专利名称：被处理基板的除电方法、基板处理装置、程序的制作方法
技术领域：
本发明涉及在使被处理基板从载置台脱离的情况下进行的被处理基板的除电方法、基板处理装置和程序。
背景技术：
在对半导体晶片和玻璃基板等被处理基板进行蚀刻、成膜等规定处理的基板处理装置中，例如通过搬送臂等将被处理基板搬入处理室内，在放置于载置台上并在被吸附保持的状态下进行蚀刻处理，当处理结束时，例如推向可自由升降的提升销，使被处理基板从载置台脱离，通过搬送臂等搬出。
此时，作为将被处理基板吸附保持在载置台上的夹具，例如大多采用静电卡盘，该静电卡盘是将直流电压施加到埋入介电构件内的电极板，通过库仑力等静电力吸附保持被处理基板。然而，在利用这种静电卡盘吸附被处理基板的情况下，即使在处理后，有时断开施加在静电卡盘的电压，在被处理基板上还残留有电荷，吸附保持力还残存。因此，在这种状态下，当通过提升销使被处理基板从载置台脱离时，容易产生被处理基板的割损和偏移。因此，在使被处理基板脱离前，要进行被处理基板的除电处理，削弱静电吸附力(例如参照专利文献1、2)。
在进行这种除电处理时，例如与被处理基板的处理条件(处理方法)一起，读取预存储的除电条件(例如向静电卡盘施加的电压、处理室内压力、导入处理室内的气体流量等)的参数并设定除电条件，根据设定的除电条件进行除电处理。
日本专利特开平9-64021号公报[专利文献2]日本专利特开平11-274141号公报然而，由于通常预存储的除电条件是以在对被处理基板的处理正常结束时的被处理基板的状态下的除电为前提决定参数的值，所以根据实行被处理基板的除电时的被处理基板的状态的不同，有时不能对被处理基板进行充分除电。
例如，在对被处理基板进行蚀刻等处理途中，当基板处理装置发生异常，不能正常结束时，根据该异常的原因和放置时间等，被处理基板成为过吸附状态。因此，为了在这种状态下取除被处理基板，即使进行被处理基板的除电，在预存储的除电条件下也不能充分地进行被处理基板的除电，被处理基板容易产生割损和偏移。
本发明鉴于这样的问题而提出，其目的在于提供一种不但在被处理基板的处理正常结束时，而且在被处理基板的处理非正常结束的情况下也可以充分地进行被处理基板的除电的基板处理装置、被处理基板的除电方法和程序。
发明内容
为了解决上述问题，根据本发明的观点，提供一种被处理基板的除电方法，其在吸附保持在配置于处理室内的载置台的状态下的进行规定处理的被处理基板从上述载置台脱离时进行，其特征在于，具有在进行上述被处理基板的除电前，判断对上述被处理基板的规定处理是否正常结束，当判断为正常结束时，根据存储在正常时除电条件信息存储部件中的正常时除电条件信息设定除电条件，当判断为非正常结束时，根据存储在非正常时除电条件信息存储部件中的非正常时除电条件信息设定除电条件的除电条件设定工序；和根据通过上述除电条件设定部件设定的除电条件进行上述被处理基板的除电处理的除电处理实行工序。
为了解决上述问题，根据本发明的另一个观点，提供一种基板处理装置，其在吸附保持在配置于处理室内的载置台的状态下的进行规定处理的被处理基板从上述载置台脱离时进行上述被处理基板的除电，其特征在于，具有存储正常时除电条件信息的正常时除电条件信息存储部件；存储非正常时除电条件信息的非正常时除电条件信息存储部件；在进行上述被处理基板的除电前，判断对上述被处理基板的规定处理是否正常结束，当判断为正常结束时，根据来自上述正常时除电条件信息存储部件的正常时除电条件信息设定除电条件，当判断为非正常结束时，根据来自上述非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件信息设定除电条件的除电条件设定部件；和根据通过上述除电条件设定部件设定的除电条件进行上述被处理基板的除电处理的除电处理实行装置。
为了解决上述问题，根据本发明的另一个观点提供一种程序，其用于实行在吸附保持在配置于处理室内的载置台的状态下的进行规定处理的被处理基板从上述载置台脱离时进行被处理基板的除电处理，其特征在于，具有在计算机中，在进行上述被处理基板的除电前，判断对上述被处理基板的规定处理是否正常结束，当判断为正常结束时，根据存储在正常时除电条件信息存储部件中的正常时除电条件信息设定除电条件，当判断为非正常结束时，根据存储在非正常时除电条件信息存储部件中的非正常时除电条件信息设定除电条件的除电条件设定顺序；和根据设定的除电条件进行上述被处理基板的除电处理的除电处理实行顺序。
在本发明的装置、方法和程序中，当对被处理基板的规定处理正常结束时，根据正常时除电条件进行除电处理，当对被处理基板的规定处理非正常结束时，根据与正常时除电条件不同的除电条件的非正常时除电条件进行除电处理，因此不仅当被处理基板的规定处理正常结束时，而且非正常结束时，也可以充分地对被处理基板除电。由此，可以可靠地防止发生被处理基板的割损和偏移。
在上述装置、方法和程序中，上述除电条件的设定也可以是，在对上述被处理基板的处理非正常结束的情况下，判断是否移至维护，当判断移至维护时，同样在从维护返回的情况下，根据存储在上述装置参数存储部件中的非正常时除电条件信息设定除电条件。由此，从维护到返回，例如在被处理基板处于过吸附状态下，这时也可根据非正常时除电条件实行除电处理，因此可以充分地对被处理基板除电。
在上述装置、方法和程序中，上述除电处理的实行也可以是，上述除电处理实行部件检测上述除电处理状况，其检测值与允许界限条件比较，在上述除电处理状况的检测值满足允许界限条件时，判断上述除电处理牌异常状态并停止上述除电处理，根据来自上述非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件设定除电条件，再试行上述除电处理。由此，即使例如在因除电处理异常不能充分地进行被处理基板的除电时，根据非正常时除电条件再试行除电处理，因此可充分地对被处理基板除电。
在上述装置、方法和程序中，上述允许界限条件分成上述除电处理为异常的异常条件和作为比该异常条件缓和的条件的警告条件两个阶段，在实行上述除电处理中，在上述除电处理状况的检测值满足上述异常条件时，判断为上述除电处异常状态并停止上述除电处理，在上述除电处理状况的检测值满足上述警告条件时，判断上述除电处理处于警告状态并进行上述警告处理。在除电处理处于警告状态时，通过警告处理等将情况告知操作者，因此操作者可以事前预测除电处理为异常状态的可能性。
在上述装置、方法和程序中，实行上述除电处理也可以是，在上述被处理基板的除电处理结束后，探求是否选择再试行上述除电处理，当选择再试行上述除电处理时，根据来自上述非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件信息设定除电条件。由此，由于根据被处理基板的状态再试行除电处理，所以可更可靠地对被处理基板除电。
