专利名称：非易失性存储器的操作方法
技术领域：
示例实施例提供了一种操作非易失性存储器的方法，更具体地说，提供了一种操
作非易失性存储器的方法，在所述操作方法中，仅将所述非易失性存储器从第一状态改变 为第二状态，而不将所述非易失性存储器从第二状态改变为第一状态。
背景技术：
为了以不同的格式来存储信息，开发了新型存储器单元。例如，新型存储器单元可 包括铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁电阻RAM(MRAM)、相变RAM (PRAM)和电阻RAM(ReRAM)。 具体地讲，因为PRAM和ReRAM可用除硅以外的材料制造并因此PRAM和ReRAM可利用三维
(3D)堆叠结构进行组合，所以在这些存储器单元中，PRAM和ReRAM受到关注。
发明内容
示例实施例提供一种操作非易失性存储器的方法，在所述方法中，可仅将非易失 性存储器从第一状态改变为第二状态，而不从第二状态改变为第一状态。 根据示例实施例， 一种操作非易失性存储器的方法可包括如下步骤将第一逻辑 地址和第一物理地址写入在查找表的第一行中，将第一数据编入到由第一物理地址指示的 数据存储空间，其中，查找表包括多个行，每行具有标签、逻辑地址和物理地址；将第一逻辑 地址和第二物理地址写入在查找表的第二行中，将第二数据编入到由第二物理地址指示的 数据存储空间，其中，当接收要求将第一数据改变为第二数据的指令时，执行写入第一逻辑 地址和第二物理地址的步骤以及编入第二数据的步骤，其中，非易失性存储器包括第一状 态和第二状态，在写入第一逻辑地址和第一物理地址的步骤及编入第一数据的步骤的过程 中并在写入第一逻辑地址和第二物理地址的步骤及编入第二数据的步骤的过程中，在查找 表和数据存储空间内的位的值从第一值改变为第二值，第一值与非易失性存储器的第一状 态对应，第二值与非易失性存储器的第二状态对应。 根据示例实施例，组成查找表和数据存储空间的位的值可不从第二值改变为第一 值。 根据示例实施例，非易失性存储器可在第一状态下具有较低的电阻且可在第二状 态下具有较高的电阻。 根据示例实施例，使非易失性存储器处于第一状态的第一电压脉冲信号可具有第 一幅值和第一脉冲持续时间，使非易失性存储器处于第二状态的第二电压脉冲信号可具有 第二幅值和第二脉冲持续时间，其中，第一幅值大于第二幅值，第一脉冲持续时间小于第二
脉冲持续时间。 根据示例实施例，第二物理地址可在第一物理地址之后。 根据示例实施例，所方法可包括在将第二数据编入到数据存储空间的步骤之前， 将查找表的第一行的标签从第一值改变为第二值。
根据示例实施例，所述方法可包括当接收要求读取由第一逻辑地址指示的数据的指令时，在查找表中搜索包括具有第一值的标签和第一逻辑地址的行，读取由包括在行 中的第二物理地址指示的数据。 根据示例实施例，所述方法可包括在写入第一逻辑地址和第二物理地址的步骤 以及编入第二数据的步骤之后的刷新操作，刷新操作将组成查找表和数据存储空间的所有 位的值从第二值改变为第一值。 根据示例实施例，通过电信号、热和电磁波中的一种可将非易失性存储器从第二 状态改变为第一状态。 根据示例实施例，所述方法可包括如果在刷新操作之前以升序的物理地址的顺 序执行编程，则在刷新操作执行之后以降序的物理地址的顺序编程，如果在刷新操作之前 以降序的物理地址的顺序执行编程，则在刷新操作执行之后以升序的物理地址的顺序编 程。 根据示例实施例，可在第二物理地址之后的物理地址上执行刷新操作之后的编 程。 根据示例实施例，所述方法可包括将第三数据编入由映射到第二逻辑地址的第三
物理地址指示的数据存储空间中，其中，在编入第一数据的步骤之后执行编入第三数据的
