用于闪存器件的高压开关电路的制作方法
【专利说明】用于闪存器件的高压开关电路
[0001]相关申请的交叉参考
[0002]本申请要求分别于2014年6月16日和2014年6月24日提交的韩国专利申请N0.10-2014-0072534和N0.10-2014-0077183的优先权和权益，以上申请的公开通过引用全部结合于此。
技术领域
[0003]本发明涉及一种闪存器件，并且更具体地，涉及一种用于闪存器件的高压开关电路以及一种用于高压开关电路的栗浦(pumping)电路。
【背景技术】
[0004]闪存器件是用于执行程序操作和擦除操作的非易失性存储器件。在程序操作和擦除操作中，在闪存器件中使用高电平电压。通常，为此装配开关器件，以在闪存器件中发送高电平电压。
[0005]传统开关器件通常包括开关金属氧化物半导体(MOS)晶体管和栗浦MOS晶体管。开关MOS晶体管由选择信号进行门控并且被配置成发送高电平电压。此外，栗浦MOS晶体管作为栗浦电容器操作，并且被配置成通过栗浦操作增加选择信号的电压电平。
[0006]因此，期望开关器件能够增加栗浦电容器的电容，以增加选择信号的电压电平。此夕卜，由于开关器件的布局面积倾向于随着电容增加而增加，所以需要一种用于闪存的开关器件，其能够在增加电容的同时，最小化开关器件的布局面积的增加，或者甚至不增加或少量增加布局面积。
【发明内容】
[0007]本发明致力于一种用于闪存的高压开关器件，该高压开关器件能够有效地发送高电平电压，同时最小化高电压开关器件的布局面积。
[0008]根据本发明的一方面，提供一种闪存器件的高压开关单元，该高压开关单元包括:栗浦电路，栗浦电路包括至少一个栗浦晶体管，至少一个栗浦晶体管具有共同连接到周期性转换的控制信号的节点的一个接合(junct1n)端子和另一个接合端子、以及连接到选择信号的节点的栅极端子；开关电路，该开关电路包括至少一个开关晶体管，至少一个开关晶体管具有连接到输入信号的节点的一个接合端子、连接到输出信号的节点的另一个接合端子、以及连接到选择信号的节点的栅极端子；栗浦有源区，在该栗浦有源区中设置至少一个栗浦晶体管的一个接合端子和另一个接合端子，并且形成至少一个栗浦晶体管的沟道；控制互连(interconnect1n)区，在该控制互连区中对控制信号的互连进行布线；以及选择互连区，在该选择互连区中对选择信号的互连进行布线。控制互连区和选择互连区在至少一个区域中平行延伸，该至少一个区域的长度在沟道的方向上大于栗浦有源区的长度，并且在控制互连区和选择互连区之间形成电容，以增大选择信号的电压电平。
[0009]控制互连区能够在至少一个区域中在选择互连区的两侧平行延伸，至少一个区域的长度在沟道的方向上大于栗浦有源区的长度。
[0010]高压开关单元还可以包括:开关栅极区，在该开关栅极区中对至少一个开关晶体管的栅极端子进行布线，其中，选择互连区在开关栅极区之上延伸，并且控制互连区在开关栅极区中在选择互连区的两侧平行延伸。高压开关单元还可以包括:开关栅极区，在该开关栅极区中对至少一个开关晶体管的栅极端子进行布线，其中，选择互连区和控制互连区在开关栅极区中平行延伸。
[0011]控制信号可以是重复周期性转换的脉冲信号，并且选择信号的电压电平响应于周期性转换而增加。栗浦电路可以包括形成至少一个栗浦晶体管的栅极端子的栅多晶硅层(gate poly layer)，并且栅多晶硅层可以设置在控制互连区和至少一个栗浦晶体管的沟道之间，以在控制互连区和栅多晶硅层之间形成电容，并且在至少一个栗浦晶体管的沟道和栅多晶硅层之间形成另一个电容。
[0012]控制互连区可以覆盖至少一个栗浦晶体管的沟道的整个区域。至少一个栗浦晶体管能够被设置成与在控制互连区和选择互连区之间形成的电容并联。
