专利名称：基板处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置。
背景技术：
为了对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等的各种基板进行各种处理，而使用基板处理装置。
在这样的基板处理装置中，一般对一张基板连续进行多个不同的处理。JP特开2003-324139号公报所记载的基板处理装置由分度器区、反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区以及接口区构成。相邻于接口区地配置有与基板处理装置分开独立的作为外部装置的曝光装置。
在上述基板处理装置中，从分度器区搬入的基板，在反射防止膜用处理区以及抗蚀膜用处理区中进行了反射防止膜的形成以及抗蚀膜的涂敷处理之后，经由接口区搬送到曝光装置中。在曝光装置中，对基板上的抗蚀膜进行曝光处理之后，基板经由接口区搬送到显影处理区中。通过在显影处理区中对基板上的抗蚀膜进行显影处理而形成抗蚀图案之后，基板搬送到分度器区。
近年来，伴随着器件的高密度化以及高集成化，抗蚀图案的微细化成为重要的课题。在以往的一般的曝光装置中，通过将标线的图案经由投影透镜缩小投影在基板上而进行曝光处理。可是，在这样的以往曝光装置中，因为曝光图案的线宽由曝光装置的光源波长决定，所以抗蚀图案的微细化受到了限制。
因此，作为可将曝光图案进一步微细化的投影曝光方法，提出了浸液法(例如参考国际公开第99/49504号手册)。在国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置中，投影光学系统和基板之间充满液体，而能够使基板表面的曝光用光短波长化。由此，使曝光图案的进一步微细化变得可能。
可是，上述国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置中，由于在基板和液体接触的状态下进行曝光处理，因此，基板以附着液体的状态从曝光装置搬出。因此，将在上述JP特开2003-324139号公报的基板处理装置中，采用如上述国际公开第99/49504号手册中所记载的浸液法的曝光装置作为外部装置而设置时，附着在从曝光装置搬出的基板上的液体滴落在基板处理装置内，而可能会发生基板处理装置的电气系统的异常等动作不良。
还有，基板被曝光处理后的水滴残留物、以及来自基板上的有机膜的析出物等污染，从而，在以后的处理工序中可能会发生基板的处理不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基板处理装置，其可以防止由在曝光装置中附着在基板上的液体造成的动作不良。
本发明另外的目的在于提供一种基板处理装置，其可以防止由曝光处理后的基板的污染造成的基板的处理不良。
(1)本发明的一方面的基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，其具有处理部，其用于对基板进行处理，交接部，其以邻接于处理部的一端部的方式设置，用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接；处理部包括第一处理单位，该第一处理单位包含在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜的第一处理单元、对基板进行热处理的第一热处理单元以及搬送基板的第一搬送单元，第二处理单位，该第二处理单位包含通过曝光装置实施了曝光处理后进行基板的干燥处理的第二处理单元、对基板进行热处理的第二热处理单元以及搬送基板的第二搬送单元，第三处理单位，该第三处理单位包含通过第二处理单元实施了干燥处理后对基板进行显影处理的第三处理单元、对基板进行热处理的第三热处理单元以及搬送基板的第三搬送单元；第二处理单位以邻接于交接部的方式配置。
在该基板处理装置中，在第一处理单位中通过第一处理单元，在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜。然后，基板由第一搬送单元搬送到第一热处理单元，通过第一热处理单元对基板进行规定的热处理。然后，基板经由交接部从处理部搬送到曝光装置，在曝光装置中对基板进行曝光处理。曝光处理后的基板经由交接部从曝光装置搬送到第二处理单位。
接着，在第二处理单位中通过第二处理单元对基板进行干燥处理。然后，基板从第二处理单元搬送到第二热处理单元，通过第二热处理单元对基板进行规定的热处理。然后，基板由第二搬送单元搬送到相邻的其他的处理单位中。
接着，在第三处理单位中，通过第三处理单元对基板进行显影处理。然后，基板由第三搬送单元搬送到第三热处理单元，通过第三热处理单元对基板进行规定的热处理。然后，基板由第三搬送单元搬送到相邻的其他的处理单位中。
就这样，通过第二处理单元对曝光处理之后的基板进行干燥处理。这里，由于第二处理单位以邻接于交接部的方式配置，因此能够在曝光处理之后立即进行对基板的干燥处理。由此，即使在曝光装置中液体附着在基板上，也能够防止该液体滴落在基板处理装置内。其结果，能够防止基板处理装置的电气系统的异常等的动作不良。还有，通过对基板进行干燥处理，防止环境中的灰尘等附着在基板上，因此，能够防止基板的污染。由此，能够降低基板的处理不良。
还有，能够确实防止在干燥处理后的基板被搬送到第三处理单元为止的过程中，基板上的感光性材料的成分被残留在基板上的液体溶解。由此，能够确实防止形成在感光性膜上的曝光图案的变形。结果是能够防止第三处理单元中显影处理时的基板的处理不良。
还有，由于该基板处理装置具有，在具备第一以及第三处理单位的现有的基板处理装置上追加了第二处理单位的结构。因此能够以低成本降低基板处理装置的动作不良以及基板的处理不良。
(2)第二处理单元，还可以通过向基板上供给惰性气体，来对基板进行干燥处理。此时，因使用惰性气体，因此能够防止对基板上的膜的化学影响的同时能可靠地使基板干燥。
(3)处理部还可以具有含第四处理单元、对基板进行热处理的第四热处理单元、搬送基板的第四搬送单元的第四处理单位，该第四处理单元在通过上述第一处理单元形成感光性膜之前，在基板上形成反射防止膜。此时，由于通过第四处理单元在基板上形成反射防止膜，因此能够减少在曝光处理时产生的驻波和光晕。由此，能够进一步降低曝光处理时发生的基板的处理不良。
(4)还可以进一步具有基板搬入搬出部，该基板搬入搬出部以邻接于处理部的另一端部的方式配置，来进行向处理部的基板的搬入以及从处理部的基板的搬出，第四处理单位也可以以邻接于基板搬入搬出部的方式配置。此时，能够依次将基板搬送到处理部之后立即在第四处理单位形成反射防止膜，然后，在第一处理单位形成感光性膜。由此，能够顺利进行在基板上的反射防止膜以及感光性膜的形成。
(5)交接部还可以包括第五处理单元，其对基板进行规定的处理，装载部，其用于暂时装载基板，第五搬送单元，其用于在处理部、第五处理单元以及装载部之间搬送基板，第六搬送单元，其用于在装载部、曝光装置以及第二处理单元之间搬送基板；第六搬送单元还可以将从曝光装置搬出的基板搬送到第二处理单元。
此时，在处理部对基板进行规定的处理之后，基板由第五搬送单元搬送到第五处理单元。通过第五处理单元对基板进行规定的处理之后，基板由第五搬送单元搬送到装载部。然后，基板由第六搬送单元从装载部搬送到曝光装置中。在曝光装置中对基板进行曝光处理之后，基板由第六搬送单元搬送到第二处理单元。通过第二处理单元对基板进行干燥处理之后，基板由第六搬送单元搬送到装载部。然后，基板由第五搬送单元从装载部搬送到处理部。
如此，曝光处理之后的基板通过第二处理单元进行干燥之后，搬送到装载部。此时，即使在曝光装置中液体附着在基板上，也能够防止该液体滴落在基板处理装置内。其结果，能够防止基板处理装置的动作不良。
还有，通过在交接部配置第五处理单元而通过2个搬送单元进行基板的搬送，而即使不增加基板处理装置的占有面积，也能够追加处理内容。
(6)第六搬送单元还可以包括保持基板的第一以及第二保持部，第六搬送单元在从装载部将基板搬送到曝光装置时以及从第二处理单元将基板搬送到装载部时，通过第一保持部保持基板，在从曝光装置将基板搬送到第二处理单元时，通过第二保持部保持基板。
此时，第一保持部在搬送曝光处理之前以及干燥处理之后的没有附着液体的基板的情况下使用，而第二保持部在搬送曝光处理之后的附着液体的基板的情况下使用。为此，液体不会附着于第一保持部，因此能够防止液体附着在曝光处理前的基板上。由此，能够防止环境中的灰尘等附着在曝光处理前的基板上，因此能够防止曝光装置内的污染。其结果，能够降低曝光装置中发生的基板的处理不良。
(7)第二保持部也可以设置在上述第一保持部的下方。此时，即使从第二保持部以及被其所保持的基板滴下液体，液体也不会附着在第一保持部以及被其保持的基板上。由此，能够可靠地防止液体附着在曝光处理前以及干燥处理后的基板上。
(8)第五处理单元也可以包括对基板的周边部进行曝光的边缘曝光部。此时，在边缘曝光部中对基板的周边部进行曝光处理。
(9)第二处理单元也可以在基板的干燥处理之前进一步进行对基板的清洗处理。
此时，将曝光时附着了液体的基板从曝光装置搬送到第二处理单元的过程中，即使环境中的灰尘附着在基板上，也能够确实除去该附着物。由此，能够确实防止基板的处理不良。