步骤，在编入第三数据的步骤之前或之后执行编入所述第二数据的步骤。 根据示例实施例，第三物理地址可在数据存储空间中编入的最后的物理地址之后。 根据示例实施例，可用电阻随机存取存储器、相变随机存取存储器和磁电阻随机 存取存储器中的一种来实施组成查找表和数据存储空间的位。 根据示例实施例，一种操作非易失性存储器的方法可包括将第一物理地址写入 在查找表的第一行的指针中，将第一数据编入到由第一物理地址指示的数据存储空间中， 其中，查找表包括多个行，每行具有指针；将第二物理地址写入在查找表的第一行的指针 中，将第二数据编入到由第二物理地址指示的数据存储空间中，其中，当接收要求将第一数 据改变为第二数据的指令时，执行写入第二物理地址的步骤和编入第二数据的步骤，其中， 非易失性存储器包括第一状态和第二状态，在写入第一物理地址的步骤和编入第一数据的 步骤的过程以及在写入第二物理地址的步骤和编入第二数据的步骤的过程中，在查找表和 数据存储空间内的位的值从第一值改变为第二值，第一值对应第一状态，第二值对应第二 状态。 根据示例实施例，组成查找表和数据存储空间的位的值可不从第二值改变为第一 值。 根据示例实施例，查找表的每行可包括多个指针，第二物理地址存储在第一行的 与第一行的存储第一物理地址的指针不同的指针中。 根据示例实施例，可用电阻随机存取存储器、相变随机存取存储器和磁电阻随机 存取存储器中的一种来实施组成查找表和数据存储空间的位。 根据示例实施例， 一种操作非易失性存储器的方法可包括通过将在查找表和数 据存储空间内的位的值从第一值改变为第二值，来将逻辑地址和物理地址写入在查找表的 行中并将第一数据编入到由物理地址指示的存储空间，查找表包括多个行，每行具有标签、 逻辑地址和物理地址；通过将在查找表和数据存储空间内的所有位的值从第二值改变为第
5一值来执行刷新操作。 根据示例实施例，仅当接收要求执行刷新操作的指令时，可执行刷新操作。
通过参照附图对示例实施例进行详细地描述，示例实施例的以上和其它特征和优
点将会变得更加清楚。附图意图描述示例实施例，并不应解释为为了限制权利要求所意图
保护的范围。除非明确的指出，否则附图不应被看作是按比例绘制的。 图1是示出根据操作非易失性存储器的方法的示例实施例的ReRAM的电压-电流
特性曲线图。 图2A至图2D是示出根据示例实施例的操作非易失性存储器的方法的示图。
图3是示出在执行图2A至图2D的方法之后根据示例实施例的编程多个数据的过 程的示图。 图4A和图4B是示出操作非易失性存储器的方法的修改的示例实施例的示图。
图5是示出操作非易失性存储器的方法的另一修改的示例实施例的示图。
图6是示出根据示例实施例的施加到相变RAM(PRAM)的电压脉冲信号的曲线图。
具体实施例方式
在此公开了详细的示例实施例。然而，为了描述示例实施例的目的，这里公开的特 定的结构上和功能上的细节仅仅是代表性的。然而，可以以许多替换性的形式来实施示例 实施例，且示例实施例不应被解释为仅限于在此阐述的实施例。 因此，虽然示例实施例能够具有各种修改和可选择的形式，但是通过附图中的示 例的方式示出了示例实施例的实施例，并且在此将详进行细描述。然而，应该理解的是，并 不意图使示例实施例局限于公开的具体形式，而是相反，示例实施例将覆盖落入示例实施 例范围内的所有修改、等同物和替换物。在附图的整个描述中，相同的标号表示相同的元 件。 应该理解的是，虽然术语第一、第二等在此可以用来描述各种元件，但是这些元件 不应受这些术语的限制。这些术语仅用来将一个元件与另一元件区别开来。例如，在不脱 离示例实施例的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，类似地，第二元件可被称为第 一元件。如这里所使用的，术语"和/或"包括一个或多个相关所列项目的任意组合和所有 组合。 应该理解的是，当元件被称作"连接"或"结合"到另一元件时，该元件可以直接连 接或结合到另一元件，或者可存在中间元件。相反，当元件被称作"直接连接"或"直接结合" 到另一元件时，不存在中间元件。应当以相同的方式解释用于描述元件之间的关系的其它 词语(例如"在...之间"和"直接在...之间"、"与...相邻"和"与...直接相邻"等)。
