专利名称：：用于记录介质的基板、及使用该基板的磁记录介质的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种用于记录介质的基板、该记录介质用于安装在计算机的外部存储设备和各种其他磁记录设备中的磁记录介质，还涉及使用这种用于记录介质的基板的磁记录介质。102.
背景技术：
：伴随着磁盘中高密度存储器的最近趋势而来的是磁记录方法从常规的面内记录(纵向记录)向垂直记录的转变。通过垂直记录方法的开发，记录密度已显著改进，然而面内记录方法的记录密度被限制在100千兆位/平方英寸，而目前已实现超过400千兆位/平方英寸的记录密度。然而，第一15代简单垂直磁记录的限值是400千兆位/平方英寸。这是因为为了提高记录密度，位大小必须变得更小，但如果位大小变得更小，则热波动会导致位劣化、即容易发生随机磁化反转。为防止由热波动引起的这种位劣化，满足以下方程式(1)是必要条件。[方程式1]20Y>60(1)在方程式(1)中，Ku是单轴磁各向异性常数，V是磁记录层每位的体积，k是玻耳兹曼常数，而T是绝对温度。方程式(1)的左侧称为热稳定性指数。艮P，在位大小变得更小时，体积V必然减小。为了克服热波动的不稳25定性，尽管体积V减小也必须使热稳定性指数满足公式(1)。在使用期间的温度为常数时，为了增大热稳定性指数，必须增大单轴磁各向异性常数Ku的值。Ku是取决于磁性材料的常数，且通过方程式(2)的关系给出。在方程式(2)中，He代表矫顽力，Ms是饱和磁化强度，且Nz和Ny分别表示z方向和y方向上的去磁系数。从方程式(2)可见，矫顽力He与Ku成比例。即，如果为了克服上述5热波动而选择具有大Ku的材料，则表示反转磁化的磁场的强度的矫顽力He也变大，使得通过磁头的磁化反转变困难；换言之出现了信息写入变困难的现象。"伴随更高密度的体积的减小"、"由热波动引起的记录的长期稳定性"、以及"由高He引起的记录困难"这些问题以复杂方式相互联系，构成所谓的"三难选择"，以使得不可能通过常规方法的延伸来发现10解决方案。最近，已提出各种方法来避开这个三难选择。一种有效的方法是热辅助记录方法(参见日本专利申请公开No.2006-12249和日本专利申请公开No.2003-45004)。在热辅助方法中，上述三难选择状态是通过解决"由高H。引起的记录15困难"而留下其他两个问题来处理的。具体地，在使用磁头将数据写到采用高He材料的磁记录介质上时，通过用光短时间地辐射磁记录介质，该被加热的记录介质的He被短时间地降低，以使得即使使用弱磁场也使写入成为可能。受热波动影响的长期稳定性可通过再次在足够短的时间内冷却到读取温度以使由热波动引起的位劣化不发生来保证。20这样，已开始了对作为下一代垂直记录方法的原型热辅助方法的研究和开发，并且理论上已提出超过1太位(Tbit)/平方英寸的记录密度的可能性(FUJITSU,Vol.58,No.1，第85-89页(2007))。然而，虽然热辅助方法原理上具有很大的潜力、被视为下一代垂直记录方法的有前景候选、且在商业化准备中作为详细研究的对象，但是同时已发现了各种问题。25—个问题是基板。目前，实际用作磁记录介质基板的基板是铝基板和玻璃基板。铝基板在基底铝材料的表面上具有约l(Him的镍磷(NiP)电镀层，并且主要用于桌上型计算机和非便携式硬盘驱动器(HDD)记录器。玻璃基板是非晶材料基板和结晶化玻璃基板，且用于笔记本计算机和其他便携设备。此外，虽然还未商业化，但过去也已提出了单晶硅基板(参见日本专利申请公开No.4-143946和日本专利申请公开No.6-195707)。