(10)第二处理单元也可以包括基板保持装置，其大致水平地保持基板；旋转驱动装置，其使由基板保持装置保持的基板以垂直于该基板的轴为中心进行旋转；清洗液供给部，其将清洗液供给到由基板保持装置保持的基板上；惰性气体供给部，其在由清洗液供给部向基板上供给清洗液之后，向基板上供给惰性气体。
在该第二处理单元中，基板由基板保持装置保持成大致水平，且基板通过旋转驱动装置而以垂直于该基板的轴为中心进行旋转。还有，由清洗液供给部供给清洗液到基板上，接着，由惰性气体供给部供给惰性气体。
此时，使基板旋转的同时向基板上供给清洗液，因此，基板上的清洗液由离心力移动到基板周边部而飞散。从而，能够确实防止被清洗液除去了的灰尘等的附着物残留在基板上。还有，使基板旋转的同时向基板上供给惰性气体，因此，可以高效的排除对基板进行清洗后残留在基板上的清洗液。由此，能够确实防止基板上残留灰尘等的附着物，同时能够确实地使基板干燥。从而，能够确实防止在干燥处理后的基板被搬送到第三处理单元为止的过程中，基板上的感光性材料的成分被残留在基板上的液体溶解。由此，能够确实防止形成在感光性膜上的曝光图案的变形。其结果，能够防止在第三处理单元中显影处理时的基板的处理不良。
(11)惰性气体供给部也可以使由清洗液供给部供给到基板上的清洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使清洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
此时，能够防止清洗液残留在基板上的中心部，因此，能够确实防止在基板的表面发生干燥后的水斑。还有，能够确实防止在干燥处理后的基板被搬送到第三处理单元为止的过程中，感光性材料的成分被残留在基板上的清洗液溶解。由此，能够确实防止形成在感光性膜上的曝光图案的变形。其结果，能够防止在第三处理单元中显影处理时的基板的处理不良。
(12)第二处理单元还可以具有冲洗液供给部，该冲洗液供给部在由清洗液供给部供给清洗液之后，且在由惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
此时，能够由冲洗液确实地冲洗清洗液，因此能够更加可靠地防止灰尘等的附着物残留在基板上。
(13)惰性气体供给部也可以使由冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
此时，能够防止冲洗液残留在基板上的中心部，因此能够确实防止在基板的表面发生干燥后的水斑。还有，能够确实防止在干燥处理后的基板被搬送到第三处理单元为止的过程中，感光性材料的成分被残留在基板上的清洗液溶解。由此，能够确实防止形成在感光性膜上的曝光图案的变形。
(14)本发明的另一方面的基板处理装置，以相邻于曝光装置的方式配置，其中具有处理部，其用于对基板进行处理，交接部，其以邻接于处理部的一端部的方式配置，用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接；处理部包括第一处理单位，该第一处理单位包括在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜的第一处理单元、对基板进行热处理的第一热处理单元以及搬送基板的第一搬送单元，第二处理单位，该第二处理单位包含通过曝光装置实施了曝光处理之后由向基板供给包含液体以及气体的混合流体的流体喷嘴对基板进行清洗处理的第二处理单元、对基板进行热处理的第二热处理单元以及搬送基板的第二搬送单元，第三处理单位，该第三处理单位包含通过第二处理单位实施了清洗处理之后对基板进行显影处理的第三处理单元、对基板进行热处理的第三热处理单元以及搬送基板的第三搬送单元；第二处理单位以邻接于上述交接部的方式配置。
在该基板处理装置中，在第一处理单位中通过第一处理单元在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜。然后，基板由第一搬送单元搬送到第一热处理单元，通过第一热处理单元对基板进行规定的热处理。然后，基板经由交接部从处理部搬送到曝光装置，在曝光装置中对基板进行曝光处理。曝光处理后的基板经由交接部从曝光装置搬送到第二处理单位。
接着，在第二处理单位中通过第二处理单元对基板进行清洗处理。然后，基板从第二处理单元搬送到第二热处理单元，通过第二热处理单元对基板进行规定的热处理。然后，基板由第二搬送单元搬送到相邻的其他的处理单位中。
接着，在第三处理单位中，通过第三处理单元对基板进行显影处理。然后，基板由第三搬送单元搬送到第三热处理单元，通过第三热处理单元对基板进行规定的热处理。然后，基板由第三搬送单元搬送到相邻的其他的处理单位中。
如此，通过第二处理单元对曝光处理之后的基板进行清洗处理。在第二处理单位中，由流体喷嘴向基板上供给含有气体以及液体的混合流体。
此时，从流体喷嘴喷射出的混合流体中含有微细液滴，因此，即使是在基板的表面存在凹凸的情况下，也可以通过微细液滴除去附着在凹凸中的污垢。由此，能够确实除去基板表面上的污垢。还有，在基板上的膜不易浸湿的情况下，也能通过微细液滴除去基板表面的污垢，因此能够确实除去基板表面上的污垢。这些结果，能够防止由曝光处理后的基板的污染造成的基板的处理不良。
另外，通过调节气体的流量，能够容易调节对基板进行清洗时的清洗能力。由此，若基板上的膜具有易损的特性的情况下，可以通过减弱清洗能力而防止基板上的膜破损。还有，基板表面上的污垢不易除去时，可以通过增强清洗能力而确实除去基板表面的污垢。如此，通过根据基板上的膜的特性以及污垢的程度调节清洗能力，而能够防止基板上的膜的破损的同时，能够确实地清洗基板。
还有，由于该基板处理装置具有，在具备第一以及第三处理单位的现有基板处理装置上追加了第二处理单位的结构。因此能够以低成本降低基板的处理不良。
(15)第二处理单元也可以通过从流体喷嘴向基板供给含有惰性气体以及清洗液的混合流体，对基板进行清洗处理。
此时，因使用了惰性气体，而能够防止基板上的膜以及清洗液受到化学影响的同时，能够更加确实除去基板表面上的污垢。其结果，能够充分防止由曝光处理后的基板的污染造成的基板的处理不良。
(16)第二处理单元也可以在对基板进行清洗处理之后，对基板进行干燥处理。
此时，由于第二处理单位以邻接于交接部的方式配置，所以能够在曝光处理之后立即进行对基板的清洗以及干燥处理。由此，即使在曝光装置中液体附着在基板上，也可以防止该液体滴落在基板处理装置内。其结果，能够防止基板处理装置的电气系统的异常等动作不良。还有，通过对基板进行干燥处理，防止环境中的灰尘等附着在基板上，因此，能够防止基板的污染。由此，能够防止基板的处理不良。
还有，能够确实防止在干燥处理后的基板被搬送到第三处理单元为止的过程中，基板上的感光性材料的成分溶解到残留在基板上的混合流体中。由此，能够确实防止形成在感光性膜上的曝光图案的变形。其结果，能够防止第三处理单元中显影处理时的基板的处理不良。
(17)第二处理单元也可以包括惰性气体供给部，该惰性气体供给部通过向基板上供给惰性气体而对基板进行干燥处理。此时，因使用惰性气体，所以能够防止对于基板上的膜的化学影响的同时能确实地使基板干燥。
(18)流体喷嘴也可以具有惰性气体供给部的功能。此时，惰性气体由流体喷嘴供给到基板上，来进行对基板的干燥处理。由此，无需分别单独设置惰性气体供给部与流体喷嘴。其结果，能够以简单的构造对基板确实地进行清洗以及干燥处理。
(19)第二处理单元也可以包括基板保持装置，其大致水平保持基板；旋转驱动装置，其使由上述基板保持装置保持的基板以垂直于该基板的轴为中心进行旋转。
在该第二处理单元中，基板由基板保持装置保持成大致水平，且基板通过旋转驱动装置而以垂直于该基板的轴为中心进行旋转。还有，由流体喷嘴将含有惰性气体以及清洗液的混合流体供给到基板上，接着，由惰性气体供给部供给惰性气体。
此时，使基板旋转的同时清洗液被供给到基板上，因此，可以高效的排除对基板进行清洗后残留在基板上的混合流体。由此，能够确实防止基板上残留的灰尘等的附着物的同时，能够确实地使基板干燥。从而，能够确实防止在干燥处理后的基板被搬送到第三处理单元为止的过程中，基板上的感光性材料的成分溶解到残留在基板上的混合流体中。由此，能够确实防止形成在感光性膜上的曝光图案的变形。其结果，能够防止第三处理单元中显影处理时的基板的处理不良。
(20)第二处理单元也可以使从流体喷嘴供给到基板上的混合流体从基板上的中心部向外侧移动从而使混合流体从基板上排除的方式，供给惰性气体。
此时，能够防止混合流体残留在基板上的中心部，因此能够确实防止在基板的表面发生干燥后的水斑。还有，能够确实防止在干燥处理后的基板被搬送到第三处理单元为止的过程中，基板上的感光性材料的成分溶解到残留在基板上的混合流体中。由此，能够确实防止形成在感光性膜上的曝光图案的变形。其结果，能够防止第三处理单元中显影处理时的基板的处理不良。
(21)第二处理单元也可以进一步包括冲洗液供给部，该冲洗液供给部在从流体喷嘴供给混合流体之后，且在由惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
