光学性的信息记录介质的制作方法

专利名称：：光学性的信息记录介质的制作方法
技术领域：
：本发明涉及向基板上形成的薄膜照射激光等高能光束，从而能够记录或再现信息信号的信息记录介质(以下有时简称"记录介质"或"介质")的技术。
背景技术：
：向基板上形成的硫族材料等薄膜照射激光，进行局部加热，可以利用照射条件的差异，在光学常数(折射率n、消光系数k)等不同的非晶质相和结晶相之间产生相变化。这种情况己经广为人知。利用该现象的所谓相变化的光学性的信息记录介质的研发及商品化，方兴未艾。向相变化方式的光学性的信息记录介质照射激光，是向信息轨道上照射激光。按照信息信号，至少在记录电平和消去电平的2个功率电平之间调制激光输出后照射激光。这样，可以在消去已有的信号的同时，向介质记录新的信号。在光学性的信息记录介质中，在记录层以外，在厚度方向上夹住记录层地形成保护层。就是说，保护层作为处于比记录层靠近射入的激光侧(下侧)的保护层和处于比记录层远离射入的激光侧(上侧)的保护层形成。保护层是为了防止反复记录之际的记录层的蒸发及基板的热变形、利用光学性的干涉效果增大记录层的光吸收率及光学性的变化而设置的。保护层通常由耐热性优异的电介质材料等构成。另外，为了有效地使用射入光、提高冷却速度、使记录层易于非晶质化，一般还设置由金属、合金材料构成的反射层。反射层在位于比记录层远离射入的激光侧、即反射通过记录层的激光的位置形成。有人提议在记录层与电介质层之间设置界面层(interfacelayer)。界面层具有促进记录层的结晶化、提高消去(擦除)特性的作用以及防止记录层和电介质层之间的原子及分子的相互扩散、提高反复记录的耐久性的作用等。最好不容易从记录层剥离，还具有不产生腐蚀的环境可靠性。另外，还有人提议在上述电介质层和反射层之间设置折射率高、适度地吸收光的材料层。设置该层的目的如下。i)调整记录层是结晶时的光吸收率和是非晶质时的光吸收率之比，提高消去率，以便在改写时标记形状不变形。ii)增大记录层是结晶时和是非晶质时的反射率之差，增大C/N比。为了增加这种光学性的信息记录介质的每张能够积蓄的信息量，需要使光学系统适应高密度记录。基本上需要縮短激光的波长或者增大将它聚光的物镜的数值孔径，以便縮小激光的光点直径。近几年来的大容量的记录介质的主流，如记录型DVD(DigitalVersatileDisk)所代表的那样，是使用波长660nm/数值孔径0.6左右的光学系统的介质。进而，使用波长400nm/数值孔径0.85左右的光学系统的记录型BD(Blu—rayDisk)也已经商品化。该介质在记录再现时，使用蓝色激光二极管。进而，为了增加每张介质记录的信息量，还有人提议层叠多层记录再现的层的多层结构的记录介质(以下称作"多层记录介质")。这种多层记录介质，由于靠近激光光源侧的信息层吸收光，所以在远离激光光源侧的信息层是用衰减的激光进行记录再现。因此，记录时灵敏度下降，再现时反射率，振幅下降成为问题。这样，需要在多层记录介质中，使靠近激光光源侧的信息层的透过率增大、远离激光光源侧的信息层的反射率、反射率差及灵敏度增大地进行设计。因此，需要用有限的激光功率获得足够的记录再现特性。在光学性的信息记录介质中，如上所述，提高记录密度非常重要，进而为了用短时间处理大量的数据，提高记录密度也非常重要。其中，近几年开始销售的5倍速对应的记录型DVD，包含从低线速(线速度8.2m/s;2倍速记录)起到高线速(线速度20.5m/s;5倍速记录)的大范围的线速度对应的型号。这些线速的比率是2.5倍，该介质能够与极其广泛的线速度范围对应。为了与高速记录对应，需要提高记录层的结晶化速度。作为提高结晶化速度的方法，例如将代表性的记录材料——Ge—Sb—Te特别是GeTe—Sb2Te3附近的成分(Ge—Sb—Te三成分系统状态图中的GeTe—Sb2丁e3线附近的成分)的Sb置换成Bi，作为GeTe—Bi2Te3附近的成分的方法，已经广为人知。另外，用Bi置换一部分Sb的方法，已经广为人知。(例如参照专利文献l、2)。专利文献1:国际公开第00/54982号小册子专利文献2:JP特开2004—311011号公报如上所述，新开发的记录再现装置的记录速度，存在更加高速化的倾向，要求介质也与这种倾向对应。与此同时，为了确保和现有技术的只能够用低速记录的驱动器的互换性，要求1个介质不仅能够用高速而且还能够用低速进行记录。为了使记录介质与高速记录对应，如上所述，需要使用结晶化速度快的记录层。可是，如上所述，例如如果在用低速记录时使用具备由将Sb置换成Bi的材料构成的记录层的介质，那么结晶化速度就过大，难以确保低速的记录特性。另外，如特开2004—311011号公报所示，特别是在GeTe—Sb2TeJff近的成分(Ge—Sb—Te三成分系统状态图中的GeTe—Sb2Te3线附近的成分)中，将一部分Sb置换成为Bi时，在低速(例如线速度8.2m/s)、高速(例如线速度20.5m/s)的每一个中，比较容易确保C/N、消去率等的6记录特性。可是难以确保用各自的线速度记录的标记的长期保存性及高速改写特性。就是说，难以同时实现低速记录的标记的长期保存性(使其维持非晶形状态)和长期保存高速记录的标记后高速改写记录时的消去特性(促进结晶化)。另外，在特开2004_311011号公报中，讲述为了调整结晶化速度、热传导性或光学常数等或者提高反复耐久性、耐热性或环境可靠性等，可以按照需要添加从Sn、In、Ga、Zn、Cu、Ag、Au或Cr、追加的Ge、Bi、Sb、Te等金属、半金属或半导体元素、或O、N、F、C、S、B等非金属元素中选择1个或多个元素。这些元素的添加量在记录层整体的20原子％以下，最好在10原子％以下，在5原子％以下的范围内则更好。可是，该公报没有考虑光盘的反射率、抖动特性、灵敏度以及长期保存性。因此，在该公报中也就没有叙及为了确保它们应该在什么范围内添加什么样的添加材料。另外，该公报没有具体叙述添加材料带来的效果，也根本没有谈及添加材料的定量化问题
发明内容本发明人形成包含由Ge、Sb、Bi及Ge组成的各种材料(以下有时称作"Ge—Sb—Bi—Te类材料")的记录层，评价了记录介质的反射率、记录灵敏度、抖动特性、反复改写性能(循环特性)以及长期保存性。其结果查明例如由GeTe化合物、Sb2丁e3化合物、Bi2Te3化合物构成记录层，增减Bi2丁e3化合物地调整结晶化速度时，难以使上述性能全部得到满足。因此，本发明人首先研究了向由GeTe化合物、Sb2Te3化合物、Bi2Te3化合物构成的记录层成分添加Sb的情况。就是说，首先求出在由GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物构成的成分中，能够使8.2m/s的低速记录和20.5m/s的高速记录中的记录特性均佳的Bi2Te3化合物的量。从该成分中用微量的Bi2Te3化合物置换Sb2Te3化合物，进而获得提高了结晶化速度的成分。然后，再添加Sb，从而使结晶化速度下降，使记录特性保持良好的状态。结果发现记录层包含GeTe化合物、Sb2Te3化合物、Bi2Te3化合物和Sb，各自的含有量在特定范围内时，记录介质的反射率、记录灵敏度、反复改写性能及长期保存性等所有的特性都较好地得到满足，从而产生了本发明。