在热辅助方法中，在写入期间通过磁头执行光辐射以局部和即时地升高所需部位的温度，并在写入结束时也同时结束光辐射，快速冷却到使用温度是合乎需要的。为获得这种性能，在加热期间，低热导率是基板的合5乎需要的特性。另一方面，在冷却期间，高热导率是基板所要追求的特性。艮P，如果在加热期间尝试使用小量能量显著升高局部温度，则目标区域之外的温度不升高是合乎需要的。为此，热导率为低是合乎需要的。另一方面，为了使写入微小加热部分的信息可稳定持续，在冷却期间尽可能快地冷却到使用温度是合乎需要的；为此，为使基板可发挥散热片的作用，具10有高热导率的材料是必要的。热导率随着材料的改变而大大改变，玻璃基板是1.8瓦/(米，开尔文)(W/(m.K))、NiP膜是5.0W/(m'K)、而硅基板是126W/(m.K)。因此，NiP膜和玻璃基板的热导率相比诸如铝(铝的热导率是230W/(m，K))之类的金属是极其低的，从而在热辅助方法中的加热期间呈现出出色性能，并观察15到便于获得超过1太位/平方英寸的记录密度的加热性能。然而，因为NiP膜和玻璃基板具有低热导率，所以在冷却期间无法获得热辅助方法的预期性能，且如果写入和读取接连继续，则磁记录层的温度没有充分下降，并观察到写入信息不稳定的现象。用于记录介质的基板所追求的一个重要特性是机械强度。在现有技术20中，已使用NiP电镀铝基板、玻璃基板、以及类似物作为用于记录介质的基板。铝基板具有弹性、且不会轻易断裂。并且，在使用玻璃基板时，进行测量以保证机械强度。己采用保证易于脆性破裂的玻璃基板的机械强度的方法(1)采用结晶化玻璃的方法，以及(2)其中使用称为化学强化的处理以在基板表面引入压应力并提高机械强度的方法。25类似玻璃的硅基板是脆的，尤其是包括单晶体，从而裂缝趋于沿着开裂面出现。用于记录介质的基板的一种类型的机械强度称为环形弯曲强度；其模拟在将记录介质放入硬盘驱动器(HDD)、夹住介质内圆周部时的机械强度。因为在HDD中介质在内圆周被夹住，所以在将过大力施加到介质时，破裂发生于内圆周端面。在诸如玻璃基板或硅基板之类的脆性材料承5受应力时，应力集中在存在于表面中的裂缝的尖端，并且因此形成于去心工艺的裂缝在基板中开孔的程度影响环形弯曲强度，且极弱区域可根据裂缝深度的分布而存在。为了避免这些区域，在去心和端面倒角之后，内圆周和外圆周端面被抛光以除去裂缝，以便于改进环形弯曲强度。5最近，许多HDD应用已存在于诸如笔记本计算机之类的便携设备中，且为此已要求即使在设备落下时HDD也不断裂；并且已同样要求用于记录介质的基板除常规环形弯曲强度之外还具有高的落下冲击强度(dropimpactstrength)。落下冲击强度是在结合有记录介质的HDD被固定到落下冲击试验机、并经受通常具有1000G的峰值加速度、持续时间约为1ms10的冲击时，基板中是否有破裂的度量。因为在测量上述环形弯曲强度时，力被逐渐施加到基板内圆周以调查基板破裂是否发生，所以这是准静态断裂试验。另一方面，落下冲击试验是动态断裂试验，其中在施加加速度的约lms的间隔期间，基板振动并且力被多次施加到内圆周被夹部分。因此具有高环形弯曲强度的基板并非必需具有高的落下冲击强度。例如，具有152.5英寸公称直径的硅基板具有280N的环形弯曲强度，其与公称直径为2.5英寸的玻璃基板的150N的环形弯曲强度相比是高的。然而，在具有1000G加速度x1ms的落下冲击试验中，和硅基板的30%高的断裂可能性相比，玻璃基板的断裂可能性为零。因此，落下冲击强度的改进对硅基板仍然是个问题。20如以上所说明地，即使在原理上是有前景的下一代垂直记录方法的热辅助方法的情况下，作为累积详细研究的结果多个问题也已显现；一个这样的问题是基板的热传导问题。具体地，在热辅助方法中，其中通过磁头写入信息的微小区域必须被快速加热，此外该已被加热的微小区域必须被快速冷却，从而需要基板具有在加热期间为低热导率、在冷却期间为高热25导率的相互矛盾特性。此外，同时需要机械强度(环形弯曲强度和落下冲击强度)为高。更进一步地，在沉积磁记录介质的组成层时，还需要足以能自由施加偏压的电导率
