专利名称：半导体光接收器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体光接收器件背景技术光电转换器如光电二极管(PD)和雪崩光电二极管(APD)通常是通过晶体生长、杂质扩散或类似方式在高浓度的p型和n型的半导体衬底上形成带有PN结的半导体层来形成。最近，从高接收灵敏度和高响应速度的观点出发，一种半导体光接收器件已经被开发出来并投入实际应用，在这种器件中，包括一个被用于电连接到一个电极的键合区的电极被设置于一个半绝缘的衬底上。
例如，日本专利申请公开号为SHO 63-285971的申请披露了一种半导体光接收器件，其中两种分别带有互相不同的特征的半导体层被暴露在半绝缘衬底的同一平面，使得电极可以排列在一个平坦面上。这样的半导体光接收器件从降低电容的角度看是有用的，但是它必须用到在半绝缘衬底的平坦面上形成深度差别很小的两级凹槽，以及以基本相同的速度回刻在凹槽上层压的半导体层和与该半导体层特征不同的诸如光阻材料的材料的特殊技术。
作为改善上面提到的问题的一种技术，已经披露了一种带有两种其晶体在半绝缘衬底的平坦面上的台面结构中生长的半导体层，以及设置于半导体层的暴露部分的电极的半导体光接收器件。例如，日本专利申请公开号为HEI 2-105584的申请披露了这样的一种半导体光接收器件作为一个常规的例子。
但是，在HEI 2-105584中描述的技术，虽然不需要衬底整形和特殊的刻蚀技术，但是产生了一个陡峭的台阶，台阶的高度和在衬底上的半导体层的厚度相对应。在这样一个台阶上形成电极不仅引起断接和不良的绝缘效果，而且需要复杂的，困难的制造工艺。结果，这样生产的半导体光接收器件会导致降低其产量和再现性，使得它作为一个产品的可靠性降低。
发明内容
根据上述情况的观点，本发明的一个目的是提供一种具有提高的产量和改进的再现性的半导体光接收器件。
半导体光接收器件包括具有一个前侧面的半绝缘衬底，该前侧面包括上，中，下区域。下区域与上区域和中区域相连。p型第一半导体层设置在下区域。第一半导体层有一个顶表面，该顶表面包括一个和中区域邻接并基本在同一水平的第一部分，以及一个和第一部分在同一水平或高于第一部分的第二部分。n型第二半导体层设置在第一半导体层上。第二半导体层有一个顶表面和一个底表面，该顶表面包括和上区域邻接并基本在同一水平的第三部分。第一电极覆盖中区域和第一部分之间的边界的至少一部分。第一电极和第一半导体层电接触。第二电极覆盖上区域和第三部分之间的边界的至少一部分。第二电极和第二半导体层电接触。
半绝缘衬底可以由半绝缘GaAs制成，第一半导体层由p型GaAs制成，第二半导体层由n型GaAs制成。
半绝缘衬底可以由半绝缘InP制成，第一半导体层由p型InxGa1-xAsyP1-y(0≤x≤1，0≤y≤1)制成，第二半导体层由n型InxGa1-xAsyP1-y(0≤x≤1，0≤y≤1)制成。
半导体光接收器件可以进一步包括一个插入第一半导体层的第二部分和第二半导体层的底表面之间的第三半导体层。第三半导体层有比第一和第二半导体层低的载流子浓度。
半绝缘衬底可以由半绝缘GaAs制成，第一半导体层由p型GaAs制成，第二半导体层由n型GaAs制成，第三半导体层由i型GaAs制成。
半绝缘衬底可以由半绝缘InP制成，第一半导体层由p型InxGa1-xAsyP1-y(0≤x≤1，0≤y≤1)制成，第二半导体层由n型InxGa1-xAsyP1-y(0≤x≤1，0≤y≤1)制成，第三半导体层由i型InGaAs制成。
