半导体存储器存储装置及其内容管理方法

文档序号:6466366阅读:167来源:国知局
专利名称:半导体存储器存储装置及其内容管理方法
技术领域
本发明涉及将内容数据等存储到半导体存储器中的半导体存储器存储 装置,特别涉及半导体存储器中的内容数据的管理方法。
背景技术
将半导体存储器用作记录介质的存储装置例如可多个通道同时多路存 取或高速随机存取,所以在内容数据等信息内容的记录再生中正在广泛普 及。特别是该半导体存储器存储装置没有工作部分,所以可靠性很高。此 外,由于半导体工艺的提高,该半导体存储器存储装置的存储容量可望大 容量化。
在现有的半导体存储器存储装置中,输入包括多个可变长度帧的内容 数据,将内容数据的帧数据作为可变长度数据而存储到NAND (与非)型半 导体存储器中。然后,将该帧数据的固有信息、和每帧的保存位置作为管 理数据而存储在NOR (或非)型半导体存储器中。
近年来,由于半导体工艺的提高,NAND型半导体存储器大容量化,能 够存储大量的帧数据了。另一方面,增加NAND型半导体存储器的容量很容 易,但是增加N0R型半导体存储器的容量却很困难。然而,随着帧数据向 NAND型半导体存储器的存储量增加,NOR型半导体存储器要存储的管理数 据也增加。因此,有下述问题相对于保存帧数据的存储容量,保存管理 数据的存储容量不足。
而且,有人提出了下述方法通过将输入的图像数据以规定数据单位 连续记录到存储介质上,从来削减由于存储介质上的固定长度分区尺寸和
编码数据尺寸之间的差异而产生的存储介质的未使用区域(例如请参考日
本特开2006—351089号公报。)。然而,该方法是将图像数据记录到图像数 据区域中,将管理数据记录到管理数据区域中,并非解决随着图像数据区 域的大容量化而造成的管理数据区域的存储器容量不足。

发明内容
本发明的目的在于提供一种能够消除管理数据的保存容量的限制并高 效地管理大量的内容数据的半导体存储器存储装置及其内容管理方法。
本发明的半导体存储器存储装置具备打包部,接受包括多个可变长
度帧的内容数据(contents data),通过向上述各可变长度帧的帧数据附 加表示该帧数据的固有信息的管理数据,将该帧数据和管理数据按每个上 述可变长度帧保存到各固定长度包中,从而将上述内容数据打包;缓冲部, 在写入和读出被打包为上述固定长度包单位的内容数据时,以固定长度包 单位来临时保存该内容数据;存储部,将非易失性存储器作为信息存储介 质,存储临时保存在上述缓冲部中的数据;以及控制部,对上述存储部将 被打包为上述固定长度包单位的内容数据以固定长度包单位进行写入和读 出控制。
本发明的优点将在下面的说明中阐述,并且部分可从该说明显而易见, 或者通过实施本发明来获悉。本发明的优点可以通过以下特别指出的手段 和组合来实现和获得。


包含在本说明书中并构成其一部分的附示本发明的实施例,并且 与上面给出的概括说明和下面给出的实施例的详细说明一起,来解释本发 明的原理。
图1是表示本发明涉及的半导体存储器存储装置的一个实施方式的结 构的框图。
图2是表示存储在图1的存储部中的被打包的声音数据的图。 图3是图1的控制部向存储部中写入声音数据时的流程图。 图4是图1的控制部从存储部中读出声音数据时的流程图。
具体实施例方式
以下,参照附图来详细说明本发明的实施方式。
图1是本发明的一个实施方式涉及的半导体存储器存储装置的结构的
框图。图1所示的半导体存储器存储装置用打包部io将包括多个可变长度
帧的声音数据打包。然后,半导体存储器存储装置用缓冲部20来临时保存 被打包的声音数据,根据控制部30的写入控制,而写入到存储部40中。 此外,半导体存储器存储装置根据控制部30的读出控制来读出存储在存储 部40中的声音数据。然后,半导体存储器存储装置用缓冲部50来临时保 存读出的声音数据,用拆包部60来拆包并输出。
上述打包部IO接受包括多个可变长度帧的声音数据,向声音数据的每 个可变长度帧的帧数据附加表示该帧数据的固有信息的管理数据。这里, 所谓固有信息,是该帧数据的数据尺寸、帧号、其他装置附加的附加信息 等。然后,打包部10通过将该帧数据和管理数据保存到固定长度包中,从 而将声音数据打包。