在上述装置、方法和程序中，可通过例如输入部件编辑上述非正常时除电条件信息。由此，由于操作者可在基于非正常时除电条件信息进行除电处理的时间根据被处理基板的状态设定除电条件，因此可高效地对被处理基板充分除电。
在上述装置、方法和程序中，上述非正常时除电条件信息也可以是可编辑的除电条件参数的个数比上述正常时除电条件信息多。由于基于非正常时除电条件信息的除电处理包含产生某种异常时的处理，因此可设定得比正常时除电条件信息284细。由此，根据进行除电处理时的被处理基板的状态，可以细致地设定除电条件，因此可充分地进行被处理基板的除电。
在上述装置、方法和程序中，根据基于上述非正常时除电条件信息设定的除电条件进行的除电处理也可以包括在上述被处理基板的背面与上述载置台之间抽真空的处理。这是为防止被处理基板从载置台脱离时的跳起。
在上述装置、方法和程序中，在上述除电处理中，包括重复将施加在使上述被处理体静电吸附在配置于上述处理室内的载置台上的静电吸附部件的电压的极性反转的处理。由此，可更可靠地对被处理基板除电。
在上述装置、方法和程序中，上述非正常时除电条件信息也可以至少包含施加到上述静电吸附部件的电压、上述处理室内的压力、供给到上述处理室内的处理气体的多个气体管路的气体流量的各个参数。由此，在除电处理的实行中，例如即使在气体管路中产生异常不能从该气体管路供给除电处理必要的规定流量的处理气体时，可以组合从其他多个气体管路的处理气体的供给，编辑非正常时除电条件信息，使各个气体流量合计为除电处理所必要的规定流量。
采用本发明，不但在被处理基板的处理正常结束时，而且在被处理基板的处理非正常结束时，可以充分地对被处理基板除电。由此，可以可靠地防止发生被处理基板的割损和偏移的问题。
图1为表示本发明的实施方式的基板处理装置的结构例的截面图。
图2为表示图1所示的控制部的结构例的方框图。
图3为表示图2的晶片处理条件信息的数据表的具体例的示意图。
图4为表示图2的正常时除电条件信息的数据表的具体例的示意图。
图5为表示图2的允许界限条件信息的数据表的具体例的示意图。
图6为表示图2的非正常时除电条件信息的数据表的具体例的示意图。
图7为表示同一实施方式的除电处理的具体例的流程图。
图8为表示图7所示的除电条件的设定的具体例的流程图。
图9为表示图7所示的除电条件的实行的具体例的流程图。
符号说明100-基板处理装置102-处理室103-容器主体
104-盖105-波纹管106-门阀120-下部电极122-静电卡盘124-静电卡盘电极125-直流电源126-可变电阻127-开关128、129-端子132-聚焦环134-盖环136-冷媒室138-冷却单元139-传热气体供给部140-上部电极142-处理气体供给部144-电极板145-气体通气孔146-电极支承体147-缓冲室148-绝缘构件150-屏蔽环162-第一高频电源164-匹配器166-高通滤波器(HPF)172-第二高频电源174-匹配器176-低通滤波器(LPF)180-排气口182-排气装置
200-控制部210-CPU220-ROM230-RAM240-显示部件250-输入输出部件260-报知部件270-各种控制器280-方法参数存储部件282-晶片处理条件信息284-正常时除电条件信息290-装置参数存储部件292-允限界限条件信息294-非正常时除电条件信息W-晶片具体实施方式
以下参照附图详细说明本发明的优选实施方式。在本说明书和附图中，具有实质上相同功能的构成要素以相同的符号表示，省略重复说明。
(基板处理装置的结构例)首先，参照
本发明的基板处理装置的结构例。图1为表示本实施方式的基板处理装置的结构例的截面图。基板处理装置100作为对被处理装置进行蚀刻处理等的等离子体处理装置构成。
如图1所示，基板处理装置100具有由铝等导电性材料构成的处理室(腔室)102。处理室102例如由上部具有开口的容器主体103和具有闭塞该容器主体103的开口部的盖(盖部)104的处理容器构成。盖104通过螺钉等紧固构件可自由装卸地气密地安装在容器主体103上。此外，在盖104与容器主体103之间放置O形圈等密封构件(未图示)。由此，可确保盖104与容器主体103之间更高的气密性。其中，处理室102保安接地。
在处理室102内具有兼作放置被处理基板例如半导体晶片(以下简称为“晶片”)W的载置台的圆板形的下部电极(基座)120，和与下部电极120相对配置，兼有导入处理气体或清洗气体等喷淋头作用的上部电极140。
第一高频电源162隔着匹配器164与下部电极120连接，频率比上述第一高频电源162高的第二高频电源172隔着匹配器174与上部电极140连接。此外，过滤从第二高频电源172流入下部电极120的高频电流的高通滤波器(HPF)166与下部电极120连接，过滤从第一高频电源162流入上部电极140的高频电流的低通滤波器(LPF)176与上部电极140连接。
供给处理室102内处理所必要的气体的处理气体供给部142隔着气体导入管与上部电极140连接。处理气体供给部142例如由供给在处理室102内的晶片的加工处理或处理室102内的清洁处理等必要处理气体或冲洗气体等的气体供给源，和具有控制从气体供给源的气体导入的阀和质量流量控制器的多根气体管路构成。
其中，处理气体供给部142具有根据来自控制部200的控制信号，可选择地构成的多个气体管路。例如，不同种类的处理气体可用不同的气体管路供给，此外通过多根气体管路供给相同种类的处理气体也可以。由此，即使任何一根气体管路发出异常，通过其他气体管路也可供给相同处理气体。此外，由于仅用一根气体管路不能供给的流量的处理气体也可用多根气体管路供给，因此可供给必要流量的气体。
在处理室102的底面设置有排气口180。排出处理室102内的气体的排气装置182隔着排气管与该排气口180连接。排气装置182具有例如真空泵，可将处理室102内减压至规定的真空度。
在下部电极120上设置有用于以静电吸附力保持晶片W的静电卡盘122。该静电卡盘122通过将例如由导电膜构成的静电卡盘电极124夹在绝缘膜内构成。可切换正电压施加、负电压施加的直流电源125隔着可变电阻126和开关127与静电卡盘电极124电连接。