半绝缘衬底可以由半绝缘InP制成，第一半导体层由p型InAlAs制成，第二半导体层由n型InAlAs制成，第三半导体层由i型InGaAs制成。
光接收器件可以进一步包括一个插入第二和第三半导体层之间的第四半导体层。第四半导体层有比第三半导体层更大的能量带隙。
半绝缘衬底可以由半绝缘GaAs制成，第一半导体层由p型GaAs制成，第二半导体层由n型GaAs制成，第三半导体层由i型GaAs制成，第四半导体层由i型或n型AlGaAs制成。
在本发明中，中区域和第一部分可以相互连接以形成一个平坦面。上区域和第三部分也可以相互连接以形成一个平坦面。
本发明的进一步的应用范围将通过下面的详细描述变得更加清楚。但是，应该理解的是，详细的描述和具体的例子用来表示本发明的优选实施例，只是用于阐述本发明，对于在本技术领域熟练的人士，根据该详细的叙述，在不超出本发明的精神和范围的情况下，作出许多替代、修改和变化将是显而易见的。
图1A是根据本发明的第一实施例的半导体光接收器件的俯视平面图，图1B是沿图1A中1B-1B线的剖视图；图2A-2C是显示根据本发明的第一实施例的半导体光接收器件的制造步骤的示意图，其中图2A和2B是显示凹槽形成步骤的示意图，图2C是显示层压步骤的示意图。
图3是显示根据第一实施例的半导体光接收器件的电容反向电压特性的例子的曲线图；图4是显示根据第一实施例的半导体光接收器件中的对光输入脉冲的响应的电输出波形的例子的曲线图；图5是显示根据第一实施例的半导体光接收器件的频率响应特性的例子的曲线图；图6A是根据本发明的第二实施例的半导体光接收器件的俯视平面图，图6B是图6A中沿6B-6B线的剖视图；图7A是根据第二实施例的修改模式的半导体光接收器件的俯视平面图，图7B是图7A中沿7B-7B线的剖视图；图8A是根据本发明的第三实施例的半导体光接收器件的俯视平面图，图8B是图8A中沿8B-8B线的剖视图；图9A是根据本发明的第四实施例的半导体光接收器件的俯视平面图，图9B是图9A中沿9B-9B线的剖视图；图10是显示一个修改的实施例的剖视图。
具体实施例方式
下面将结合附图详细描述本发明的优选实施例。为了便于理解，相同的参考数字用于指代可能的各实施例中共有的相同的或等价的元件，在随后的实施例中，这些元件将不会再被解释。
第一实施例图1A和1B是用于解释根据本发明的第一实施例的半导体光接收器件1的示意图，其中，图1A是光接收器件的俯视平面示意图，图1B是沿图1A中单点划线1B-1B的示意剖视图。
首先，将描述光接收器件的构造。如图1B所示，半绝缘GaAs(砷化镓)衬底2有包括具有不同高度的三个区域12a，12b和12c的前侧面12，这三个区域根据它们的高度，在后面将被称为“上区域”，“中区域”和“下区域”。它们的高度按上、中、下区域的顺序依次降低，其中上区域和中区域之间的高度差在1到5μm的数量级(最好2.5μm)。中区域和下区域之间的高度差在0.1到2μm的数量级(最好0.5μm)。区域12a-12c形成得上区域12a和中区域12b在水平方向把下区域12c夹在中间(即，下区域12c连接在上区域和中区域12a和12b之间)。结果一个凹槽16就形成在衬底2的中心部分。凹槽16有一个由下区域12c界定的底表面和由下区域和上区域12c和12a之间的台阶的一部分和下区域和中区域12c和12b之间的台阶形成的侧壁。在凹槽16中从上区域12a到下区域12c的深度在1到7μm的数量级(最好3μm)。