[0013]根据本发明的另一方面，提供一种闪存器件的高压开关单元，该高压开关单元包括:栗浦电路，该栗浦电路包括至少一个栗浦晶体管，至少一个栗浦晶体管具有共同连接到周期性转换的控制信号的节点的一个接合端子和另一个接合端子、以及连接到选择信号的节点的栅极端子；开关电路，该开关电路包括至少一个开关晶体管，至少一个开关晶体管具有连接到输入信号的节点的一个接合端子、连接到输出信号的节点的另一个接合端子、以及连接到选择信号的节点的栅极端子；栗浦有源区，在该栗浦有源区中设置至少一个栗浦晶体管的一个接合端子和另一个接合端子，并且形成至少一个栗浦晶体管的沟道；控制互连区，在该控制互连区中对控制信号的互连进行布线；以及选择互连区，在该选择互连区中对选择信号的互连进行布线。控制互连区覆盖至少一个栗浦晶体管的沟道的至少一部分，并且在控制互连区和沟道的至少一部分之间形成电容，以增大选择信号的电压电平。控制互连区可以覆盖栗浦有源区的整个区域。
[0014]根据本发明的另一方面，提供一种栗浦电路，该栗浦电路具有用于在闪存的开关器件中设置栗浦电容的至少一个栗浦晶体管，该至少一个栗浦晶体管包括:一个接合端子和另一个接合端子，共同连接到周期性转换的控制信号的节点；栅极端子，连接到选择信号的节点；栗浦有源区，在该栗浦有源区中设置至少一个栗浦晶体管的一个接合端子和另一个接合端子，并且形成至少一个栗浦晶体管的沟道；以及控制互连区，在该控制互连区中对控制信号的互连进行布线。控制互连区覆盖栗浦有源区的至少一部分，以在控制互连区和栗浦有源区的至少一部分之间形成电容。
【附图说明】
[0015]通过参考附图详细地描述本发明的示例性实施方式，本发明的以上和其它目的、特征和优点对于本领域普通技术人员来说将变得更加明显，在附图中:
[0016]图1是示出根据本发明的实施方式的闪存器件的高压开关单元的电路图；
[0017]图2是示出根据本发明的实施方式的闪存器件的高压开关单元的布局的平面图；
[0018]图3是根据本发明的实施方式的闪存器件的高压开关单元的一部分的三维示意图；以及
[0019]图4是根据本发明的实施方式的闪存器件的高压开关单元的信号波形的图形视图。
【具体实施方式】
[0020]在下文中，将参考附图详细地描述本发明的示例性实施方式。在用参考符号对每个图的结构部件编号时，虽然这些参考符号被显示在不同附图中，但是贯穿附图的描述，相同数字可以表示相同元件。
[0021]将理解，当元件被称作“在”另一个元件“上”时，该元件可以直接在另一个元件上，或者在该元件和另一个元件之间可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一个元件“上”时，则不存在中间元件。
[0022]将理解，尽管在这里可以使用术语第一、第二等来描述多种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面论述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
[0023]在此使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，并且不旨在限制本发明。如在此使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个”和“所述”旨在包括复数形式。还将理解，当在本说明书中使用时，术语“包含”和/或“包括”指定存在所述特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。此外，在这里可以使用诸如“下部”或“底部”以及“上部”或“顶部”的相对术语，来描述如图中所示的一个元件与另一个元件的关系。将理解，相对术语旨在包括除了在图中描述的方位之外的器件的不同方位。例如，如果一个图中的器件被翻转，则被描述为在其它元件“下”侧的元件将被定位为在其它元件的“上”侧。因此，根据图的具体方位，示例性术语“下部”可以包括“下部”和“上部”两个方位。类似地，如果在一个图中的器件被