采用这样构成的静电卡盘122，开关127与端子128连接，通过利用直流电源125施加正电压，可以利用库仑力将晶片W吸附保持在静电卡盘122上。此外，开关127与端子129连接，通过由直流电源125施加负电压，由于与静电吸附时相反极性的电压有关，所以可对被处理基板除电。此外，通过由可变电阻126调整从直流电源125施加的电压，可以调整晶片W的吸附保持力。此外，静电吸附时的极性与除电时的极性不限于上述情况，根据静电卡盘122的结构也可以相反。
下部电极120具有从静电卡盘122的上表面剥离晶片W的脱离部件(未图示)。脱离部件由例如将在与下部电极120垂直的方向延伸、可从静电卡盘122的上表面突出的多根(例如四根)提升销(又可称为提升器销或支承销)安装在升降构件上构成。该提升销例如通过由气缸或滚珠丝杠机构等构成的驱动机构，隔着升降构件构成为可以升降，根据提升销的升降，提升销的前端例如隔着在下部电极120上形成的孔部，在静电卡盘122的表面上突出，可使静电卡盘122上的晶片W脱离。
在静电卡盘122的上表面边缘部配置有聚焦环132，使其包围晶片W的外周。进而，在下部电极120的上表面边缘部配置有盖环134，使其包围静电卡盘122和聚焦环132。通过这些聚焦环132、盖环134，将等离子体集中在晶片W上。此外，这些聚焦环132和盖环134不一定必需分开构成，也可以一体构成。
此外，在下部电极120的内部设置有冷却机构。该冷却机构例如可隔着配管，将规定温度的冷媒(例如冷却水)从冷却装置138循环供给到例如在下部电极120内的圆周方向延伸的冷媒室136。通过冷媒的温度控制静电卡盘122上的晶片W的处理温度。
进而，将例如He气等传热气体(冷却气体、反向(back)气体)从传热气体供给部139经过气体供给管路供给到静电卡盘122的上表面与晶片W的背面之间。由此，可促进下部电极120与晶片W之间的热传导。传热气体供给部139构成为可将静电卡盘122的上表面与晶片W的背面之间抽真空。由此，可以调整静电卡盘122的上表面与晶片W的背面的压力。
此外，在下部电极120的下表面与处理室102的底面之间放置例如铝制的波纹管105。在下部电极120上设置有升降机构(未图示)，通过该升降机构使下部电极120升降，可根据对晶片W的处理，适当设定与上部电极140的间隙。此外，在处理室的侧壁上，安装有开闭晶片W的搬入搬出口的门阀106。
兼作喷淋头的上部电极140具备具有多个气体通孔145的下表面的电极板144和可自由装拆地支承该电极板144的电极支承体146。电极板144由例如硅材料构成，电极支承体146由例如铝构成。在电极支承体146内形成有缓冲室147，上述处理气体供给部142隔着气体导入管与该缓冲室147的气体导入口连接。
在上部电极140上安装有绝缘构件148，包围其外周，成为与处理室102绝缘。绝缘构件148的下表面与电极板144的下表面为一个面，在该绝缘构件148的下表面与电极板144的下表面边缘部上安装有屏蔽环150。屏蔽环150由例如石英、氧化铝等无机氧化物构成。其中，屏蔽环150不一定必需与绝缘件148分开构成，也可以一体构成，兼作绝缘构件。
上述基板处理装置100具有控制各个部分的控制部200。控制部200与例如第一和第二高频电源162、172，匹配器164、174，处理气体供给部142、排气装置182、静电卡盘122用的开关127和可变电阻126冷却装置138、传热气体供给部139等连接。
此外，在基板处理装置100上设置有各种传感器(未图示)。作为各种传感器可举出测定施加在上部电极140和下部电极120上的电压或施加在静电卡盘122上的电压等的电气传感器；检测处理气体供给部142的处理气体流量和传热气体供给部139的传热气体流量的气体流量传感器；检测上部电极140和下部电极120等的温度的温度传感器。此外，各种传感器中也包括隔着设置在处理室11的侧壁的透明窗安装的等离子体发光分光器(未图示)。等离子体发光分光器31将特定波长的等离子体分光，检测等离子体状态的变化，根据该特定波长等离子体强度的变化检测蚀刻的终点。这些各种传感器与控制部200连接。
控制部200通过上述电气传感器、气体流量传感器、温度传感器、等离子体发光分光器等各种传感器检测蚀刻等对晶片的处理(晶片处理)状况和后述的除电处理状况，根据这些检测值，控制处理气体供给部142、排气装置182、传热气体供给部139等各个部分并进行处理。而且，通过各种传感器的检测值判断是否在正常进行晶片处理或后述的除电处理，在检测到基板处理装置100的故障和处理异常等异常的情况下，驱动警报等报知部件260通知操作者(互锁处理)。
(控制部的结构例)其次，参照图2说明上述控制部的结构例。如图2所示，控制部200具有构成控制部主体的CPU(中央控制装置)210；存储CPU210用于控制各个部分的程序数据(例如对晶片W进行的规定处理、晶片W的除电处理等的程序数据)等的ROM(只读存储器)220；设置有CPU210用于进行各种数据处理的存储区域等的RAM(随机存取存储器)230。
此外，控制装置200具备由显示操作画面或选择画面等的液晶显示器等构成的显示部件240；具有操作者利用键盘或触模板等操作输入各种数据的输入部件和通过可将操作者的操作的各种数据输出到打印机或外部存储装置等的输出部件的输入输出部件250；例如由蜂鸣器这样的警报器构成的报知部件260；控制基板处理装置100的各部分(例如处理气体供给部142、传热气体供给部139、静电卡盘122用的开关127等)的各种控制器270；作为正常时除电条件信息存储部件的一例的方法参数存储部件280；和作为非正常时除电条件信息存储部件的一例装置参数存储部件290。
上述CPU210、ROM220、RAM230、显示部件240、输入输出部件250、报知部件260、各种控制器270、方法参数存储部件280、装置参数存储部件290通过控制总线、系统总线、数据总线等总线线路电连接。
在各种控制器270中包含控制第一和第二高频电源162、172，匹配器164、174，处理气体供给部142、排气装置182、静电卡盘122用的开关127和可变电阻126、冷却单元138、传热气体供给部139等的控制器。
上述方法参数存储部件280主要存储例如基板处理装置100对晶片W的处理等自动进行时参照的信息，而装置参数存储部件290主要存储例如基板处理装置100的处理停止，由操作者进行基板处理装置100的各种设定和维护处理等情况下的参照信息。
在本实施方式中，将连续进行晶片W的蚀刻等规定处理(以下称为“晶片处理”)时，将晶片处理正常结束时实施的正常时除电条件信息284存储在方法参数存储部件280中；将晶片处理非正常结束时实施的非正常时除电条件信息294存储在装置参数存储部件290中。由此，当晶片处理正常结束时，由于可自动进行晶片处理结束后的除电处理，因此可提高处理的生产率。与此相对，例如当某种异常发生，不能正常结束晶片处理时，例如在必需停止晶片处理并去除晶片W的情况下，由于根据异常的原因和放置时间等不同的晶片W的状态设定最优的除电条件，因此可以对晶片W充分除电。
