专利名称：一种用于聚合物热敏电阻制造的电解铜箔生产方法
技术领域：
本发明属于电解铜箔的制造方法这一技术领域，特别适用于双层、多层聚合物热敏电阻(PPTC)的制造方法这一技术领域。
背景技术：
PPTC主要由充填导体的聚乙稀(Polyethylene)芯材、电极所制成，其充填导体主要成分为碳黑。根据芯材的层数，PPTC可分为单层、双层、多层结构型式。双层、多层PPTC的电极层数＝芯材层数+1，双层、多层PPTC的电极引出原理与单层一致，其多电极最终被组合成双电极引出(见JP249515)，这种电极的组合可以成倍放大元件单位面积的限流能力，进而满足IC高集成度的要求。
PPTC的电极一般由表面粗化处理镍箔、镀镍铜箔制造，表面粗化处理镍箔可以满足单层PPTC外层电极制造质量要求，但用于双层、多层PPTC的内层电极时，镍箔与芯材的粘结强度不能满足大功率重复热冲击要求，容易产生芯材与电极分离，不能满足双层、多层PPTC的质量要求。CN1447351A介绍了一种间歇式生产PPTC专用电极材料的生产方式，但该镀镍铜箔非处理面的Ry值通常小于1.5μm，相当于粗化处理面粗糙度的15～20％，当其与芯材压合后，剥离强度只有0.2～0.3kg/cm，低于粘结强度大于1.0kg/cm的标准要求，致使该种方法生产出的铜箔不能满足双层、多层PPTC内层电极制造的要求，并且其市场意意义也不大。
发明内容
本发明提供一种适用双层、多层PPTC的电解铜箔生产方法。
本发明解决技术问题的技术方案为一种用于聚合物热敏电阻制造的电解铜箔生产方法包括酸洗工序、单面粗化固化工序、单面固化工序、双面粗化工序、双面粗化层再固化工序、双面固化层镀镍工序、双面镀镍层偶联工序，并且这些工序是在一条生产线上连续完成。
所述的单面粗化固化工序的工作条件包含于双面粗化固化工序之中。
所述的单面固化工序的工作条件为电流密度20～40A/dm2；温度30～60℃；Cu2+50～90g/L；H2SO470～110g/L；所述的双面粗化工序的工作条件为电流密度12～30A/dm2；温度21～35℃；Cu2+10～22g/L；H2SO450～90g/L；十二烷基硫酸钠0.5～15mg/L；所述的双面粗化层再固化工序的工作条件为电流密度20～40A/dm2；温度30～60℃；Cu2+50～90g/L；H2SO470～110g/L；所述的双面固化层镀镍工序的工作条件为电流密度10～30A/dm2；温度30～60℃；Ni2+20～90g/L；所述的双面镀镍层偶联工序的工作条件为A-1870.1～1.0％；
温度15～50℃。
优选的单面固化工序的工作条件为电流密度25～30A/dm2；温度40～50℃；Cu2+60～70g/L；H2SO480～90g/L；优选的双面粗化工序的工作条件为电流密度18～24A/dm2；电解液温度24～28℃；Cu2+12～16g/L；H2SO460～70g/L；十二烷基硫酸钠2～5mg/L；优选的双面粗化层再固化工序的工作条件为电流密度25～30A/dm2；温度40～50℃；Cu2+60～70g/L；H2SO480～90g/L；优选的双面固化层镀镍工序的工作条件为电流密度15～20A/dm2；温度40～50℃；Ni2+40～60g/L；优选的双面镀镍层偶联工序的工作条件为A-1870.3～0.5％；温度20～35℃。
为提高双面粗化镀镍铜箔光面粗糙度，最好对光面实施2～3次的固化处理，再实施光面的粗化处理。
双面粗化镀镍铜箔的光面固化层厚度范围为1～5μm，最佳范围为2～4μm。
双面粗化镀镍铜箔的光面粗化层厚度范围为2～6μm，最佳范围为3～4μm。
本发明与现有技术相比，具有工艺简单、质量均匀、生产成本低、可以大规模生产的特点。
