专利名称：有机电致发光器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及有机电致发光器件；尤其涉及能够降低总线电极图形(Bus electrode pattern)的电阻的有机电致发光器件及其制造方法。
背景技术：
一般而言，有机电致发光器件(OLED)是一个平板显示器设备，通过在晶片上的阳极层与阴极层之间插入有机薄膜构成。OLED是非常薄的矩阵型。
OLED有很多优点，它可以在非常低的电压下工作，而且它非常薄。因此，OLED可以解决传统LCD的一些缺陷，包括光学视角窄，响应速度慢，等等。与其它类型的显示器相比，尤其是与那些中等尺寸的相比，OLED可以提供与例如“TFT LCD”或更高级的显示器相同的图象质量。此外，由于OLED的制造工艺简单，作为下一代平版显示器设备，OLED已经吸引了人们的注意力。
参照图1，其为传统OLED的局部视图。
如图中所示，传统OLED有多个第一电极110，所述电极布置在分割成发光部分A和衬垫部分B的基片100上的平行条带信号图中。有多个第二电极120垂直布置在第一电极110上。有机电致发光器件的像素130分别限定在正交布置的第一和第二电极110和120的交叉区域。同样，在每个像素130上，在第一电极110和第二电极120之间形成包含有机发光层的有机薄膜层140。
形成于基片100的衬垫部分B上的是分别与第二和第一电极120和110相连的多个总线电极图形150和160。通常，总线电极图形150和160与第一电极110形成在一起，它们可以像第一电极110一样，由例如氧化铟锡(ITO)这样的透明导体材料制成。此外，可以在第一电极110的预定区域上构成由铬(Cr)等材料制成的辅助电极(未示出)以降低其中的电阻。在这种情形中，总线电极图形150和160与第一电极110和辅助电极形成在一起，这样，ITO和铬(Cr)可以依次层叠。另外，虽然图中没有示出，但在衬垫部分B上安装有薄膜封装(TCP)，使其与第一电极110，第二电极120和总线电极图形150和160电连接。TCP对衬垫部分B施加电信号以驱动OLED。
在本领域中众所周知，当衬垫部分B的总线电极图形150和160的电阻降低时，驱动OLED时压降会由于总线电极的原因减小，这又允许制造以低驱动电压和低功率损耗为特征的器件。为此，需要减小总线电极图形150和160的电阻。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种有机电致发光器件(OLED)，这种器件具有低电阻的总线电极图形，并因此降低功率损耗和驱动电压，由此改良器件的电气特性。依照本发明的一个方面，提供了一种有机电致发光器件，其包括具有发光部分和衬垫部分的基片；沿一个方向布置在基片的发光部分上的第一电极；绝缘层图形，其以栅格形状形成在第一电极和基片上，以便在第一电极上限定多个像素开口；
形成在绝缘层图形上的隔离层，所述隔离层与第一电极垂直交叉；形成在像素开口上的有机薄膜层；形成在有机薄膜层上的第二电极，其与第一电极垂直；第一总线电极图形，其形成在基片的衬垫部分上，与第一电极相连；第二总线电极图形，其形成在基片的衬垫部分上，与第二电极相连并包含形成第二电极的材料；和形成在第二总线电极图形之间的阻挡膜。
依照本发明的第二方面，提供了一种形成有机电致发光器件的方法，该方法包括以下步骤在基片上沿一个方向形成第一电极，该基片具有发光部分和衬垫部分，所述第一电极形成在所述发光部分上；在基片的衬垫部分上形成第一总线电极图形，使得在形成第一电极时第一总线电极图形与第一电极相连，所述第一总线电极图形包括形成第一电极的材料；在形成第一电极时在基片的衬垫部分上形成第二总线电极图形，所述第二总线电极图形包括第一电极形成材料；在第一电极和基片上形成栅格形状的绝缘层图形，以在第一电极上限定多个像素开口；在所述绝缘层图形上形成隔离层，所述隔离层与第一电极垂直交叉；在形成所述隔离层时在第二总线电极图形之间形成阻挡膜；