作为解决所述课题的手段，本发明提供以下的光学性的信息记录介质。<1〉本发明提供的光学性的信息记录介质，其特征在于包含透明基板和在透明基板上直接或通过其它层作媒介设置的、被光束照射后能够可逆性地进行相变化的记录层；所述记录层，包含由Ge、Sb、Bi及Te组成的Ge—Sb—Bi—Te类材料；所述Ge—Sb—Bi—Te类材料的成分，在将Ge、Sb—Bi及Te作为顶点的三角坐标图中，存在于用A(Ge41.2,(Sb—Bi)7.4，Te51.4)、B(Ge39.8,(Sb—Bi)10.5,Te49.7)、C(Ge28.5,(Sb—Bi)21.7,Te49.8)及D(Ge30.6，(Sb一Bi)15.8,Te53.6)的各成分点包围的区域内，而且所述Ge—Sb—Bi—Te类材料包含的Bi的含有量为4原子％以上且小于13原子％。在这里，所谓"原子％"是将Ge、Bi、Sb、Te原子的合计数作为基准(100%)表示的含有量。记录层可以包含Ge、Sb—Bi及Te以外的元素。或者记录层可以只由Ge、Sb—Bi及Te构成。这时，上述Ge—Sb—Bi—Te类材料的成分成为记录层本身的成分。该光学性的信息记录介质，和DVD—ROM的容量相同，在用记录线速以DVD的2倍(大约8.2m/s)到DVD的5倍(大约20.5m/s)的记录线速记录时，也具有优异的特性，而且保存稳定性优异。<2>记录层进而可以包含从Ag、In、Se、Sn、Al、Ti、V、Mn、Fe、Co、Cr、Ni、Cu、Zn、Zr、Ga、Si、Dy、Pd、Pt、Au、N、0、S、B、C及P中选择的至少一个元素。这时，该元素的合计含有量最好在5原子％以下。上述元素，例如是成膜装置内的杂质，或者是记录层的溅射部件包含的杂质。即使它们混入记录层中，如果其含有量是上限5原子％，就不会影响采用本发明的效果。在这里，所谓"原子％"，是将Ge、Bi、Sb、Te原子的合计数作为基准(100%)表示的含有量。<3〉本发明的光学性的信息记录介质，包含第1保护层、第2保护层及反射层，成采用从靠近光束的射入面的一侧起，依次为第1保护层、第2保护层及反射层的结构。第1保护层、第2保护层及反射层的作用，如前所述。<4〉第1保护层包含ZnS60moP/。以上，其膜厚最好在100nm以上且小于150nm。或者，在第1保护层中，可以以包含合计60原子％以上的Zn和S的形态包含ZnS。ZnS材料是在激光的波长为405nm860nm的区域光吸收较低的材料，而且是耐水性优异的材料，所以是宜于作为保护层材料而使用的材料。另外，采用溅射形成以ZnS为主成份的薄膜材料时，ZnS的比率越高，就能够使溅射速度越高，可以高速形成薄膜。使其膜厚在100nm以上且小于150nm时，能够加大结晶层为结晶状态时的反射率和为非晶形状态时的反射率之差，可以获得记录特性优异的记录介质。<5>第2保护层包含ZnS60moiy。以上，其膜厚最好在35nm以上且小于55nm。或者，在第2保护层中，可以以包含合计60原子％以上的Zn和S的形态包含ZnS。根据在该<4>中讲述的理由，作为保护层材料，ZnS材料非常优异。使第2保护层的膜厚为35nm以上后，记录层和光吸收层(后文讲述)的9距离及记录层和反射层的距离就变大。这样，热量就不容易从被激光加热的记录层散发，能够提高记录介质的记录灵敏度。使膜厚为55nm以下后，容易提高光盘的反射率，而且容易适度地从记录层获得热量。因此，在低速记录时，也容易使结晶状态变成非晶形状态，记录介质的抖动特性更加良好。就是说，使第2保护层的膜厚为35nm以上且小于55nm后，可以获得记录灵敏度、反射率及低速记录时的抖动特性良好的记录介质。<6>在上述<3〉中讲述的记录介质中，第1保护层和记录层之间，最好具有第l界面层。<7〉在上述<3〉中讲述的记录介质中，第2保护层和记录层之间，最好具有第2界面层。设置界面层后，易于获得反复改写性能(循环特性)及耐蚀性优异的记录介质。此外，在上述<3>中讲述的记录介质中，最好设置第1界面层和第2界面层两者。<8>在上述<5>或<6>中讲述的记录介质中，第1界面层及/或第2界面层第2保护层包含Zr氧化物，其膜厚最好在0.5nm以上且小于10nm。包含Zr氧化物的材料，因为是壁垒性能好、强韧、硬度高的材料，所以被广泛采用。包含Zr氧化物的材料，在记录介质的抖动特性、反复记录中的耐久性、环境可靠性(不容易引起腐蚀)的这些点上，非常理想。界面层的膜厚在0.5nm以上且小于10nm后，影响记录层的热特性和壁垒性能绝佳，可以获得抖动特性和耐环境性能优异的记录介质。界面层的膜厚小于0.5nm时，由于体积伴随着记录层的相变化而变化，所以界面层往往裂开；膜厚超过10nm后，热量就容易在记录层蓄积，促进再结晶化，所以难以加大记录标记。<9>记录层的膜厚最好在5nm以上、15nm以下。使记录层的膜厚在5nm以上后，容易确保光盘的反射率。使记录层的膜厚在15nm以下后，可以获得良好的记录介质的抖动特性、循环特性及长期保存性能。<10〉在上述<3>中讲述的记录介质中，反射层最好是包含Ag90原子％以上的材料，其膜厚最好在60nm以上且小于140nm。作为反射层的材料，使用热传导性优异的Ag后，能够迅速地扩散用激光照射给予记录层周边的热量。因此，低速记录时，容易形成非晶形标记，能够获得低速记录时的抖动特性优异的记录介质。另外，使反射层的膜厚为60nm以上后，能够获得热扩散性优异、低速记录时的抖动特性优异的记录介质。使反射层的膜厚小于140nm时，易于获得高速记录时的抖动特性优异的记录介质。<11〉在上述<3〉中讲述的介质，可以进而具有光吸收层。光吸收层位于反射层和第2保护层之间。光吸收层具有调整记录层是结晶时的光吸收率Ac和是非晶质时的光吸收率Aa之比Ac/Aa，以便在改写时使标记形状不变形的作用。<12〉本发明还提供具备2个以上的记录层，至少1个记录层包含所述Ge—Sb—Bi—Te类材料的光学性的信息记录介质。记录层包含具有上述<1〉所述的特定的组成的Ge—Sb—Bi—Te类材料后，给具有该记录层的信息层带来该材料带来的效果。可以组合上述<1〉<12〉的构成或要素。例如组合<4>及<5>的构成后，第1保护层及第2保护层都可以作为包含60mol以上的ZnS的层。或者可以组合<4>及<5>的构成和<10>的构成。或者可以将<3>的构成与<12>的构成组合。本发明的光学性的信息记录介质，记录层包含Ge、(Sb—Bi)、Te)，而且以规定的比例包含这些元素。该记录介质在以DVD的2倍(大约ii8.2m/s)到DVD的5倍(大约20.5m/s)的记录线速记录时，也具有优异的特性，而且保存稳定性优异。图1是示意性地表示本发明的光学性的信息记录介质的剖面图。图2是表示本发明的光学性的信息记录介质使用的记录层包含的Ge一Sb—Bi—Te类材料的成分范围的三角坐标图。图3是表示本发明的实施例16的介质的记录层的成分的三角坐标图。图4是表示本发明的比较例14的介质的记录层的成分的三角坐标图。符号说明101基板102第1保护层103第1界面层104记录层105第2界面层106第2保护层107光吸收层108反射层110激光具体实施方式下面，参照附图，讲述本发明理想的实施方式。