以下说明存储在这种方法参数存储部件280和装置参数存储部件290的信息。在方法参数存储部件280中存储有晶片处理条件(处理方法)信息282和正常时除电条件(除电方法)信息284。晶片处理条件信息282为在处理室102中进行晶片处理时，控制基板处理装置100的各部分的条件。晶片处理条件信息282例如如图3所示，具有处理室内电压、处理气体种类和流量、施加在上部电极和下部电极的高频电压等多个参数。
正常时除电条件信息284为在根据晶片处理条件信息282正常结束晶片处理时实行的除电处理中，用于控制基板处理装置100的各部分的条件。因此，对正常时除电条件信息284只要决定各参数的值，就可以使得在晶片处理正常结束时的晶片W的状态下能够充分除电。例如如图4所示，正常除电条件信息284具有静电卡盘施加电压、处理气体的气体流量、处理室内压力等多个参数。静电卡盘施加电压是施加在静电卡盘122的电压，例如是与静电吸附时反极性的电压。处理气体的气体流量是从处理气体供给部142供给的处理气体，例如N2气的气体流量。处理室内压力是处理室102内的压力，例如通过控制上述处理气体的导入和处理室102内的排气量来调整。
其中，正常时除电条件信息284的除电条件的各个参数可由例如操作者通过输入输出部件250的操作编辑。例如，在进行晶片处理前，变更晶片处理条件等情况下，与此相应，必需要变更除电条件。
在装置参数存储部件290中存储有除电处理的允许界限条件信息292和非正常的除电条件(除电方法)信息294。如图5所示，除电处理的允许界限条件信息292是存储检查在除电处理中是否正常实行除电处理的允许界限条件。
允许界限条件可在除电条件的所有或一部分参数的每一个中分多阶段设定。在图5所示的允许界限条件信息292中，例如静电卡盘施加电压、气体流量、处理室内压力等各个参数中设定有该界限条件1、2的两个阶段。这些允许界限条件可通过输入输出部件250设定为任意值。
允许界限条件2为除电条件的参数，例如是不连续进行除电处理程度的各传感器的检测值在与除电条件的设定值相比偏离的异常状态下的允许界限条件。允许界限条件1为除电条件参数，例如是在不连续进行除电处理程度下，但与除电条件的参数设定值偏离一定程度以上的警告状态的允许界限条件。可以设定成与允许条件2相比缓和的允许界限条件。
允许界限条件可以仅在除电处理为异常状态的允许界限条件2的一个阶段设定。通过上述两个阶段，由于在达到除电处理为异常状态的允许界限条件2之前，必需达到成为除电处理警告状态的允许界限条件1，因此，可在除电处理成为警告状态时，将除电处理为警告状态的消息通过后述的警告处理等通知操作者，由此，操作者可在事前预测除电处理异常状态的可能性。
此外，根据除电处理中的基板处理装置100的状态和周围环境等，对于除电条件的参数，各个传感器的检测值可能有变动。因此，即使暂时满足允许界限条件，也可立即回到规定的范围内，对除电处理本身没有妨碍。因此，如图6所示，作为允许界限条件，不仅表示在各个允放界限条件1、2中偏离除电条件的各参数设定值的程度(例如，各参数预设定值的比例)范围，而且超过该范围的时间也可设定。由此，各常数的值变动少，即使暂时超过允许界限条件范围，该状态也不会延续设定时间以上，不判断为异常。通过这样做，可以在真正除电处理中产生异常的情况下判断为异常状态。
其中，在本实施方式中说明了除电处理的互锁处理中使用的允许界限条件信息292，但对晶片W的蚀刻处理等规定处理的互锁处理中的允许界限条件信息也与允放界限条件信息292同样构成，例如存储在装置参数存储部件中也可以。由此，判定对晶片W的处理是否正常，可与除电处理的情况同样进行。
非正常时除电条件信息294是，根据晶片处理条件信息282，在非正常结束晶片处理的情况下进行的除电处理中，控制基板处理装置100的各个部分的条件。晶片处理非正常结束时，不但有如后所述的例如产生某种异常，中途停止晶片处理的情况，而且包含不论有无发生异常，由操作者中途停止晶片处理的情况。
非正常时除电条件信息294的除电条件的各参数，例如可通过操作者操作输入输出部件250编辑。由此，由于在根据非正常时除电条件信息294进行除电处理的时间中，可根据晶片W的状态设定除电条件，因此可以高效率地对晶片W充分除电。
此外，非正常时除电条件信息294的除电条件可编辑的参数个数比正常时除电条件信息284的除电条件参数个数多。例如，在非正常时除电条件信息294中，可编辑进行处理室102内的压力调整等的时间和将电压施加在静电卡盘122上的时间。由于根据非正常时除电条件信息294的除电处理包含发生某种异常时的处理，因此可设定为比正常时除电条件信息284细。由此，由于可根据进行除电处理时的晶片W的状态细致地设定除电条件，因此可更充分地进行晶片W的除电。
此外，非正常时除电条件信息294的除电条件的各参数的缺省值也可与正常时除电条件信息284的值相同。这是因为在晶片处理非正常结束的情况下，例如放置时间短的情况等，在处理正常结束时晶片W的状态几乎不改变的情况，即使与正常时除电条件相同的条件，也可充分地进行晶片W的除电。此外，最初在与正常时除电条件相同的条件下进行除电处理，也可以一边看晶片W的状态，一边编辑非正常时除电条件信息294并再试行除电。
此外，非正常时除电条件信息294的除电条件的各参数的缺省值也可以全部为0。由此，可省去在每个基板处理装置100中改变非正常时除电条件信息294出厂时的缺省值的麻烦。即，由于通过基板处理装置100的结构(例如，处理气体供给部142的气体管路数和由气体管路可供给的最大气体流量等)可以改变可设定的非正常时除电条件信息294，因此在非正常时除电条件信息294的除电条件的各参数的缺省值不为0的情况下，必需改变在每个基板处理装置100中非正常对除电条件信息294出厂时的缺省值。在这种情况下，不需要改变每个基板处理装置100中非正常时除电条件信息294出厂时的缺省值。
其中，如上所述，在使非正常时除电条件信息294的除电条件的各参数的缺省值全部为0的情况下，在进行除电处理前必需编辑非正常时除电条件信息294。但是，如果忘记编辑非正常时除电条件信息294的除电条件，进行除电处理，在除电条件各参数全部为0的状态下，不能正常进行除电处理，因此在这种状态下，例如不能通过提升销使晶片W从静电卡盘122脱离。