在所述像素开口上形成有机薄膜层；在所述有机薄膜层上形成与所述第一电极垂直的第二电极；和形成所述第二电极时在第二总线电极图形上沉积第二电极形成材料。
依照本发明的第三方面，提供了一种形成有机电致发光器件的方法，包括下列步骤在基片上沿一个方向形成第一电极，该基片具有发光部分和衬垫部分，所述第一电极形成在所述发光部分上；在基片的衬垫部分上形成第一总线电极图形，使得在形成第一电极时第一总线电极图形与第一电极相连，所述第一总线电极图形包括形成第一电极的材料；在形成第一电极时在基片的衬垫部分上形成第二总线电极图形，所述第二总线电极图形包括第一电极形成材料；在第一电极和基片上形成栅格形状的绝缘层图形，以在第一电极上限定多个像素开口；在所述绝缘层图形上形成隔离层，所述隔离层与第一电极垂直交叉；在形成所述隔离层时在第一总线电极图形与第二总线电极图形之间形成阻挡膜；在所述像素开口上形成有机薄膜层；在所述有机薄膜层上形成与所述第一电极垂直的第二电极；和形成所述第二电极时在第一和第二总线电极图形上沉积第二电极形成材料。
依照本发明的第四方面，提供了一种有机电致发光器件的方法，包括下列步骤在基片上沿一个方向形成第一电极，该基片具有发光部分和衬垫部分，所述第一电极形成在所述发光部分上；在基片的衬垫部分上形成第一总线电极图形，使得在形成第一电极时第一总线电极图形与第一电极相连，所述第一总线电极图形包括形成第一电极的材料；在第一电极和基片上形成栅格形状的绝缘层图形，以在第一电极上限定多个像素开口；在所述绝缘层图形上形成隔离层，所述隔离层与第一电极垂直交叉；在形成所述隔离层时在基片的衬垫部分上形成阻挡膜；在所述像素开口上形成有机薄膜层；形成掩膜图形以阻隔所述第一总线电极图形；利用所述掩膜图形在所述有机薄膜层上形成与第一电极垂直的第二电极；和在形成所述第二电极时在所述阻挡膜之间沉积第二电极形成材料，从而形成第二总线电极图形。
依照本发明的第五方面，提供了一种形成有机电致发光器件的方法，包括下列步骤在基片上沿一个方向形成第一电极，该基片具有发光部分和衬垫部分，所述第一电极形成在所述发光部分上；在第一电极和基片上形成栅格形状的绝缘层图形，以在第一电极上限定多个像素开口；
在所述绝缘层图形上形成隔离层，所述隔离层与第一电极垂直交叉；在形成所述隔离层时在基片的衬垫部分上形成阻挡膜；在所述像素开口上形成有机薄膜层；在所述有机薄膜层上形成与第一电极垂直的第二电极；和在形成所述第二电极时在所述阻挡膜之间沉积第二电极形成材料，从而形成第一和第二总线电极图形。
可以由以下结合附图给出的优选实施例说明了解本发明的以上和其它目的及特征，其中图1表示传统有机电致发光器件的局部视图；图2给出依照本发明的有机电致发光器件的局部视图；图3至图9提供用于描述依照本发明第一优选实施例的有机电致发光器件的制造工艺图。
图10至图13示出用于描述依照本发明第二优选实施例的有机电致发光器件的制造工艺图。
图14至图20提供描述依照本发明第三优选实施例的有机电致发光器件的制造工艺图。
图21至图26示出描述依照本发明第四优选实施例的有机电致发光器件的制造工艺图。
具体实施例方式
下文中将参照附图具体描述本发明的优选实施例。这里，应该注意，本发明并不局限于此处公开的优选实施例，而是能以不同的形式进行修改。图中，元件的厚度被放大以便清晰地示出各种层和区域。此外，在下面的说明中，相同的附图标记表示相同的元件。
图2给出了依照本发明的有机电致发光器件的局部视图；图3至图9图解了依照本发明第一优选实施例的有机电致发光器件的制造方法。特别地，图9是沿图8的线I-I’的局部截面图。
如图2所示本发明的有机电致发光器件包括分割成发光部分A和衬垫部分B的基片300；沿一个方向布置在基片的发光部分A上的第一电极310；布置在第一电极310和基片上、用来限定第一电极310上像素的多个像素开口的栅格形绝缘层图形340；形成在绝缘层图形340与第一电极垂直交叉的区域上的隔离层360；沉积在像素开口上的有机薄膜层(未示出)；第二电极380，其布置在衬垫300的衬垫部分B上与第一电极310垂直；第一总线电极图形320，其形成在基片B的衬垫部分B上，与第一电极310电连接；第二总线电极图形390，其形成在基片300的衬垫部分B上，用与形成第二电极380相同的材料与第二电极380形成在一起，以便与之电连接；以及形成在第二总线电极图形390之间的阻挡膜365。阻挡膜365与形成在基片300的发光部分A上的隔离层360相连。