发明内容本发明是根据以上问题设计的，并具有提供一种基板的目的，在该基板中有效实现了加热期间的低热导率以及冷却期间的高热导率、同时具有高机械强度、且此外可容易地对其施加偏压。本发明第一方面的用于记录介质的基板具有带中心孔的圆盘形，且是5用于记录介质的具有主面、邻近中心孔的基板内圆周端面、邻近主面和基板内圆周端面的基板内圆周倒角部、置于主面与基板内圆周端面相反一侧的基板外圆周端面、以及邻近主面和基板外圆周端面的基板外圆周倒角部的基板。该用于记录介质的基板进一步具有单晶硅支承构件和形成于单晶硅支承构件上的Si02膜，且Si02膜在主面上的膜厚度小于10nm，并优选10从2nm到8nm。更进一步地，基板内圆周端面和基板内圆周倒角部上的Si02膜具有50nm或更大的膜厚度是合乎需要的。此外，基板外圆周端面上的SiO2膜具有10nm或更小的膜厚度是合乎需要的。更进一步地，至少基板内圆周端面和基板内圆周倒角部上的Si02膜通过单晶硅支承构件的热氧化形成是合乎需要的。15本发明第二方面的磁记录介质具有至少第一方面的用于记录介质的基板、以及形成于用于记录介质的基板上的磁记录层。通过使在具有以上构造的本发明的用于记录介质的基板的主面上的Si02膜的膜厚度小于10nm，并优选从2nm到8nm，可获得适用于热辅助记录方法的加热期间的低有效热导率和冷却期间的高有效热导率。更进一20步地，通过使在基板内圆周端面50上的SiO2的膜厚度为50nm或更大，可实现适用于便携式应用的高环形弯曲强度和高落下冲击强度，从而在1000Gx1ms条件下的落下冲击试验中能有耐久性。更进一步地，通过使在基板外圆周端面上的Si02膜的膜厚度为10nm或更小，能使在沉积磁记录介质的组成层期间施加偏压成为可能，并且可制造出高质量的磁记录介25质。使用上述用于磁记录介质的基板制造的磁记录介质可通过热辅助记录方法用于高密度记录，且此外其具有足够的机械强度以适应便携式应用。图1示出本发明的用于记录介质的基板的构造，其中图1A是俯视图，而图IB是沿剖面线Ib-Ib的截面视图2示出本发明的硅基板的制造过程，其中图2B到图2E是示出这些过程的截面视图；以及5图3是示出Si02膜厚和本发明的硅基板的主面的TAA特性之间关系的曲线图。具体实施例方式图1是本发明第一方面的用于记录介质的基板的概要图。图1A示出用10于记录介质的基板的俯视图，而图1B示出沿剖面线Ib-Ib的记录介质的截面视图。本发明的用于记录介质的基板包括单晶硅支承构件1、以及形成于该单晶硅支承构件1上的SiOj莫3。本发明的用于记录介质的基板的形状是具有中心孔8的圆盘形；该记录介质具有其上记录信息的主面2。在基板的内圆周部，邻近中心孔8有作为与主面2垂直的圆柱面的基板内圆周15端面4，以及作为截锥表面、置于主面2和基板内圆周端面4之间并相对主面2倾斜的基板内圆周倒角部6。在基板外圆周部，置于主面的与基板内圆周端面4相反的一侧的有作为与主面2垂直的圆柱面的基板外圆周端面5、以及作为截锥表面、置于主面2和基板上端面5之间并相对主面2倾斜的基板外圆周倒角部7。20例如，假设以每分钟转数(rpm)为4200的旋转速率驱动通过在常温(25°C)将作为磁记录层的具有5xl(T尔格/立方厘米(5"06焦耳/立方米)的高Ku值的材料(例如，钴铂(CoPt)合金)的膜沉积到具有2.5英寸公称尺寸的基板上而制备的记录介质以进行记录。