此外，在本实施方式中，说明了非正常时除电条件信息294存储在装置参数存储部件290中的情况，但是不必限于此，也可以存储在方法参数存储部件280中，在后述除电处理中，当需要非正常时除电条件信息294时，从方法参数存储部件280中读取并设定除电条件。
例如如图6所示，非正常时除电条件信息294具有静电卡盘施加电压、施加在静电卡盘上的电压施加时间、处理室内压力、压力等的调整时间、处理气体供给部142的各个气体管路的处理气体等的气体流量等参数。
此外，处理气体供给部142的各气体管路可以作成可存储基板处理装置100具有的所有气体管路的参数，也可以存储多个参数中的一部分的参数。此外，也可以仅能够设定供给除电处理必要的处理气体(例如N2气和隋性气体)的气体管路。由此，可编辑非正常时除电条件信息294，使得在进行除电处理中，例如有气体管路产生异常，不能从该气体管路供给除电处理所必要的规定流量的处理气体时，组合从其他多个气体管路的处理气体的供给，使各气体流量合计为上述除电处理必要规定流量。
通过这样构成的控制部200控制基板处理装置100的各部分，在作为晶片处理，例如进行蚀刻处理的情况下，通过搬送臂等将晶片W搬入处理室102内，放在兼作载置台的下部电极120上，通过静电卡盘122静电吸附晶片W。之后，通过处理气体供给部142将规定的处理气体导入处理室102内，通过排气装置182排出处理室102内的气体，由此达到规定的真空度。
这样在维持规定真空度的状态下，通过从第一高频电源162将例如2MHz的第一高频电力施加在下部电极120上，同时从第二高频电源172将例如60MHz的第二高频电力施加在上部电极140上，可在第二高频电力作用下，使下部电极120与上部电极140之间产生处理气体的等离子体，同时，在第一高频电力的作用下，在下部电极120上产生自偏置电位。由此，可对下部电极120上的晶片W进行例如反应性离子蚀刻等离子体处理。在进行这种晶片处理中，控制部200根据来自上述各种传感器的检测值检测异常，检查是否发生异常(互锁处理)。
此外，在没有检出异常，正常结束晶片W的加工处理的情况下，进行晶片W的除电处理，例如推向提升销，使晶片W从静电卡盘122脱离，通过搬送臂等从处理室102搬出。作为这种情况的除电条件，可根据想定晶片处理正常结束时的晶片W的状态预先决定的除电条件进行除电处理。
但在晶片处理为非正常结束的情况下，由于异常的原因和放置时间等，晶片W的状态有可能成为过吸附状态。所谓晶片处理非正常结束的情况是在例如晶片处理进行中，产生基板处理装置100的故障、停电、漏电、加工异常等停止晶片处理的情况，和移至维护等、在取除异常等原因后再启动基板处理装置、返回的情况等。
在这种情况下，例如由于从异常状态返回需要时间，多数为晶片W保持吸附状态放置的情况，因此进行除电处理时的晶片W的状态与晶片处理正常结束时相比为过吸附状态。因此，在这种状态下，为了使晶片W从静电卡盘122脱离，即使在与上述相同的除电条件下实行晶片W的除电处理，也不能充分地对晶片W除电。因此，存在压下提升销，使晶片W从静电卡盘122脱离时产生晶片W的割损，通过搬送臂搬出晶片W时使晶片W产生偏移的问题。
采用本发明，除了以当晶片处理正常结束时在晶片W的状态下除电为前提，决定各参数值的正常时除电条件之外，设置可编辑除电条件的各参数的非正常时除电条件，在晶片处理正常结束的情况下根据正常时除电条件实行除电处理，在晶片处理非正常结束的情况下根据非正常时除电条件实行除电处理。由此，由于在与正常时除电条件不同的除电条件下能够进行除电处理，所以即使在晶片处理非正常结束的情况下也可充分地对晶片W除电。因此，可以可靠地防止产生晶片W割损和偏移的问题。
(晶片的除电处理的具体例)这里，说明从上述本实施方式的晶片除电处理的具体例。图7为表示晶片的除电处理的具体例的流程图。如图7所示，在步骤S100中进行根据晶片W状态的除电条件的设定(除电条件设定部件、除电条件设定工序、除电条件设定阶段)，在步骤S200中，在设定的除电条件下进行晶片W的除电处理(进行除电处理的部件、进行除电处理的工序、进行除电处理的阶段)。
首先，说明设定除电条件(步骤S100)的具体例。除电条件的设定可通过图8所示的子例程(routine)进行。在步骤S110中判断晶片处理是否正常结束。具体而言，通过上述控制部200的互锁处理，检查是否在晶片处理进行中发生异常。在未产生异常结束晶片处理时，判断为晶片处理正常结束。此外，在晶片处理进行中，例如产生基板处理装置100的故障、停电、漏电、加工异常等，停止晶片处理时，判断晶片处理为非正常结束。其中，不论是否发生异常，在操作者通过输入输出部件250停止晶片处理时，都判断晶片处理为非正常结束。
在步骤S110中判断为晶片处理正常结束时，在步骤S160中以设定正常时除电条件信息作为除电条件，回到图7所示的主例程，移至步骤S200的处理。在晶片处理正常结束时，通过根据正常时除电条件信息284的除电处理可以进行充分的除电。具体而言，从方法参数存储部件280读取正常时除电条件信息284，将各个参数作为以后的除电处理的除电条件。
在步骤S110中判断晶片处理为非正常结束时，判断是否移至维护。如上所述，在晶片处理进行中等发生异常时，通过警报等报知部件报知。在这种情况下，操作者为了去除异常的原因进行各部分的修理，可移至维护处理。是否移至维护处理，可通过例如在显示部件240上显示的选择画面等，通过是否选择移至维后护来判断。
在步骤S120中判断为移至维护的情况下，在步骤S130中，判断是否从维护返回，等待到从维护返回。
在步骤S120中判断为不移至维护的情况下，在步骤S140中，判断是否再试行晶片处理。在晶片处理进行中等发生异常，通过警报报知部件报告时，除移至上述的维护之外，例如通过显示部件240显示的选择画面，操作者可选择再试行晶片处理或停止晶片处理。其中，在这种晶片W的再试行中，不但包含从最初在相同处理条件下进行晶片处理的情况，而且包含进行剩下的处理的情况。
在步骤S140中判断为再试行晶片处理时，在相同的处理条件下再试行晶片处理。在步骤S150中判断晶片处理是否正常结束。步骤S150的处理与步骤S110的处理同样。
当在步骤S150中判断晶片处理为非正常结束时，回到步骤S120的处理。此外，在步骤S150中，当判断晶片处理正常结束时，在步骤S160中将正常时除电条件作为除电条件设定。这是因为在晶片处理再试行正常结束的情况下，可在与正常时相同的除电条件下进行晶片W的除电。
与此相对，当在步骤S130中判断从维护返回时，与在步骤S140中判断不再试行晶片处理同时(例如判断为停止晶片处理时)，移至后述步骤S170以后的处理，将非正常时除电条件作为除电条件设定，回到图7所示的主例程并移至步骤S200的处理。在从维护返回的情况和停止晶片处理的情况等，由于晶片W的过吸附状态，在正常时除电条件下不能充分地对晶片W进行除电。