图1为本发明的结构示意图；1为生箔，2为粗化层，3为固化层，4为镀镍层，5为偶联剂层。
具体实施例方式下面结合实施例对本发明做详细的说明。
本发明的粗糙度、剥离强度、抗高温热变色能力按ICP-MF-650标准检测。
实施例11、酸洗工序将M面Ry7.8μm的30μm生箔，用100g/L的硫酸酸清洗后，2、单面粗化固化工序的工作条件与双面粗化固化工序的条件相同。
3、单面固化工序将固化过的铜箔在电流密度20A/dm2、温度30℃、Cu2+50g/L、H2SO470g/L的条件下进行电镀。
4、双面粗化工序将光面固化好的铜箔在电流密度12A/dm2、温度21℃、Cu2+10g/L、H2SO450g/L、十二烷基硫酸钠0.5mg/L的条件下进行电镀。
5、双面粗化层再固化工序将双面粗化好的铜箔在电流密度20A/dm2、温度30℃、Cu2+50g/L、H2SO470g/L的条件下进行电镀。
6、双面固化层镀镍工序将双面固化好的铜箔在电流密度10A/dm2、温度30℃、Ni2+20g/L的条件下进行电镀。
7、所述的双面镀镍层偶联工序的工作条件为将双面固化好的铜箔在A-1870.1％、温度15℃的条件下进行偶联。
实施例21、酸洗工序将M面Ry7.8μm的30μm生箔，用100g/L的硫酸酸清洗后，2、单面粗化固化工序的工作条件与双面粗化固化工序的条件相同。
3、单面固化工序将固化过的铜箔在电流密度25A/dm2、温度40℃、Cu2+60g/L、H2SO480g/L的条件下进行电镀。
4、双面粗化工序将光面固化好的铜箔在电流密度18A/dm2、温度24℃、Cu2+12g/L、H2SO460g/L、十二烷基硫酸钠2mg/L的条件下进行电镀。
5、双面粗化层再固化工序将双面粗化好的铜箔在电流密度25A/dm2、温度40℃、Cu2+60g/L、H2SO480g/L的条件下进行电镀。
6、双面固化层镀镍工序将双面固化好的铜箔在电流密度15A/dm2、温度40℃、Ni2+40g/L的条件下进行电镀。
7、所述的双面镀镍层偶联工序的工作条件为将双面固化好的铜箔在A-1870.3％、温度20℃的条件下进行偶联。
实施例31、酸洗工序将M面Ry7.8μm的30μm生箔，用100g/L的硫酸酸清洗后，
2、单面粗化固化工序的工作条件与双面粗化固化工序的条件相同。
3、单面固化工序将固化过的铜箔在电流密度30A/dm2、温度50℃、Cu2+70g/L、H2SO490g/L的条件下进行电镀。
4、双面粗化工序将光面固化好的铜箔在电流密度24A/dm2、温度28℃、Cu2+16g/L、H2SO470g/L、十二烷基硫酸钠5mg/L的条件下进行电镀。
5、双面粗化层再固化工序将双面粗化好的铜箔在电流密度30A/dm2、温度50℃、Cu2+70g/L、H2SO490g/L的条件下进行电镀。
6、双面固化层镀镍工序将双面固化好的铜箔在电流密度20A/dm2、温度50℃、Ni2+60g/L的条件下进行电镀。
7、所述的双面镀镍层偶联工序的工作条件为将双面固化好的铜箔在A-1870.5％、温度35℃的条件下进行偶联。
实施例41、酸洗工序将M面Ry7.8μm的30μm生箔，用100g/L的硫酸酸清洗后，2、单面粗化固化工序的工作条件与双面粗化固化工序的条件相同。
3、单面固化工序将固化过的铜箔在电流密度40A/dm2、温度60℃、Cu2+90g/L、H2SO4110g/L的条件下进行电镀。
4、双面粗化工序将光面固化好的铜箔在电流密度30A/dm2、温度35℃、Cu2+22g/L、H2SO490g/L、十二烷基硫酸钠15mg/L的条件下进行电镀。
5、双面粗化层再固化工序将双面粗化好的铜箔在电流密度40A/dm2、温度60℃、Cu2+90g/L、H2SO4110g/L的条件下进行电镀。