作为一个示例，考虑加热和冷却存在于距离记录介质中心半径20nm位置的位。如果假定2太位/平25方英寸的记录密度，则位具有约18mn的直径。为了使来自安装在记录磁头的激光的光选择性地辐射和加热位，需要激光辐射时间充分短，从而直径18nm的位可被认为是有效固定的。考虑记录介质以4200rpm旋转，激光辐射时间必须被设成约2纳秒。另一方面，已通过激光辐射加热的位冷却到固定温度所需的时间较短也是合乎需要的。然而，考虑加热状态下的位的磁化稳定性、作用于邻近位的热效应、以及表面保护膜和润滑膜的热阻，类似于加热工艺冷却在2纳秒内发生是合乎需要的。在1太位/平方英寸或更少的记录密度的情况下，如通过日本专利申请No.2007-237050的发明人所公开地，在Si02膜形成于主面上、此外Si02膜的膜厚度在10nm到50nm5范围内时，加热特性和冷却特性被平衡。这是因为与本发明相比，所需冷却速率降低1.5倍。另一方面，在记录密度是2太位/平方英寸或如在本发明情况下更高、远超过1太位/平方英寸时，虽然可满足所需加热特性，但是已发现在冷却期间不能获得足够的冷却速率。在这里，对记录密度是2太位/平方英寸的情况进行说明；由于记录密10度进一步增大，需要更快的冷却速率，所以在这种情况下，可容易推断Si02膜的膜厚度将更接近0nm。作为通过本发明人的广泛研究的结果，得出结论为了在加热特性和冷却特性之间获得平衡，以下事项是重要的。即，单晶硅支承构件1的热导率是固有物理性质、不能通过其他因素改进，而加热特性可通过除单晶15硅支承构件1的绝热特性之外的热源的输入功率和其他外部因素确定。因此，研究了其中为保证所需冷却特性，Si02膜3的在单晶硅支承构件1的主面2上的膜厚度被做得尽可能地薄的情况下的加热和冷却性能。结果，发现与日本专利申请No.2007-237050公开的结果相反，在主面2上的具有低热导率的Si02膜3被做成小于10nm厚、并优选8nm厚或更薄时，可获20得足够的冷却速率。另一方面，发现在加热工艺中，如果控制激光功率，且如果Si02膜3的膜厚度是2nm或更厚，则在加热特性和冷却特性之间可获得令人满意的平衡。因为加热工艺发生在极短时间内，所以其被认为是绝热过程，所以如果将激光功率做得极高，则即使完全没有Si02膜加热也是可能的。然而，考虑到激光的成本，省略Si02膜3没有益处，提供2nm25或更大膜厚度的Si02膜3是合乎需要的。考虑到以上各点，Si02膜3在主面2上的的膜厚度小于10nm，且优选膜厚度被设成2nm到8nm是合乎需要的。第二，在这方面的用于记录介质的基板中，在该基板内圆周端面4和在该基板内圆周倒角部6上的Si02膜3具有50nm或更大、优选从100nm到500nm的膜厚度是合乎需要的。本发明人发现，作为刻苦研究各方法以改进包括单晶硅的用于记录介质的基板的落下冲击强度的结果，通过与玻璃基板情况类似地引入压应力，即使裂缝在落下冲击试验中在最大加速度出现，如果由后续加速度引起的力等于或小于该压应力，则也可防止裂缝5扩展。在玻璃基板的情况下，通过称为化学强化的方法引入压应力，在该方法中具有小离子半径的元素被具有大离子半径的元素替代。在单晶硅中，不能执行类似用于玻璃基板的化学强化处理；但发现通过在单晶硅表面形成热氧化物膜并将氧扩散入硅，可在所获得的Si02膜中引入大的压应力(参见Jpn.J.Appl.Phys.,Vol.42，No.12,第7250-7255页(2003))，并且通过10这个方法可改进落下冲击强度。通过在基板内圆周端面4和基板内圆周倒角部6上形成具有如上所述范围内的膜厚度的Si02膜3，可获得具有能经受持续时间为1ms的1000G的假定加速度峰值的落下冲击强度的本发明的用于记录介质的基板。