在上述步骤S170中判断是否编辑非正常时除电条件。在进行除电处理前，可以编辑非正常时除电条件。由此，操作者可一边确认晶片W的状态，或根据过去的经验一边自由地编辑非正常时除电条件。
在上述步骤S170中，判断为编辑非正常时除电条件时，步骤S180中等待非正常时除电条件的编辑结束。当在步骤S180中判断为非正常时除电条件编辑结束时，更新装置参数存储部件290的非正常时除电条件信息294，存储编辑后的非正常时除电条件，在步骤S190中将编辑后的非正常时除电条件作为除电条件设定。具体而言，从装置参数存储部件290读取已更新的非正常时除电条件信息294，将各参数作为以后衽的除电处理的除电条件设定。
在步骤S170中判断为不编辑非正常时除电条件时，将步骤S190中保持原样的非正常时除电条件作为除电条件设定。在这种情况下，将例如非正常时除电条件的各参数的缺省值作为除电条件设定。此外，如果由硬盘或非挥发性存储器等构成装置参数存储部件290，则在过去编辑的非正常时除电条件的情况下，由于已存储有编辑后的非正常时除电条件，所以也可以将那样的过去编辑的非正常时除电条件作为除电条件设定。
其次，说明进行除电处理(步骤S200)的具体例。除电处理通过图9所示的子例程进行。即，在步骤S210中设定的除电条件下进行除电处理。具体而言，在通过除电条件的设定(步骤S100)将正常时除电条件的参数作为除电条件设定时，根据正常时除电条件的参数进行除电处理，在将非正常时除电条件作为除电条件设定的情况下，根据非正常时除电条件的参数进行除电处理。
除电处理如下进行。首先，从处理气体供给部142的规定的气体管路将处理气体，例如N2气以除电条件中设定的气体流量导入处理室102内，并通过排气装置抽真空，调整使处理室102内除电条件设定的压力。
此时，在非正常时除电条件的除电处理时，控制传热气体供给部139，将静电卡盘122的上表面与晶片W的背面之间抽真空。这是为防止晶片W从静电卡盘脱离时跳起。即，当晶片W的背面压力处于比处理室内压力高的状态时，残留在晶片W的背面与静电卡盘122之间的传热气体由于与处理室内的压力的压力差喷出，晶片W在静电卡盘122上飞跳，引起晶片W偏移，晶片W的边缘部的沉积物等在处理室102内飞舞，产生附着在晶片W上的问题。
特别是，在非正常除电条件的除电处理时，由于发生异常等，不能正常结束晶片处理，又由于异常原因等不能预测晶片W背面等的状态，因此晶片W背面压力比处理室内压力高的状态的概率高。因此，在非正常时除电条件的除电处理的情况下，为了可靠防止晶片W的跳起，优选将晶片W的背面抽真空。这一点在正常时除电条件的除电处理的情况下，由于晶片W的背面压力或处理室内的压力可知，可根据需要，将晶片W背面抽真空。
当处理室102内为由除电条件设定的压力时，保持该压力，同时切换开关127，将与静电吸附时极性相反的电压(反施加电压)施加到静电卡盘122。此时，施加到静电卡盘122的电压值为除电条件设定的电压值。在这个状态下当经过规定时间时，断开施加到静电卡盘122的反施加电压，同时断开处理气体的导入，停止处理室102内的压力控制。
此外，作为除电处理的静电卡盘122的控制处理，如上所述，不限于将施加到静电卡盘122的电压设定为除电条件的电压值的处理。例如，通过切换操作静电卡盘122的开关127，重复使极性反转，将除电条件设定的电压值施加到静电卡盘122的处理也可以。
在步骤S220中判断上述除电处理是否正常进行。判断在除电处理中进行互锁处理，是否发生基板处理装置100的故障、停电、漏电、除电处理异常等。其中，在除电处理异常中，例如在静电卡盘施加电压、气体流量、处理室内压力等除电条件的参数中，监视电气传感器、气体流量传感器、压力传感器等各种传感器的检测值，根据图5所示的允许界限条件信息292检查是否发生异常。
这样的除电处理的互锁处理例如如下这样进行。在除电条件的参数中各个传感器的检测值满足允许界限条件1且不满足允许界限条件2的情况下，通过警报等报知部件260报告，进行在显示部件240上显示警告的警告处理(报警处理)。在这种情况下，例如以满足允许界限条件1的次数等作为除电处理状况存储在例如允许界限条件信息292中。
此外，在除电条件的参数中的各个传感器的检测值满足允许界限条件2的情况下，通过警报等报告部件260，在显示部件240上显示发生异常，停止除电处理。
当在步骤S220中判断除电处理正常时，例如在上述互锁的处理中，来自各传感器的检测值不满足允许界限条件2的情况下，在步骤S230中判断是否结束除电处理，当判断为不结束除电处理时，返回步骤S210的处理。
此外，当在步骤S220中判断除电处理非正常时，例如在上述互锁处理中，各传感器的检测值满足允许界限条件2的情况下，在步骤S222中停止除电处理，在步骤S270～步骤S290中进行设定非正常时除电条件的处理。步骤S270～步骤S290的处理与图8所示的步骤S170～步骤S190的处理相同。
在这样进行除电处理的情况下，当在除电处理途中发生异常，停止除电处理时，不论设定的除电条件如何，都不能充分地进行晶片W的除电。因此，在这种情况下，可设定非正常时除电条件并进行再次除电处理。由此，可以充分地进行晶片W的除电。
当在步骤S230中判断除电处理结束时，在步骤S240中，在显示部件240中显示除电处理状况。此时，可以与除电处理状况一起，在显示部件240中显示除电处理的再试行选择画面。作为除电处理再试行选择画面，例如可用“YES”、“NO”表示。
此外，作为除电处理状况，显示满足存储在图5所示的允许界限条件信息292的除电处理状况中的允许界限条件1的次数等。例如，满足允许界限条件1的次数为0时，由于不再发生除电处理的警告，意味着正常地结束除电处理，可以显示这个意思。此外，在满足允许界限条件1的次数为1以上的情况下，除电处理的警告至少发生一次以上，还达不到满足允许界限2，则意味着除电处理结束。因此，在这种情况下，可以通过除电选择画面选择再试行。
其次，在步骤S250中判断是否再试行除电处理。具体而言，在通过上述除电选择画面选择”YES”的情况下，判断为再试行除电处理，在选择”NO”的情况，判断为不再试行除电处理。
当在步骤S250中判断再试行除电处理时，在步骤S270～S290中进行非正常时除电条件的设定处理，回到步骤S210，再试行除电处理。即，在再试行除电处理的情况下，可以通过编辑非正常的除电条件，改变除电条件再试行除电处理。由此，可以可靠地防止在不能充分地进行晶片W的除电的状态下，晶片W从静电卡盘122上脱离。