此时，能够通过冲洗液确实地冲洗混合流体，因此能够更加确实防止灰尘等的附着物残留在基板上。
(22)流体喷嘴也可以具有冲洗液供给部的功能。此时，冲洗液由流体喷嘴供给到基板上。由此，不需分别单独设置冲洗液供给部与流体喷嘴。其结果，能够以简单的构造对基板确实地进行清洗以及干燥处理。
(23)第二处理单元也可以以使由冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
此时，能够防止冲洗液残留在基板上的中心部，因此能够确实防止在基板的上表面发生干燥后的水斑。还有，能够确实防止在干燥处理后的基板被搬送到第三处理单元为止的过程中，基板上的感光性材料的成分溶解到残留在基板上的冲洗液中。由此，能够确实防止形成在感光性膜上的曝光图案的变形。其结果，能够防止第三处理单元中显影处理时的基板的处理不良。
(24)流体喷嘴也可以具有流通液体的液体流路，流通气体的气体流路，与上述液体流路连通并开口的液体喷射口，以及气体喷射口，其设置在上述液体喷射口的附近，同时与上述气体流路连通并开口。
此时，液体流通液体流路并从液体喷射口喷射出的同时，气体流通气体流路并从气体喷射口喷射出，并在流体喷嘴的外部液体与气体相合。从而，形成雾状的混合流体。
如此，混合流体是通过液体与气体在流体喷嘴的外部相合而生成的。由此，不需在流体喷嘴的内部设置液体与气体相合的空间。其结果，可以实现流体喷嘴的小型化。
图1是本发明第一实施方式的基板处理装置的俯视图；图2是从+X方向观察图1中的基板处理装置的侧视图；图3是从-X方向观察图1中的基板处理装置的侧视图；图4是用于说明干燥处理单元的结构的图；图5a～图5c是用于说明干燥处理单元的动作的图；图6是将清洗处理用喷嘴与干燥处理用喷嘴设置成一体时的示意图；图7是表示干燥处理用喷嘴的其他例子的示意图；图8a～图8c是用于说明使用图7中的干燥处理用喷嘴时的基板的干燥处理方法的图；图9是表示干燥处理用喷嘴的其他例子的示意图；图10是表示干燥处理单元的其他例子的示意图；图11是用于说明使用图10中的清洗处理单元时的基板的干燥处理方法的图；图12是用于说明接口用搬运机构的结构以及动作的图；图13是表示在清洗以及干燥处理中使用的2个流体喷嘴的内部构造的一个例子的纵向剖视图；图14a～图14c是用于说明使用图13中的2个流体喷嘴时的基板的干燥处理方法的图。
具体实施例方式
下面，针对本发明的实施方式的基板处理装置，使用附图进行说明。在下面的说明中，所谓基板是指半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等。
(1)第一实施方式(1-1)基板处理装置的结构图1是本发明第一实施方式的基板处理装置的俯视图。
在图1以后的各图中，为了明确其位置关系，均标有表示相互垂直的X方向、Y方向、以及Z方向的箭头。X方向以及Y方向在水平面内相互垂直，且Z方向相当于铅垂方向。此外，在各方向中，将箭头指向的方向设为+方向，其相反的方向设为一方向。另外，将以Z方向为中心的旋转方向设为θ方向。
如图1所示，基板处理装置500包括分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、干燥处理区区13以及接口区14。曝光装置15与接口区14相邻地配置。在曝光装置15中，通过浸液法对基板W进行曝光处理。
下面，将每一个分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、干燥处理区13以及接口区14称为处理部分。
分度器区9包括控制各处理区的动作的主控制器(控制部)30、多个搬运器装载台40以及分度器机械手IR。在分度器机械手IR设置了用于交接基板W的手部IRH。
反射防止膜用处理区10包括反射防止膜用热处理部100、101、反射防止膜用涂敷处理部50以及第一中央机械手CR1。反射防止膜用涂敷处理部50，隔着第一中央机械手CR1与反射防止膜用热处理部100、101相对向而设置。在第一中央机械手CR1，上下设置有用于交接基板W的手部CRH1、CRH2。
在分度器区9和反射防止膜用处理区10之间设置有隔离环境用的隔壁17。在该隔壁17上，上下接近地设置有基板装载部PASS1、PASS2，该基板装载部PASS1、PASS2用于在分度器区9和反射防止膜用处理区10之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS1在将基板W从分度器区9搬送到反射防止膜用处理区10时使用，而下侧的基板装载部PASS2在将基板W从反射防止膜用处理区10搬送到分度器区9时使用。
另外，在基板装载部PASS1、PASS2中设置有检测出有无基板W的光学式的传感器(未图示)。由此，可以在基板装载部PASS1、PASS2进行有无装载基板W的判定。另外，在基板装载部PASS1、PASS2设有被固定设置的多个支撑销。此外，上述光学式的传感器以及支撑销，也同样设置在如后所述的基板装载部PASS3～PASS12上。
抗蚀膜用处理区11包括抗蚀膜用热处理部110、111、抗蚀膜用涂敷处理部60以及第二中央机械手CR2。抗蚀膜用涂敷处理部60隔着第二中央机械手CR2与抗蚀膜用热处理部110、111相对向而设置。在第二中央机械手CR2，上下设置了用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。
在反射防止膜用处理区10和抗蚀膜用处理区11之间设置有隔离环境用的隔壁18。在该隔壁18上，上下接近地设置有基板装载部PASS3、PASS4，该基板装载部PASS3、PASS4用于在反射防止膜用处理区10和抗蚀膜用处理区11之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS3是在将基板W从反射防止膜用处理区10搬送到抗蚀膜用处理区11时使用，而下侧的基板装载部PASS4是在将基板W从抗蚀膜用处理区11搬送到反射防止膜用处理区10时使用。
显影处理区12包括显影用热处理部120、121、显影处理部70以及第三中央机械手CR3。显影处理部70隔着第三中央机械手CR3与显影用热处理部120、121相对向而设置。在第三中央机械手CR3，上下设置了用于交接基板W的手部CRH5、CRH6。
在抗蚀膜用处理区11和显影处理区12之间设置有隔离环境用的隔壁19。在该隔壁19，上下接近地设置了基板装载部PASS5、PASS6，该基板装载部PASS5、PASS6用于在抗蚀膜用处理区11和显影处理区12之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS5是在将基板W从抗蚀膜用处理区11搬送到显影处理区12时使用，而下侧的基板装载部PASS6在是将基板W从显影处理区12搬送到抗蚀膜用处理区11时使用。
干燥处理区13包括曝光后烘干用热处理部(PEB)130、131、干燥处理部80以及第四中央机械手CR4。PEB用热处理部131邻接于接口区14，且如后所述那样具有基板装载部PASS9、PASS10。干燥处理部80隔着第四中央机械手CR4与干PEB用热处理部130、131相对向而设置。在第四中央机械手CR4，上下设置了用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。
在显影处理区12与干燥处理区13之间设置有隔离环境用的隔壁20。在该隔壁20，上下接近地设置了基板装载部PASS7、PASS8，该基板装载部PASS7、PASS8用于在显影处理区12与干燥处理区13之间进行基板W的交接。上侧的基板装载部PASS7是在将基板W从显影处理区12搬送到干燥处理区13时使用，而下侧的基板装载部PASS8在是将基板W从干燥处理区13搬送到显影处理区12时使用。
接口区14包括第五中央机械手CR5、送进缓冲贮存器部SBF、接口用搬送机构IFR以及边缘曝光部EEW。另外，在边缘曝光部EEW的下侧设置有后面所述的返回缓冲贮存器部RBF以及基板装载部PASS11、PASS12。在第五中央机械手CR5，上下设置了用于交接基板W的手部CRH9、CRH10，而接口用搬送机构IFR设置有用于交接基板W的手部H5以及手部H6。
在本实施方式的基板处理装置500中，沿Y方向依次并排设置有分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、干燥处理区13以及接口区14。
图2是从+X方向观察图1中的基板处理装置500的侧视图。
在反射防止膜用处理区10的反射防止膜用涂敷处理部50(参照图1)，上下层叠配置有3个涂敷单元BARC。各涂敷单元BARC具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘51以及向被保持在旋转卡盘71上的基板W供给反射防止膜的涂敷液的供给喷嘴52。
在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用涂敷处理部60(参照图1)，上下层叠配置有3个涂敷单元RES。各涂敷单元RES具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘61以及向被保持在旋转卡盘61上的基板W供给抗蚀膜的涂敷液的供给喷嘴62。