第三，在本方面的用于记录介质的基板中，在基板外圆周端面5上的15Si02膜3具有10nm或更小、优选5nm或更小的膜厚度是合乎需要的。更进一步地，如图1B所示，在基板外圆周端面5上的Si02膜3可被完全除去，从而暴露单晶硅支承构件1。这从在使用本方面的用于记录介质的基板来制造磁记录介质时能将偏压施加到基板上的观点来看是有效的。为了施加偏压，Si02膜3的一部分必须具有膜厚度，以使隧道电流可从电极(未20示出)传输到单晶硅支承构件1。然而，为了实现高落下冲击强度，通过热氧化形成的膜厚度为50nm或更大的Si02膜3有必要在通过夹具与主轴马达(未示出)连接的基板内圆周端面4和基板内圆周倒角部6上。因此，将在基板外圆周端面5上的Si02膜3的膜厚度设置在上述范围内是有效的。然后，参考图2说明一种制造本方面的用于记录介质的基板的方法。25图2A到图2E是总地示出该制造方法的各个阶段的截面视图。首先，切片圆柱形单晶硅锭以制造具有圆盘形的单晶硅坯件(blank)l'，如图2A所示。此工艺可使用本工程领域任意公知手段执行。如果需要，则在切片之后，可执行主面2的搭接和抛光，以使主面2平滑并从该主面2消除杂质、凸起以及类似物。接着，执行内圆周去心以在单晶硅坯件r的中心设置中心孔8，以制造如图2B所示的单晶硅支承构件1。此工艺可使用本工程领域任意公知手段执行。如果需要，则在制造中心孔8之后，可执行主面2的搭接和抛光，以使主面2平滑并从该主面2消除杂质、凸起以及类似物。5随后，执行单晶硅支承构件1的内圆周和外圆周的倒角加工，以在基板内圆周部中形成基板内圆周倒角部6、以及在基板外圆周部中形成基板外圆周倒角部7。此工艺可使用本工程领域任意公知手段执行。然后，执行基板内圆周部(基板内圆周端面4和基板内圆周倒角部6)和基板外圆周部(基板外圆周端面5和基板上倒角部7)的抛光。此工艺对10除去可能存在于基板内圆周部和基板外圆周部上的杂质和凸起有效，并在后续热氧化工艺中便于形成具有均匀膜厚度的Si02膜3。此工艺可使用本工程领域任意公知手段执行。虽然该选择是任意的，但在此工艺之前或之后可执行主面2的抛光以改进在热氧化工艺中形成于主面2上的Si02膜3的膜厚度的均匀性。15接着，执行单晶硅支承构件1的整个表面的热氧化以形成Si02膜3，如图2D所示。可通过在蒸气、或包括氧化剂的其他气氛中将单晶硅支承构件1加热到85(TC和95(TC之间的温度来执行热氧化。此时，通过控制加热时间，可控制所获得的Si02膜3的膜厚度。将加热时间设置成至少在基板内圆周端面4和基板内圆周倒角部6上获得具有50nm或更大所需厚度的20Si02膜3。随后，执行基板外圆周端面5的抛光、并且SK)2膜3的形成于基板外圆周端面5上的一部分被除去，如图2E所示，以使在基板外圆周端面5上的Si02膜3的膜厚度为10nm或更小。完全除去基板外圆周端面5上的Si02膜3的示例在图2E中示出。25最后，为了调整基板表面形状同时保证主面2上的Si02膜3的膜厚度在2nm和8nm之间，对主面2抛光，并获得本方面的用于记录介质的基板。作为本发明的用于记录介质的基板的制造方法的一个示例，对图2中例示的方法进行描述；然而，只要能获得本发明的用于记录介质的基板的结构，就可改变工艺的次序。本发明第二方面的磁记录介质被配置成至少一个磁记录层形成于第一方面的用于记录介质的基板的主面2上。在需要时，衬层、软磁层、种子层、中间层和类似层可形成于用于记录介质的基板和磁记录层之间。并且，在需要时，保护层和润滑层可形成于磁记录层上。