这里使用的术语仅为了描述具体实施例的目的，而不意图限制示例实施例。如这 里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还将理解的 是，当这里使用术语"包含"和/或"包括"时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和 /或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它 们的组。
还应该注意的是，在一些可选择的实施方式中，标示出的功能/动作可以不按照 图中标示出的顺序发生。例如，根据所涉及的功能/动作，连续示出的两幅图实际上可以基 本同时地执行，或者有时可以按照相反的顺序来执行。 ReRAM可包含数据存储材料。数据存储材料可以是镍氧化物层(Ni0)、钒氧化物层 (、05)、锌氧化物层(Zn0)、铌氧化物层(吣205)、钛氧化物层(Ti0》、钨氧化物层(W0》、钴氧 化物层(CoO)或它们的组合。 ReRAM的状态可根据数据存储材料的电阻值来确定。ReRAM的状态可分为设置状 态和重置状态。在设置状态下数据存储材料可具有较低的电阻值，在重置状态下数据存储 材料可具有较高的电阻值。基于施加到数据存储材料的电压，ReRAM可处在设置状态或重 置状态下。如果将给定范围的电压施加到ReRAM，则可在不改变ReRAM的状态的情况下确定 ReRAM的状态。 图1是示出根据操作非易失性存储器的方法的示例实施例的ReRAM的电压-电流 特性的曲线图。在图1中，水平轴表示施加到ReRAM(具体地说，施加到ReRAM的数据存储 材料)的电压。垂直轴表示根据施加的电压流过ReRAM(具体地说，流过数据存储材料)的 电流。 在下文中，施加到ReRAM的电压指施加到ReRAM的数据存储材料的电压，流过 ReRAM的电流指流过ReRAM的数据存储材料的电流，ReRAM的电阻指ReRAM的数据存储材料 的电阻。 参照图l，当施加到ReRAM的电压大于第二电压V2时，可以出现软击穿。如果出现 软击穿，则ReRAM的数据存储材料可表现出导电性且ReRAM的电阻会降低，ReRAM的状态可 改变为设置状态。在图1中，标号'T2'示出软击穿的出现可将ReRAM的状态改变为设置状 态。图1中的标号'G1'示出在设置状态下ReRAM的电流-电压特性。电流-电压特性Gl 示出在设置状态下ReRAM的电阻会较低。 当施加到ReRAM的电压小于第二电压V2和大于第一电压Vl时，ReRAM的数据存储 材料的导电性会降低或消失，ReRAM的电阻会变得较高，ReRAM的状态可改变为重置状态。 在图1中，标号'T1'示出ReRAM的状态可改变为重置状态，标号'G2'示出在重置状态下 ReRAM的电流-电压特性。电流-电压特性G2示出在重置状态下ReRAM的电阻会增加。
ReRAM的重置状态可对应数据0， ReRAM的设置状态可对应数据1 。因此，基于ReRAM 的两种状态可存储一位(bit)数据。 参照图1以及标号Gl和标号G2，当施加到ReRAM的电压小于第一电压VI时，根 据ReRAM的状态，流过ReRAM的电流的量可不同。因此，通过将小于或等于第一 电压VI的 电压施加到ReRAM，可以确定ReRAM的状态是设置状态还是重置状态。此外，也可确定存储 在ReRAM中的数据是1还是0。 在操作非易失性存储器的方法的示例实施例中，在编程操作的过程中ReRAM的状