凹槽16被用p型GaAs层3通过沉积工艺填充。p型GaAs层3有数量级在0.5到2μm的厚度(最好1μm)，并包括一种第一杂质。P型GaAs层3最好有1×1020cm-3或更高的载流子浓度。
p型GaAs层3的顶表面13包括有不同高度的两个部分13a和13b。具有较低高度的部分13a(后面称为“第一部分”)和中区域12b基本在一个水平并相互邻接。因此，第一部分13a和中区域12b在两者之间的边界57附近形成一个平坦面。结果，p侧的欧姆电极7，这个将在后面解释，可以设置于这个平坦面上，从而与电极位于台阶的情况相比抑制了由于覆盖度差造成的断接和不良的绝缘效果。
另一方面，具有较高高度的部分13b(后面称作“第二部分”)形成在上区域12a的侧面。第二部分13b比中区域12b高出0.2到1μm(最好0.5μm)。
作为光吸收层的i型GaAs层4被直接层压在p型GaAs层3的第二部分13b上，完全覆盖第二部分13b。i型GaAs层4有数量级在0.5到5μm的厚度(最好2μm)。
然后，直接在i型GaAs层4上层压形成具有数量级在0.005到0.05μm(最好0.02μm)的厚度，并包括一种第二杂质的n型GaAs层5，完全覆盖i型GaAs层4的顶表面。n型GaAs层5最好有1×1018cm-3或更高的载流子浓度。
GaAs层按p型GaAs层3、i型GaAs层4、n型GaAs层5的顺序依次层压，它们的总厚度大约为3μm，等于上区域12a和下区域12c之间的高度差。也就是说，n型GaAs层5有和半绝缘GaAs衬底2的上区域12a邻接并基本在同一水平的平坦顶表面15。因此，顶表面15和上区域12a在两者之间的边界56附近形成平坦面。当n侧的欧姆电极，这个将在后面解释，被设置于边界56的至少一部分上时，覆盖度可以被改善，从而防止了断接和不良的绝缘性。
i型GaAs层4有低于p型GaAs层3和n型GaAs层5的载流子浓度，有数量级在0.5μm到5μm，最好为2μm的厚度，该厚度决定了对光吸收有贡献的耗尽区域的厚度。把层的厚度设置成相对于由入射光的波长确定的光吸收长度的最佳值，可以实现具有高光接收灵敏度的半导体光接收器件1。
由于上区域12a和下区域12c之间的高度差，GaAs层3-5形成一个台阶18(即图中峭壁状的侧壁)。这个台阶18被一个用于维持器件1的耐压性并防止其短路的绝缘膜9覆盖。该绝缘膜9还覆盖半绝缘GaAs衬底2的上区域12a和中区域12b，以及p型GaAs层3的第一部分13a。抗反射膜8被形成得覆盖在n型GaAs层5的顶表面15的中心部分。
n侧欧姆电极6在部分去除抗反射膜8后形成在n型GaAs层5上。n侧电极6安装在半绝缘GaAs衬底2的上区域12a上，绝缘膜9插入在两者之间。n侧电极6覆盖边界56的一部分，从上区域12a到n型GaAs层5的顶表面15像桥一样延伸，抗反射膜8插入在电极6和层5之间。如图1A所示，n型电极6有在上区域12a上的圆形部分6a，在n型GaAs层5的顶表面15上抗反射膜8的周围的环状部分6b，以及在部分6a和6b之间延伸的带状部分6c。n侧欧姆电极6和n型GaAs层5电接触，以填充在n型GaAs层5的顶表面15上抗反射膜8和绝缘膜9之间的缝隙。