虽然图中没有示出，但阻挡膜365也可以形成在第一总线电极图形320之间和/或第二总线电极图形330之间。
下文参照图3至图9描述了依照本发明第一优选实施例的有机电致发光器件制造方法。
参照图3，第一电极310形成在包括发光部分A和衬垫部分B的基片300上，使得它们沿一个方向相互平行布置。形成第一电极310时，在基片300的衬垫部分B上也形成总线电极图形，例如第一和第二电极图形320和330，它们之后分别与外部驱动电路相连。第一总线电极图形320与第一电极310相连，而第二总线电极图形与之后形成的第二电极相连。
通常，基片300由玻璃制成，第一电极310由透明导体材料制成，例如由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)制成。此外，第一和第二总线电极图形320和330分别与第一电极310形成在一起，并且也由与形成第一电极310的相同的透明导体材料，例如，ITO或IZO制成。并且，如果辅助电极(未示出)被选择用小电阻和小电阻率材料例如铬(Cr)或钼(Mo)形成在第一电极310的预定区域上以降低第一电极310的电阻，则第一和第二总线电极图形320和330分别与第一电极310和辅助电极形成在一起。结果，它们中的每一个具有由ITO和Cr或IZO和Cr依次沉积的层叠结构。
参照图4，在第一电极310上形成绝缘层图形340，从平面图看其为栅格形，由此限制像素开口350。由绝缘层图形340形成的像素开口350限定形成像素的像素形成区域。
然后，参照图5，在包含绝缘层图形340的基片300的整个表面上沉积负性光阻膜后，实行曝光和显影工艺以形成隔离层360，每层有相反斜面。这些隔离层360以预置间隔放置，使其相互平行，并与第一电极310垂直。此外，隔离层360有伸出(overhang)结构以防止之后形成的第二电极与邻近元件短路。
在基片300的整个表面上形成隔离层360之后，在第二总线电极图形330之间形成阻挡膜365。优选将阻挡膜365与隔离层360连接。阻挡膜365位于衬垫部分B上第二总线电极图形330之间，它们用来将第二总线电极图形330彼此分开。阻挡膜365可以由与形成隔离层360的相同的材料构成，例如，负性光阻膜。
其后，如图6所示，包括有机发光层等的有机薄膜层370沉积在形成像素的像素开口上。虽然图中没有示出，但有机薄膜层具有包括电洞注入(hole injecting)层，电洞传输(hole transporting)层，发光层以及电子传输层的层叠结构。
然后，如图7所示，形成掩膜图形375以覆盖衬垫部分B上第一总线电极图形320所在区域。掩膜图形375用来在后续工序过程中沉积第二电极时防止沉积第一总线电极图形(未示出)。
接着，如图8和图9所示，第二电极380以与第一电极310相垂直的方式形成在有机薄膜层370上。第二电极380可以与由用来形成电极的金属材料构成，例如由铝(Al)，铜(Cu)或银(Ag)或这些金属的合金构成。
此时，在有机薄膜层370上构成第二电极380时，用来构成第二电极380的材料延伸到并沉积在基片300的衬垫部分B上。用于构成第二电极380的材料是构成电极的金属材料，包括Al，Cu或Ag或这些金属的合金。
因此，第二总线电极图形390具有层叠结构，该层叠结构包括沉积在ITO或IZO上构成第二电极的材料层，或者包括依次分层沉积的ITO和Cr或IZO和Cr层上构成第二电极的材料层。
如果构成第二电极的材料，例如Al沉积在由依次层叠的两个ITO和Cr或IZO和Cr层330a和330b构成的第二总线电极图形330上，那么沉积了构成第二电极的材料的区域的电阻比传统电阻减小1/10到1/8。因此，通过与外驱动电路相连来驱动有机电致发光器件时，功率损耗和驱动电压都降低，使器件的电气特性得到改良。
