至少包括导电性基材和设置于所述导电性基材上的电子接受物质， 所述电子接受物质至少包括包含半导体的第一物质的层、以及担载于所述第一物质的层的表面上且包含不同于所述半导体的半导体或者包含金属或金属氧化物的第二物质。
2.权利要求1所述的电极构件，其中所述第二物质通过进行沉积于所述第一物质的层的表面之后再将所述沉积的第二物质的一部分除去的工序而形成。
3.权利要求1所述的电极构件，其中构成所述第二物质的金属元素相对于构成所述第一物质的金属元素的比率，即表面存在元素比(摩尔比)为大于0(零)且小于1。
4.权利要求3所述的电极构件，其中所述表面存在元素比小于0.27。
5.权利要求1所述的电极构件，其中所述第二物质被覆所述第一物质的表面的一部分，且所述第二物质的被覆厚度大于0 (零)且小于2nm。
6.权利要求1所述的电极构件，其中所述第二物质存在于从所述第一物质的表面朝向所述第一物质内部测量的深度4nm的区域内。
7.权利要求1所述的电极构件，其中所述第一物质是铟-锡复合氧化物或掺氟氧化锡。
8.权利要求1所述的电极构件，其中所述第二物质是氧化锌、铟-锡复合氧化物、氧化钨、或钛酸锶。
9.权利要求1所述的电极构件，其中探针物质被进一步担载于所述电子接受物质上。
10.一种制造权利要求1所述的电极构件的方法，所述方法至少包括以下工序 在导电性基材上形成含有半导体的层以形成所述第一物质的层；以及将不同于所述半导体的半导体或者金属或金属氧化物沉积于所述层的表面上以沉积所述第二物质。
11.权利要求10所述的方法，其中在所述第二物质的沉积之后，将所述第二物质的一部分除去。
12.权利要求11所述的方法，其中通过使所述第二物质与酸性水溶液接触来进行所述除去。
13.权利要求12所述的方法，其中所述酸性水溶液具有小于2.9的pH。
全文摘要
本发明涉及一种用于利用光电流对分析物进行特异性检测的电极构件。所述电极构件至少具有导电性基材及设置在所述导电性基材上的电子接受物质。上述电子接受物质至少是由用半导体制成的第一物质层、以及用不同于上述半导体类型的半导体、金属或金属氧化物制成并担载于所述第一物质层的表面上的第二物质所组成。利用所述电极构件，可通过利用光电流对分析物进行特异性检测来实现提高对被测物质的检测灵敏度和测量精度。
文档编号G01N27/30GK102203596SQ20098014332
公开日2011年9月28日 申请日期2009年9月1日 优先权日2008年9月1日
发明者中村雅子, 大原仁, 成田纯也, 户次允, 曾根崎修司 申请人:Toto 株式会社