P侧欧姆电极7在部分去除绝缘膜9后形成在p型GaAs层3上。p侧电极7安装在半绝缘GaAs衬底2的中区域12b上，绝缘膜9介入两者之间。p侧电极7覆盖边界57的一部分，从中区域12b到p型GaAs层3的第一部分13a像桥一样延伸，绝缘膜9插入在电极6和层3之间。如图1A所示，p侧欧姆电极7位于跨过半导体层层压的那个部分和n侧欧姆电极6相对的位置(即，在半绝缘GaAs衬底2的中区域12b上)。P侧电极有直径基本上和n侧欧姆电极6的圆形部分6a的直径相同的圆形部分7a。在p型GaAs层3的顶表面13上，p侧欧姆电极7有绕在n侧欧姆电极6的环形部分6b周围的C形部分7b，两者之间有一个预定的间隙。p侧电极7也有一个在7a部分和7b部分之间延伸的带状部分7c。p侧欧姆电极7和p型GaAs层3电接触，以填充形成在p型GaAs层3的顶表面13上的绝缘膜9的通孔。除了这种接触外，p侧欧姆电极7不和p型GaAs层3电连接。
p侧和n侧欧姆电极6和7通过导线(未示出)的方法连接到一个驱动电源(未示出)。由GaAs层3-5形成的峭壁状的侧壁18只被绝缘膜9覆盖，没有欧姆电极和侧壁18接触。
下面将解释制造半导体光接收器件1的方法。图2A-2C是显示根据本发明的第一实施例的半导体光接收器件1的制造步骤的剖视示意图。首先，通过一种薄膜生长技术，如等离子CVD(化学气相沉积)，将二氧化硅薄膜作为选择性生长保护膜10沉积在半绝缘GaAs衬底2上。然后，通过光刻技术，选择性生长保护膜10被选择性地刻蚀，使得半绝缘GaAs衬底2的前侧面12被部分暴露。然后，半绝缘GaAs衬底2被浸入到一种有预先确定的成分比例的混合溶液中，使得只有前侧面12被暴露的部分被化学刻蚀。结果，半绝缘GaAs衬底2达到如图2A的俯视示意平面图和图2B的沿图2A中的线2B-2B的示意剖视图所示的形状。
然后，通过如MOCVD(金属有机物化学气相沉积)等晶体生长技术，p型GaAs层3，i型GaAs层4和n型GaAs层5依次沉积并生长在半绝缘GaAs衬底2上。在这个步骤中，选择性生长保护膜10防止晶体生长在衬底表面，从而GaAs层可以连续地只生长在半绝缘GaAs衬底2的凹槽16中。这就产生了一个状态，在这个状态中，p型，i型和n型GaAs层像图2C的剖面示意图所示的层压结构那样填充半绝缘GaAs衬底2的凹槽16。当半绝缘GaAs衬底2被刻蚀的深度等于晶体生长的GaAs层的总厚度时，前侧面12和层5的顶表面形成了一个平坦面。
随后，选择性生长保护膜10被去除。然后，通过应用光刻技术，晶体生长层3，4，5和半绝缘GaAs衬底2被部分刻蚀，直至p型GaAs层3的顶表面13被部分暴露。这就在包括半绝缘GaAs衬底2的凹槽16的区域中形成峭壁状的半导体层。半导体层形成以后，氮化硅膜(Si3N4)通过如等离子CVD等晶体生长技术被沉积在n型GaAs层5上以形成抗反射膜8。
相似地，半绝缘GaAs衬底2被氮化硅薄膜涂覆，以形成绝缘薄膜9作为表面保护膜，并且半导体层的台阶18被氮化硅薄膜涂覆以形成作为侧壁保护膜的绝缘薄膜9。抗反射膜8和绝缘薄膜9不要求分别形成。通过单个等离子CVD步骤沉积成的氮化硅薄膜可以根据它的位置用作为抗反射薄膜或者绝缘薄膜。然后，p侧欧姆电极7和n侧欧姆电极6象薄膜一样通过真空蒸发沉积并制版，以分别接触p型GaAs层3和n型GaAs层5的暴露部分。结果，得到具有如图1B所示的横截面形状的半导体光接收器件1。
作为实际上用GaAs生产的半导体光接收器件1的p-i-n型PD(具有直径为40μm的光接收部分和厚度为2.4μm的光吸收层)的特性将在下面具体描述。图3为显示电容-反向电压的特性的曲线图。如图3所示，半导体光接收器件1在反向电压为2V时产生0.16pF的低电容特性。图4显示了输入光脉冲时的响应电输出波形。如图4所示，在偏压为2V时得到约50-60ps的响应时间。图5为显示偏压在2V时的频率特性的曲线图。如图5所示，在-3dB处得到约6GHz的截止频率。由于图5中显示的数据受到测量系统的限制，我们认为样品中的截止频率会更高些。
