专利名称：平面胞元只读存储器的制作方法
技术领域：
本发明有关一种平面胞元只读存储器，特别是关于一种可减少面积的平面胞元只读存储器。
背景技术：
近年来，只读存储器几乎已成为电子装置不可或缺的一部分，图1为现有的平面胞元只读存储器100，其仅显示一存储区块，在每一存储区块中，包括一存储器阵列102，多条位元线BL及虚接地线VG连接至存储器阵列102，而选择线SL0及SL1用以选取所要的位元线BL及虚接地线VG，在存储器阵列102中包含多个作为存储胞元的晶体管104，在同一列上的晶体管104的栅极连接至同一字符线WL0-WLN，由选择不同的位元线BL、虚接地线VG及字符线WL0-WLN，可读取不同存储胞元中的资料。图2为图1中内存100的布局的简单示意图，其中包含了两个存储区块Bank1及Bank2，在各存储区块Bank1及Bank2中，各位元线BL及虚接地线VG各透过一接触窗106而连接至各自对应的位元讯号线108及虚接地讯号线110。
在过去，为了增加内存的密度，已有许多人提出各种减少内存面积的方法，例如Yiu等人在美国专利号5,117,389所提出的「平面胞元只读存储器集成电路(Flat-cell read-only-memory integrated circuit)」，其由减少区块选择晶体管(block select transistor)的使用，来提高内存的密度。
从图2中可以看出，现有的平面胞元只读存储器100的每一个存储区块两侧各有一排接触窗，而每一排接触窗都要占用不少的面积，因此，若能减少接触窗的排数，将可以进一步减少平面胞元只读存储器100的面积。
发明内容
本发明的目的之一，在于提出一种面积较小的平面胞元只读存储器。
本发明的目的之一，另在于提出一种让两个存储区块共享一排接触窗的平面胞元只读存储器。
根据本发明，一种平面胞元只读存储器包含多个存储区块，每一该存储区块包括一存储器阵列、多条位元线、多条虚接地线、三条选择线以及一排接触窗，其中每一该位元线透过一第一开关组件及一第二开关组件连接至该存储器阵列，每一条该虚接地线透过一第三开关组件及一第四开关组件连接至该存储器阵列，该排接触窗用以将该多条位元线及虚接地线连接至位元讯号线及虚接地讯号线，另外第一选择线用以选取所要的该存储区块，第二选择线是用来控制该等第一及第二开关组件的开闭，而第三选择线则是用以控制该等第三及第四开关组件的开闭。在本发明的平面胞元只读存储器中，两个相邻的存储区块共享一排的接触窗，以减少接触窗的排数，进而减少该平面胞元只读存储器的面积。
图1为现有平面胞元只读存储器的电路图；图2为图1中平面胞元只读存储器的布局图；图3为本发明平面胞元只读存储器的电路图；图4为图3中平面胞元只读存储器的布局图；图5为现有的平面胞元只读存储器的实际布局图；以及图6为本发明的平面胞元只读存储器的实际布局图。
符号说明100平面胞元只读存储器102存储器阵列104晶体管106接触窗
108位元讯号线110虚接地讯号线200平面胞元只读存储器202存储器阵列204晶体管205晶体管206晶体管208晶体管209晶体管210晶体管212晶体管214位元讯号线216虚接地讯号线 218接触窗具体实施方式
图3为本发明的平面胞元只读存储器200，其同样仅显示一存储区块，其中多条位元线BL以及虚接地线VG连接至存储器阵列202，每一条位元线BL分别透过作为开关的晶体管205、206及208连接至存储器阵列202，每一条虚接地线VG分别透过作为开关的晶体管209、210及212连接至存储器阵列202，在存储器阵列202中，包含多个作为存储胞元的晶体管204，在同一列上的晶体管204受控于同一条字符线WL0-WL31，在本发明的平面胞元只读存储器200中，每一存储区块包括三条选择线SL0、SP及SPB，其中选择线SL0控制晶体管205及209的开闭，用以选取所要的存储区块，选择线SP控制晶体管206及208的开关，而选择线SPB控制晶体管210及212，这三条选择线SL0、SP及SPB与字符线WL0-WLN是用来选取所要读取的晶体管204。此外，不同于美国专利号5,117,389将平面胞元只读存储器的选择线固定码(select line fix code)打一颗留一颗的方式，本发明的平面胞元只读存储器200的选择线固定码(select line fix code)为打两颗留两颗。
图4为本发明的平面胞元只读存储器的布局示意图，其中位元线BL及虚接地线VG透过接触窗218连接至位元讯号线214及虚接地讯号线216，存储区块Bank1及Bank2为共享一排接触窗218。比较图2及图4，本发明平面胞元只读存储器的两个存储区块仅使用一排接触窗，而现有的平面胞元只读存储器的两个存储区块必需使用三排接触窗，由于本发明的平面胞元只读存储器使用较少排的接触窗，故能减少内存的面积。
图5及图6分别为现有的及本发明的平面胞元只读存储器的实际布局图，由图上所附的尺度可知，现有的平面胞元只读存储器的两个存储区块长度为65.4um，而本发明平面胞元只读存储器的两个存储区块长度为62.0um，由此可证明本发明的平面胞元只读存储器能减少约5.2％的面积。
权利要求
1.一种平面胞元只读存储器，其特征在于，包含多个存储区块，每一该存储区块包括一存储器阵列；多条位元线，每一该位元线透过一第一开关组件及一第二开关组件连接至该存储器阵列；多条虚接地线，每一条该虚接地线透过一第三开关组件及一第四开关组件连接至该存储器阵列；一第一选择线，供选取所要的该存储区块；一第二选择线，供控制该等第一及第二开关组件；以及一第三选择线，供控制该等第三及第四开关组件；其中，每两个该存储区块共享一排接触窗，以连接其多条位元线及虚接地线至位元讯号线及虚接地讯号线。
全文摘要
一种平面胞元只读存储器，其包含多个存储区块，每一该存储区块包括一存储器阵列、多条位元线、多条虚接地线、一排接触窗，以及三条选择线，其中所述的接触窗用以将该多条位元线及虚接地线连接至位元讯号线及虚接地讯号线，而三条选择线则用来选取所要读取的存储胞元。在该平面胞元只读存储器中，两个相邻的该存储区块共享一排接触窗，以减少该存储器的面积。
文档编号G11C17/08GK1734679SQ200410058340
公开日2006年2月15日 申请日期2004年8月10日 优先权日2004年8月10日
发明者陈旭顺 申请人:义隆电子股份有限公司