在显影处理区12的显影处理部70(参照图1)，上下层叠配置有5个显影处理单元DEV。各显影处理单元DEV具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘71以及向被保持在旋转卡盘71上的基板W供给显影液的供给喷嘴72。
在干燥处理区13的干燥处理部80(参照图1)，上下层叠配置有3个干燥处理单元DRY。在该干燥处理单元DRY中，进行对基板W的清洗以及干燥处理。有关干燥处理单元DRY的详细情况，后面再叙述。
在接口区14，上下层叠配置有2个边缘曝光部EEW、返回缓冲贮存器部RBF以及基板装载部PASS11、PASS12，同时配置有第五中央机械手CR5(参照图1)以及接口用搬送机构IFR。各边缘曝光部EEW具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘98以及对被保持在旋转卡盘98上的基板W的周边进行曝光的光照射器99。
图3是从-X方向观察图1中的基板处理装置500的侧视图。
在反射防止膜用处理区10的反射防止膜用热处理部100，层叠配置有2个冷却单元(冷却板)CP，而在反射防止膜用热处理部101，上下层叠配置有4个加热单元(加热板)HP以及2个冷却单元CP。另外，在反射防止膜用热处理部100、101，在最上部分别配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用热处理部110，上下层叠配置有4个冷却单元CP，而在抗蚀膜用热处理部111，上下层叠配置有4个加热单元HP。另外，在抗蚀膜用热处理部110、111，在最上部分别配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。
在显影处理区12的显影用热处理部120，上下层叠配置有4个冷却单元CP，而在显影用热处理部121，上下层叠配置有4个加热单元HP。另外，在显影用热处理部120、121，在最上部分别配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。
在干燥处理区13的PEB用热处理部130，上下层叠配置有2个加热单元HP以及2个冷却单元CP，而在PEB用热处理部131，上下层叠配置有4个加热单元HP、1个冷却单元CP、基板装载部PASS9、PASS10以及1个冷却单元CP。另外，在PEB用热处理部130、131，在最上部分别配置有控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。
此外，涂敷单元BARS、RES、显影处理单元DEV、干燥处理单元DRY、加热单元HP以及冷却单元CP的个数，也可以根据各处理部分的处理速度适当变更。
(1-2)基板处理装置的动作接着，对于本实施方式的基板处理装置500的动作进行说明。
在分度器区9的搬运器装载台40上，搬入多层容纳有多张基板W的搬运器C。分度器机械手IR，使用手部IRH取出被容纳在搬运器C中的未处理的基板W。然后，分度器机械手IR一边沿±X方向移动一边沿±θ方向旋转移动，将未处理的基板W转载到基板装载部PASS1。
在本实施方式中，采用FOUP(front opening unified pod前开式统一标准箱)作为搬运器C，但并不只限于此，也可以使用SMIF(Standard MechanicalInter Face标准机械界面)盒或将容纳基板W曝露在外部空气中的OC(opencassette开放式盒子)等。进一步，在分度器机械手IR、第一～第五中央机械手CR1～CR5以及接口用搬送机构IFR，分别使用相对于基板W直线滑动而进行手部的进退动作的直动型搬送机械手，但并不只限于此，也可以使用通过关节动作进行手部的直线进退动作的多关节型机械手。
被转载到基板装载部PASS1上的未处理的基板W，由反射防止膜用处理区10的第一中央机械手CR1接受。第一中央机械手CR1，将基板W搬入到反射防止膜用热处理部100、101。然后，第一中央机械手CR1，从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理过的基板W，并搬入到反射防止膜用涂敷处理部50。在该反射防止膜用涂敷处理部50中，为了减少曝光时产生的驻波和光晕，通过涂敷单元BARC在基板W上涂敷形成反射防止膜。
然后，第一中央机械手CR1，从反射防止膜涂敷处理部50取出涂敷处理过的基板W，并搬入到反射防止膜用热处理部100、101中。接着，第一中央机械手CR1，从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理过的基板W，并转载到基板装载部PASS3上。
被转载到基板装载部PASS3上的基板W，由抗蚀膜用处理区11的第二中央机械手CR2接受。第二中央机械手CR2，将基板W搬入到抗蚀膜用热处理部110、111中。然后，第二中央机械手CR2，从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理过的基板W，并搬入到抗蚀膜用涂敷处理部60。在该抗蚀膜用涂敷处理部60中，通过涂敷单元RES在涂敷形成了反射防止膜的基板W上涂敷形成抗蚀膜。
然后，第二中央机械手CR2，从抗蚀膜用涂敷处理部60取出涂敷处理过的基板W，并搬入到抗蚀膜用热处理部110、111中。接着，第二中央机械手CR2，从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理过的基板W，并转载到基板装载部PASS5上。
被转载到基板装载部PASS5上的基板W，由显影处理区12的第三中央机械手CR3接受。第三中央机械手CR3，将基板W转载到基板装载部PASS7上。
被转载到基板装载部PASS7上的基板W，由干燥处理区13的第四中央机械手CR4接受。第四中央机械手CR4，将基板W转载到基板装载部PASS9上。被转载到基板装载部PASS9上的基板W，由接口部14的第五中央机械手CR5接受。第五中央机械手CR5，将基板W搬入到边缘曝光部EEW。在该边缘曝光部EEW中，对基板W的周边部实施曝光处理。
接着，第五中央机械手CR5，从边缘曝光部EEW取出边缘曝光处理过的基板W，并转载到基板装载部PASS11上。被转载到基板装载部PASS11上的基板W，通过接口用搬送机构IFR搬入到曝光装置15中。在曝光装置15中对基板W实施了曝光处理之后，接口用搬送机构IFR将基板W搬送到干燥处理部80。在干燥处理部80中，如上面所述的那样通过干燥处理单元DRY对基板W进行清洗以及干燥处理。在干燥处理部80中完成对基板的干燥处理之后，接口用搬送机构IFR将基板W转载到基板装载部PASS12上。此外，关于接口用搬送机构IFR的详细内容在后面叙述。
被转载到基板装载部PASS12上的基板W，由接口区14的第五中央机械手CR5接受。第五中央机械手CR5，将基板W搬入到干燥处理区13的PEB用热处理部131。在PEB用热处理部131中，对基板W进行曝光后的烘干(PEB)。还有，也可以通过PEB用热处理部130进行对基板的曝光后的烘干。
然后，第五中央机械手CR5从PEB用热处理部131取出热处理过的基板W，并转载到基板装载部PASS10上。被转载到基板装载部PASS10上的基板W，由干燥处理区13的第四中央机械手CR4接受。第四中央机械手CR4，将基板W转载到基板装载部PASS8上。
被转载到基板装载部PASS8上的基板W，由显影处理区12的第三中央机械手CR3接受。第三中央机械手CR3，将基板W搬入到显影处理部70中。在显影处理部70中，对曝光过的基板W进行显影处理。然后，第三中央机械手CR3从显影处理部70取出显影处理过的基板W，并搬入到显影用热处理部120、121中。
接着，第三中央机械手CR3，从显影用热处理部120、121取出热处理过的基板W，并转载到基板装载部PASS6上。被转载到基板装载部PASS6上的基板W，通过抗蚀膜用处理区11的第二中央机械手CR2被转载到基板装载部PASS4上。被转载到基板装载部PASS4上的基板W，通过反射防止膜用处理区10的第一中央机械手CR1被转载到基板装载部PASS2上。
被转载到基板装载部PASS2上的基板W，通过分度器区9的分度器机械手IR而被收纳在搬运器C中。由此，结束了基板处理装置对基板W的各种处理。
(1-3)干燥处理单元在此，关于上述干燥处理单元DRY，利用附图进行详细的说明。
(1-3a)干燥处理单元的结构首先，说明干燥处理单元DRY的结构。图4是用于说明干燥处理单元DRY的结构的图。
如图4所示，干燥处理单元DRY具有旋转卡盘621，该旋转卡盘621用于水平地保持基板W的同时，以通过基板W中心的垂直的旋转轴为中心使基板W旋转。
旋转卡盘621固定在通过卡盘旋转驱动机构636旋转的旋转轴625的上端。还有，在旋转卡盘621上形成有吸气路径(未图示)，通过在旋转卡盘621上装载有基板W的状态下排除吸气路径内的空气，而将基板W的下表面真空吸附在旋转卡盘621上，从而能够将基板以水平姿势保持。