6、双面固化层镀镍工序将双面固化好的铜箔在电流密度30A/dm2、温度60℃、Ni2+90g/L的条件下进行电镀。
7、所述的双面镀镍层偶联工序的工作条件为将双面固化好的铜箔在A-1871.0％、温度50℃的条件下进行偶联。
实施例5，除光面进行三次固化外，其余与实施例3相同。
实施例1-5所制备的铜箔，在加热到250℃条件下，30min均不变色。
本发明铜箔不局限于PPTC的电极应用范围，本发明铜箔可以用于抗热变能力要求高、特殊基材(如四氟基材)的高端覆铜板生产。
权利要求
1.一种用于聚合物热敏电阻制造的电解铜箔生产方法，包括酸洗工序、单面粗化固化工序、单面固化工序、双面粗化工序、双面粗化层再固化工序、双面固化层镀镍工序、双面镀镍层偶联工序，其特征在于所述的单面固化工序的工作条件为电流密度20～40A/dm2；温度30～60℃；Cu2+50～90g/L；H2SO470～110g/L；所述的双面粗化工序的工作条件为电流密度12～30A/dm2；温度21～35℃；Cu2+10～22g/L；H2SO450～90g/L；十二烷基硫酸钠0.5～15mg/L；所述的双面粗化层再固化工序的工作条件为电流密度20～40A/dm2；温度30～60℃；Cu2+50～90g/L；H2SO470～110g/L；所述的双面固化层镀镍工序的工作条件为电流密度10～30A/dm2；温度30～60℃；Ni2+20～90g/L；所述的双面镀镍层偶联工序的工作条件为A-1870.1～1.0％；温度15～50℃。
2.根据权利要求1所述的一种用于聚合物热敏电阻制造的电解铜箔生产方法，其特征在于所述的单面固化工序的工作条件为电流密度25～30A/dm2；温度40～50℃；Cu2+60～70g/L；H2SO480～90g/L；所述的双面粗化工序的工作条件为电流密度18～24A/dm2；电解液温度24～28℃；Cu2+12～16g/L；H2SO460～70g/L；十二烷基硫酸钠2～5mg/L；所述的双面粗化层再固化工序的工作条件为电流密度 25～30A/dm2；温度40～50℃；Cu2+60～70g/L；H2SO480～90g/L；所述的双面固化层镀镍工序的工作条件为电流密度15～20A/dm2；温度40～50℃；Ni2+40～60g/L；所述的双面镀镍层偶联工序的工作条件为A-1870.3～0.5％；温度20～35℃。
3.根据权利要求1或2所述的一种用于聚合物热敏电阻制造的电解铜箔生产方法，其特征在于光面实施2～3次的固化工序。
4.根据权利要求1或2所述的一种用于聚合物热敏电阻制造的电解铜箔生产方法，其特征在于双面粗化镀镍铜箔的光面固化层厚度范围为1～5μm。
5.根据权利要求4所述的一种用于聚合物热敏电阻制造的电解铜箔生产方法，其特征在于双面粗化镀镍铜箔的光面固化层厚度范围为2～4μm。
6.根据权利要求1或2所述的一种用于聚合物热敏电阻制造的电解铜箔生产方法，其特征在于双面粗化镀镍铜箔的光面粗化层厚度范围为2～6μm。
7.根据权利要求6所述的一种用于聚合物热敏电阻制造的电解铜箔生产方法，其特征在于双面粗化镀镍铜箔的光面粗化层厚度范围为3～4μm。
全文摘要
本发明公开了一种用于聚合物热敏电阻制造的电解铜箔生产方法包括酸洗工序、单面粗化固化工序、单面固化工序、双面粗化工序、双面粗化层再固化工序、双面固化层镀镍工序、双面镀镍层偶联工序，本发明与现有技术相比具有工艺简单、质量均匀、生产成本低、可以大规模连续生产的特点。
文档编号H01C7/02GK101093743SQ20071002267
公开日2007年12月26日 申请日期2007年5月25日 优先权日2007年5月25日
发明者甘跃 申请人:甘跃