图1所示的光学性的信息记录介质，具有在基板101上依次形成第1保护层102、第1界面层103、记录层104、第2界面层105、第2保护层106、光吸收层107及反射层108的结构。虽然没有图示，但是通常在反射层108的表面形成粘接层(紫外线硬化性树脂)，与保护基板贴合在一起。但是，本发明并不局限于上述结构，可以在各层之间适当地插入别的材料层。另外，既可以采用不设置第l界面层/第2界面层的结构，还可以采用不设置光吸收层的结构。基板101通常是透明的圆盘状的板。可以在形成电介质层及记录层的一侧的表面，形成旨在引导激光的导向槽。在基板上形成导向槽时，观察基板的断面，就可以看到形成的槽部(grooveportion)和岛部(landportion)。槽部可以说位于邻接的2个岛部之间。所以，形成导向槽的表面，就具有由侧壁连接的顶面和底面。在说明书中，将底面称作"槽面"，将顶面称作"岛面"。从激光110的角度看，槽面始终处于靠近激光110的一侧，岛面始终处于远离激光110的一侧。记录标记，或者被位于槽面的记录层的表面记录(槽记录)，或者被位于岛面的记录层的表面记录(岛记录)，或者被位于槽及岛两者的面的记录层的表面记录(岛-槽记录)。如果令使用的激光的波长为A、基板的复数折射率中的实部折射率为n时，最好使构成导向槽的岛部和槽部的凹凸的高度(即顶面和底面的距离，也称作"槽部的深度")满足入/(10'n)以上且小于入/(2*n)。槽部的深度小于人/(10!!)，激光就难以稳定地跟踪岛部或槽部。槽部的深度为入/(2，n)以上，则难以稳定地遍及基板全周地形成槽。第1保护层102的材料，最好是热态稳定的材料。第1保护层102最好用例如从ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnPo、ZnC、ZnSi、ZnGe、ZnSn、ZnP、ZnAs、ZnSb及ZnBi等锌化合物及Al、Ga、In、Tl、Si、Ti、Zr、Hf及13CU等氧化物、氮化物、氟化物、碳化物及硫化物等材料中选择的、至少包含一种化合物的材料形成。如果令再现用的激光的波长为A、第1电介质层的折射率为nl时，第1保护层102的膜厚最好为15'入/(64.nl)以上且小于(40入)/(64'nl)。小于15入/(64'nl)或者(40入)/(64*nl)入/(10*n)以上时，在光学设计上比较困难。上述光学性的信息记录介质，最好进而在第1保护层102和记录层104之间，包含第1界面层103;在记录层104和第2保护层106之间，包含第2界面层105。形成界面层后，可以进一步改善消去特性及反复记录特性。第1界面层103及第2界面层105，最好用致密、坚固、包含壁垒性能优异的Zr氧化物的材料形成。例如最好用向Zr氧化物(例如Zr02)添加了包含从由Al、Si、Ti、Co、Ni、Ga、Ge、Sb、Te、In、Au、Ag、Zn、Bi、Pt、Pd、P、Ca、Sr、Cr、Y、Se、La及Li构成的元素组中选择的一个以上的元素的氮化物、氧化物、碳化物及硫化物中选择的化合物的混合物，形成界面层。由这种混合物构成的界面层，可以提高记录介质的记录特性、循环特性及环境可靠性。特别是作为混合物，最好使用用下列分子式表示的混合物。(Zr02)M(Cr203)100—M(mol%)(式中M表示用mol。/。表示的成分比，(Zr02)M(Cr203)Y(Si02)100—X-Y(mol%)(式中X及Y分别表示用mol。/。表示的成分比，在20^X^70及20SY^60的范围内，而且60^X+Y^90)在这些分子式中，Zr02可以是其一部分(例如10moiy。以下)被用Y203置换的、部分稳定化Zr02。这些混合物与记录层中包含的Ge—Sb—Bi—Te类材料一起提高记录介质的记录特性、循环特性及环境可靠性。第1界面层103及第2界面层105膜厚最好为0.5nm以上且小于10nm，1.0nm以上且小于5.0nm则更好。使膜厚为0.5nm以上后，可以获得壁垒性能高的膜，获得耐蚀性更加优异的记录介质。使膜厚小于10nm后，由于热量不容易向界面层的膜面方向传递，所以向位于槽或岛的轨道的记录层照射激光时，不容易影响写在邻接的轨道上的记录标记，能够抑制记录标记的劣化。在本发明的光学性的信息记录介质中，记录层104包含由Ge、Sb和Bi(以下称作"Sb—Bi")及Te组成的Ge—Sb—Bi—Te类材料。该Ge—Sb—Bi—Te类材料的成分，在将Ge、Sb—Bi及Te的各元素作为顶点的三角坐标图中，存在于用A(Ge41.2,(Sb—Bi)7.4,Te5L4)、B(Ge39.8,(Sb—Bi)10.5,Te49.7)、C(Ge28.5,(Sb—Bi)217,Te49.8)及D(Ge30.6，(Sb—Bi)15.8,Te53.6)的各成分点包围的区域内。另夕卜，该Ge—Sb—Bi—Te类材料包含的Bi的含有量为4原子。/。以上且小于13原子e/。。下面，使用图2所示的三角坐标图，更详细地讲述本发明的记录层包含的Ge—Sb—Bi—Te类材料的上述成分范围。图中A是从GeTe化合物/(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比成为12:1的成分(图中E)朝着(Sb—Bi)画出的直线上的成分，是Sb及域Bi比图中E多0.5原子％的成分。图中B是从GeTe化合物/(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比成为12:1的成分(图中E)朝着(Sb—Bi)画出的直线上的成分，是Sb及域Bi比图中E多4原子％的成分。图中C是从GeTe化合物/(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比成为4:1的成分(图中F)朝着(Sb一Bi)画出的直线上的成分，是Sb及/或Bi比图中F多8原子。/。的成分。图中D是从GeTe化合物/(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比成为4:1的成分(图中F)朝着(Sb—Bi)画出的直线上的成分，是Sb及/或Bi比图中F多0.5原子％的成分。在这里，所谓"(Sb—Bi)2Te3化合物"，是包含Sb2Te3化合物和Bi2Te3的化合物(或2个化合物的混合物)。Bi2Te3的化合物的比例越高，记录层的结晶化速度就越快，利用获得高线速时抖动特性优异的记录介质。可是，Bi2Te3化合物的比例增大后，记录标记(非晶形状态)就容易结晶化。其结果，特别是长期保存用低速度记录的标记时，记录标记容易变小，抖动特性容易劣化(低速度档案劣化(low-speedarchivaldeterioration))。另外，Bi2Te3化合物的比例越低，记录层的结晶化速度就越慢，利用获得低线速时抖动特性优异的记录介质，但是记录标记不容易消去。特别是长期保存用高速度记录的标记后，用高速改写时的消去特性显著恶化。其原因可能是在长期保存的期间，非晶形状态转移到准安定状态，不容易结晶的缘故。将在《