在旋转卡盘621的外侧设有第一旋转马达660。在第一旋转马达660上连接有第一旋转轴661。还有，第一臂部662以向水平方向延伸的方式连接在第一旋转轴661上，在第一臂部662的前端设置有清洗处理用喷嘴650。
通过第一旋转马达660，第一旋转轴661旋转的同时，第一臂部662也转动，清洗处理用喷嘴650移动到被旋转卡盘621保持的基板W的上方。
以穿过第一旋转马达660、第一旋转轴661以及第一臂部662的内部的方式设置有清洗处理用供给管663。清洗处理用供给管663通过阀Va以及阀Vb连接到清洗液供给源R1以及冲洗液供给源R2上。通过控制该阀Va、Vb的开启与闭合，能够进行供给到清洗处理用供给管663的处理液的选择以及供给量的调节。在图4的结构中，通过开启阀Va，能够向清洗处理用供给管663供给清洗液，而通过开启阀Vb，能够向清洗处理用供给管663供给冲洗液。
对清洗处理用喷嘴650，通过清洗处理用供给管663从清洗液供给源R1或者冲洗液供给源R2供给清洗液或者冲洗液。由此，能够向基板W的表面供给清洗液或者冲洗液。作为清洗液，采用了例如纯水、纯水中溶解了络合物(进行过离子化的)的液体或者氟类药液等。作为冲洗液，采用了例如纯水、碳酸水、含氢水、电解离子水以及HFE(氢氟醚)中的任一种。
在旋转卡盘621的外侧，设有第二旋转马达671。在第二旋转马达671上连接有第二旋转轴672。还有，第二臂部673以向水平方向延伸的方式连接在第二旋转轴672上，在第二臂部673的前端设置有干燥处理用喷嘴670。
通过第二旋转马达671，第二旋转轴672旋转的同时，第二臂部673也转动，干燥处理用喷嘴670移动到被旋转卡盘621保持的基板W的上方。
以穿过第二旋转马达671、第二旋转轴672以及第二臂部673的内部的方式设置有干燥处理用供给管674。干燥处理用供给管674通过阀Vc连接到惰性气体供给源R3。通过控制该阀Vc的开启与闭合，能够调节供给到干燥处理用供给管674的惰性气体的供给量。
对干燥处理用喷嘴670，通过干燥处理用供给管674而从惰性气体供给源R3供给惰性气体。由此，能够向基板W的表面供给惰性气体。作为惰性气体例如采用氮气(N2)。
向基板W的表面供给清洗液以及冲洗液时，清洗处理用喷嘴650位于基板W的上方，而向基板W的表面供给惰性气体时，清洗处理用喷嘴650退避到规定的位置。
还有，向基板W的表面供给清洗液或者冲洗液时，干燥处理用喷嘴670退避到规定的位置，而向基板W的表面供给惰性气体时，干燥处理用喷嘴670位于基板W的上方。
保持于旋转卡盘621的基板W被容纳在处理筒623中。在处理筒623的内侧设有筒状的间隔壁633。还有，以包围旋转卡盘621的周围的方式形成有用于排出基板W的处理中使用过的处理液(清洗液或冲洗液)的排液空间631。进而，以包围排液空间631的方式在处理筒623与间隔壁633之间形成了用于回收基板W的处理中使用过的处理液的回收液空间632。
在排液空间631连接有用于将处理液导向排液处理装置(未图示)的排液管634，而在回收空间632连接有用于将处理液导向回收处理装置(未图示)的回收管635。
在处理筒623的上方设有用于防止来自基板W的处理液向外侧飞散的防护装置624。该防护装置624形成为相对于旋转轴625旋转对称的形状。在防护装置624的上端部的内面，以环状形成有截面为“＜”字状的排液引导槽641。
还有，在防护装置624下端部的内面形成有由向外侧下方倾斜的倾斜面构成的回收液引导部642。在回收液引导部642的上端附近，形成有用于容纳处理筒623的间隔壁633的间隔壁容纳槽643。
在该防护装置624上设有由滚珠丝杠机构等构成的防护装置升降驱动机构(未图示)。防护装置升降驱动机构使防护装置624在回收位置与排液位置之间上下移动，上述回收位置是指回收液引导部642与被旋转卡盘621保持的基板W的外周端面相对向的位置，而上述排液位置是指排液引导槽641与被旋转卡盘621保持的基板W的外周端面相对向的位置。在防护装置624位于回收位置(如图4所示的防护装置的位置)时，从基板W向外侧飞散的处理液由回收液引导部642引导到回收液空间632中，并通过回收管635而被回收。另一方面，在防护装置624位于排液位置时，从基板W向外侧飞散的处理液由排液引导槽641引导到排液空间631中，并通过排液管634被排出。通过以上的结构，进行处理液的排出以及回收。
(1-3b)干燥处理单元的动作接着，关于具有上述结构的干燥处理单元DRY的处理动作进行说明。此外，下面所说明的干燥处理单元DRY的各构成要件的动作，是由图1中的主控制器30控制的。
首先，搬入基板W时，防护装置624下降的同时，图1中的接口用搬送机构IFR将基板W装载到旋转卡盘621上。被装载在旋转卡盘621上的基板W由旋转卡盘621吸附保持。
接着，防护装置624移动到上述的排液位置的同时，清洗处理用喷嘴650移动到基板W的中心部上方。然后，旋转轴625转动，伴随着该转动，被保持在旋转卡盘621上的基板W也旋转。然后，清洗液从清洗处理用喷嘴650喷射到基板W的上表面。由此，进行对基板W的清洗。此外，向基板W的清洗液的供给，也可以使用2个流体喷嘴的软性喷射(ソフトスプレ一)方式。有关使用2个流体喷嘴时的干燥处理单元DRY的例子，在第2实施方式中进行说明。
经过规定时间后，清洗液的供给被停止，而从清洗处理用喷嘴650喷射出冲洗液。由此，基板W上的清洗液被冲洗掉。
再经过规定时间后，旋转轴625的转速降低。由此，通过基板W的旋转而被甩掉的冲洗液的量减少，如图5a所示，在基板W的表面全体上形成冲洗液的液层L。此外，也可以停止旋转轴625的旋转而在基板W的表面全体上形成液层L。
本实施方式中，在清洗液的供给以及冲洗液的供给上采用了共用清洗液处理用喷嘴650的结构，以使从清洗液处理液喷嘴650能够供给清洗液以及冲洗液中的任一种，但是，也可以采用分别分开清洗液供给用的喷嘴与冲洗液供给用的喷嘴的结构。
还有，供给冲洗液时，为了不使冲洗液回流到基板W的下表面，也可以从未图示的防冲洗(バツクリンス)用喷嘴向基板W的背面供给纯水。
此外，清洗基板W的清洗液采用纯水时，也可以不供给冲洗液。
接着，停止冲洗液的供给，清洗处理用喷嘴650退避到规定的位置的同时，干燥处理用喷嘴670移动到基板W的中心部上方。然后，从干燥处理用喷嘴670喷射出惰性气体。由此，如图5b所示，基板W的中心部的冲洗液移动到基板W的周边部，而变成只在基板W的周边部存在液层L的状态。
接着，旋转轴625(参考图4)的转速加快的同时，如图5c所示，干燥处理用喷嘴670从基板W的中心部上方逐渐地移动到周边部上方。由此，基板W的液层L受到很大的离心力作用的同时，能够对基板W的表面全体吹拂惰性气体，从而能够确实除去基板W上的液层L。结果，能够对基板W确实地进行干燥。
接着，惰性气体的供给被停止，干燥处理用喷嘴670退避到规定的位置的同时，旋转轴625的旋转停止。然后，防护装置624下降的同时，图1中的接口用搬送机构IFR将基板W从干燥处理单元DRY搬出。由此，结束在干燥处理单元DRY中的处理动作。
此外，清洗以及干燥处理中的防护装置624的位置，优选根据处理液的回收或者排液的必要性适当地进行变更。
还有，在如图4所示的干燥处理单元DRY中，清洗处理用喷嘴650与干燥处理用喷嘴670是分开独立设置的，但是，如图6所示，也可以将清洗处理用喷嘴650与干燥处理用喷嘴670设置成一体。这种情况下，清洗处理或者干燥处理基板W时，无需将清洗处理用喷嘴650与干燥处理用喷嘴670分别单独移动，因此，能够实现对驱动机构的简单化。
(1-3c)干燥处理单元的其他例子还有，也可以取代干燥处理用喷嘴670而使用如图7所示的干燥处理用喷嘴770。
图7中的干燥处理用喷嘴770，向垂直下方延伸的同时，具有从侧面向斜下方延伸的分支管771、772。在干燥处理用喷嘴770的下端以及分支管771、772的下端，形成有喷射惰性气体的气体喷射口770a、770b、770c。从各喷射口770a、770b、770c，分别如图7中的箭头所示，向垂直下方以及倾斜下方喷射惰性气体。也就是说，干燥处理用喷嘴770，以向下方扩大喷射范围的方式喷射惰性气体。
在此，采用干燥处理用喷嘴770时，干燥处理单元DRY通过以下说明的动作进行对基板W的干燥处理。
图8a～图8c是用于说明使用干燥处理用喷嘴770时的基板W的干燥处理方法的图。
首先，根据图5a中说明的方法，在基板W的表面形成了液层L以后，如图8a所示，再将干燥处理用喷嘴770移动到基板W的中心部上方。然后，从干燥处理用喷嘴770喷射惰性气体。由此，如图8b所示，基板W中心部的冲洗液移动到基板W的周边部，而成为只在基板W的周边部存在液层L的状态。此外，此时，使干燥处理用喷嘴770接近基板W的表面，以便能够确实地使存在于基板W的中心部的冲洗液移动。
接着，旋转轴625(参考图4)的转速提升的同时，如图8c所示，干燥处理用喷嘴770移动到上方。由此，很大的离心力作用于基板W上的液层L的同时，基板W上的被喷射惰性气体的范围扩大。结果，能够确实除去基板W上的液层L。此外，通过使第二旋转轴672上下升降，干燥处理用喷嘴770能够上下移动，而第二旋转轴672的上下升降，是通过设置在图4中的第二旋转轴672上的旋转轴升降机构(未图示)进行的。