5可使用钛(Ti)或诸如铬钛合金之类的包括铬(Cr)的非磁性材料形成可任选设置的非磁性衬层。可使用包括铁钽碳、铝硅铁粉(铁硅铝)合金、或类似物的结晶材料；包括铁钽碳、钴铁镍、钴镍磷或类似物的微晶材料；或包括钴锆钕、钴锆铌、钴钽锆或其他钴合金的非晶材料形成可任选设置的软磁性层。因为软10磁层是在磁记录层中集中垂直方向磁场的层，所以膜厚度的最佳值随着用于记录的磁头的结构和特性而改变，但是考虑到与生产率的平衡，约10nm或更大、但500nm或更小的厚度是合乎需要的。可使用诸如镍铁铝、镍铁硅、镍铁铌、镍铁硼、镍铁铌硼、镍铁钼、镍铁络或类似物的坡莫合金系材料；诸如钴镍铁、钴镍铁硅、钴镍铁硼、15钴镍铁铌、或类似物的进一步添加钴的坡莫合金系材料；钴；或诸如钴硼、钴硅、钴镍、钴铁或类似物的钴基合金形成可任选设置的种子层。种子层具有足以控制磁记录层的晶体结构的膜厚度是合乎需要的；在常规情况下，3nm或更大、但50nm或更小的膜厚度是合乎需要的。可使用钌或主要成分是钌的合金形成可任选设置的中间层。该中间层20通常具有0.1nm或更大但20nm或更小的膜厚度。通过在此范围内设置膜厚度，可将高密度记录所必需的特性给予磁记录层，而不引起磁记录层的磁特性或电磁转换特性的劣化。可通过使用本工程领域任意公知方法，诸如溅射方法(直流磁控溅射方法、射频磁控溅射方法或类似方法)、真空蒸发方法或类似方法执行前25述衬层、软磁层、种子层和中间层的形成。可使用包括至少钴和铂的合金作为适当的铁磁材料形成磁记录层。为执行垂直磁记录，需要磁记录层的易磁轴(密排六方(hcp)结构中的c轴)在垂直于记录介质表面(即用于记录介质的基板的主面2)的方向上对准。可使用诸如例如钴铂、钴铬铂、钴铬铂硼、钴铬铂钽和类似物的合金材料形成磁记录层。对磁记录层的膜厚度没有施加特别的限制。然而，从生产率和提高记录密度的观点来看，优选具有30nm或更小的膜厚度、更优选具有15nm或更小厚度的磁记录层。可通过使用本工程领域任意公知方法，诸如溅射方法(直流磁控溅射方法、射频磁控溅射方法或类似方法)、真5空蒸发方法或类似方法执行磁记录层的形成。可使用诸如碳(非晶碳或类似物)或其他用于磁记录介质保护膜的公知材料之类的各种薄膜材料形成可任选设置的保护层。该保护膜是保护其下的磁记录层和更下面的各组成层的层。可使用通常的溅射方法(直流磁控溅射、射频磁控溅射)、真空蒸发、化学汽相沉积方法或类似方法形成10该保护层。可任选设置的润滑层是在记录/回放磁头接触磁记录介质时给予润滑的层，并且可使用例如全氟代聚醚液态润滑剂或各种其他本工程领域公知的液态润滑材料形成。可通过诸如浸涂方法、旋涂方法或类似方法之类的本工程领域任何公知的施加方法形成液态润滑层。1具体实施例方式以下，各实施例用来更具体地说明本发明；然而，本发明不限于这些实施例，并且当然可在不背离本发明要旨的情况下作各种修改。(实施例l)20根据图2例示的制造方法制造用于记录介质的基板。首先，切片单晶硅锭以获得直径为65mm且厚度为0.675mm的单晶硅坯件r。该坯件r被去心，在该坯件r的中心形成直径20mm的中心孔，以获得单晶硅支承构件1。将搭接和抛光工艺施加到由此获得的单晶硅支承构件1的主面2，以平滑主面2并除去杂质和凸起。25接着，在单晶硅支承构件1的基板内圆周部和基板外圆周部执行倒角加工工艺，以形成基板内圆周倒角部6和基板外圆周倒角部7。随后，执行基板内圆周端面4、基板外圆周端面5、基板内圆周倒角部6、以及基板外圆周倒角部7的抛光，以从这些部分除去杂质和凸起。然后，在蒸气气氛中将单晶硅支承构件1加热到900°C持续0.5个小时，以形成200nm膜厚度的Si02膜3。接着，执行基板外圆周端面5的抛光以除去Si02膜3的一部分，从而使得单晶硅支承构件1在基板外圆周端面5暴露。