图10至图13描述了依照本发明第二优选实施例的有机电致发光器件的制造方法。图13特别示出了沿图12中线V-V’的截面图。
首先，如以上参照图3和图4所述，第一电极310，第一总线电极图形320和第二总线电极图形330形成在包括发光部分A和衬垫部分B的基片300上。然后，在第一电极310上形成栅格形绝缘层图形340以限定像素开口350。
随后，如图10所示，光阻膜沉积在基片300的整个表面上，此后，实行曝光和显影工序以获得带有相反斜面的隔离层360。隔离层360被布置成互相平行并与第一电极310垂直。同样，隔离层360也有伸出结构。
隔离层360形成时，在第一和第二总线电极图形320和330之间同时形成阻挡膜365。阻挡膜365用于在随后沉积材料构成第二电极时防止第一和第二总线电极图形320和330短路。第二总线电极图形330之间的阻挡膜365优选与隔离层360相连。此外，第一总线电极图形320之间的阻挡膜365也可以与隔离层360相连。
随后，如图11所示，包括有机发光层等的有机薄膜层380沉积在像素开口350上。
然后，如图12和13所示，在有机薄膜层370上形成第二电极380，它们与第一电极310垂直。第二电极380在有机薄膜层370上形成时，构成第二电极的材料扩展到并沉积在基片300的衬垫部分B上，由此获得其上沉积了构成第二电极的材料的第一总线电极图形395和第二总线电极图形390。第一总线电极图形395可以包含由依次沉积的ITO和Cr或IZO和Cr层构成的层叠的多层结构30a和320b。构成第二电极的材料包括Al，Cu或Ag。此外，由于形成第一总线电极图形395和第二总线电极图形390的区域已经由于预先形成的阻挡膜365的存在而被分割，那么构成第二电极的材料的沉积可以不使用掩膜。
如上所述，由于有包括沉积在由依次层叠的ITO和Cr或IZO和Cr构成的总线电极图形上的第二电极构成材料层的结构，第一和第二总线电极图形395和390分别可以有进一步降低的电阻。结果，之后通过与外驱动电路相连来驱动有机电致发光器件时，功率损耗和驱动电压可以降低，从而使器件的电气特性得到改良。
图14至图20描述了依照本发明第三实施例的有机电致发光器件的制造方法。图20特别沿图19中的线X-X’示出局部截面图。
参照图14，第一电极410形成在包括发光部分A和衬垫部分B的基片400上，使得它们沿一个方向互相平行布置。第一电极410形成时，之后与外驱动电路相连的总线电极图形，例如，第一总线电极图形420也在基片的衬垫部分B上形成。第一总线电极图形420也第一电极410相连。
第一电极410由例如ITO或IZO这样的透明导电材料制成。此外，与第一电极410形成在一起的第一总线电极图形420也由与构成第一电极410的相同的材料制成，例如ITO或IZO。并且，为了降低第一电极410的电阻，可以选择性地在第一电极的预定区域上用小电阻和小电阻率的材料，例如Cr或Mo，形成辅助电极(未示出)。在这种情形中，第一总线电极图形420可与第一电极410和辅助电极形成在一起，这样，第一总线电极图形420可以具有依次沉积的ITO和Cr或IZO和Cr的层叠的多层结构。
同时，衬垫部分B上除形成第一总线电极图形420的区域之外的剩余区域，例如，形成与第二电极相连的第二总线电极图形的区域，可以在沉积电极材料构成第二电极时构成。其说明随后提供。
参照图15，绝缘层图形440形成在沉积在基片400的发光部分A上的第一电极410上，从平面图中观察时，其为栅格形，由此在第一电极410上限定像素开口450。通过绝缘层图形440形成的像素开口450限定形成像素的像素形成区域。
然后，参照图16，在将光阻膜沉积在包括绝缘层图形440的基片400的整个表面上之后，执行曝光和显影工序，由此获得具有相反斜面的隔离层460。隔离层460以预置间隔布置，它们互相平行并与第一电极410垂直。此外，隔离层460具有伸出结构以防止之后形成的第二电极与邻近元件短路。