还有，也可以取代干燥处理用喷嘴770而使用如图9所示的干燥处理用喷嘴870。图9中的干燥处理用喷嘴870，具有向下方直径逐渐变大的喷射口870a。从该喷射口870a，如图9中的箭头所示，向垂直下方以及倾斜下方喷射惰性气体。也就是说，干燥处理用喷嘴870，如同图7中的干燥处理用喷嘴770，也以向下方扩大喷射范围的方式喷射惰性气体。从而，采用干燥处理用喷嘴870时，也能通过与采用干燥处理用喷嘴770时同样的方法进行对基板W的干燥处理。
还有，也可以取代如图4所示的干燥处理单元DRY而使用如图10所示的干燥处理单元DRYa。
图10所示的干燥处理单元DRYa与图4所示的干燥处理单元DRY的不同之处如下。
图10中的干燥处理单元DRYa中，在旋转卡盘621的上方设有中心部具有开口的圆板状的遮断板682。从臂部688的前端附近向垂直下方的方向设有支撑轴689，而在该支撑轴689的下端，以与被旋转卡盘621所保持的基板W的上表面相对向的方式安装有遮断板682。
在支撑轴689的内部，插入经过连通到遮断板682的开口的气体供给路径690。气体供给路径690中供给例如氮气(N2)。
在臂部688上连接有遮断板升降驱动机构697以及遮断板旋转驱动机构698。遮断板升降驱动机构697使遮断板682在接近被旋转卡盘621保持的基板W的上表面的位置与从旋转卡盘621向上方离开的位置之间上下移动。
图10的干燥处理单元DRYa中，对基板W进行干燥处理时，如图11所示，在使遮断板682接近基板W的状态下，对基板W与遮断板682之间的间隙从气体供给路径690供给惰性气体。此时，因为能够从基板W的中心部向周边部高效地供给惰性气体，因此能够确实除去基板W上的液层L。
还有，上述实施方式中，在干燥处理单元DRY，根据旋转干燥方法实施了对基板W的干燥处理，但是，也可以通过减压干燥方法、吹拂器干燥方法等其他的干燥方法，对基板W实施干燥处理。
另外，上述实施方式中，在形成了冲洗液的液层L的状态下，从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体，但是，在没有形成冲洗液的液层L的情况或者不使用冲洗液的情况下，也可以旋转基板W而一旦甩掉液层之后，立即从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体而使基板W完全干燥。
(1-3d)干燥处理单元的效果如上所述，本实施方式的基板处理装置500中，在曝光装置15中对基板W进行曝光处理之后，在干燥处理部80中对基板W进行干燥处理。此时，曝光处理时附着在基板W上的液体，在干燥处理单元DRY中被除去。由此，基板W从干燥处理部80经由接口区14、干燥处理区13、显影处理区12、抗蚀膜用处理区11以及反射防止膜用处理区10而搬送到分度器区9时，可以防止向基板处理装置500内部滴下液体。结果，能够防止基板处理装置500的电气系统的异常等的动作不良。
还有，在干燥处理单元DRY中，通过一边旋转基板W一边从基板W的中心部向周边部喷射惰性气体，对基板W进行干燥处理。此时，能够确实除去基板W上的清洗液以及冲洗液，因此能够确实防止环境中的灰尘等附着在清洗后的基板W上。由此，能够确实防止基板W的污染的同时，能够防止在基板W表面发生干燥后的水斑。
还有，由于能够确实防止在清洗后的基板W上残留清洗液以及冲洗液，因此能够确实防止基板W从干燥处理单元DRY被搬送到显影处理部70的过程中，抗蚀剂的成分被清洗液以及冲洗液溶解。由此，能够防止形成在抗蚀膜上的曝光图案的变形。结果是能确实防止显影处理时的线宽精度的降低。
另外，在干燥处理单元DRY中，在对基板W的干燥处理之前进行基板W的清洗处理。此时，在曝光时被附着上液体的基板W从曝光装置14搬送到干燥处理单元DRY的过程中，即使环境中的灰尘等附着在该基板W上，也能确实除去该附着物。
这些的结果是，能够确实防止基板W的处理不良。
还有，本实施方式的基板处理装置500，由于具有在现有的基板处理装置上追加了干燥处理区13的结构，因此能够以低成本防止基板处理装置500的动作不良以及基板W的污染。
(1-4)接口用搬送机构接着，针对接口用搬送机构IFR进行说明。图12是用于说明接口用搬运机构IFR的结构以及动作的图。
(1-4a)接口用搬送机构的结构以及动作首先，针对接口用搬送机构IFR的结构进行说明。如图12所示，接口用搬送机构IFR的可动台31与螺旋轴32螺合。螺旋轴32以向X方向延伸的方式通过支撑台33可旋转地被支撑。在螺旋轴32的一端部设置有马达M1，通过该马达M1螺旋轴32旋转，而使可动台31在±X方向上水平移动。
另外，手部支撑台34以在±θ方向上可旋转且在±Z轴方向上可升降的方式搭载在可动台31上。手部支撑台34经由旋转轴35与可动台31内的马达M2相连接，通过该马达M2，手部支撑台34旋转。在手部支撑台34，可进退地上下设置有以水平姿势保持基板W的两个手部H5、H6。
接着，针对接口用搬送机构IFR的动作进行说明。接口用搬送机构IFR的动作，是由图1的主控制器30控制的。
首先，接口用搬送机构IFR，在图12的位置A，使手部支撑台34旋转的同时沿+Z方向上升，而使上侧的手部H5进入到基板装载部PASS11。在基板装载部PASS11中，若手部H5接受到基板W，则接口用搬送机构IFR使手部H5从基板装载部PASS11后退，并使手部支撑台34沿-Z方向下降。
接着，接口用搬送机构IFR沿-X方向移动，在位置B使手部支撑台34旋转的同时，使手部H5进入到曝光装置15的基板搬入部15a(参考图1)。将基板W搬入到基板搬入部15a之后，接口用搬送机构IFR使手部H5从基板搬入部15a后退。
接着，接口用搬送机构IFR使下侧的手部H6进入到曝光装置15的基板搬出部15b(参考图1)。在基板搬出部15b中，若手部H6接受曝光处理后的基板W，则接口用搬送机构IFR使手部H6从基板搬出部15b后退。
然后，接口用搬送机构IFR沿+X方向移动，在位置A使手部支撑台34旋转的同时沿+Z方向上升，使手部H6进入到干燥处理部80的干燥处理单元DRY。将基板W搬入到干燥处理单元DRY之后，接口用搬送机构IFR使手部H6从干燥处理单元DRY后退。
接着，接口用搬送机构IFR使手部H5进入到干燥处理单元DRY，而接受干燥处理后的基板W。然后，接口用搬送机构IFR使手部H5从干燥处理单元DRY后退。
接着，接口用搬送机构IFR使手部支撑台34旋转的同时沿±Z方向上升或者下降，使手部H5进入到基板装载部PASS12，将基板W转载到基板装载部PASS12上。
此外，将基板W从基板装载部PASS11搬送到曝光装置15时，在曝光装置15不能接受基板W的情况下，基板W一旦搬送到送进缓冲贮存器部SBF中，而直到曝光装置15可接受为止在送进缓冲贮存器部SBF中等待。
还有，将基板W从曝光装置15搬送到干燥处理部80时，在干燥处理部80不能接受基板W的情况下，基板W一旦搬送到返回缓冲贮存器部RBF中，而干燥处理部80可接受为止在返回缓冲贮存器部RBF中等待。
(1-4b)接口用搬送机构的效果如上所述，在本实施方式中，将基板W从基板装载部PASS11搬送到曝光装置15时以及从干燥处理部80搬送到基板装载部PASS12时，使用接口用搬送机构IFR的手部H5，而将基板W从曝光装置15搬送到干燥处理部80时，使用手部H6。即，在曝光处理之后有液体附着的基板W的搬送使用手部H6，而没有液体附着的基板W的搬送使用手部H5。从而，基板W的液体不会附着在手部H5上。
另外，手部H6设置在手部H5的下方，所以液体即使从手部H6以及被其保持的基板W滴下，液体也不会附着在手部H5以及被其保持的基板W上。
这些的结果是，可以确实防止液体附着在干燥处理后的基板W上，所以可更加确实防止由于液体滴到基板处理装置500内而造成的基板处理装置500的动作不良。
还有，也可防止液体附着在曝光处理前的基板W上，因此能够防止环境中的灰尘等附着在曝光处理前的基板W上。由此，能够防止曝光装置15内部被污染，因此能够降低在曝光装置15中对基板W的处理不良。
(1-4c)接口用搬送机构的变形例此外，在本实施方式中，通过1台接口用搬送机构IFR，对基板W进行从基板装载部PASS11到曝光装置15的搬送、从曝光装置15到干燥处理部80的搬送以及从干燥处理部80到基板装载部PASS12的搬送，但是也可以使用多台接口用搬送机构IFR进行基板W的搬送。
另外，也可以根据曝光装置15的基板搬入部15a以及基板搬出部15b的位置，变更接口用搬送机构IFR的动作以及结构。例如，曝光装置15的基板搬入部15a以及基板搬出部15b位于与图12中的位置A相对向的位置时，也可以不设置图12中的螺旋轴32。
(2)第二实施方式
(2-1)采用2个流体喷嘴的干燥处理单元第二实施方式的基板处理装置与第一实施方式的基板处理装置的不同之处为，在干燥处理单元DRY中采用了如图13所示的2个流体喷嘴而取代图4中的清洗处理用喷嘴650以及干燥处理用喷嘴670。第二实施方式的基板处理装置的其他部分的结构，与第一实施方式的基板处理装置相同。
图13是表示被使用在清洗以及干燥处理中的2个流体喷嘴950的内部构造的一个例子的纵向剖视图。从2个流体喷嘴950，能够选择性地喷射气体、液体、以及气体与液体的混合流体。