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》中讲述的记录层的成分，例如用于2倍速改写型DVD—RAM媒体时，使Bi2Te3化合物含有量最佳化，以便在某个线速度中满足良好的抖动特性后，就存在着低速度档案劣化及高速度档案改写劣化中的某一个极其显著的问题。本发明的一个宗旨在于采用由GeTe化合物、Sb2丁e3化合物、Bi2Te3化合物和Sb构成的、或包含这些化合物和Sb的结构。就是说，本发明的一个宗旨在于通过添加Sb抑制档案劣化和档案改写劣化。可以认为在该结构的记录介质中，一部分Sb与Bi2Te3化合物的Bi置换后，最终生成剩余的Bi。因此，本发明的另一个宗旨在于采用由GeTe化合物、Sb2Te3化合物、Bi2Te3化合物和Bi构成的、或包含这些化合物和Bi的结构。本发明的又一个宗旨在于采用由GeTe化合物、Sb2Te3化合物、Bi2Te3化合物和Bi及Sb构成的、或包含这些化合物和Sb及Bi的结构。采用本发明后，可以获得1)与现有技术的记录介质(由GeTe化合物、Sb2丁e3化合物、Bi2Te3化合物构成的、用Bi2Te3化合物的量调整结晶化速度的介质)相比，例如从用8.2m/s进行低速记录起到用20.5m/s进行高速记录为止的抖动特性更加良好，而且2)低速度档案劣化及高速度档案改写劣化都得到抑制的记录介质。16其理由虽然尚不明了，但是可以认为照射激光后在数ns这一极短的时间内形成记录标记或者消去记录标记之际容易进行相转移的程度，与结晶化速度息息相关的缘故。另一方面，还可以认为不容易使非晶形状态转移到结晶或准安定状态、抑制档案劣化和档案改写劣化这一记录标记的保存性，与Sb及/或Bi的添加量息息相关的缘故。以下，讲述向GeTe化合物一Sb2Te3化合物—Bi2Te3化合物的混合物添加Sb后获得的Ge—Sb—Bi—Te类材料。添加的Sb的量，最好为0.5原子％以上，在1原子％以上则更好。添加微量的Sb后，记录层结晶状态时的消衰系数和非晶形状态时的消衰系数之差(Ak)变大，能够提高记录层结晶状态时的盘的反射率和非晶形状态时的盘的反射率之差。其结果，光学性的对比度变大，因此能够提供抖动特性优异的光盘介质。在添加量为23原子％的范围内，Ak成为极大，比它多地添加Sb后，Ak就出现单调减少的倾向。因此，添加的Sb的量的上限，最好是8原子％以下，7原子％以下则更好。以上，讲述向GeTe化合物/Sb2Te3化合物/Bi2Te3化合物的混合物添加Sb后获得在三角坐标图中存在于用A、B、C及D的各成分点包围的区域内的Ge—Sb—Bi—Te类材料的方法。在本发明中，只要Ge—Sb—Bi—Te类材料具有所述规定的成分，可以采用不添加Sb只添加Bi或者添加Sb及Bi两者的方法，获得所述规定的成分。总而言之，调制组成物时也必须用后文讲述的量包含Bi。Ge—Sb—Bi—Te类材料中的Bi含有量，将Ge、Bi、Sb、Te原子的合计数作为基准(100%)后，最好为4原子％以上且小于13原子％，5原子％以上且小于12原子％则更好。决定(Sb—Bi)2Te3成分中的Bi2丁e3化合物的比例及/或决定Sb及域Bi的添加量，以便满足该条件。使Bi含有量为4原子y。以上后，能够提高记录层的结晶化速度，获得高速记录时具有优异的抖动特性的记录介质。使Bi含有量为13原子％后，17能够确保低速记录时的抖动特性。就是说，使Bi含有量为4原子％以上且小于13原子％后，能够用广大的线速度利用记录介质。GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的mo1比率、即GeTe/[(Sb—Bi)2Te3]的值越大，记录层中包含的(Sb—Bi)2Te3化合物的比例就越小，因此Bi2Te3化合物的量变少。例如GeTe/[(Sb—Bi)2丁^]的值为16时，Sb和Bi的合计量成为5.4原子％，记录层能够用小于5.4原子％的量包含Bi。反之，GeTe/[(Sb—Bi)2Te3]的值较小，例如为2时，Sb和Bi的合计量成为22.2原子％，记录层能够用小于22.2原子％的量包含Bi。就是说，GeTe/[(Sb—Bi)2Te3]的值越小，越能够使记录层含有更多的Bi2Te3化合物，能够提高结晶化速度。起因于Bi2Te3化合物的含有量较多的高结晶化速度，能够通过多添加Sb得到调整。这样，就能够一边调整记录层的结晶化速度，一边提高记录介质的特性。因此，在本发明的记录介质中，GeTe/[(Sb—Bi)2丁63]的值越小越好。其下限最好是图2中的F成分(GeTe/[(Sb—Bi)2Te3]的值为4)。GeTe影响介质的反射率，如果GeTe化合物的比例小于图2中的F成分，就难以提高记录介质的反射率。GeTe/(Sb—Bi)2Te3的上限，最好是图2中的E成分(GeTe/[(Sb—Bi)2Te3]的值为12)。如果使(Sb—Bi)2Te3GeTe化合物多于图2中的E成分，就能够减少记录层由结晶状态向非晶形状态转移之际的体积变化，获得循环特性优异的记录介质。记录层104最好由Ge、Sb—Bi及Te构成。这时，上述成分成为记录层本身的成分。另外，在记录层104中，进而可以包含从Ag、In、Ge、Se、Sn、Al、Ti、V、Mn、Fe、Co、Cr、Ni、Cu、Zn、Ga、Bi、Si、Dy、Pd、Pt、Au、N、O、S、F、B、C及P中的至少一个元素。这些元素，例如是成膜装置内的杂质，或者是记录层的溅射部件包含的杂质。这些杂质往往在记录层的成膜中混入记录层中。这时，这些元素的合计含有量为5原子％以下，最好为3原子％以下，特别理想的是如果在1原子％以下，就容许这种元素存在于记录层中。某个元素被记录层微量包含时(例如由于成膜装置的特性导致不可避免地混入某个元素时)，由于能够通过微调Bi2Te3化合物的量，调整记录层的结晶化速度，所以不影响本发明的效果。第2保护层106，最好用包含60mol以上的ZnS的材料形成。更希望用包含70mol以上的ZnS、进而包含Si02的材料形成。由这些材料形成的保护层，能够在广大的线速度范围内非常平衡地保持记录层的热扩散量，可以给予介质优异的记录特性。另外，将ZnS作为主成分后，易于提高成膜速度。对于ZnS的含有量虽然没有上限，但是最好为90moP/。以下，以便能够抑制记录介质的噪声。第2保护层106的膜厚最好在35nm以上。这种膜厚的第2保护层106能够扩大记录层104和光吸收层107，勺距离及记录层104和反射层108的距离，能够抑制来自被激光加热的记录层104的热扩散，能够提高记录介质的记录灵敏度。另外，第2保护层106的膜厚最好为55nm以下。这种膜厚的第2保护层106能够提高光盘的反射率，而且容易从记录层获得热量。因此，在低速记录时，也容易使结晶状态变成非晶形状态，使记录介质的抖动特性更加良好。光吸收层107，调整记录层是结晶时的光吸收率和是非晶质时的光吸收率之比，以便在改写时起着使标记形状不变形的作用。因此，光吸收层107特别有益于提高高线速时的消去率。另外，存在光吸收层107后，记录层是结晶时和是非晶质时的光吸收率之差变大，可以获得优异的抖动特性。