图2是表示本发明的一个实施方式涉及的存储在存储部40中的被打包 的声音数据的示意图。存储部40包括NAND型半导体存储器41、和NOR型 半导体存储器42。控制部30将打包部10输出的、保存着帧数据和管理数 据的固定长度包以固定长度包单位控制写入到NAND型半导体存储器41中。 由此,向NAND型半导体存储器41中写入被保存在包[O]中的管理数据[O] 及帧数据[O]、保存在包[l]中的管理数据[l]及帧数据[l]、……。此外, 控制部30将声音数据的固有信息、例如帧数等控制写入到NOR型半导体存 储器42中。
此外,控制部30从NOR型半导体存储器42中读出声音数据的固有信 息,并参考该固有信息,对存储在NAND型半导体存储器41中的声音数据 以固定长度包单位进行读出控制。
而且,在本实施方式中,假设固定长度包的容量为8千字节。声音数 据的帧数据的容量大致是6 7千字节,管理数据大致是l千字节。因此, 即使将帧数据及管理数据保存到该固定长度包中,也不超过固定长度包的容量
再者,在打包部io打包时,向该固定长度包的末端附加对写入和读出 时的差错进行补偿的里德一索罗门(Reed-Solomon)纠错码。
上述缓冲部20以固定长度包单位来临时保存从打包部10输出的被打 包的声音数据。此外,缓冲部50以固定长度包单位来临时保存由控制部30 读出的被打包的声音数据。
上述拆包部60接受从缓冲部50输出的被打包的声音数据,拆包并作 为包括多个可变长度帧的数据来输出。
接着,详细说明上述结构中的半导体存储器存储装置中的控制部30的 处理操作。图3是本发明的一个实施方式的控制部30向存储部40中写入 声音数据时的流程图。
若从缓冲部20输出被打包的声音数据,则控制部30将该声音数据的 固有信息控制写入到N0R型半导体存储器42中(方框3a),将该声音数据 中的固定长度包以固定长度包单位控制写入到NAND型半导体存储器41中 (方框3b)。若向NAND型半导体存储器41的固定长度包的写入结束,则控 制部30结束处理。
图4是本发明的一个实施方式涉及的控制部30从存储部40中读出声 音数据时的流程图。
控制部30从N0R型半导体存储器42对声音数据的固有信息进行读出 控制(方框4a),并参考该固有信息,来控制读出存储在NAND型半导体存 储器41中的固定长度包(方框4b)。读出的固定长度包被提供给缓冲部50。 若读出固定长度包,则控制部30结束处理。
如上所述,在上述实施方式中,打包部10接受包括多个可变长度帧的 声音数据,通过将帧数据和管理数据按每帧保存到固定长度包中,从而将 声音数据打包。然后,存储部40将保存在固定长度包中的声音数据以包为 单位存储到NAND型半导体存储器41中,将声音数据的固有信息存储到NOR 型半导体存储器42中。
由此,半导体存储器存储装置能够将保存着管理数据的包以固定长度 而且连续地保存到NAND型半导体存储器41中。因此,半导体存储器存储 装置无需将每帧的保存位置作为管理数据记录到NOR型半导体存储器42 中。此外,由于包是固定长度,所以能够根据帧数和包的容量来导出特定
的帧数据被保存在哪里。即,与现有的NOR型半导体存储器相比,要记录 的管理数据很少即可。
再者,由于向固定长度包的末端附加里德一索罗门码,所以能够补偿 NAND型半导体存储器41中的写入和读出时的差错。
因此,能够抑制向N0R型半导体存储器42的管理数据的存储容量,所 以能够高效地管理大量的内容数据,能够应对今后预计进一步大容量化的 半导体存储器存储装置。
本发明并不限于上述一个实施方式。例如在上述实施方式中,说明了 输入声音数据作为内容数据的例子,但是在声音数据以外、例如影像数据 的情况下也同样能够实施。
此外,在上述实施方式中,说明了将声音数据写入到半导体存储器中 的例子,但是使用硬盘来取代半导体存储器也同样能够实施。
再者,本发明在实施阶段可以在不脱离其要旨的范围内对构件进行变