本实施方式的2个流体喷嘴950被称为外部混合型。在图13中所示的外部混合型的2个流体喷嘴950是由内部主体部311以及外部主体部312构成。内部主体部311是由例如石英等构成，而外部主体部312是由例如PTFE(聚四氟乙烯)等的氟类树脂构成。
沿着内部主体部311的中心轴形成有圆筒状的液体导入部311b。在液体导入部311b上安装有图4中的清洗处理用供给管663。由此，由清洗处理用供给管663供给的清洗液或冲洗液被导入到液体导入部311b。
在内部主体部311的下端形成有连通到液体导入部311b的液体喷射口311a。内部主体部311插入到外部主体部312内。此外，内部主体部311以及外部主体部312的上端部相互接合在一起，而下端没有接合在一起。
在内部主体部311与外部主体部312之间，形成有圆筒状的气体流通部312b。在外部主体部312的下端形成有连通到气体流通部312b的气体喷射口312a。在外部主体部312的周壁上安装有连通到气体流通部312b的图4的干燥处理用供给管674。由此，从干燥处理用供给管674供给的惰性气体被导入到气体流通部312b中。
气体流通部312b，在气体喷射口312a的附近，随着向下方靠近其直径变得更小。结果，惰性气体的流速加快，而从气体喷射口312a喷出。
从流体喷射口311a喷射出的清洗液与从气体喷射口312a喷射出的惰性气体，在2个流体喷嘴950的下端附近的外部相混合，而生成含有清洗液的微细液滴的雾状混合流体。
图14是用于说明使用图13的2个流体喷嘴950时的基板W的干燥处理方法的图。
首先，如图4所示，基板W被旋转卡盘621吸附保持，伴随着旋转轴625的旋转而转动。此时，旋转轴625的转速例如为约500rpm。
在该状态下，如图14a所示，从2个流体喷嘴950向基板W的上表面喷射由清洗液以及惰性气体组成的雾状混合流体的同时，2个流体喷嘴950从基板W的中心部上方逐渐向周边部上方移动。由此，从2个流体喷嘴950向基板W的表面全体吹附混合流体，进行对基板W的清洗。
从2个流体喷嘴950喷射出的混合流体中含有清洗液的微细液滴，因此，即使是在基板W的表面存在凹凸的情况下，也可以通过清洗液的微细液滴除去附着在凹凸中的污垢。由此，能够确实除去基板W表面上的污垢。还有，在基板W上的膜不易浸湿的情况下，也通过清洗液的微细液滴除去基板W表面的污垢，因此能够确实除去基板W表面上的污垢。
另外，通过调节惰性气体的流量，能够容易地调节对基板W进行清洗时的清洗能力。由此，在基板W上的有机膜(抗蚀膜以及抗蚀剂保护膜)具有易损的特性的情况下，可以通过减弱清洗能力而防止基板W上的有机膜破损。还有，基板W表面上的污垢不易除去时，可以通过增强清洗能力而确实除去基板W表面的污垢。如此，通过根据基板W上的有机膜的特性以及污垢的程度控制清洗能力，能够防止基板W上的有机膜的破损的同时，能够确实地清洗基板W。
接着，如图14b所示，混合流体的供给被停止，旋转轴625的转速降低的同时，从2个流体喷嘴950向基板W上喷射冲洗液。此时，旋转轴625的转速例如为约10rpm。由此，在基板W表面全体上形成冲洗液的液层L。此外，也可以停止旋转轴625的旋转而在基板W的表面全体上形成液层L。还有，采用纯水作为清洗基板W的混合流体中的清洗液时，也可以不供给冲洗液。
液层L形成以后，冲洗液的供给被停止。接着，如图14c所示，从2个流体喷嘴950向基板W喷射惰性气体。由此，基板W的中心部的清洗液移动到基板W的周边部，而成为只在基板W的周边部存在液层L的状态。
然后，旋转轴625的转速上升。此时，旋转轴625的转速例如为约100rpm。由此，对基板W的液层L施加很大的离心力，从而能够除去基板W上的液层L。其结果，基板W被干燥。
此外，除去基板W上的液层L时，也可以让2个流体喷嘴950从基板W的中心部上方向周边部上方逐渐移动。由此，能够对基板W的全体表面喷射惰性气体，因此能够确实除去基板W上的液层L。其结果，能够对基板W确实地进行干燥。
(2-2)采用2个流体喷嘴的干燥处理单元的其他例此外，在采用图13的2个流体喷嘴950的情况，通过2个流体喷嘴950向基板W供给冲洗液，但也可以使用另外设置的喷嘴向基板W供给冲洗液。
还有，在采用图13的2个流体喷嘴950的情况，在除去基板W上的液层L时，通过2个流体喷嘴950向基板W供给惰性气体，但也可以使用另外设置的喷嘴向基板W供给惰性气体。
(2-3)第二实施方式的效果第二实施方式的基板处理装置500中，在曝光装置15中对基板W进行曝光处理之后，在干燥处理部80中实施对基板W的清洗处理。此时，曝光处理后附着在基板W上的水滴残留物、以及来自基板W上的有机膜的析出物等，在干燥处理单元DRY中通过从2个流体喷嘴950向基板W供给清洗液与惰性气体的混合流体而被除去。
从2个流体喷嘴950喷射出的混合气体含有清洗液的微细液滴，因此，即使是在基板W的表面存在凹凸的情况，也可以通过清洗液的微细液滴除去附着在凹凸中的污垢。由此，能够确实除去基板W表面的污垢。还有，在基板W上的膜不易浸湿的情况下，也通过清洗液的微细液滴除去基板W表面的污垢，因此能够确实除去基板W表面的污垢。结果，能够防止由于曝光处理后的基板的污染造成的基板的处理不良。
另外，通过调节惰性气体的流量，能够容易地调节对基板W进行清洗时的清洗能力。由此，在基板W上的有机膜(抗蚀膜以及抗蚀盖膜)具有易损的特性的情况下，可以通过减弱清洗能力而防止基板W上的有机膜被损坏。还有，基板W表面的污垢顽固时，可以通过增强清洗能力而确实除去基板W表面的污垢。如此，通过根据基板W上的有机膜的特性以及污垢的程度调节清洗能力，而能够防止基板W上的有机膜的破损的同时，能够确实地清洗基板W。
还有，干燥处理单元DRY中，对基板W进行清洗处理之后，再进行基板W的干燥处理。由此，供给到基板W的清洗液被除去，因此可以防止基板W从干燥处理部80经由接口区14、干燥处理区13、显影处理区12、抗蚀膜用处理区11以及反射防止膜用处理区10输送到分度器区9时，向基板处理装置500内部滴下清洗液。其结果，能够防止基板处理装置500的电气系统的异常等的动作不良。
还有，在干燥处理单元DRY中，通过一边旋转基板W一边从基板W的中心部向周边部喷射惰性气体，来对基板W进行干燥处理。此时，能够确实除去基板W上的清洗液以及冲洗液，因此，能够确实防止环境中的灰尘等附着在清洗后的基板W上。由此，能够确实防止对基板W的污染的同时，能够防止在基板W的表面发生干燥后的水斑。
还有，由于能够确实防止在清洗后的基板W上残留清洗液以及冲洗液，因此，能够确实防止基板W从干燥处理单元DRY搬送到显影处理部70的过程中，抗蚀剂的成分被清洗液以及冲洗液溶解析出。由此，能够防止形成在抗蚀膜上的曝光图案变形。其结果，能确实防止显影处理时的线宽精度的降低。
这些结果，能够确实防止基板W的处理不良。
还有，在第二实施方式中，采用外部混合型的2个流体喷嘴950。在外部混合型的2个流体喷嘴950中，混合流体是通过在2个流体喷嘴950的外部混合清洗液与惰性气体而生成的。在2个流体喷嘴950的内部，惰性气体与清洗液各自被区分成不同的流路而流通。由此，气体流通部312b内不会有清洗液残留，而能够使惰性气体单独从2个流体喷嘴950喷射。进而，通过由清洗处理用供给管663供给冲洗液，能够将冲洗液从2个流体喷嘴950中单独喷射。从而，能够从2个流体喷嘴950选择性地喷射混合流体、惰性气体以及冲洗液。
还有，在采用2个流体喷嘴950的情况下，不需分别单独设置用于向基板W供给清洗液或者冲洗液的喷嘴与用于向基板W供给惰性气体的喷嘴。由此，能够以简单的结构确实进行对基板W的清洗以及干燥。
还有，本实施方式的基板处理装置500，由于具有在现有的基板处理装置上追加了干燥处理区13的结构，因此能够以低成本防止基板处理装置500的动作不良以及基板W的污染。
(3)本发明实施方案的各构成要素与实施方式各部分的对应本实施方式中，反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12以及干燥处理区13相当于处理部，接口区14相当于交接部，涂敷单元RES相当于第一处理单元，抗蚀膜用处理区11相当于第一处理单位，干燥处理单元DRY、DRYa相当于第二处理单元，干燥处理区13相当于第二处理单位，显影处理单元DEV相当于第三处理单元，显影处理区12相当于第三处理单位，涂敷单元BARC相当于第四处理单元，反射防止膜用处理区10相当于第四处理单位，分度器区9相当于基板搬入搬出部。
另外，加热单元HP以及冷区单元CP相当于第一～第四热处理单元，第二中央机械手CR2相当于第一搬送单元，第四中央机械手CR4相当于第二搬送单元，第三中央机械手CR3相当于第三搬送单元，第一中央机械手CR1相当于第四搬送单元，第五中央机械手CR5相当于第五搬送单元，接口用搬送机构IFR相当于第六搬送单元，手部H5相当于第一保持部，手部H6相当于第二保持部，基板装载部PASS11、PASS12相当于装载部。
还有，旋转卡盘621相当于基板保持装置，旋转轴625以及卡盘旋转驱动机构636相当于旋转驱动装置，清洗处理用喷嘴650相当于清洗液供给部以及冲洗液供给部，干燥处理用喷嘴670、770、870相当于惰性气体供给部。
另外，2个流体喷嘴950相当于流体喷嘴，液体导入部311b相当于液体流路，气体流通部312b相当于气体流路。
权利要求