如前面所解释的，根据第一实施例的半导体光接收器件1被形成为具有可选嵌入结构的p-i-n型PD的结构，在该结构中，三种半导体层仅在蚀刻形成的半绝缘GaAs衬底2的凹槽16中外延生长。结果，不应用以同一速度在暴露p型GaAs层3的步骤中同时回刻半导体和诸如具有完全不同特性的光阻材料等材料的特殊技术，也能够获得无突出部的p侧和n侧引线电极两者都设置在半绝缘GaAs衬底2上的低电容半导体光接收器件。由于引线电极被设置在相对于半绝缘衬底没有台阶的平坦面上，就能够制造不大可能产生由于覆盖度差而引起的断接和不良的绝缘性的半导体光接收器件。结果，半导体光接收器件能够容易地以低成本实现提高的产量和改进的再现性。
由于无论光接收部分的直径多小，键合区和引线的电容不能降低，在降低电容上通常有一定的限制。考虑到这点，根据本实施例的半导体光接收器件1可以将由于光接收部分以外的构成部分(例如键合区和引线)造成的电容的增加抑制到基本为零。这减少了CR时间常数，因此实现了高速响应。尤其是，当将半导体光接收器件1连接到下游电信号处理电路如阻抗转换电路时，可以有效地将来自该电路的输入电容减至最小。
由于根据本实施例的半导体光接收器件1结构简单并相对容易制造，因此适合于成批生产。
在根据本实施例的半导体光接收器件1中，和下半导体层3接触的欧姆电极7被形成在台面周围，因此距离作为操作区域的台面中央部分更远。由于这样的结构可以增大串联电阻，高载流子浓度的p型半导体层(GaAs层)3被用作下半导体层。这允许外部电压源提供足够的电场给台面部分以稳定操作。这也可以为电信号的外部输出降低串联电阻。
产生上述效果的半导体光接收器件1的结构尤其可以有利地应用于要求低电容的高速光通讯的光接收器件。
本实施例将GaAs作为半导体衬底和半导体层的材料的例子，但是该材料不限于GaAs。例如，不仅可以使用III-V族半导体如InP，InGaAs和InAs，在需要时也可以使用化合物半导体如ZnS和SiC。也可以使用单质半导体如Si和Ge。半绝缘衬底和半导体层可以是不同种半导体的异质结结构。掺入n型半导体的杂质(施主)可以是Se，Si，P或者类似物，掺入p型半导体的杂质(受主)可以是Zn，Mg，B或者类似物。
下面参考图6-10描述作为本发明的修改模式的其它实施例。由于根据这些实施例的半导体光接收器件的基本结构和第一实施例中详细解释的半导体光接收器件相同，与第一实施例完全相同的结构将用相同的数字表示，不再重复其解释，仅仅解释与第一实施例不同的部分。
参考图10，在p型GaAs层3的顶表面13中，第二部分13b基本上可以和第一部分13a在同一高度水平，也就是说顶表面13可以是一个单个的平坦面。
第二实施例参考图6A和6B，现在解释本发明的第二实施例。图6A是根据本发明的第二实施例的半导体光接收器件1a的俯视平面示意图，图6B是沿图6A中的线6B-6B的示意剖面图。该实施例和第一实施例的不同之处在于，窗口层40被设置在i型GaAs层4和n型GaAs层5之间。即，在p型GaAs层3和i型GaAs层4(光吸收层)生成后，AlGaAs层40(窗口层)生长于半绝缘GaAs衬底2的凹槽16中。因此，n型GaAs层5生长在AlGaAs层40的顶部。