可以使用包含从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Os、Ga、In、C、Si、Ge、Sn、Pb、Sb及Bi中选择的至少一个元素的材料，形成光吸收层107。具体地说，最好使用从Ge—Cr、Ge—Mo、Si—Cr、Si—Mo及Si—W等非晶质的Ge合金及Si合金以及Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Sn、Te、Pb及Te等金属、半金属或半导体材料中选择的材料。其中，包含从Si及Ge中选择的至少一个元素的材料最理想，特别是将Si作为基础的材料更加理想。将Si作为基础的材料，与Ge相比熔点高，所以耐热性良好，热传导率也高。因此，将Si作为基础的材料，可以使记录介质的抖动特性更加优秀。作为形成反射层108的材料，可以列举具有光反射性的Al、Au及Ag等金属单体及它们的合金；将从Al、Au及Ag中选择的一个或多个金属作为主成分、包含从Ti、Cr、Co、Ni、Se、Ge、Zr、In、Sn、Sb、Te、Pt、Pb、Bi、Pd、Cu、Ga、Hf、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho及Er中选择的一个或多个添加元素的合金；向从Al、Au及Ag中选择的一个或多个金属中混合Al及/或Si等金属氮化物、金属氧化物及/或金属硅化物等金属化合物的材料。反射层108最好用在金属中热传导率最高的Ag或包含90%以上的Ag的材料形成。因为反射层108的热传导率越高，低速记录时就越容易从记录层迅速地获得热量，促进非晶形化，能够写入较大的记录标记的缘故。记录介质高速记录时的记录特性，与形成反射层108的材料的热传导率相比，更依存于反射层的膜厚。因此，调整反射层108的膜厚，也能够改善记录介质高速记录时的记录特性。反射层108的膜厚最好在60nm以上且小于140nm，在80nm以上且小于120nm则更好。如果反射层108的膜厚小于60nm，低速记录时的记录特性就容易劣化；而在140nm以上后，档案改写劣化量就有增大的倾向。20上述记录介质的各层的材料及成分，可以采用俄歇电子分光法、X线光电子分光法或2次离子质量分析法(例如应用物理学会/薄膜*表面物理分科学会编《薄膜制造手册》共立出版株式会社1991年等)或X线微量分析法进行分析。本发明人采用X线微量分析法，对利用溅射作为薄膜形成的记录层及其它的层进行了分析。分析后的结果确认与溅射目标靶的公称成分大致相等。但是，目标靶的材料成分和实际形成的薄膜的成分，往往由于成膜装置、成膜条件或目标靶的制造方法等的不同而不同。这时，最好根据经验预先求出修正成分偏移的修正系数，决定目标靶的材料成分，以便获得所需的成分的薄膜。图1所示的光学性的信息记录介质，具有设置了第1保护层102、第1界面层103、记录层104、第2界面层105、第2保护层106、光吸收层107及反射层108的结构。本发明的效果，例如在设置第1保护层102、记录层104、第2保护层105及光吸收层106、不设置第1及第2保护层和光吸收层107的记录介质中，也能够获得。进而，还可以按照需要减少层的数量。上述各层(薄膜)，例如可以采用真空蒸镀法、溅射法、粒子镀法、CVD(ChmicnlVaporDeposition)f去或MBE(MolecularBeamEpitaxy)《去等汽相薄膜堆积法形成。采用常规的方法，形成未图示的粘接层及保护基板。粘接层例如采用自旋涂敷紫外线硬化性树脂的方法形成。保护基板是由与透明基板101相关讲述的材料构成的圆盘状的基板，最好由聚碳酸脂树脂构成。本发明的光学性的信息记录介质，作为使用波长660nm附近的激光进行记录再现的DVD—RAM大有用处，还作为使用波长405nm附近的激光进行记录再现的BD—RE大有用处。作为BD—RE制造时，采用在透明基板上至少依次形成反射层、第2保护层、记录层及第l保护层，通过粘接层(紫外线硬化性树脂)作媒介，粘贴透明的薄片(例如厚度大约为90txm100um)的方法，制造本发明的光学性的信息记录介质。另外，本发明的光学性的信息记录介质可以作为具有多个记录层的多层型的信息记录介质实现。这时，既可以用具有上述特定的成分的Ge—Sb—Bi—Te类材料形成一个或多个记录层，也可以用具有上述特定的成分的Ge—Sb—Bi—Te类材料形成所有的记录层。实施例1下面，通过实施例，更具体地讲述本发明。但是本发明并不局限于以下的实施例。[实施例1]在实施例1中，制作了图1所示的结构的盘状的光学性的信息记录介质。作为透明基板，准备了由聚碳酸脂树脂构成的基板，其直径为12cm、厚度为0.6mm、槽间距为1.23um、槽深度大约为55nm。在该透明基板的形成槽的表面上，采用溅射法，依次层叠由(ZnS)80(Si02)20构成的薄厚为134nm的第1保护层、由(Zr02)46(Y203)4(Cr203)50构成的薄厚为2nm的第1界面层、薄厚为8nm的记录层、由(Zr02)46(Y203)4(Cr203)so构成的薄厚为2nm的第1界面层、由(ZnS)80(Si02)20构成的薄厚为45nm的第2保护层、由CrSi2构成的薄厚为30nm的光吸收层及由Ag9slri2构成的薄厚为100nm的反射层等各层。记录层用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的mol比率；GeTe/[(Sb—Bi)Je3]为8，向Bi含有量为7原子％的成分中添加2原子％的Sb后获得的组成物形成。编制和记录介质不同分析样品，采用X线微量分析法，检查了记录层的成分。其结果，各元素的成分比为Ge;37.3原子％、Sb;4.4原子％、Te;51.4原子％、Bi;6.9原子％(Sb—Bi;11.3原子％)。作为图3所示的三角坐标图中的J，表示这时的成分比。作为形成各层的成膜装置，使用了片型的溅射装置。基板被预先在70度的环境中退火充分地进行脱水后，投入成膜装置。然后，依次将基板装入具备目标靶的成膜腔，作为薄膜形成各层。在各层的成膜中，作为溅射气体只使用Ar。在这样形成的多层薄膜面上，通过紫外线硬化性树脂作媒介，粘贴由聚碳酸脂树脂构成的保护基板(厚度约0.6mm)，照射紫外线光，使紫外线硬化性树脂硬化。进而，用激光从介质的透明基板侧进行退火，使记录层的整个面初始化。向初始化的介质的没有形成槽的镜面部分照射波长660nm的激光，测定反射率。将反射率为16.5%以上的定为，15.5%以上且小于16.5%的定为〇，14.5%以上且小于15.5%的定为厶，小于14.5y。的定为X。接着，讲述向光学性的信息记录介质记录信号、消去信号或改写记录信号的方法。在本实施例中，以线速度8.2m/s(基准时钟脉冲T47.1ns)、12.3m/s(基准时钟脉冲T=12.0ns)及线速度20.5m/s(基准时钟脉冲T=6.9ns)等3个条件使记录介质旋转，使用波长660nm、NA-0.6的光学系统。