形来具体化。此外,通过适当组合上述实施方式中公开的多个构件,能够 形成各种发明。例如,也可以从实施方式所示的全部构件中删除几个构件。 本领域的技术人员很容易想到其他优点和修改。因此,本发明在其更 广的方面并不限于上述特定细节和代表性的实施例。因此,在不脱离由所 附权利要求书和其等价物界定的总的发明构思的精神或范围的情况下可以 进行各种修改。
权利要求
1.一种半导体存储器存储装置,其中,包括打包部(10),接受包括多个可变长度帧的内容数据,通过向上述各可变长度帧的帧数据附加表示该帧数据的固有信息的管理数据、并将该帧数据和管理数据按每个上述可变长度帧保存到各固定长度包中,从而将上述内容数据打包;缓冲部(20,50),在写入和读出被打包为上述固定长度包单位的内容数据时,以固定长度包单位来临时保存该内容数据;存储部(40),将非易失性存储器作为信息存储介质,存储临时保存在上述缓冲部中的数据;以及控制部(30),对于上述存储部对被打包为上述固定长度包单位的内容数据以固定长度包单位进行写入和读出控制。
2. 如权利要求1所述的半导体存储器存储装置,其特征在于,还包括: 拆包部(60),在从上述存储部中读出上述内容数据时,将被打包为上述固定长度包单位的内容数据拆包。
3. 如权利要求1所述的半导体存储器存储装置,其特征在于, 上述存储部包括第l存储器(41)和第2存储器(42),将打包为上述固定长度包单位的内容数据存储到上述第1存储器中,将包括上述多个可 变长度帧的内容数据的固有信息存储到上述第2存储器中。
4. 如权利要求1所述的半导体存储器存储装置,其特征在于, 上述打包部向上述固定长度包的末尾插入纠错码。
5. 如权利要求3所述的半导体存储器存储装置,其特征在于, 上述第1存储器是与非型半导体存储器;上述第2存储器是或非型半导体存储器。
6. —种半导体存储器存储装置的内容管理方法,其中,包括 接受包括多个可变长度帧的内容数据,通过向上述各可变长度帧的帧数据附加表示该帧数据的固有信息的管理数据、并将该帧数据和管理数据 按每个上述可变长度帧保存到各固定长度包中,从而将上述内容数据打包;以该固定长度包单位来临时保存被打包为上述固定长度包单位的内容 数据;以及通过对将非易失性存储器作为信息存储介质的存储部(40)实施写入 控制,从而以上述固定长度包单位来存储上述临时保存的数据。
7. 如权利要求6所述的半导体存储器存储装置的内容管理方法,其特 征在于,通过对上述存储部实施读出控制,从而以上述固定长度包单位来读出 存储在该存储部中的内容数据;以上述固定长度包单位来临时保存并输出上述读出的内容数据。
8. 如权利要求7所述的半导体存储器存储装置的内容管理方法,其特 征在于,将上述临时保存并输出的内容数据拆包并输出。
9. 如权利要求6所述的半导体存储器存储装置的内容管理方法,其特 征在于,在上述存储部包括第1存储器(41)和第2存储器(42)的情况下, 将打包为上述固定长度包单位的内容数据存储到上述第1存储器中,将包括上述多个可变长度帧的内容数据的固有信息存储到上述第2存储器中。
10. 如权利要求6所述的半导体存储器存储装置的内容管理方法,其 特征在于,通过上述打包,从而向上述固定长度包的末尾插入纠错码。
全文摘要
一种半导体存储器存储装置,包括打包部(10),接受包括多个可变长度帧的内容数据,通过向上述各可变长度帧的帧数据附加表示该帧数据的固有信息的管理数据、并将该帧数据和管理数据按每个上述可变长度帧保存到各固定长度包中,从而将上述内容数据打包;缓冲部(20,50),在写入和读出被打包为上述固定长度包单位的内容数据时,以固定长度包单位来临时保存该内容数据;存储部(40),将非易失性存储器作为信息存储介质,存储临时保存在上述缓冲部中的数据;以及控制部(30),对上述存储部将被打包为上述固定长度包单位的内容数据以固定长度包单位进行写入和读出控制。
文档编号G06F3/06GK101364165SQ20081014500
公开日2009年2月11日 申请日期2008年8月1日 优先权日2007年8月7日
发明者铃木俊生 申请人:株式会社东芝
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