例如，当凹槽16的深度为3.5μm时，p型GaAs层3，i型GaAs层4，AlGaAs层40和n型GaAs层5最好厚度分别为约1μm，2μm，0.5μm和0.05μm。例如，AIGaAs层40是n型的并且其载流子浓度为1×1017cm-3或者更高，其中它的铝晶体混合比为30％。或者，AlGaAs层40可以是i型的。AlGaAs层40的能量带隙比i型GaAs层4更大。
n型GaAs层5的一部分被蚀刻掉以暴露AlGaAs层40来接收入射光。然后，如在第一实施例一样，晶体生长层3，4，5和半绝缘GaAs衬底2被部分地蚀刻以至p型GaAs层3被部分暴露并且经蚀刻的结构被涂覆抗反射薄膜8和绝缘薄膜9，然后形成n侧欧姆电极6和p侧欧姆电极7。结果，半导体光接收器件1a获得如图6B所示的结构。在这样的结构中，入射光不通过n型GaAs层5，但通过对近红外线透明的AlGaAs层40到达i型GaAs层4。因此，n型GaAs层5能形成得较厚，也能提高光接收灵敏度。
在根据第二实施例的半导体光接收器件1a中，n型GaAs层5除了其和欧姆电极接触的部分以外都被蚀刻掉，以形成一个开口并部分地暴露AlGaAs层40的表面。但是，当被形成得很薄以至能得到要求的光接收灵敏度时，n型GaAs层5可以被留下。图7A和7B显示半导体光接收器件1b的结构，其中，n型GaAs层5未被蚀刻。
第三实施例图8A是根据本发明的第三实施例的半导体光接收器件1c的俯视平面示意图，图8B是沿图8a中的线8B-8B的剖面示意图。半导体光接收器件1c在结构上和根据第一实施例的半导体光接收器件1不同。即，半绝缘InP衬底21在本实施例中被用作半绝缘衬底。作为半导体层，厚度为1μm的p型InxGa1-xAsyP1-y层31，厚度为2μm的i型InGaAs层41和厚度为0.05μm的n型InxGa1-xAsyP1-y层51相继从下面的层生长。这里，0≤x≤1，0≤y≤1。InxGa1-xAsyP1-y层51可以作为窗口层，因为它可以通过选择晶体混合比x和y获得比InGaAs更高的能量带隙。这提高了半导体光接收器件1c的光接收灵敏度。
第四实施例图9A是根据本发明的第四实施例的半导体光接收器件1d的俯视平面示意图，图9B是沿图9A中的线9B-9B的剖面示意图。半导体光接收器件1d在结构上和第一和第三实施例的半导体光接收器件不同。本实施例和第三实施例的相同之处在于半绝缘InP衬底21和InGaAs层41被分别用作半绝缘衬底和i型半导体层。但是，p型InAlAs层32被用作p型半导体层，n型InAlAs层52被用作n型半导体层。InAlAs层52作为窗口层，因为它的能量带隙比InGaAs更高。这提高了半导体光接收器件1d的光接收灵敏度。
根据本发明的半导体光接收器件并不限制于上述实施例中阐述的模式，它们可以在不脱离本发明精神的范围内进行适当修改。例如，如图1A所示，在上述实施例中n侧欧姆电极6和p侧欧姆电极7的圆形部分6a和7a被设置在凹槽16的相对侧。但是，圆形部分6a和7a可以被这样安排，以使从圆形部分6a和7a的中心延伸到凹槽16的中心的线从顶部看形成在两者之间的一个预定的角度(例如90°)。而且，凹槽16的平面形状以及电极6和7不被限制为上述的圆形部分；它们可以是其它形状如矩形。
虽然对本发明进行了这样的描述，但本发明的实施例可以以多种方式进行变化将是显而易见的。对于在本技术领域熟练的人士显而易见的是，这样的变化不应被认为是背离了本发明的精神和范围，而应该让所有这样的修改包括在下文的权利要求的范围之中。
权利要求
