技术方案2所述的非易失性存储器件，其中，在页缓冲器单元之中，奇数页缓冲器单元和偶数页缓冲器单元采用锯齿图案布置。
[0057]技术方案4.如技术方案3所述的非易失性存储器件，其中，所述奇数页缓冲器单元布置在与布置所述偶数页缓冲器单元的行不同的行中。
[0058]技术方案5.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述页缓冲器单元中的每个包括:
[0059]偶数页缓冲器区，其与所述单元阵列的偶数位线耦接；
[0060]奇数页缓冲器区，其与所述单元阵列的奇数位线耦接；以及
[0061]接触区，在所述接触区中所述偶数页缓冲器区的互连线和所述奇数页缓冲器区的互连线耦接至位线接触。
[0062]技术方案6.如技术方案5所述的非易失性存储器件，其中，所述接触区位于所述偶数页缓冲器区与所述奇数页缓冲器区之间。
[0063]技术方案7.如技术方案6所述的非易失性存储器件，其中，在所述接触区中所述偶数页缓冲器区的互连线和所述奇数页缓冲器区的互连线布置成交替的图案。
[0064]技术方案8.如技术方案5所述的非易失性存储器件，其中，所述页缓冲器控制电路单元中的每个与所述对应的页缓冲器单元中的所述偶数页缓冲器区、所述奇数页缓冲器区以及所述接触区相邻。
[0065]技术方案9.如技术方案I所述的非易失性存储器件，还包括位于所述页缓冲器控制电路单元的区域中的功率线，
[0066]其中，所述功率线彼此平行布置。
[0067]技术方案10.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述单元阵列具有二维2D结构，在所述二维2D结构中，所述单元阵列中的存储单元水平布置在相同平面上。
[0068]技术方案11.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述单元阵列具有3D结构，在所述3D结构中，存储单元垂直地层叠。
[0069]技术方案12.如技术方案11所述的非易失性存储器件，其中，所述单元阵列具有直沟道结构，在所述直沟道结构中，位线和源极线分别布置在垂直层叠的存储单元之上和之下。
[0070]技术方案13.如技术方案11所述的非易失性存储器件，其中，所述单元阵列具有U形状的沟道结构，在所述U形状的沟道结构中，位线和源极线都布置在垂直层叠的存储单元之上。
[0071]技术方案14.一种非易失性存储器件，包括:
[0072]上层，其包括单元阵列，所述单元阵列包括存储单元；以及
[0073]下层，其设置在所述上层之下，并且包括用于执行所述存储单元的单元数据的读操作和写操作的电路，
[0074]其中，所述下层包括:
[0075]分布式页缓冲器，其包括采用锯齿图案布置的多个页缓冲器单元，所述多个页缓冲器单元中的每个页缓冲器单元具有一定尺寸；以及
[0076]分布式页缓冲器控制电路，其包括多个页缓冲器控制电路单元，所述多个页缓冲器控制电路单元中的每个页缓冲器控制电路单元布置在对应的页缓冲器单元的一侧，所述多个页缓冲器控制电路中的每个页缓冲器控制电路具有一定尺寸。
[0077]技术方案15.如技术方案13所述的非易失性存储器件，其中，在所述页缓冲器单元之中，奇数页缓冲器单元和偶数页缓冲器单元采用锯齿图案布置。
[0078]技术方案16.如技术方案15所述的非易失性存储器件，其中，所述奇数页缓冲器单元布置在与布置所述偶数页缓冲器单元的行不同的行中。
[0079]技术方案17.如技术方案13所述的非易失性存储器件，还包括位于所述页缓冲器控制电路单元的区域中的功率线，
[0080]其中，所述功率线彼此平行布置。
[0081]技术方案18.如技术方案13所述的非易失性存储器件，其中，所述页缓冲器单元中的每个包括:
[0082]偶数页缓冲器区，其与所述单元阵列的偶数位线耦接；
[0083]奇数页缓冲器区，其与所述单元阵列的奇数位线耦接；以及
[0084]接触区，在所述接触区中，所述偶数页缓冲器区的互连线和所述奇数页缓冲器区的互连线耦接至位线接触，
[0085]其中，所述接触区设置在所述偶数页缓冲器区和所述奇数页缓冲器区之间。