随后，执行主面2的抛光以调整在主面2上的Si02膜3的膜厚度和主5面2的表面形状，从而获得用于记录介质的基板。在此实施例中，随着抛光条件改变并且随着主面2上的Si02膜3的膜厚度在0到13nm范围内改变，获得多个用于记录介质的基板。在SiOj莫3的膜厚度为零时，抛光之后接着浸入3重量百分比(wt%)浓度氢氟酸溶液2分钟，以可靠地除去残留在表面上的微量Si02。使用偏振光椭圆率测量仪测量主面2上的Si0210膜3的膜厚度。使用溅射方法在由此获得的各个用于记录介质的基板的主面2上形成包括铬钛的膜厚度为2nm的衬层、包括钴锆钕的膜厚度为40nm的软磁层、包括钴镍铁硅的膜厚度为16nm的种子层、包括钌的膜厚度为12nm的中间层、包括钴铂的膜厚度为20nm的磁记录层、以及包括非晶碳(a-C)的15膜厚度为3nm的保护层。最后，使用旋涂方法形成由膜厚度为2nm的润滑剂构成的润滑层，以获得磁记录介质。通过使用激光辐射磁头以将近场光用于热辅助介质而形成直径为15nm的射束点、并且使用其上安装有磁记录磁头的旋转支架以在被激光器加热的部分执行数据写入，测量所获得的磁记录介质的TAA(磁轨平均幅度)，20并评估电磁转换特性。以4200卬m的旋转速率、使用距离中心半径22mm的磁轨以及506MHz的记录频率执行TAA测量。这些条件相当于2太位/平方英寸的记录密度。获得的结果在图3中示出。在图3中，也示出使用用于现有技术的玻璃基板代替本发明的用于记录介质的基板、且如上所述地沉积从衬层到润滑层的各层而制备的磁记录介质的TAA测量结果。25由图3清楚可见，在主面2上的Si02膜3的膜厚度小于10nm时，获得超过60的出色的TAA值，该值是使用玻璃基板时为约40的值的1.5倍。当Si02膜3的膜厚度在2nm到8nm范围内时，TAA达到80或更高。另一方面，在Si02膜3具有大于10nm的膜厚度时，记录之后的冷却速率不够高，记录磁化变得不稳定，且TAA值降低。从上述内容可见，阐明通过将主面2上的Si02膜3的膜厚度设置为小于10nm，且优选在2nm到8nm范围内，可获得为热辅助记录方法寻求的结合记录期间的低热导率和记录之后的高热导率的磁记录介质。(实施例2)5除改变用于形成Si02膜3的热氧化处理时间以改变主面2上的Si02膜3、以及同时基板内圆周端面4和基板内圆周倒角部6上的Si02膜3的膜厚度改变之外，重复实施例1的过程以制造用于记录介质的基板。在此实施例中，基板内圆周端面4和基板内圆周倒角部6上的Si02膜3的膜厚度在0nm(即，没有热氧化处理在基板内圆周端面4和基板内圆周倒角部106上形成Si02膜3)到200nm变化。通过剖面透射电子显微镜法(TEM)测量基板内圆周端面4和基板内圆周倒角部6上的Si02膜3的膜厚度。用相应膜厚度制备二十个用于记录介质的基板，在基板内圆周端面4附近夹住基板，基板被放入试验HDD，在1000Gx1ms的条件下执行落下冲击试验，并评估基板的断裂速率。结果在表1中示出。同时，测量基15板的环形弯曲强度，结果在表1中示出。表l基板内圆周端面的Si02膜3的膜厚度的影响<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>由表1清楚可见，阐明如果基板内圆周端面4和基板内圆周倒角部6的Si02膜3的膜厚度是50nm或更大，则在1000Gx1ms条件下的落下冲20击试验中的断裂可能性是零，且落下冲击强度足够用于便携式应用中的用于记录介质的基板。虽然在这里没有通过数据值指示，但是通过将基板内圆周端面4和基板内圆周倒角部的热氧化Si02膜做厚，可增大落下冲击试验强度和环形弯曲强度。