记录信号时，使最短记录符号长为3T、最长记录符号长为11T地调制激光，这时的调制波形在所有的线速中都在3T信号时作为宽度1.5T(功率电平P1)的单一矩形脉冲、在NT(N=4ll)信号时作为由宽度1.5T的前头脉冲和随后的宽度0.5T的(N—3)个子脉冲构成的脉冲列(功率电平P1)，各脉冲之间(功率电平P3)的宽度也为0.5T。在不记录标记的部分，作为功率电平P2的连续光。在线速度8.2m/s时使P3=P2、线速度12.3m/s使P3:P2、线速度20.5m/s使P3=P2。将在岛轨道及槽轨道中随机产生3T11T的记录脉冲的信号，在介质23上改写记录10次，使再现信号的抖动值(前端抖动和后端抖动的平均值)成为最小地决定各功率电平。这时，适当地调整各自的记录脉冲的始端及终端的位置。再现信号时，无论用哪种线速度进行记录，都用线速度8.2m/s进行，使这时的再现功率为1.0mW。在这里，从能够抑制作用于薄膜的热态负荷的这一点上说，功率电平Pl(记录灵敏度)的值越小越好，而且越用低速度进行记录，这一倾向越显著。在本实施例中，用线速度8.2m/s测量了岛及槽的记录灵敏度，将2个记录灵敏度中较高的功率作为该介质的记录灵敏度。然后，将记录灵敏度小于llmW的定为O)，11mW以上且小于12mW的定为0，12mW以上且小于13mW的定为A，13mW以上的定为X。评价交叉消去抖动(CE抖动)地评价抖动。向连续的5条记录轨道记录10次随机信号，评价其中心轨道的抖动。作为记录方法，在任意轨道中，用刚才求出的功率电平记录信号，接着在与其邻接的2条轨道及其外侧、内侧的轨道分别进行10次改写记录后，评价了中心轨道的抖动。这样，在各岛和槽中，将评价的CE抖动的平均值小于8.5%的定为，8.5%以上且小于9.0%的定为〇，9.0。/o以上且小于9.5。/o的定为A，9.5%以上的定为X。另外，为了调查记录的信号的稳定性，用各线速度进行记录后，将介质在80卩80%的高温高湿环境下投入50小时后，进行加速试验，调查了记录标记的品质的寿命。众所周知记录标记的时间性的品质与记录层的结晶化速度具有密切的关系。例如记录层的结晶化速度过快时，记录标记(非晶形部分)的结晶成长被时间性促进，记录标记容易变小。其结果，记录标记的品质容易劣化(档案劣化)。特别越是用低线速记录，记录层就越容易蓄热，在记录标记周边就越容易产生粗大的结晶，该粗大的结晶进而促进结晶化，容易引起档案劣化。就是说，记录层的结晶化速度过快时，用低线速记录的记录标记容易引起档案劣化。24反之，记录层的结晶化速度过慢时，记录的标记(非晶形状态)容易时间性地趋于稳定，因此不容易消去记录标记，改写记录时的记录标记的品质恶化(档案改写劣化)。特别越是用高线速记录，热量就越容易在记录层中扩散，越容易产生更加稳定化的记录标记，所以档案改写劣化更加显著。就是说，用高线速记录的记录标记容易引起档案改写劣化。在本实施例中，以线速度8.2m/s、线速度20.5m/s使记录介质旋转，以各自的线速度分别在岛及槽轨道中进行记录，测定抖动(前端和后端)后，在8(TC80。/。的高温高湿环境下放置了50小时。进行加速试验后，在以线速度8.2m/s记录的轨道中，重新测定抖动，调查了与加速试验前测定的抖动之差(档案劣化量)。另外，在以线速度20.5m/s记录的轨道中，用和加速试验前同样的条件，进行了l次改写记录后，测定抖动，调査了与加速试验前调査的抖动之差(档案改写劣化量)。将这样调查出的档案劣化量和档案改写(0/W)劣化量中，岛轨道、槽轨道及前后端抖动的劣化量的最坏值小于1.0%的定为，1.0%以上且小于2.0%的定为〇，2.0%以上且小于3.0%的定为么，3.0。/。以上的定为X。这样,按照上述步骤,调查了实施例1的记录介质的反射率、线速度8.2m/s时的记录灵敏度、CEIO、循环特性及档案劣化量、线速度12.3m/s时的CE10及循环特性和线速度20.5m/s时的CEIO、循环特性、档案O/W劣化量。在各自的评价中，是最理想的结果，O是理想的结果，A是比较理想的结果，X是不理想的结果。将没有一个X的记录介质，定义为理想的记录介质，在综合评价中定为O。另一方面，在各评价项目中，将有一个X的记录介质，定义为不理想的记录介质，在综合评价中定为X。在下列的表l中，列出评价各特性之际使用的记号的意义。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>表2示出评价实施例1的记录介质的结果。此外，在表中，还一并示出GeTe和(Sb—Bi)2Te3的摩尔比、添加Sb前的成分中的Bi含有量、Sb添加量及记录层的Ge、Sb、Te及Bi的含有量。实施例1的记录介质，在所有的评价项目中被评价为，其综合评价中为O。[实施例2]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2Te3]为8，向Bi含有量为9.0原子％的成分中添加4.0原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检查的记录层的成分为Ge;36.6原子％、Sb;4.3原子％、Te;50.4原子％、Bi;8.7原子％(Sb—Bi;13.0原子％)。图3中，作为K点表示该记录层的成分。表2示出评价实施例2的记录介质的结果。实施例2的记录介质，在所有的评价项目中被评价为O以上，其综合评价中为O。[实施例3]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2Te3]为8，向Bi含有量为6原子％的成分中添加1原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检査的记录层的成分为Ge;37.7原子％、Sb;4.5原子％、Te;51.9原子％、Bi;5.9原子％(Sb—Bi;10.4原子％)。图3中，作为L点表示该记录层的成分。表2示出评价实施例3的记录介质的结果。实施例3的记录介质，在所有的评价项目中被评价为A以上，其综合评价中为O。[实施例4]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2Te3]为4，向Bi含有量为7原子％的成分中添加2原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检査的记录层的成分为Ge;30.2原子％、Sb;10.2原子％、Te;52.7原子％、Bi;6.9原子％(Sb—Bi;17.1原子％)。图3中，作为M点表示该记录层的成分。表2示出评价实施例4的记录介质的结果。实施例4的记录介质，在所有的评价项目中被评价为A以上，其综合评价中为O。[实施例5]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2化3]为4，向Bi含有量为12原子％的成分中添加7原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检查的记录层的成分为Ge;28.8原子％、Sb;9.7原子％、Te;50.3原子％、Bi;11.2原子％(Sb—Bi;20.9原子％)。图3中，作为N点表示该记录层的成分。表2示出评价实施例5的记录介质的结果。