[0086]技术方案19.如技术方案18所述的非易失性存储器件，其中，所述页缓冲器控制电路单元中的每个与所述对应的页缓冲器单元中的所述偶数页缓冲器区、所述奇数页缓冲器区以及所述接触区相邻。
【主权项】
1.一种非易失性存储器件，包括: 单元阵列； 分布式页缓冲器，其包括设置在所述单元阵列之下的多个页缓冲器单元，所述多个页缓冲器单元具有一定尺寸；以及 分布式页缓冲器控制电路，其包括多个页缓冲器控制电路单元，每个页缓冲器控制电路单元布置在相对应的页缓冲器单元的一侧，并且配置成控制所述对应的页缓冲器单元的操作，所述多个页缓冲器控制电路单元中的每个页缓冲器控制电路单元具有预定尺寸。2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述页缓冲器单元采用锯齿图案布置。3.如权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，在页缓冲器单元之中，奇数页缓冲器单元和偶数页缓冲器单元采用锯齿图案布置。4.如权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述奇数页缓冲器单元布置在与布置所述偶数页缓冲器单元的行不同的行中。5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述页缓冲器单元中的每个包括: 偶数页缓冲器区，其与所述单元阵列的偶数位线耦接； 奇数页缓冲器区，其与所述单元阵列的奇数位线耦接；以及 接触区，在所述接触区中所述偶数页缓冲器区的互连线和所述奇数页缓冲器区的互连线耦接至位线接触。6.如权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，所述接触区位于所述偶数页缓冲器区与所述奇数页缓冲器区之间。7.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，在所述接触区中所述偶数页缓冲器区的互连线和所述奇数页缓冲器区的互连线布置成交替的图案。8.如权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，所述页缓冲器控制电路单元中的每个与所述对应的页缓冲器单元中的所述偶数页缓冲器区、所述奇数页缓冲器区以及所述接触区相邻。9.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括位于所述页缓冲器控制电路单元的区域中的功率线， 其中，所述功率线彼此平行布置。10.一种非易失性存储器件，包括: 上层，其包括单元阵列，所述单元阵列包括存储单元；以及 下层，其设置在所述上层之下，并且包括用于执行所述存储单元的单元数据的读操作和写操作的电路， 其中，所述下层包括: 分布式页缓冲器，其包括采用锯齿图案布置的多个页缓冲器单元，所述多个页缓冲器单元中的每个页缓冲器单元具有一定尺寸；以及 分布式页缓冲器控制电路，其包括多个页缓冲器控制电路单元，所述多个页缓冲器控制电路单元中的每个页缓冲器控制电路单元布置在对应的页缓冲器单元的一侧，所述多个页缓冲器控制电路中的每个页缓冲器控制电路具有一定尺寸。
【专利摘要】一种非易失性存储器件包括：单元阵列；分布式页缓冲器，其包括设置在单元阵列之下的多个页缓冲器单元，多个页缓冲器单元具有一定尺寸；以及分布式页缓冲器控制电路，其包括多个页缓冲器控制电路单元，每个页缓冲器控制电路单元布置在对应的页缓冲器单元的一侧，并且配置成控制对应的页缓冲器单元的操作，多个页缓冲器控制电路单元中的每个页缓冲器控制电路单元具有预定尺寸。
【IPC分类】G11C16/06
【公开号】CN104979002
【申请号】CN201410584878
【发明人】吴星来, 金东赫
【申请人】爱思开海力士有限公司
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2014年10月27日
【公告号】US9165654, US20150287463