然而，因为膜厚度与热处理时间的平方成比例，所以增大的膜厚度导致成本上升。因此从强度和成本的观点来看，优选Si02膜3的膜厚度在100nm到500nm范围内。更进一步地，清楚基板内圆周端面4和基板内圆周倒角部6的热氧化5Si02膜的膜厚度的增大也伴随着环形弯曲强度的增大。(实施例3)除主面2上的Si02膜3的膜厚度是3nm、改变基板外圆周端面5的抛光条件以改变基板上端面5上的Si02膜3的膜厚度之外，重复实施例1的过程以制造用于记录介质的基板。在此实施例中，基板外圆周端面5上的10Si02膜3的膜厚度在0nm(即，完全除去基板外圆周端面5的Si02膜3)到100nm变化。通过剖面透射电子显微镜法(TEM)测量基板外圆周端面5上的Si02膜3的膜厚度。使电极在关于基板外圆周端面5的基板中心点对称的两点接触，并测量该两点之间的电阻。在电阻小于1MQ时，判断为可施加偏压(0)，而15在电阻大于1MQ时，判断为不可施加偏压(X)。结果在表2中示出。采样数量基板外圆周端面的SiOj莫厚度(nm)电阻判断3-10<1MQ03-25<1MQ03-310<1MQ03-420>1MQX3-550>1MQX3-6100>1MQX由表2清楚可见，如果基板外圆周端面5的Si02膜3的膜厚度是10nm或更小，则电阻小于1MQ，并且可对基板施加偏压。通过施加偏压，可给予磁记录介质的各组成层以较优特性。20权利要求1.一种带中心孔的圆盘形的用于记录介质的基板，包括主面；邻近所述中心孔的基板内圆周端面；邻近所述主面和所述基板内圆周端面的基板内圆周倒角部；置于所述主面的与所述基板内圆周端面相反一侧上的基板外圆周端面；以及邻近所述主面和所述基板外圆周端面的基板外圆周倒角部；其中所述用于记录介质的基板进一步包括单晶硅支承构件和形成于所述单晶硅支承构件上的SiO2膜，且所述SiO2膜在主面上的膜厚小于10nm。2.如权利要求1所述的用于记录介质的基板，其特征在于，所述主面上的Si02膜的膜厚为在2nm到8nm的范围内。3.如权利要求1或2所述的用于记录介质的基板，其特征在于，所述基15板内圆周端面和所述基板内圆周倒角部上的SiO2膜具有50nm或更大的膜厚。4.如权利要求1至3中任一项所述的用于记录介质的基板，其特征在于，所述基板外圆周端面上的Si02膜具有10nm或更小的膜厚。5.如权利要求1至4中任一项所述的用于记录介质的基板，其特征在于，至少所述基板内圆周端面和所述基板内圆周倒角部上的Si02膜通过单晶硅支20承构件的热氧化形成。6.—种磁记录介质，至少包括如权利要求1至5中任一项所述的用于记录介质的基板、以及形成于所述用于记录介质的基板上的磁记录层。全文摘要本发明提供一种用于记录介质的基板，该基板在加热期间显示低热导率而在冷却期间显示高热导率、具有高机械强度、在沉积磁记录介质的组成层期间可对其自由施加偏压、并且适于热辅助记录方法。本发明的用于记录介质的基板具有带中心孔的圆盘形，并包括主面；邻近中心孔的基板内周端面；邻近主面和基板内圆周端面的基板内圆周倒角部；置于主面与基板内圆周端面相反一侧上的基板外圆周端面；以及邻近主面和基板外圆周端面的基板外圆周倒角部，用于记录介质的基板进一步具有单晶硅支承构件和形成于该单晶硅支承构件上的SiO<sub>2</sub>膜，并且该SiO<sub>2</sub>膜的主面上的膜厚度小于10nm。本发明还提供使用这种基板的磁记录介质。文档编号G11B5/73GK101458936SQ20081017716公开日2009年6月17日申请日期2008年12月4日优先权日2007年12月11日发明者津田孝一申请人:富士电机电子技术株式会社