1.一种基板处理装置，以相邻于曝光装置的方式配置，其特征在于，具有处理部，其用于对基板进行处理，交接部，其以邻接于上述处理部的一端部的方式设置，用于在上述处理部和上述曝光装置之间进行基板的交接；上述处理部具有第一处理单位，其包含在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜的第一处理单元、对基板进行热处理的第一热处理单元以及搬送基板的第一搬送单元，第二处理单位，其包含通过上述曝光装置实施了曝光处理后进行基板的干燥处理的第二处理单元、对基板进行热处理的第二热处理单元以及搬送基板的第二搬送单元，第三处理单位，其包含通过上述第二处理单元实施了干燥处理后对基板进行显影处理的第三处理单元、对基板进行热处理的第三热处理单元以及搬送基板的第三搬送单元；上述第二处理单位以邻接于上述交接部的方式配置。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元通过向基板上供给惰性气体来对基板进行干燥处理。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理部进一步具有第四处理单元、对基板进行热处理的第四热处理单元、以及搬送基板的第四搬送单元，上述第四处理单元在通过上述第一处理单元形成上述感光性膜之前，在基板上形成反射防止膜。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，进一步具有基板搬入搬出部，该基板搬入搬出部以邻接于上述处理部的另一端部的方式配置，且进行向上述处理部的基板的搬入以及从上述处理部的基板的搬出，上述第四处理单位以邻接于上述基板搬入搬出部的方式配置。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述交接部包括第五处理单元，其对基板进行规定的处理，装载部，其用于暂时装载基板，第五搬送单元，其用于在上述处理部、上述第五处理单元以及上述装载部之间搬送基板，第六搬送单元，其用于在上述装载部、上述曝光装置以及上述第二处理单元之间搬送基板；上述第六搬送单元将从上述曝光装置搬出的基板搬送到上述第二处理单元。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，上述第六搬送单元包括保持基板的第一保持部以及第二保持部，上述第六搬送单元，在从上述装载部将基板搬送到上述曝光装置时以及从上述第二处理单元将基板搬送到上述装载部时，通过上述第一保持部保持基板，在从上述曝光装置将基板搬送到上述第二处理单元时，通过上述第二保持部保持基板。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二保持部设置在上述第一保持部的下方。
8.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，上述第五处理单元包括对基板的周边部进行曝光的边缘曝光部。
9.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元在对基板的干燥处理之前进一步进行对基板的清洗处理。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元具有基板保持装置，其大致水平地保持基板，旋转驱动装置，其使由上述基板保持装置保持的基板在垂直于该基板的轴的周围进行旋转，清洗液供给部，其将清洗液供给到由上述基板保持装置保持的基板上，惰性气体供给部，其在由上述清洗液供给部向基板上供给清洗液之后，向基板上供给惰性气体。
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述清洗液供给部供给到基板上的清洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使上述清洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
12.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元进一步具有冲洗液供给部，该冲洗液供给部在由上述清洗液供给部供给清洗液之后，且在由上述惰性气体供给部供给惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
13.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，上述惰性气体供给部，以使由上述冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使上述冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
14.一种基板处理装置，以相邻于曝光装置的方式配置，其特征在于，具有处理部，其用于对基板进行处理，交接部，其以邻接于上述处理部的一端部的方式配置，用于在上述处理部和上述曝光装置之间进行基板的交接；上述处理部具有第一处理单位，其包含在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜的第一处理单元、对基板进行热处理的第一热处理单元以及搬送基板的第一搬送单元，第二处理单位，其包含通过上述曝光装置实施了曝光处理之后，通过向基板供给包含液体以及气体的混合流体的流体喷嘴对基板进行清洗处理的第二处理单元、对基板进行热处理的第二热处理单元以及搬送基板的第二搬送单元，第三处理单位，其包含通过上述第二处理单元实施了清洗处理之后对基板进行显影处理的第三处理单元、对基板进行热处理的第三热处理单元以及搬送基板的第三搬送单元；上述第二处理单位以邻接于上述交接部的方式配置。
15.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元通过从上述流体喷嘴向基板供给含有惰性气体以及清洗液的混合流体，对基板进行清洗处理。
16.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元，在对基板进行清洗处理之后，对基板进行干燥处理。
17.如权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元包括惰性气体供给部，该惰性气体供给部通过向基板上供给惰性气体来对基板进行干燥处理。
18.如权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴作为上述惰性气体供给部发挥功能。
19.如权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元进一步包括基板保持装置，其大致水平地保持基板，旋转驱动装置，其使由上述基板保持装置保持的基板在垂直于该基板的轴的周围进行旋转。
20.如权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元，以使从上述流体喷嘴供给到基板上的混合流体从基板上的中心部向外侧移动从而使上述混合流体从基板上排除的方式，供给惰性气体。
21.如权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元进一步包括冲洗液供给部，该冲洗液供给部在从上述流体喷嘴供给混合流体之后，且在由上述惰性气体供给部供给上述惰性气体之前，向基板上供给冲洗液。
22.如权利要求21所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴作为上述冲洗液供给部发挥功能。
23.如权利要求21所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二处理单元，以使由上述冲洗液供给部供给到基板上的冲洗液从基板上的中心部向外侧移动从而使上述冲洗液从基板上排除的方式，供给惰性气体。
24.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，上述流体喷嘴具有流通液体的液体流路，流通气体的气体流路，与上述液体流路连通并开口的液体喷射口，以及气体喷射口，其设置在上述液体喷射口的附近，同时与上述气体流路连通并开口。
全文摘要
本发明提供一种基板处理装置，其具有分度器区、反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区、干燥处理区以及接口区。曝光装置以相邻于接口区的方式配置。干燥处理区具有干燥处理部。接口区具有接口用搬送机构。在曝光装置中对基板进行曝光处理之后，通过接口用搬送机构将基板搬送到干燥处理部。在干燥处理部对基板进行清洗以及干燥处理。
文档编号H01L21/02GK1786827SQ20051012956
公开日2006年6月14日 申请日期2005年12月6日 优先权日2004年12月6日
发明者安田周一, 金冈雅, 金山幸司, 宫城聪, 茂森和士, 浅野彻, 鸟山幸夫, 田口隆志, 三桥毅, 奥村刚 申请人:大日本网目版制造株式会社