在隔离层460形成时，阻挡膜465扩展到并形成在衬垫部分B上。阻挡膜465优选与隔离层460相连。阻挡膜位于之后形成的第二总线电极图形之间，它们用来将第二总线电极图形相互分开。隔离层465可以由与构成隔离层460的相同的材料构成，例如，负性光阻膜。
然后，参照图17，包括有机发光层等的有机薄膜层470形成在像素开口450上。虽然图中没有示出，但该有机薄膜层470具有层叠结构，该层叠结构包括电洞注入层，电洞传输层，有机电致发光层和电子传输层，所有这些层都层叠在由绝缘层图形440形成的像素开口上。
其后，参照图18，形成了掩膜图形480以覆盖衬垫部分B上第一总线电极图形420所在的区域。掩膜图形480用来在随后的工序过程中沉积构成第二电极的材料时阻隔第一总线电极图形420。
下一步，如图19和20所示，第二电极490以与第一电极410垂直的方式形成在有机薄膜层470上。每个第二电极480可以为单层或具有两个或更多个由包含Al，Cu或Ag的金属材料构成的层。
在有机薄膜层470上形成第二电极490时，构成第二电极490的材料也扩展到并沉积在基片400的衬垫部分B上，以便由此在衬垫部分B上构成第二总线电极图形500。构成第二电极的材料是例如Al，Cu或Ag这样的金属材料。此时，第二总线电极图形500被预先形成的阻挡膜465分割。
如上所述，如果第二总线电极图形500通过沉积构成第二电极的材料，例如Al形成，那么与将第二总线电极图形形成为依次沉积的ITO和Cr或IZO和Cr层叠的多层结构的情形相比，第二总线电极图形500的电阻可以进一步降低。
因此，当之后通过与外驱动电路相连来驱动有机电致发光器件时，功率损耗和驱动电压降低，从而使器件的电气特性得到改良。此外，通过将第二总线电极图形形成为包含构成第二电极的材料的单独层，可以使缺陷的产生与将第二总线电极图形形成为ITO和Cr或IZO和Cr层叠的多层结构的情形相比有所降低。结果，器件的可靠性得到提高。
图21至图26描述了依照本发明第四实施例的有机电致发光器件的制造方法。图26特别沿图25中的线Y-Y’示出局部截面图。
参照图21，第一电极410形成在包括发光部分A和衬垫部分B的基片400上，使得它们沿一个方向相互平行布置。第一电极410由透明导电材料，例如ITO或IZO构成。
同时，衬垫部分B上的总线电极图形，例如，与第一电极相连的第一总线电极图形和与第二电极相连的第二总线电极图形，可以在沉积构成第二电极的电极材料时形成。其说明之后提供。
参照图22，栅格形的绝缘层图形440形成在所述沉积在基片400的发光部分A上的第一电极410上，以便由此在第一电极410上限定像素开口450。
然后，参照附图23，在包括绝缘层图形440的基片400的整个表面上沉积光阻膜之后，执行曝光和显影工序，由此获得分别带有相反斜面的隔离层460。隔离层460以预置间隔布置，相互平行并垂直于第一电极410。此外，隔离层460由伸出结构以防止之后形成的第二电极与邻近元件短路。
在形成隔离层460时，阻挡膜465扩展到并形成在衬垫部分B上，其中阻挡膜465用来防止之后沉积构成第二电极的材料时总线电极图形之间发生短路。
随后，参照图24，包括有机发光层等的有机薄膜层470形成在像素开口上。虽然图中没有示出，有机薄膜层470可以具有层叠结构，该层叠结构包括电洞注入层，电洞传输层，有机电致发光层和电子传输层，所有这些层都层叠在由绝缘层图形440形成的像素开口上。
接着，如图25和26所示，第二电极490以与第一电极410垂直的方式形成在有机薄膜层470上。每个第二电极490可以为单层或具有两个或更多个由包括Al，Cu或Ag的金属材料构成的层。
在有机薄膜层470上形成第二电极490时，构成第二电极490的材料也沉积在基片400的衬垫部分B上，以便由此在衬垫部分B上分别形成第一和第二总线电极图形510和500。构成第二电极的材料是包括Al，Cu或Ag的金属材料。同时，由于分别形成第一和第二总线电极图形510和500的区域已经被预先形成的阻挡膜465分割，沉积构成第二电极的材料时可以不使用掩膜。