态从重置状态改变为设置状态，而不是从设置状态改变为重置状态，因为与重置状态相比，
可以以较高的可靠性来实现ReRAM的设置状态。然而，应该注意的是，可通过减小电压脉冲
信号的宽度和增加电压脉冲信号的电压来可靠地实现ReRAM的重置状态。 可执行从ReRAM的设置状态改变为重置状态的刷新(refresh)操作。可周期性地
或不定期地执行刷新操作。也可以以低于编程操作的频率的频率来执行刷新操作。
图2A至图2D是示出操作如ReRAM的非易失性存储器的方法的示例实施例的示 图。参照图2A，可将组成查找表LUT和数据存储空间的位初始化为可与ReRAM的重置状态 对应的0。查找表LUT可包括多个行R0W1至R0W16。可将标签(在图2A至图2D中示出为 TAG)、逻辑地址(示出为LA)和物理地址(示出为PA)写入在行R0W1至R0W16中的每行中。 可根据物理地址将数据写入在数据存储空间中。 图2B示出将第一数据Dl写入到映射到第一逻辑地址0001的数据存储空间的过 程的示例实施例。参照图2B，可将第一逻辑地址0001和第一物理地址0001写入在查找表 LUT的第一行R0W1中。将第一逻辑地址0001和第一物理地址0001写入到第一行R0W1中 的步骤可包括第一逻辑地址0001和第一物理地址0001相互映射的过程。在将第一逻辑地 址0001和第一物理地址0001写入到第一行R0W1中之后，可将第一数据Dl编入到由第一 物理地址0001指示的数据存储空间。 图2C示出将第二数据D2写入到映射到第二逻辑地址0010的数据存储空间的过 程的示例实施例。参照图2C，可将第二逻辑地址0010和第二物理地址0010写入在查找表 LUT的第二行R0W2中。写入第二逻辑地址0010和第二物理地址0010的步骤可包括第二逻 辑地址0010和第二物理地址0010相互映射的过程。在将第二逻辑地址0010和第二物理 地址0010写入到第二行R0W2中之后，可将第二数据D2编入到由第二物理地址0010指示 的数据存储空间。 尽管以上将第二物理地址0010描述为在第一物理地址0001之后，但是示例实施 例不限于此，而且第二物理地址可以是任何不同于第一物理地址OOOl的物理地址。此外， 尽管以上将第二行R0W2描述为在第一行R0W1之后写入的下一行，但是示例实施例不限于 此，而且第二行R0W2可以是任何不同于第一行R0W1的行。 图2D示出将映射到第一逻辑地址0001的数据改变为第三数据D3的过程的示例 实施例。参照图2D，位于写入有第一逻辑地址0001的第一行R0W1中的标签可从0改变为 1。将标签从0改变为1的步骤可将第一行R0W1改变为无效行，相应地，存储在第一物理地 址0001的第一数据Dl可成为无效数据。 接下来，可将第一逻辑地址0001和第三物理地址0011写入查找表LUT的第三行 R0W3。写入第一逻辑地址0001和第三物理地址0011的步骤可包括第一逻辑地址0001和第 三物理地址0011相互映射的过程。在将第一逻辑地址0001和第三物理地址0011写入到 第三行R0W3中之后，可将第三数据D3编入到由第三物理地址0011指示的数据存储空间。
图3是示出在已经执行了图2A至图2D的方法的示例实施例之后编入多种数据的 过程的示例实施例的示图。参照图3，当接收要求将映射到第一逻辑地址0001的数据改变 为第四数据D4的指令时，位于写入有第一逻辑地址0001的第三行R0W3中的标签可从0改 变为1。尽管第一逻辑地址0001也写入在第一行R0W1中，但是如上关于图2D的描述，当位 于第一行R0W1中的标签从0改变为1时，可将第一行R0W1设置为无效行。