实施例5的记录介质，在所有的评价项目中被评价为A以上，其综合评价中为O。27[实施例6]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2Te3]为12，向Bi含有量为6.5原子％的成分中添加1.7原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检查的记录层的成分为Ge;40.8原子％、Sb;1.9原子％、Te;50.9原子％、Bi;6.4原子％(Sb—Bi;8.3原子％)。图3中，作为O点表示该记录层的成分。表2示出评价实施例6的记录介质的结果。实施例6的记录介质，在所有的评价项目中被评价为A以上，其综合评价中为O。[实施例7]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2Te3]为6，向Bi含有量为7原子％的成分中添加2原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检查的记录层的成分为Ge;39.2原子％、Sb;8.2原子％、Te;45.7原子％、Bi;6.9原子％(Sb—Bi;15.1原子％)。表2示出评价实施例7的记录介质的结果。实施例7的记录介质，在所有的评价项目中被评价为O以上，其综合评价中为O。[实施例8]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2Te3]为10，向Bi含有量为6.5原子％的成分中添加1.5原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检查的记录层的成分为Ge;51.9原子％、Sb;5.4原子％、Te;36.3原子％、Bi;6.4原子％(Sb—Bi;11.8原子％)。表2示出评价实施例8的记录介质的结果。实施例8的记录介质，在所有的评价项目中被评价为O以上，其综合评价中为O。[比较例1]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2化3]为8，Bi含有量为5.0原子％的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检查的记录层的成分为Ge;38.1原子％、Sb;4.5原子％、Te;52.4原子％、Bi;5.0原子％(Sb—Bi;9.5原子％)。在图4的三角坐标图中，作为P点表示该记录层的成分。表2示出评价比较例1的记录介质的结果。比较例l的记录介质，由于在档案0/W项目中被评价为X，所以其综合评价中为X。[比较例2]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2Te3]为8，向Bi含有量为9原子％的成分中添加6原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检查的记录层的成分为Ge;35.9原子％、Sb;6.2原子％、Te;49.4原子％、Bi;8.5原子％(Sb—Bi;14.7原子％)。在图4的三角坐标图中，作为Q点表示该记录层的成分。表2示出评价比较例2的记录介质的结果。比较例2的记录介质，由于在档案0/W项目中被评价为X，所以其综合评价中为X。[比较例3]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2丁e3]为3.8，向Bi含有量为7原子％的成分中添加2原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检查的记录层的成分为Ge;29.6原子％、Sb;10.7原子％、Te;52.8原子％、Bi;6.9原子％(Sb—Bi;17.6原子％)。在图4的三角坐标图中，作为R点表示该记录层的成分。表2示出评价比较例3的记录介质的结果。比较例3的记录介质，由于反射率被评价为X，所以其综合评价中为X。[比较例4]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2Te3]为13，向Bi含有量为6原子％的成分中添加1原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检查的记录层的成分为Ge;41.5原子％、Sb;1.4原子％、Te;51.2原子％、Bi;5.9原子％(Sb—Bi;7.3原子％)。在图4的三角坐标图中，作为S点表示该记录层的成分。表2示出评价比较例4的记录介质的结果。比较例4的记录介质，由于线速度8.2m/s时的CEIO、和所有的线速度的循环特性为X，所以其综合评价中为X。30<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>如上所述，记录层的成分在将Ge、Sb—Bi及Te作为顶点的三角坐标图中，存在于用A(Ge41.2,(Sb—Bi)7.4,Te51.4)、B(Ge39.8，(Sb—Bi)10.5,Te49.7)、C(Ge28.5,(Sb—Bi)21.7,Te49.8)及D(Ge30.6，(Sb—Bi)15.8,Te53.6)的各成分点包围的区域内，而且记录层包含的Bi的含有量为4原子％以上且小于13原子％时，能够获得反射率、线速度8.2m/s时的记录灵敏度、CEIO、循环特性及档案劣化量、线速度20.5m/s时的CEIO、循环特性及档案OAV劣化量均为可以实用的电平的记录介质。为了调查Bi含有量对记录介质特性的影响，制作实施例911及比较例5、6的记录介质后进行了评价。[比较例5]除了用GeTe化合物和(Sb-Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2Te3]为12，Bi含有量为3.5原子％的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检查的记录层的成分为Ge;41.4原子％、Sb;3.4原子％、Te;51.7原子％、Bi;3.5原子％(Sb—Bi;6.9原子％)。表3示出评价比较例5的记录介质的结果。由于线速度20.5m/s时的CE10、循环特性及档案0/W为X，所以其综合评价中为X。[实施例9]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2Te3]为12，向Bi含有量为4.5原子％的成分中添加0.5原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检査的记录层的成分为Ge;41.2原子％、Sb;2.9原子％、Te;51.4原子％、Bi;4.5原子％(Sb—Bi;7.4原子％)。表3示出评价实施例9的记录介质的结果。在所有的评价项目中获得32A以上的结果，其综合评价中为O。[实施例10]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2丁&]为12，向Bi含有量为5.5原子％的成分中添加0.5原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检查的记录层的成分为Ge;41.2原子％、Sb;1.9原子％、Te;51.4原子％、Bi;5.5原子％(Sb—Bi;7.4原子％)。