如上所述，如果第一和第二总线电极图形510和500分别通过沉积构成第二电极的材料，例如Al形成，那么，与形成的第一和第二总线电极图形510和500具有依次沉积的ITO和Cr或IZO和Cr层叠的多层结构的情形相比，其电阻可以进一步降低。
因此，在之后通过与外驱动电路相连驱动有机电致发光器件时，功率损耗和驱动电压降低，从而改进了器件的电气特性。此外，通过将第一和第二总线电极图形都形成为包含构成第二电极的材料的单独层，与将第二总线电极图形形成为依次沉积的ITO和Cr或IZO和Cr层叠的多层结构的情形相比，缺陷的产生也减少。结果，提高了器件的可靠性。
虽然以上关于优选实施例示出并描述了本发明，本领域的技术人员应该知道，在不脱离下列权利要求限定的本发明的精神和范畴的情况下，可以对本发明做多种更改和修正。
权利要求
1.一种有机电致发光器件，包括；具有发光部分和衬垫部分的基片；沿一个方向布置在基片的发光部分上的第一电极；绝缘层图形，其以栅格形状形成在第一电极和基片上，以便在第一电极上限定多个像素开口；形成在绝缘层图形上的隔离层，所述隔离层与第一电极垂直交叉；形成在像素开口上的有机薄膜层；形成在有机薄膜层上的第二电极，其与第一电极垂直；第一总线电极图形，其形成在基片的衬垫部分上，与第一电极相连；第二总线电极图形，其形成在基片的衬垫部分上，与第二电极相连并包含形成第二电极的材料；和形成在第二总线电极图形之间的阻挡膜。
2.如权利要求1所述的器件，进一步包含形成在第一总线电极图形之间的阻挡膜。
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，形成在第二总线电极图形之间的阻挡膜与隔离层相连。
4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，每个第一总线电极图形具有由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)构成的单层结构；或由ITO和铬(Cr)，或IZO和Cr构成的层叠的多层结构。
5.如权利要求1所述的器件，其特征在于，第二电极形成材料是包括铝(Al)，铜(Cu)或银(Ag)或者它们的合金的金属材料。
6.如权利要求5所述的器件，其特征在于，每个第二总线电极图形具有由ITO和第二电极形成材料构成的层叠的多层结构；或者具有由IZO和第二电极形成材料构成的层叠的多层结构。
7.如权利要求5所述的器件，其特征在于，每个第二总线电极图形具有由ITO，Cr与第二电极形成材料构成的层叠的多层结构；或具有由IZO，Cr与第二电极形成材料构成的层叠的多层结构。
8.如权利要求5所述的器件，其特征在于，每个第二总线电极图形具有由第二电极形成材料构成的单层结构。
9.一种形成有机电致发光器件的方法，包括下列步骤在基片上沿一个方向形成第一电极，该基片具有发光部分和衬垫部分，所述第一电极形成在所述发光部分上；在基片的衬垫部分上形成第一总线电极图形，使得在形成第一电极时第一总线电极图形与第一电极相连，所述第一总线电极图形包括形成第一电极的材料；在形成第一电极时在基片的衬垫部分上形成第二总线电极图形，所述第二总线电极图形包括第一电极形成材料；在第一电极和基片上形成栅格形状的绝缘层图形，以在第一电极上限定多个像素开口；在所述绝缘层图形上形成隔离层，所述隔离层与第一电极垂直交叉；在形成所述隔离层时在第二总线电极图形之间形成阻挡膜；在所述像素开口上形成有机薄膜层；在所述有机薄膜层上形成与所述第一电极垂直的第二电极；和形成所述第二电极时在第二总线电极图形上沉积第二电极形成材料。