接下来，可将第一逻辑地址0001和第四物理地址0100写入在查找表LUT的第四 行R0W4中。写入第一逻辑地址0001和第四物理地址0100的步骤可包括第一逻辑地址0001 和第四物理地址0100相互映射的过程。在将第一逻辑地址0001和第四物理地址0100写 入到第四行R0W4中之后，可将第四数据D4编入到由第四物理地址0100指示的数据存储空 间。
类似地，可将第五数据D5、第六数据D6和第七数据D7编入到数据存储空间。
如上所述，操作非易失性存储器的方法的示例实施例提供的是，可将标签、逻辑地 址和物理地址的位从0改变为l，而不从1改变为0。 S卩，可将ReRAM从重置状态改变为设 置状态以表示位，而不是从设置改变为重置状态。 此外，仅可将数据新编入到数据存储空间，而可不改变存储在数据存储空间中的 数据。因此，假设将在数据存储空间中的位初始化为O，则可将初始化的位从O改变为l，而 可不将其从1改变为0。 可一次对数据存储空间中的所有位执行将数据存储空间中的位改变为0的刷新 操作。在刷新操作中，例如，可通过利用电信号、热或电磁彼将ReRAM的状态从可以是0的 第二状态改变为可以是1的第一状态。 在执行刷新操作之后，可再次执行编程操作。可利用在刷新操作执行之前所编程 的最后的物理地址之后的物理地址来执行编程操作。例如，如果在图3中所示的实施例的 情况下执行刷新操作，则可利用与第八行R0W8对应的逻辑地址和物理地址来开始编程。
示例实施例提供的是，如果在执行刷新操作之前以升序的物理地址的顺序执行编 程，则在刷新操作之后可以以降序的物理地址的顺序执行编程。可选的示例实施例提供的 是，如果在执行刷新操作之前以降序的物理地址的顺序执行编程，则在刷新操作之后可以 以升序的物理地址的顺序执行编程。例如，如果在图3中所示的示例实施例的情况下执行 刷新操作，则对第十六行R0W16、第十五行R0W15和第十四行R0W14的编程可以以第十六行 R0W16、第十五行R0W15和第十四行R0W14的顺序执行。 当接收要求读取由第一逻辑地址指示的数据的指令时，在查找表中搜索包括具有 第一值的标签和第一逻辑地址的行，读取由包括在所述行中的由第二物理地址指示的数 据。 参照图3所描述的示例实施例提供的是，可均匀地使用在数据存储空间中的多个 物理地址，这样可延长非易失性存储器的寿命。 图4A和图4B是示出操作非易失性存储器的方法的修改的示例实施例的示图。在 图4A和图4B所示的方法中，使用了标签(示出为Tag)、指针(示出为PT)和数据存储空 间。与图2A至图2D的方法类似，在编程操作的过程中，可将组成标签、指针和数据存储空 间的位从0改变为l，而不是从1改变为0。然而，在刷新操作中，可将标签、指针和数据存 储空间的位一次性地从0改变为1。 参照图4A，可分别将第一数据D41和第二数据D42写入在第一地址0011和第二
地址OIOI中。参照图4B，当接收要求将由第一地址0011指示的数据改变为第三数据D43
的指令时，可将第三地址1111存储在写入有第一地址0011的行的指针中，第三数据D43可
存储在第三地址1111。不会改变存储在第一地址OOll的数据，但是可将写入有第一地址
0011的行的标签从0改变为1，以指示存储在第一地址0011的数据是无效数据。 图5是示出操作非易失性存储器的方法的修改的示例实施例的示图。如图5所示，
作为可多于一次甚至多次改变存储在一个地址的数据的可能性的准备，多个指针可存在于
一行中。例如，当第一指令要求改变存储在地址的数据时，可将该地址存储在第一指针中。
此外，当第二指令要求改变存储在该地址的数据时，可将该地址存储在第二指针中。 在图5所示的示例实施例中，在编程操作中可将标签(示出为Tag)、多个指针(示
9出为PT)和数据存储空间的位从0改变为l，而不是从1改变为0。 尽管图1至图5参照ReRAM描述了操作非易失性存储器的方法的示例实施例，但