此外，在图9所示的流程图中，在判断为在步骤S250中不再试行除电处理时，重复进行步骤S210～步骤S250和步骤S270～步骤S290，所以可以任意次改变除电条件，再试行除电处理。由此，由于例如可确认每减少改变一个除电条件并进行除电处理的除电处理状况，所以可以更可靠地进行晶片W的除电。
当在步骤S250中判断不再试行除电处理时，回到步骤S260，使晶片W从静电卡盘122脱离，返回图7的处理，结束一系列的除电处理。具体而言，例如通过推向提升销，使晶片W从兼作载置台的下部电极120的静电卡盘122脱离，结束除电处理。由此，不仅在晶片处理正常结束时，在晶片处理非正常结束时，也可以充分地对晶片W除电，所以不会割损晶片W，不会有偏移，可以通过搬送臂等搬出、取除晶片W。
此外，将存储有实现上述实施方式功能(例如晶片处理功能，除电处理功能)的软件的程序的存储介质等介质供给到系统或装置，通过该系统或装置的计算机(或CPU和MPU)读取并运行存储在存储介质等介质中的程序，可以达成本发明。
在这种情况下，利用从存储介质等读取的程序本身实现上述实施方式的功能，存储有该程序的存储介质等介质可构成本发明。作为供给程序的存储介质等介质可使用例如软(注册商标)盘、硬盘、光盘光磁盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、磁带、非挥发性存储卡、ROM或通过网络下载等。
此外，不但可通过运行计算机读取的程序，实现上述实施方式的功能，而且可根据该程序的指示，使计算机上工作的OS等进行实际处理的一部或全部，通过该处理实现上述实施方式的功能也包含在本发明中。
此外，在从存储介质等介质读取的程序写入到插入计算机中的功能扩展板或与计算机连接的功能扩展单元具有的存储器后，根据该程序的指示，该功能扩展板或功能扩展单元具有的CPU等进行实际处理的一部分或全部，通过该处理实现上述实施方式的功能，这也包含在本发明中。
以上，参照
了本发明的优选实施方式，但本明不仅限于上述例。本领域技术人员可知，在权利要求范围所记载的范围内可有各种变更例或修正例。这些当然也属于本发的技术范围。
产业上利用的可能性本发明可用于使被处理基板从载置台脱离的情况下进行的被处理基板的除电方法、基板处理装置和程序。
权利要求
1.一种被处理基板的除电方法，其在吸附保持在配置于处理室内的载置台的状态下的进行规定处理的被处理基板从所述载置台脱离时进行，其特征在于，具有在进行所述被处理基板的除电前，判断对所述被处理基板的规定处理是否正常结束，当判断为正常结束时，根据存储在正常时除电条件信息存储部件中的正常时除电条件信息设定除电条件，当判断为非正常结束时，根据存储在非正常时除电条件信息存储部件中的非正常时除电条件信息设定除电条件的除电条件设定工序；和根据通过所述除电条件设定部件设定的除电条件进行所述被处理基板的除电处理的除电处理实行工序。
2.如权利要求1所述的被处理基板的除电方法，其特征在于所述除电条件设定工序包括在对所述被处理基板的处理为非正常结束时，判断是否移至维护，当判断为移至维护时，同样在从该维护返回时，根据存储在所述装置参数存储部件中的非正常时除电条件信息设定除电条件的工序。
3.如权利要求1或2所述的被处理基板的除电方法，其特征在于所述除电处理实行工序包括检测所述除电处理状况，比较其检测值与允许界限条件，当所述除电处理状况的检测值满足允许界限条件时，判断所述除电处理为异常状态并停止所述除电处理，根据来自所述非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件设定除电条件，再试行所述除电处理的工序。
4.如权利要求3所述的被处理基板的除电方法，其特征在于所述允许界限条件分成所述除电处理异常的异常条件和作为比该异常条件缓和的条件的警告条件两个阶段，所述除电处理实行工序包括在所述除电处理状况的检测值满足所述异常条件时，判断所述除电处理处于异常状态并停止所述除电处理，在所述除电处理状况的检测值满足所述警告条件时，判断所述除电处理处于警告状态并进行所述警告处理的工序。
5.如权利要求1～4中任一项所述的被处理基板的除电方法，其特征在于所述除电处理实行工序包括在所述被处理基板的除电处理结束后，探求是否选择再试行所述除电处理，当选择再试行所述除电处理时，根据来自所述非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件信息设定除电条件的工序。
6.如权利要求1～5中任一项所述的被处理基板的除电方法，其特征在于所述非正常时除电条件信息可通过输入部件编辑。
7.如权利要求6所述的被处理基板的除电方法，其特征在于所述非正常时除电条件信息中可编辑的除电条件参数的个数比所述正常时除电条件信息多。
8.如权利要求1～7中任一项所述的被处理基板的除电方法，其特征在于在根据所述非正常时除电条件信息设定的除电条件进行的除电处理中，包括在所述被处理基板的背面和所述载置台之间抽真空的工序。
9.如权利要求1～8中任一项所述的被处理基板的除电方法，其特征在于在所述除电处理中，包括重复将施加在使所述被处理体静电吸附在配置于所述处理室内的载置台上的静电吸附部件的电压的极性反转的工序。
10.如权利要求9所述的被处理基板的除电方法，其特征在于所述非正常时除电条件信息至少包括向所述静电吸附部件施加的电压、所述处理室内的压力、来自向所述处理室内供给处理气体的多个气体管路的气体流量的各参数。
11.一种基板处理装置，其在吸附保持在配置于处理室内的载置台的状态下的进行规定处理的被处理基板从所述载置台脱离时进行所述被处理基板的除电，其特征在于，具有存储正常时除电条件信息的正常时除电条件信息存储部件；存储非正常时除电条件信息的非正常时除电条件信息存储部件；在进行所述被处理基板的除电前，判断对所述被处理基板的规定处理是否正常结束，当判断为正常结束时，根据来自所述正常时除电条件信息存储部件的正常时除电条件信息设定除电条件，当判断为非正常结束时，根据来自所述非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件信息设定除电条件的除电条件设定部件；和根据通过所述除电条件设定部件设定的除电条件进行所述被处理基板的除电处理的除电处理实行装置。
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于所述除电条件设定部件在对所述被处理基板的处理为非正常结束时，判断是否移至维护，当判断为移至维护时，同样在从维护返回时，根据所述装置参数存储部件存储的非正常时除电条件信息设定除电条件。