10.一种形成有机电致发光器件的方法，包括下列步骤在基片上沿一个方向形成第一电极，该基片具有发光部分和衬垫部分，所述第一电极形成在所述发光部分上；在基片的衬垫部分上形成第一总线电极图形，使得在形成第一电极时第一总线电极图形与第一电极相连，所述第一总线电极图形包括形成第一电极的材料；在形成第一电极时在基片的衬垫部分上形成第二总线电极图形，所述第二总线电极图形包括第一电极形成材料；在第一电极和基片上形成栅格形状的绝缘层图形，以在第一电极上限定多个像素开口；在所述绝缘层图形上形成隔离层，所述隔离层与第一电极垂直交叉；在形成所述隔离层时在第一总线电极图形与第二总线电极图形之间形成阻挡膜；在所述像素开口上形成有机薄膜层；在所述有机薄膜层上形成与所述第一电极垂直的第二电极；和形成所述第二电极时在第一和第二总线电极图形上沉积第二电极形成材料。
11.如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，在第二总线电极图形之间形成的阻挡膜与隔离层相连。
12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，第一总线电极图形具有由ITO或IZO构成的单层结构；或者具有由ITO和Cr，或IZO和Cr构成的层叠的多层结构。
13.如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述第二电极形成材料是包括Al，Cu或Ag，或其合金的金属材料。
14.如权力要求9或10所述的方法，其特征在于，每个第二总线电极图形具有由ITO与第二电极形成材料构成的层叠的多层结构；或者具有由IZO与第二电极形成材料构成的层叠的多层结构。
15.如权利要求9或10所述的方法，每个第二总线电极图形具有由ITO，Cr与第二电极形成材料构成的层叠的多层结构；或者具有由IZO，Cr与第二电极形成材料构成的层叠的多层结构。
16.一种形成有机电致发光器件的方法，包括下列步骤在基片上沿一个方向形成第一电极，该基片具有发光部分和衬垫部分，所述第一电极形成在所述发光部分上；在基片的衬垫部分上形成第一总线电极图形，使得在形成第一电极时第一总线电极图形与第一电极相连，所述第一总线电极图形包括形成第一电极的材料；在第一电极和基片上形成栅格形状的绝缘层图形，以在第一电极上限定多个像素开口；在所述绝缘层图形上形成隔离层，所述隔离层与第一电极垂直交叉；在形成所述隔离层时在基片的衬垫部分上形成阻挡膜；在所述像素开口上形成有机薄膜层；形成掩膜图形以阻隔所述第一总线电极图形；利用所述掩膜图形在所述有机薄膜层上形成与第一电极垂直的第二电极；和在形成所述第二电极时在所述阻挡膜之间沉积第二电极形成材料，从而形成第二总线电极图形。
17.一种形成有机电致发光器件的方法，包括下列步骤在基片上沿一个方向形成第一电极，该基片具有发光部分和衬垫部分，所述第一电极形成在所述发光部分上；在第一电极和基片上形成栅格形状的绝缘层图形，以在第一电极上限定多个像素开口；在所述绝缘层图形上形成隔离层，所述隔离层与第一电极垂直交叉；在形成所述隔离层时在基片的衬垫部分上形成阻挡膜；在所述像素开口上形成有机薄膜层；在所述有机薄膜层上形成与第一电极垂直的第二电极；和在形成所述第二电极时在所述阻挡膜之间沉积第二电极形成材料，从而形成第一和第二总线电极图形。
18.如权利要求16或17所述的方法，其特征在于，第二总线电极图形与第二电极相连，而第二总线电极图形之间的阻挡膜与隔离层相连。
19.如权利要求16或17所述的方法，其特征在于，所述第二电极形成材料是包括Al，Cu，Ag，或其合金的金属材料。
全文摘要
有机电致发光器件包括基片；沿一个方向布置在基片上的发光部分上的第一电极；以栅格形式形成在第一电极与基片之间以便限定第一电极上的多个像素开口的绝缘层图形；形成在绝缘层图形上的隔离层，该隔离层与第一电极垂直交叉；形成在像素开口上的有机薄膜层；与第一电极垂直地形成在有机薄膜层上的第二电极；形成在基片的衬垫部分上与第一电极相连的第一总线电极图形；形成在基片的衬垫部分上与第二电极相连并包含构成第二电极的材料的第二总线电极图形；和形成在第二总线电极图形之间的阻挡膜。
文档编号H01L21/82GK1897296SQ20061011085
公开日2007年1月17日 申请日期2006年8月15日 优先权日2006年4月5日
发明者柳在勳 申请人:株式会社大宇电子