是示例实施例不限于此。可将该方法的示例实施例应用到多种类型的非易失性存储器，如 PRAM或M廳。 图6是示出根据示例实施例的在操作非易失性存储器的方法中施加到PRAM的电 压脉冲信号的曲线图。参照图6，当将第一脉冲信号PI提供到PRAM时，PRAM可处在重置状 态，当将第二脉冲信号P2提供到PRAM时，PRAM可处在设置状态。第一脉冲信号PI可具有 比第二脉冲信号P2较大的幅值和较短的脉冲持续时间。 操作非易失性存储器的方法的示例实施例进一步提供的是，在编程操作过程中， 可将PRAM从设置状态改变为重置状态，而不是从重置状态改变为设置状态。可周期性地或 不定期地执行从PRAM的设置状态改变为重置状态的刷新操作。例如，可以以小于编程操作 的频率的频率来执行刷新操作。 相比之下，在编程操作中，可将PRAM从重置状态改变为设置状态，而不是从设置 状态改变为重置状态。在这些示例实施例中，在刷新操作中，可将PRAM从重置状态改变为 设置状态。 示例实施例提供的是，在操作非易失性存储器的方法中，在编程操作中，可将非易 失性存储器从第一状态改变为第二状态，而不是从第二状态改变为第一状态，这样可使非 易失性存储器达到更可靠的状态。 已这样描述的示例实施例，明显的是，示例实施例可进行多种方式的改变。不认为 这样的改变脱离了示例实施例所意图的精神和范围，意图将所有这样的对本领域技术人员 来说是显而易见的修改包括在权利要求的范围内。
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权利要求
一种操作非易失性存储器的方法，所述方法包括如下步骤将第一逻辑地址和第一物理地址写入在查找表的第一行中，将第一数据编入到由所述第一物理地址指示的数据存储空间，其中，所述查找表包括多个行，每行具有标签、逻辑地址和物理地址；将所述第一逻辑地址和第二物理地址写入在所述查找表的第二行中，将第二数据编入到由所述第二物理地址指示的数据存储空间，其中，当接收要求将所述第一数据改变为所述第二数据的指令时，执行写入所述第一逻辑地址和所述第二物理地址的步骤以及编入所述第二数据的步骤，其中，所述非易失性存储器包括第一状态和第二状态，在写入所述第一逻辑地址和所述第一物理地址的步骤及编入所述第一数据的步骤的过程中并在写入所述第一逻辑地址和所述第二物理地址的步骤及编入所述第二数据的步骤的过程中，在所述查找表和所述数据存储空间内的位的值从第一值改变为第二值，所述第一值与所述非易失性存储器的所述第一状态对应，所述第二值与所述非易失性存储器的所述第二状态对应。
2. 如权利要求1所述的方法，其中，组成所述查找表和所述数据存储空间的位的值不 从所述第二值改变为所述第一值。
3. 如权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器在所述第一状态下具有较低 的电阻且在所述第二状态下具有较高的电阻。
4. 如权利要求1所述的方法，其中，使所述非易失性存储器处于所述第一状态的第一 电压脉冲信号具有第一幅值和第一脉冲持续时间，使所述非易失性存储器处于所述第二状 态的第二电压脉冲信号具有第二幅值和第二脉冲持续时间，所述第一幅值大于所述第二幅 值，所述第一脉冲持续时间小于所述第二脉冲持续时间。
5. 如权利要求1所述的方法，其中，所述第二物理地址在所述第一物理地址之后。
6. 如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在编入所述第二数据的步骤之前，将所 述查找表的所述第一行的标签从所述第一值改变为所述第二值。
7. 如权利要求6所述的方法，所述方法还包括当接收要求读取由所述第一逻辑地址指示的数据的指令时，在所述查找表中搜索包括 具有所述第一值的标签和所述第一逻辑地址的行，读取由包括在所述行中的第二物理地址指示的数据。