1.一种半导体光接收器件，其特征在于，该装置包括具有一个前侧面的半绝缘衬底，所述前侧面包括上、中、下区域，下区域与上区域和中区域相连；设置在下区域的p型第一半导体层，所述第一半导体层有一个顶表面，所述顶表面包括和中区域邻接并基本在同一水平的第一部分，以及与第一部分在同一水平或高于第一部分的第二部分；设置在第一半导体层上的n型第二半导体层，所述第二半导体层有一个顶表面和一个底表面，所述顶表面包括和上区域邻接并基本在同一水平的第三部分；覆盖中区域和第一部分之间的边界的至少一部分的第一电极，所述第一电极和第一半导体层电接触；覆盖上区域和第三部分之间的边界的至少一部分的第二电极，所述第二电极和第二半导体层电接触。
2.如权利要求1所述的半导体光接收器件，其特征在于，其中半绝缘衬底由半绝缘GaAs制成；其中第一半导体层由p型GaAs制成；以及其中第二半导体层由n型GaAs制成。
3.如权利要求1所述的半导体光接收器件，其特征在于，其中所述半绝缘衬底由半绝缘InP制成；其中第一半导体层由p型InxGa1-xAsyP1-y(0≤x≤1，0≤y≤1)制成；以及其中第二半导体层由n型InxGa1-xAsyP1-y(0≤x≤1，0≤y≤1)制成。
4.如权利要求1所述的半导体光接收器件，其特征在于，该器件进一步包括插入第一半导体层的第二部分和第二半导体层的底表面之间的第三半导体层，所述第三半导体层具有比第一和第二半导体层低的载流子浓度。
5.如权利要求4所述的半导体光接收器件，其特征在于，其中所述半绝缘衬底由半绝缘GaAs制成；其中第一半导体层由p型GaAs制成；其中第二半导体层由n型GaAs制成；以及其中第三半导体层由i型GaAs制成。
6.如权利要求4所述的半导体光接收器件，其特征在于，其中所述半绝缘衬底由半绝缘InP制成；其中第一半导体层由p型InxGa1-xAsyP1-y(0≤x≤1，0≤y≤1)制成；其中第二半导体层由n型InxGa1-xAsyP1-y(0≤x≤1，0≤y≤1)制成；以及其中第三半导体层由i型InGaAs制成。
7.如权利要求4所述的半导体光接收器件，其特征在于，其中所述半绝缘衬底由半绝缘InP制成；其中第一半导体层由p型InAlAs制成；其中第二半导体层由n型InAlAs制成；以及其中第三半导体层由i型InGaAs制成。
8.如权利要求4所述的半导体光接收器件，其特征在于，该器件进一步包括插入第二和第三半导体层之间的一个第四半导体层，所述第四半导体层有比第三半导体层更大的能量带隙。
9.如权利要求8所述的半导体光接收器件，其特征在于，其中所述半绝缘衬底由半绝缘GaAs制成；其中第一半导体层由p型GaAs制成；其中第二半导体层由n型GaAs制成；其中第三半导体层由i型GaAs制成；以及其中第四半导体层由i型或n型AlGaAs制成。
10.如权利要求1所述的半导体光接收器件，其特征在于，其中所述中区域和第一部分相互连接形成一个平坦面。
11.如权利要求1所述的半导体光接收器件，其特征在于，其中所述上区域和第三部分相互连接形成一个平坦面。
全文摘要
一种半导体光接收器件具有在其前侧面包括上、中和下区域的衬底。在下区域的p型层具有一个顶表面，该顶表面包括和中区域同一高度水平的一部分。一个电极覆盖p型层的一部分和中区域之间的边界的至少一部分。在p型层上的n型层具有一个包括和上区域同一高度水平的一部分的顶表面。另一个电极覆盖n型层的一部分和上区域之间的边界的至少一部分。
文档编号H01L31/103GK1574376SQ20041004899
公开日2005年2月2日 申请日期2004年6月14日 优先权日2003年6月13日
发明者新垣实, 中嶋和利 申请人:浜松光子学株式会社