13.如权利要求11或12所述的基板处理装置，其特征在于所述除电处理实行部件检测所述除电处理状况，比较其检测值与允许界限条件，当所述除电处理状况的检测值满足允许界限条件时，判断所述除电处理为异常状态并停止所述除电处理，根据来自所述非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件设定除电条件，再试行所述除电处理。
14.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于所述允许界限条件分成所述除电处理异常的异常条件和作为比该异常条件缓和的条件的警告条件两个阶段，所述除电处理实行部件在所述除电处理状况的检测值满足所述异常条件时，判断所述除电处理处于异常状态并停止所述除电处理，在所述除电处理状况的检测值满足所述警告条件时，判断所述除电处理处于警告状态并进行所述警告处理。
15.如权利要求11～14中任一项所述的基板处理装置，其特征在于所述除电处理实行部件在所述被处理基板的除电处理结束后，探求是否选择再试行所述除电处理，当选择再试行所述除电处理时，根据来自所述非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件信息设定除电条件。
16.如权利要求11～15中任一项所述的基板处理装置，其特征在于所述非正常时除电条件信息可通过输入部件编辑。
17.如权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于所述非正常时除电条件信息中可编辑的除电条件参数的个数比所述正常时除电条件信息多。
18.如权利要求11～17中任一项所述的基板处理装置，其特征在于在根据所述非正常时除电条件信息设定的除电条件进行的除电处理中，包括在所述被处理基板的背面和所述载置台之间抽真空的处理。
19.如权利要求11～18中任一项所述的基板处理装置，其特征在于在所述除电处理中，包括重复将施加在使所述被处理体静电吸附在配置于所述处理室内的载置台上的静电吸附部件的电压的极性反转。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于所述非正常时除电条件信息至少包括向所述静电吸附部件施加的电压、所述处理室内的压力、来自向所述处理室内供给的处理气体的多个气体管路的气体流量的各参数。
21.一种程序，其用于实行在吸附保持在配置于处理室内的载置台的状态下的进行规定处理的被处理基板从所述载置台脱离时进行被处理基板的除电处理，其特征在于，具有在计算机中，在进行所述被处理基板的除电前，判断对所述被处理基板的规定处理是否正常结束，当判断为正常结束时，根据存储在正常时除电条件信息存储部件中的正常时除电条件信息设定除电条件，当判断为非正常结束时，根据存储在非正常时除电条件信息存储部件中的非正常时除电条件信息设定除电条件的除电条件设定顺序；和根据设定的除电条件进行所述被处理基板的除电处理的除电处理实行顺序。
22.如权利要求21所述的程序，其特征在于所述除电条件设定顺序包括在对所述被处理基板的处理为非正常结束时，判断是否移至维护，当判断为移至维护时，同样在从该维护返回时，根据存储在所述装置参数存储部件中的非正常时除电条件信息设定除电条件的顺序。
23.如权利要求21或22所述的程序，其特征在于所述除电处理实行顺序包括检测所述除电处理状况，比较其检测值与允许界限条件，当所述除电处理状况的检测值满足允许界限条件时，判断所述除电处理为异常状态并停止所述除电处理，根据来自所述非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件设定除电条件，再试行所述除电处理的顺序。
24.如权利要求23所述的程序，其特征在于所述允许界限条件分成所述除电处理为异常的异常条件和作为比该异常条件缓和的条件的警告条件两个阶段，所述除电处理实行顺序包括在所述除电处理状况的检测值满足所述异常条件时，判断所述除电处理处于异常状态并停止所述除电处理，在所述除电处理状况的检测值满足所述警告条件时，判断所述除电处理处于警告状态并进行所述警告处理的顺序。
25.如权利要求21～24中任一项所述的程序，其特征在于所述除电处理实行顺序包括在所述被处理基板的除电处理结束后，探求是否选择再试行所述除电处理，当选择再试行所述除电处理时，根据来自所述非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件信息设定除电条件的顺序。
26.如权利要求21～25中任一项所述的程序，其特征在于所述非正常时除电条件信息可通过输入部件编辑。
27.如权利要求26所述的程序，其特征在于所述非正常时除电条件信息中可编辑的除电条件参数的个数比所述正常时除电条件信息多。
28.如权利要求21～27中任一项所述的程序，其特征在于在根据所述非正常时除电条件信息设定的除电条件进行的除电处理中，包括在所述被处理基板的背面与所述载置台之间抽真空的顺序。
29.如权利要求21～28中任一项所述的程序，其特征在于在所述除电处理中，包括重复将施加在使所述被处理体静电吸附在配置于所述处理室内的载置台上的静电吸附部件的电压的极性反转的顺序。
30.如权利要求29所述的程序，其特征在于所述非正常时除电条件信息至少包括向所述静电吸附部件施加的电压、所述处理室内的压力、来自向所述处理室内供给处理气体的多个气体管路的气体流量的各个参数。
全文摘要
本发明涉及的除电装置，不仅在对被处理基板的处理正常结束时，而且在对被处理基板的处理非正常结束时，也可以对被处理基板充分除电。在使吸附保持在载置台例如下部电极(120)的静电卡盘(122)的状态下，进行规定处理的被处理基板例如晶片(W)从静电卡盘(122)脱离情况下进行除电处理的基板处理装置中，判断在进行晶片(W)的除电前晶片(W)的规定处理是否正常结束，在判断为正常结束时，根据来自正常时除电条件信息存储部件的正常时除电条件信息设定除电条件，在判断为非正常结束时，根据来自非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件信息设定除电条件，根据设定的除电条件进行晶片(W)的除电处理。
文档编号H01L21/02GK1838381SQ20061006741
公开日2006年9月27日 申请日期2006年3月27日 优先权日2005年3月25日
发明者横内健, 八木文子 申请人:东京毅力科创株式会社