8. 如权利要求l所述的方法，所述方法还包括在写入所述第一逻辑地址和所述第二物理地址的步骤以及编入所述第二数据的步骤 之后的刷新操作，所述刷新操作将组成所述查找表和所述数据存储空间的所有位的值从所 述第二值改变为所述第一值。
9. 如权利要求8所述的方法，其中，通过电信号、热和电磁波中的一种将所述非易失性 存储器从所述第二状态改变为所述第一状态。
10. 如权利要求8所述的方法，所述方法还包括如果在所述刷新操作之前以升序的物理地址的顺序执行编程，则在所述刷新操作执行 之后以降序的物理地址的顺序编程，如果在所述刷新操作之前以降序的物理地址的顺序执行编程，则在所述刷新操作执行 之后以升序的物理地址的顺序编程。
11. 如权利要求8所述的方法，其中，在所述第二物理地址之后的物理地址上执行所述 刷新操作之后的编程。
12. 如权利要求l所示的方法，所述方法还包括将第三数据编入由映射到第二逻辑地址的第三物理地址指示的数据存储空间中， 其中，在编入所述第一数据的步骤之后执行编入所述第三数据的步骤，在编入所述第 三数据的步骤之前或之后执行编入所述第二数据的步骤。
13. 如权利要求12所述的方法，其中，所述第三物理地址在数据存储空间中编入的最 后的物理地址之后。
14. 如权利要求1所述的方法，其中，用电阻随机存取存储器、相变随机存取存储器和 磁电阻随机存取存储器中的一种来实施组成所述查找表和所述数据存储空间的所述位。
15. —种操作非易失性存储器的方法，所述方法包括如下步骤将第一物理地址写入在查找表的第一行的指针中，将第一数据编入到由所述第一物理 地址指示的数据存储空间中，其中，所述查找表包括多个行，每行具有指针；将第二物理地址写入在所述查找表的第一行的指针中，将第二数据编入到由所述第二 物理地址指示的数据存储空间中，其中，当接收要求将所述第一数据改变为所述第二数据 的指令时，执行写入所述第二物理地址的步骤和编入所述第二数据的步骤，其中，所述非易失性存储器包括第一状态和第二状态，在写入所述第一物理地址的步 骤和编入所述第一数据的步骤的过程以及在写入所述第二物理地址的步骤和编入所述第 二数据的步骤的过程中，在所述查找表和所述数据存储空间内的位的值从第一值改变为第 二值，所述第一值对应所述第一状态，所述第二值对应所述第二状态。
16. 如权利要求15所述的方法，其中，组成所述查找表和所述数据存储空间的位的值 不从所述第二值改变为所述第一值。
17. 如权利要求15所述的方法，其中，所述查找表的每行包括多个指针，所述第二物理 地址存储在所述第一行的与所述第一行的存储所述第一物理地址的指针不同的指针中。
18. 如权利要求15所述的方法，其中，用电阻随机存取存储器、相变随机存取存储器和 磁电阻随机存取存储器中的一种来实施组成所述查找表和所述数据存储空间的位。
19. 一种操作非易失性存储器的方法，所述方法包括通过将在查找表和数据存储空间内的位的值从第一值改变为第二值，来将逻辑地址和 物理地址写入在所述查找表的行中并将第一数据编入到由所述物理地址指示的存储空间， 所述查找表包括多个行，每行具有标签、逻辑地址和物理地址；通过将在所述查找表和所述数据存储空间内的所有位的值从所述第二值改变为所述 第一值来执行刷新操作。
20. 如权利要求19所述的方法，其中，仅当接收要求执行所述刷新操作的指令时，执行 所述刷新操作。
全文摘要
本发明提供了一种非易失性存储器的操作方法，在所述方法中，在编程操作的过程中，可仅将非易失性存储器从第一状态改变为第二状态，而可不从第二状态改变为第一状态。
文档编号G11C16/10GK101714403SQ20091020490
公开日2010年5月26日 申请日期2009年10月9日 优先权日2008年10月6日
发明者安承彦, 朴宰彻, 朴永洙, 权奇元, 李明宰 申请人:三星电子株式会社