表3示出评价实施例10的记录介质的结果。实施例3的记录介质，在所有的评价项目中获得为A以上的结果，其综合评价中为O。[实施例11]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2Te3]为4，向Bi含有量为11原子％的成分中添加6原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检查的记录层的成分为Ge;29.0原子％、Sb;9.8原子％、Te;50.8原子％、Bi;10.4原子％(Sb—Bi;20.2原子％)。表3示出评价实施例11的记录介质的结果。在所有的评价项目中获得A以上的结果，其综合评价中为O。[比较例6]除了用GeTe化合物和(Sb—Bi)2Te3化合物的摩尔比率；GeTe/[(Sb一Bi)2Te3]为4，向Bi含有量为13原子％的成分中添加8原子％的Sb后获得的组成物形成记录层以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。采用X线微量分析法检查的记录层的成分为Ge;28.5原子％、Sb;8.2原子％、Te;49.9原子％、Bi;13.4原子％(Sb—Bi;21.6原子％)。表3示出评价比较例6的记录介质的结果。由于线速度8.2m/s时及线33速度12.3m/s时的CE10及循环特性为X，所以其综合评价为X。[表3]34<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>作为参考，表3重新列出实施例6、实施例4及实施例5的评价结果。由表3可知Bi含有量小于4原子n/。时，不宜用于高速记录；Bi含有量超过13原子％时，不宜用于低速记录。还可以知道Bi含有量为5原子％以上、12原子％小于时，或〇的数量很多。为了调查第1界面层的组成对记录介质特性的影响，制作实施例12及13和比较例7的记录介质后进行了评价。[实施例12]除了使第1界面层的组成为(Zr20)25(Si02)25(Cr203)50以夕卜，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。表4示出评价实施例12的记录介质的结果。在所有的评价项目中获得，其综合评价中为O。除了使第1界面层的组成为Ge—N(Ge;55原子％、N;45原子％)以外，用和实施例1同样的方法制造了记录介质。表4示出评价实施例14的记录介质的结果。虽然综合评价中为O，但是A的数量较多，所以特性不如实施例12及13。作为参考，表3重新列出实施例1的评价结果。实施例l、12、13及14尽管记录层的组成相同，但是由于第1界面层的组成不同，所以记录特性产生了差异。这表明第1界面层的组成影响着记录特性。另外，由表4可知与本发明使用的Ge—Sb—Bi—Te类材料层相接地设置的第1界面层，最好包含Zr氧化物。本发明的光学性的信息记录介质，特定记录层包含的Ge—Sb—Bi—Te类材料的组成后，使记录的信号的长期保存性及高速改写特性优异。本发明的光学性的信息记录介质，作为DVD—RAM非常有用，作为可以改写的BD—RE也非常有用。权利要求1、一种光学性的信息记录介质，包含透明基板和在透明基板上直接或隔着其它层设置的、被光束照射后能够可逆性地进行相变化的记录层；所述记录层，包含由Ge、Sb、Bi及Te组成的Ge—Sb—Bi—Te类材料；在将Ge、Sb—Bi及Te作为顶点的三角坐标图中，所述Ge—Sb—Bi—Te类材料的成分，存在于由A(Ge41.2，(Sb—Bi)7.4，Te51.4)、B(Ge39.8，(Sb—Bi)10.5，Te49.7)、C(Ge28.5，(Sb—Bi)21.7，Te49.8)及D(Ge30.6，(Sb—Bi)15.8，Te53.6)的各成分点包围的区域内，而且，所述Ge—Sb—Bi—Te类材料中包含的Bi的含有量为4原子％以上且小于13原子％。2、如权利要求1所述的光学性的信息记录介质，其特征在于所述记录层，只由Ge、Sb—Bi及Te构成。3、如权利要求1所述的光学性的信息记录介质，其特征在于记录层还包含从Ag、In、Se、Sn、Al、Ti、V、Mn、Fe、Co、Cr、Ni、Cu、Zn、Zr、Ga、Si、Dy、Pd、Pt、Au、N、O、S、B、C及P中选择的至少一个元素，该元素的合计含有量在5原子％以下。4、如权利要求1所述的光学性的信息记录介质，其特征在于包含第1保护层、第2保护层及反射层，从靠近光束的射入面的一侧起，依次设置第l保护层、记录层、第2保护层及反射层。5、如权利要求4所述的光学性的信息记录介质，其特征在于第1保护层包含ZnS为60moin/。以上，其膜厚在100nm以上且小于150nm。6、如权利要求4所述的光学性的信息记录介质，其特征在于第2保护层包含ZnS为60mol。/。以上，其膜厚在35nm以上且小于55nm。7、如权利要求4所述的光学性的信息记录介质，其特征在于在第l保护层与记录层之间，具有第l界面层。8、如权利要求7所述的光学性的信息记录介质，其特征在于第1界面层，包含Zr氧化物，其膜厚在0.5nm以上且小于10nm。9、如权利要求4所述的光学性的信息记录介质，其特征在于在记录层与第2保护层之间，具有第2界面层。10、如权利要求9所述的光学性的信息记录介质，其特征在于第2界面层，包含Zr氧化物，其膜厚在0.5nm以上且小于10nm。11、如权利要求1所述的光学性的信息记录介质，其特征在于记录层的膜厚在5nm以上、15nm以下。12、如权利要求4所述的光学性的信息记录介质，其特征在于反射层是包含Ag为90原子％以上的材料，其膜厚在60nm以上且小于140nm。13、如权利要求4所述的光学性的信息记录介质，其特征在于包含光吸收层，光吸收层设置在反射层与第2保护层之间。14、如权利要求1所述的光学性的信息记录介质，其特征在于具备2个以上的记录层，至少1个记录层包含所述Ge—Sb—Bi—Te类材料。全文摘要包含透明基板和在透明基板上直接或通过其它层作媒介设置的、被光束照射后能够可逆性地进行相变化的记录层；记录层的成分，在将坐标作为(Ge、(Sb-Bi)、Te)的三角坐标图中，存在于用A(41.2，7.4，51.4)、B(39.8，10.5，49.7)、C(28.5，21.7，49.8)及D(30.6，15.8，53.6)的各成分点包围的区域内，而且记录层包含的Bi的含有量为4原子％以上且小于13原子％，从而获得和DVD-ROM相同的容量、在用记录线速以DVD的2倍(大约8.2m/s)到DVD的5倍(大约20.5m/s)的记录线速记录时，也具有优异的特性，而且保存稳定性优异的记录介质。文档编号G11B7/257GK101500815SQ20078002691公开日2009年8月5日申请日期2007年8月30日优先权日2006年9月1日发明者保阪富治,山田升,草田英夫申请人:松下电器产业株式会社